CN106011861B - 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法 - Google Patents

用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造液晶显示器的阵列基板的方法，所述蚀刻剂组合物包含硝酸铁、无机酸、乙酸和/或乙酸盐、腐蚀抑制剂、螯合剂、乙醇酸和水。

Description

用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵 列基板的方法
技术领域
本发明涉及用于蚀刻含银(Ag)薄层的蚀刻剂组合物和利用它制造显示装置的阵列基板的方法。
背景技术
随着信息时代的全面来临，处理和显示大量信息的显示器领域正在迅速进步。因此，各种各样的平板显示器已经开发并受到关注。
所述平板显示器的例子包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)、场致发射显示器(FED)和有机发光二极管(OLED)。随着薄膜晶体管-液晶显示器的屏幕尺寸增大，与薄膜晶体管连接的栅极线和数据线也加长，从而增加了线路电阻。为此原因，在栅极线和数据线中常规使用铬(Cr)、钼(Mo)、铝(Al)及其合金使得难以实现具有大尺寸和高分辨率的平板显示器。
为了解决由于电阻增加所致的信号延迟问题，所述栅极线和数据线需要由具有尽可能低的电阻率的材料形成。因为银与其他金属相比具有低电阻率(约1.59μΩcm)以及高亮度和导电性，已经做出很多尝试来向彩色滤光片电极、线路和反射板施加银层、银合金层、或包括银层或银合金层的多层，以便实现具有大尺寸、高分辨率和低电耗的平板显示器。另外，还需要适合用于这样的材料的蚀刻剂。
在沉积含银薄层并然后利用常规蚀刻剂形成图案的情况下，蚀刻差，不理想地产生残留物或引起再吸附。此外，因为所述蚀刻剂的高粘度，所以难以蚀刻涂有外涂层材料的银纳米导线，从而不理想地增加了加工时间。相比之下，银可能被过度或不均匀蚀刻，不理想地引起线路的掀起或剥离以及所述线路的侧剖面差。
韩国专利申请公布No.10-2008-0110259公开了蚀刻剂组合物，其中包含磷酸、硝酸、乙酸和水的用于蚀刻银的常规蚀刻剂添加了磷酸二氢钠(NaH2PO)作为添加剂。然而，在蚀刻涂有保护性外涂层材料的银纳米导线的情况下，所述蚀刻剂也许不能迅速渗入在所述外涂层材料之下的银纳米导线，并且可以降低所述外涂层材料的蚀刻速率，不理想地导致蚀刻效率低下。
韩国专利No.10-1323458公开了包含磷酸、硝酸、乙酸和磷酸二氢钠的蚀刻剂组合物。然而，这种蚀刻剂组合物具有高粘度并因而使其难以蚀刻纳米尺度孔中的金属。因此，需要开发能够解决上述问题的新蚀刻剂。
[引用文献]
[专利文献]
韩国专利申请公布No.10-2008-0110259
韩国专利No.10-1323458
发明内容
因此，本发明着眼于相关领域中遇到的问题而做出，本发明的目的是提供蚀刻剂组合物，其中当蚀刻银(Ag)或银合金单层或者包括所述单层和氧化铟层的多层时，既不出现残留物也不出现再吸附，并且可以产生低侧蚀和均匀的蚀刻特性。
本发明的另一个目的是提供利用上述蚀刻剂组合物制造显示装置的阵列基板的方法。
本发明提供了用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物，其包含：基于所述组合物的总重量，(A)1-20wt％的硝酸铁；(B)2-8wt％的选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸；(C)5-15wt％的选自乙酸和乙酸盐的至少一种化合物；(D)0.1-5wt％的腐蚀抑制剂；(E)0.1-5wt％的螯合剂；(F)0.1-2wt％的乙醇酸；和(G)余量的水。
此外，本发明提供了制造显示装置的阵列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成栅极线；b)在所述包括栅极线的基板上形成栅极绝缘层；c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；和e)形成与所述漏极电极连接的反射层或像素电极，其中a)、d)和e)的至少一个包含利用上述蚀刻剂组合物进行蚀刻，从而形成所述栅极线、源极电极和漏极电极、或者所述反射层或像素电极。
此外，本发明提供了通过利用上述蚀刻剂组合物蚀刻而形成的线路。
