CN101265579A - 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物 - Google Patents
薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101265579A CN101265579A CNA2008100850477A CN200810085047A CN101265579A CN 101265579 A CN101265579 A CN 101265579A CN A2008100850477 A CNA2008100850477 A CN A2008100850477A CN 200810085047 A CN200810085047 A CN 200810085047A CN 101265579 A CN101265579 A CN 101265579A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- weight
- etchant
- compound
- acid
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title abstract description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title description 6
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 91
- 235000019395 ammonium persulphate Nutrition 0.000 claims description 22
- 239000003352 sequestering agent Substances 0.000 claims description 17
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N lithium nitrate Chemical compound [Li+].[O-][N+]([O-])=O IIPYXGDZVMZOAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 methanesulfonic compound Chemical class 0.000 claims description 4
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 3
- MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N diammonium hydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].[NH4+].OP([O-])([O-])=O MNNHAPBLZZVQHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 3
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 claims description 3
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 claims description 3
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 3
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N Ammonium acetate Chemical compound N.CC(O)=O USFZMSVCRYTOJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000005695 Ammonium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 208000006558 Dental Calculus Diseases 0.000 claims description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 235000019257 ammonium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 229940043376 ammonium acetate Drugs 0.000 claims description 2
- BIGPRXCJEDHCLP-UHFFFAOYSA-N ammonium bisulfate Chemical compound [NH4+].OS([O-])(=O)=O BIGPRXCJEDHCLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N iron(2+);dinitrate Chemical compound [Fe+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MVFCKEFYUDZOCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940045641 monobasic sodium phosphate Drugs 0.000 claims description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 claims description 2
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M potassium bisulfate Chemical compound [K+].OS([O-])(=O)=O CHKVPAROMQMJNQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 2
- 150000003217 pyrazoles Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 claims description 2
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 claims description 2
- AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M sodium dihydrogen phosphate Chemical compound [Na+].OP(O)([O-])=O AJPJDKMHJJGVTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 2
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 2
- 239000004254 Ammonium phosphate Substances 0.000 claims 1
- 229910000148 ammonium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 235000019289 ammonium phosphates Nutrition 0.000 claims 1
- SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 SRSXLGNVWSONIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L disodium hydrogen phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].OP([O-])([O-])=O BNIILDVGGAEEIG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 229910000160 potassium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229940093916 potassium phosphate Drugs 0.000 claims 1
- 235000011009 potassium phosphates Nutrition 0.000 claims 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 claims 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 127
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 43
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 43
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 43
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium peroxydisulfate Substances [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)OOS([O-])=O VAZSKTXWXKYQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 abstract 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 239000004160 Ammonium persulphate Substances 0.000 description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 5
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N Fe3+ Chemical compound [Fe+3] VTLYFUHAOXGGBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000897 Babbitt (metal) Inorganic materials 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007323 disproportionation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N Protium Chemical compound [1H] YZCKVEUIGOORGS-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N ammonium phosphates Chemical compound [NH4+].[NH4+].[NH4+].[O-]P([O-])([O-])=O ZRIUUUJAJJNDSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWIWLTSSHDKOKO-UHFFFAOYSA-N benzenesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1.OS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 WWIWLTSSHDKOKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-M dihydrogenphosphate Chemical compound OP(O)([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M hydrogensulfate Chemical compound OS([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N hydron;difluoride Chemical compound F.F CUPFNGOKRMWUOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。
Description
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物，更详细地说，本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD device)的制造工序中所利用的蚀刻液组合物。
背景技术
液晶显示元件(LCD device)利用优异的解析度提供鲜明的映像，其电气消耗少，能够将显示器画面制薄，由于这些特性，其是平板显示装置之中最受注目的产品。最近，驱动这样的液晶显示元件的电子电路的代表例子是薄膜晶体管(TFT)电路。TFT-LCD的制造时，首先，在玻璃基板上层压金属层作为栅极和源/漏(source/drain)电极用配线材料，用具有腐蚀性的气体或溶液对这些金属层进行蚀刻，实现所期望的电气电路的线路，这种蚀刻(etching)过程如后所述。
TFT基板上设置有大量的薄膜、薄层，所以为了防止这些之间发生不希望的电短路，优选将蚀刻后的基板的切断侧面即蚀刻轮廓(profile)均等地倾斜，且下方比上方宽，为钝锥(taper)形状。这是由于蚀刻轮廓为钝锥形状的情况下，所形成的2个以上的薄膜层之间的高度差会减少。栅极金属的蚀刻图案不是均一且精密的情况下，TFT-LCD映像的解析度降低，存在色差不精确的问题。蚀刻方法具有利用气体的干式蚀刻和利用蚀刻液的湿式蚀刻，尽管湿式蚀刻具有缺点，但是其工序所需的设备投资费用低，无需将蚀刻环境维持在高真空状态，对掩模和基