根据本发明，所述用于蚀刻含银(Ag)薄层的蚀刻剂组合物包含硝酸铁、无机酸、乙酸和/或乙酸盐、腐蚀抑制剂、螯合剂、乙醇酸和水。因此，在蚀刻所述含银薄层时，可防止出现残留物和再吸附，并且得益于所述蚀刻剂组合物的低粘度，可蚀刻纳米尺度的金属。
还有，根据本发明，可提供利用所述蚀刻剂组合物制造显示装置的阵列基板的方法。
附图说明
本发明的上述和其他目标、特征和优点将从以下结合附图的详细说明中更清楚地了解，所述附图中：
图1是扫描电子显微镜(SEM)图像，示出了相当于光致抗蚀剂临界尺寸(PR CD)的宽度；
图2是SEM图像，示出了相当于图案CD的宽度；
图3是SEM图像，示出了利用所述蚀刻剂蚀刻后存在和不存在银(Ag)残留物；以及
图4是SEM图像，示出了利用所述蚀刻剂蚀刻后存在和不存在再吸附的银(Ag)。
具体实施方式
本发明人研究了蚀刻剂组合物，其使得易于控制含银薄层的蚀刻，从而展现出没有过蚀刻的优异的蚀刻特性，而且还得益于所述蚀刻剂的低粘度而便于蚀刻银纳米导线同时防止出现金属残留物和再吸附，并由此制备了所述蚀刻剂组合物，其包含硝酸铁；选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸；乙酸和/或乙酸盐；腐蚀抑制剂；螯合剂；乙醇酸；和水，从而完成了本发明。
本发明解决了用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物，其包含：基于所述组合物的总重量，(A)1-20wt％的硝酸铁；(B)2-8wt％的选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸；(C)5-15wt％的选自乙酸和乙酸盐的至少一种化合物；(D)0.1-5wt％的腐蚀抑制剂；(E)0.1-5wt％的螯合剂；(F)0.1-2wt％的乙醇酸；和(G)余量的水。
在本文中使用时，所述含银薄层是单层，或包括两个或更多个包含银(Ag)的层的多层。所述含银薄层的例子可以包括但不限于，银(Ag)或银合金的单层，或包含所述单层和氧化铟层的多层。
下面是本发明用于蚀刻含薄层的蚀刻剂组合物的各个组分的说明。然而，本发明不限于这些组分。
(A)硝酸铁
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，硝酸铁通过氧化和分解对包含银的含银金属起到主要蚀刻剂的作用。硝酸铁的具体例子可以包括选自硝酸亚铁(Fe(NO3)2·6H2O)和硝酸铁(Fe(NO3)3·6H2O)的至少一种。
相关领域公开了除硝酸铁之外还包含氯化铁、硫酸铁或磷酸铁的蚀刻剂组合物。然而，当所述包含氯化铁或硫酸铁的蚀刻剂组合物用于蚀刻银或银合金线路时，可以产生顽固的沉积物例如氯化银(AgCl)或硫化银(AgS)，不理想地引起例如加工期间管道封闭、由于沉积物对线路的影响所致的短路等问题。此外，溶解度很低的磷酸铁难以用作所述蚀刻剂组合物的成分。
基于本发明蚀刻剂组合物的总重量，硝酸铁(A)的使用量为1-20wt％，并优选5-10wt％。如果所述硝酸铁的量小于1wt％，可能降低所述含银金属的蚀刻速率，蚀刻可能进行不完全，并且可能产生残留物。在产生残留物的情况下，电可以流向不希望的位置，不理想地引起电击。另一方面，如果其量超过20wt％，可能过度增加所述含银层的蚀刻速率，从而使线路短路或减少线路宽度，从而使得不可能展现电极功能性。
(B)选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸起到蚀刻氧化铟层(I-X-O)例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)的作用，并通过与硝酸铁(A)一起氧化，用作帮助蚀刻所述含银薄层的辅助蚀刻剂。
在此，本发明的蚀刻剂组合物优选不含磷酸。虽然用于蚀刻含银金属的常规蚀刻剂组合物包含磷酸、硝酸和其他添加剂，但它不适合于蚀刻纳米尺度的线路例如银纳米线(AgNW)。这被认为是由于磷酸的高粘度之故。在包含磷酸作为主要蚀刻组分的情况下，所述蚀刻剂组合物具有10cP或更高(在室温下，亦即25℃)的高粘度。因此，所述用于含银金属的蚀刻剂组合物不易用于蚀刻精细AgNW，不理想地引起缺陷。还有，在包含磷酸的情况下，需要40℃或更高的加工温度，从而可能不理想地发生对下部柔性层的损害。
然而，本发明的蚀刻剂组合物具有1.5或更低的低粘度(在25℃下)，并可以在等于或低于30℃的温度下使用，从而对用于利用AgNW制造柔性基板是有利的。
基于本发明的蚀刻剂组合物的总重量，选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸的使用量为2-8wt％，并优选5-8wt％。如果所述选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸的量小于2wt％，可以降低所述银、银合金或氧化铟的蚀刻速率。因为这种现象根据基板中的位置引起侵蚀速度的差异，可以发生含银薄层的非均匀蚀刻，从而不理想地引起斑点。另一方面，如果其量超过8wt％，所述光致抗蚀剂可以破裂，由此化学品可以渗透并可以发生蚀刻不希望的位置，不理想地使氧化铟层和银或银合金层短路。此外，所述含银金属可能由于过蚀刻而损失，从而可以损失金属线路的功能性。
(C)选自乙酸和乙酸盐的至少一种化合物
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，乙酸和/或乙酸盐起到调节所述含银薄层的蚀刻速率的作用，从而控制蚀刻外形的均匀性。
乙酸盐没有特别的限制，但其具体例子可以包括乙酸钾、乙酸钠和乙酸铵。
基于本发明的蚀刻剂组合物的总重量，所述乙酸和/或乙酸盐的使用量为5-15wt％，并优选5-10wt％。如果所述乙酸和/或乙酸盐的量小于5wt％，对所述含银薄层的蚀刻速率的贡献不显著，并且不能根据需要表现出添加它的效应。另一方面，如果其量超过15wt％，所述含银薄层的蚀刻速率可能变得太缓慢，由此可以不理想地产生金属残留物。
(D)腐蚀抑制剂
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，所述腐蚀抑制剂(D)起到防止所述含银薄层过蚀刻的作用。所述腐蚀抑制剂优选是环胺化合物。所述环胺化合物的优选例子包括吡咯类化合物、吡唑类化合物、咪唑类化合物、三唑类化合物、四唑类化合物、五唑类化合物、噁唑类化合物、异噁唑类化合物、噻唑类化合物、和异噻唑类化合物，在其中可以选择至少一种。优选地，所述三唑类化合物以苯并三唑为例，所述四唑类化合物包括选自5-氨基四唑、3-氨基四唑和5-甲基四唑的至少一种。
基于本发明的蚀刻剂组合物的总重量，腐蚀抑制剂(D)的使用量为0.1-5wt％，并优选0.5-3wt％。如果所述腐蚀抑制剂的量小于0.1wt％，在蚀刻所述含银薄层的过程中可以发生过蚀刻，不理想地引起缺陷例如线路短路。另一方面，如果其量超过5wt％，含银薄层没有被完全蚀刻而是可能残留，不理想地引起电短路。
(E)螯合剂
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，所述螯合剂(E)起到防止所述银(Ag)的再吸附的作用。银(Ag)是具有很高还原性的金属，因而容易还原成它的离子态并可能沉积。由于银(Ag)的化学性质，其容易再吸附，所述含银金属可以吸附在不希望的位置，不理想地引起缺陷。所述螯合剂负责防止所述含银金属通过化学键合吸附到不特定的位置，从而防止缺陷。
所述螯合剂的具体例子可以包括选自次氮基三乙酸(NTA)、亚氨基二乙酸(IDA)、乙二胺四乙酸(EDTA)、乙二醇四乙酸(EGTA)、1,2-双(邻氨基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸(BAPTA)、1,4,7,10-四氮杂环十二烷四乙酸(DOTA)、N-羟乙基-乙二胺三乙酸(HEDTA)和二亚乙基四胺五乙酸(DTPA)的至少一种，但本发明不限于此。
基于本发明的蚀刻剂组合物的总重量，螯合剂(E)的使用量为0.1-5wt％，并优选0.5-3wt％。如果所述螯合剂的量小于0.1wt％，不能有效防止所述含银金属的再吸附。另一方面，如果其量超过5wt％，可以发生在所述含银金属的蚀刻表面上的吸附，从而显著降低蚀刻速率，并在一些位置不发生蚀刻。
(F)乙醇酸
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，乙醇酸(F)起到当水溶液中存在硝酸铁时抑制发生变褐现象的作用。
基于本发明的蚀刻剂组合物的总重量，乙醇酸(F)的使用量为0.1-2wt％，并优选0.5-1.5wt％。如果所述乙醇酸的量超过2wt％，有由于与所述无机酸反应引起爆炸的风险。
(G)水
在本发明的用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物中，水(G)没有特别的限制，但优选包括去离子水，其适合于半导体加工并具有18MΩ/㎝或更高的电阻率。
使用的水量要使得所述蚀刻剂组合物的总重量是100wt％。
除上述组分之外，本发明的蚀刻剂组合物还可包含选自蚀刻控制剂、表面活性剂、掩蔽剂、pH控制剂和其他添加剂的至少一种添加剂。所述添加剂可以选自本领域中通常使用的那些，以便在本发明范围内进一步增强本发明的效果。
本发明的蚀刻剂组合物的组分可以是适合于半导体加工的纯度。
向其应用本发明的蚀刻剂组合物的所述含银(Ag)薄层在其中包含银，并可以包括银(Ag)或银合金的单层或者包括所述单层和氧化铟层的多层，但本发明不限于此。
所述银合金，没有特别的限制，主要由银构成并包含选自镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、锡(Sn)、钯(Pd)、钕(Nd)、铌(Nb)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)、铝(Al)和钛(Ti)的至少一种金属。优选使用包含钯(Pd)或铜(Cu)的银合金层。
所述含银薄层可以包括包含银(Ag)或银合金单层和氧化铟层的多层。所述氧化铟层的例子可以包括但不限于，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和氧化铟镓锌(IGZO)
所述多层的具体例子可以包括但不限于，包含氧化铟层/银(Ag)或氧化铟层/银合金的双层，包含氧化铟层/银/氧化铟层或氧化铟层/银合金/氧化铟层的三层，等等。
另外，本发明解决了制造显示装置的阵列基板的方法，所述方法包括：a)在基板上形成栅极线；b)在所述包括栅极线的基板上形成栅极绝缘层；c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；d)在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；和e)形成与所述漏极电极连接的反射层或像素电极，其中a)、d)和e)的至少一个包含利用上述蚀刻剂组合物进行蚀刻，从而形成所述栅极线、源极电极和漏极电极、或者所述反射层或像素电极。
更具体地说，a)包括在所述基板上形成含银薄层并利用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻所述含银薄层，从而形成所述栅极线，和d)包括在所述半导体层上形成含银薄层并利用本发明的蚀刻剂组合物蚀刻所述含银薄层，从而形成源极电极和漏极电极。
所述显示装置可以是有机发光二极管(OLED)或液晶显示器(LCD)，并且所述显示装置的阵列基板可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
所述含银薄层的描述仍然与上文相同。
此外，本发明解决了线路，其通过利用上述蚀刻剂组合物蚀刻而形成。
更具体地说，所述线路可以是跟踪线路，其读出在触摸屏面板(TSP)的X和Y坐标处感应的信号，或者是柔性显示器的银纳米线线路。
所述线路可以由银(Ag)或银合金的单层、或包括该单层和氧化铟层的多层制成。所述银合金的单层和包括所述单层和氧化铟层的多层的描述仍然与上文相同。
本发明的蚀刻剂组合物可以用于蚀刻银(Ag)或银合金的单层和包括所述单层和氧化铟层的多层，其适合于在制作显示装置(OLED，LCD等等)中用于线路或反射层。还有，它可以在形成触摸屏面板的线路时用于蚀刻过程。
本发明的蚀刻剂组合物可以多样应用于OLED、LCD、TSP等的制作。
本发明通过以下实施例、比较例和试验例来详细说明，提出它们仅仅是为了举例说明本发明，但本发明不限于这些实施例、比较例和试验例，并且可以被多种修改和变更。本发明的范围可以通过将在后文提出的权利要求的技术理念来限定。
<实施例和比较例>蚀刻剂组合物的制备
利用下面表1中显示的量(wt％)的组分制备实施例1至8和比较例1至11的蚀刻剂组合物。
[表1]
注释)
IDA：亚氨基二乙酸
DTPA：二亚乙基四胺五乙酸
EDTA：乙二胺四乙酸
<试验例>蚀刻剂组合物性能的测试
银纳米线与外涂层材料一起施加在基板上，之后在其上形成光致抗蚀剂，随后曝光和显影以使所述基板形成图案，然后利用金刚石割刀将所述图案化的基板切成500x600mm的尺寸，从而制备样品。
使用实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物，如下测量蚀刻性能。
试验例1：CD偏离的评价(CD偏离＝PR CD–图案CD)
实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物放入喷雾蚀刻机(蚀刻器(TFT)，K.C.Tech制造)中，然后升温到30℃的温度。当温度达到30±0.1℃时，蚀刻样品。总蚀刻时间是60秒。
所述基板被放在蚀刻机中，然后进行喷雾蚀刻工艺60秒。之后，从所述蚀刻机取出所述基板，用去离子水清洁，然后利用空气喷雾干燥器干燥。清洁和干燥后，切割所述基板，之后利用SEM(SU-8010，HITACHI制造)测量通过剥除过程清除所述光致抗蚀剂后剩余的图案化光致抗蚀剂的宽度和银纳米线的宽度。
基于下列标准评价CD(临界尺寸)偏离[光致抗蚀剂宽度(PR CD)–银纳米线宽度(图案CD)]。结果显示在下面表2中。
<CD偏离的评价标准>
◎优秀：小于0.2μm
○良好：0.2至小于0.5μm
X差：0.5μm或更高
试验例2：残留物的测量
实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物放入喷雾蚀刻机(蚀刻器(TFT)，K.C.Tech制造)中，然后升温到30℃的温度。当温度达到30±0.1℃时，蚀刻所述样品。总蚀刻时间是60秒。
所述基板被放在蚀刻机中，然后进行喷雾蚀刻工艺60秒。之后，从所述蚀刻机取出所述基板，用去离子水清洁，然后利用空气喷雾干燥器干燥，随后利用光致抗蚀剂剥除剂去除所述光致抗蚀剂。清洁和干燥后，利用SEM(SU-8010，HITACHI制造)测量由未被蚀刻而留在未被所述光致抗蚀剂覆盖的部分上的银(Ag)产生的残留物，并基于下列标准评价。结果显示在下面表2中。
<残留物评价标准>
○良好：不存在残留物
X差：存在残留物
试验例3：银再吸附的测量
实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物放入喷雾蚀刻机(刻蚀器(TFT)，K.C.Tech制造)中，然后升温到30℃的温度。当温度达到30±0.1℃时，蚀刻所述样品。总蚀刻时间是60秒。
所述基板被放在蚀刻机中，然后进行喷雾蚀刻工艺60秒。之后，从所述蚀刻机取出所述基板，用去离子水清洁，然后利用空气喷雾干燥器干燥，随后利用光致抗蚀剂剥除剂去除所述光致抗蚀剂。清洁和干燥后，利用SEM(SU-8010，HITACHI制造)观察所述蚀刻掉的银(Ag)是否被吸附到其中在蚀刻过程后暴露数据线异种金属的部分上或被吸附到由于弯曲的形状而可能发生摩擦的特定部分上，并基于下列标准评价。结果显示在下面表2中。
<再吸附的评价标准>
○良好：不存在再吸附的Ag
X差：存在再吸附的Ag
试验例4：爆炸稳定性评价
在实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物储存在30℃恒温箱中时，利用温度监测系统(YOKOGAWA制造)测量在24小时之中所述化学品温度的变化。基于下列评价标准，用肉眼观察沸腾或剧烈反应。结果显示在下面表2中。
<爆炸稳定性评价标准>
○良好：温度增加小于20℃，或者既没有爆炸也没有剧烈反应
X差：温度增加20℃或更高，或者产生爆炸或剧烈反应
试验例5：产生沉积物的评价
实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物放入喷雾蚀刻机(蚀刻器(TFT)，K.C.Tech制造)中，然后升温到30℃的温度。当温度达到30±0.1℃时，蚀刻所述样品。总蚀刻时间是60秒。
所述基板被放在蚀刻机中，然后进行喷雾蚀刻工艺60秒。之后，从所述蚀刻机取出所述基板，用去离子水清洁，然后利用空气喷雾干燥器干燥。清洁和干燥后，利用SEM(SU-8010，HITACHI制造)观察归因于沉积物例如AgCl或AgS产生的沉淀，并基于下列标准评价。结果显示在下面表2中。
<沉积物产生的评价标准>
○良好：不存在沉积物
X差：存在沉积物
试验例6：粘度测量
在30℃恒温箱中安装粘度计(CANNON制造)，并测量升温至30℃的实施例1至8和比较例1至11的各蚀刻剂组合物的粘度。结果显示在下面表2中。
[表2]
项目 CD偏离 残留物 再吸附 爆炸稳定性 沉积物 粘度(cP)
实施例1 ◎ ○ ○ ○ ○ 0.86
实施例2 ○ ○ ○ ○ ○ 0.81
实施例3 ◎ ○ ○ ○ ○ 0.92
实施例4 ○ ○ ○ ○ ○ 0.85
实施例5 ◎ ○ ○ ○ ○ 0.95
实施例6 ○ ○ ○ ○ ○ 0.86
实施例7 ◎ ○ ○ ○ ○ 0.98
实施例8 ◎ ○ ○ ○ ○ 0.84
比较例1 ○ X ○ ○ X 0.85
比较例2 ◎ X ○ ○ X 0.90
比较例3 X ○ ○ ○ ○ 0.82
比较例4 X ○ ○ ○ ○ 0.75
比较例5 ○ X ○ ○ ○ 0.77
比较例6 ◎ ○ ○ X X 0.88
比较例7 X ○ ○ ○ ○ 0.84
比较例8 ◎ ○ X X X 0.85
比较例9 ◎ ○ X X X 0.85
比较例10 ◎ X ○ ○ ○ 1.02
比较例11 X X ○ ○ ○ 3.27
从表2的结果显而易见，本发明的实施例1至8的蚀刻剂组合物表现出优越的结果，使得它们在CD偏离、残留物、再吸附、爆炸稳定性和沉积物方面适合于大量生产，并具有小于1.5cP的低粘度。
然而，所述比较例的蚀刻剂组合物在至少一个上述评价项目中不合适。特别是，含有磷酸的比较例11显现出3cP或更高的高粘度。虽然已经出于说明性的目的公开了本发明的优选实施方式，但本领域技术人员将领会，在不背离所附权利要求书中公开的本发明的范围和精神之下，各种修改、添加和取代是可能的。

Claims (11)

1.用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物，其包含：
基于所述组合物的总重量，
(A)1-20wt％的硝酸铁；
(B)2-8wt％的选自硝酸、硫酸和盐酸的至少一种酸；
(C)5-15wt％的选自乙酸和乙酸盐的至少一种化合物；
(D)0.1-5wt％的腐蚀抑制剂；
(E)0.1-5wt％的螯合剂；
(F)0.1-2wt％的乙醇酸；和
(G)余量的水，以及
其中所述蚀刻剂组合物不含磷酸；
其中所述蚀刻剂组合物用于蚀刻银或银合金的单层，或包括所述单层和氧化铟层的多层。
2.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述氧化铟层包括选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌的至少一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中包括所述单层和氧化铟层的所述多层包括氧化铟层/银、氧化铟层/银合金、氧化铟层/银/氧化铟层、或氧化铟层/银合金/氧化铟层。
4.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述银合金包括银和选自镍、铜、锌、锰、铬、锡、钯、钕、铌、钼、镁、钨、镤、铝和钛的至少一种。
5.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述硝酸铁包括选自硝酸亚铁和硝酸铁的至少一种。
6.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述乙酸盐包括选自乙酸钾、乙酸钠和乙酸铵的至少一种。
7.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其中所述腐蚀抑制剂是环胺化合物。
8.根据权利要求7的蚀刻剂组合物，其中所述环胺化合物包括选自吡咯类化合物、吡唑类化合物、咪唑类化合物、三唑类化合物、四唑类化合物、五唑类化合物、噁唑类化合物、异噁唑类化合物、噻唑类化合物、和异噻唑类化合物的至少一种。
9.根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述螯合剂包括选自次氮基三乙酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸、乙二醇四乙酸、1,2-双(邻氨基苯氧基)乙烷-N,N,N',N'-四乙酸、1,4,7,10-四氮杂环十二烷四乙酸、N-羟乙基-乙二胺三乙酸和二亚乙基四胺五乙酸的至少一种。
10.根据权利要求1的蚀刻剂组合物，其在25℃具有1.5cP或更低的粘度。
11.制造显示装置的阵列基板的方法，所述方法包括：
a)在基板上形成栅极线；
b)在所述包括栅极线的基板上形成栅极绝缘层；
c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层；
d)在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；和
e)形成与所述漏极电极连接的反射层或像素电极，
其中a)、d)和e)的至少一个包含利用权利要求1的蚀刻剂组合物进行蚀刻，从而形成所述栅极线、源极电极和漏极电极、或者所述反射层或像素电极。
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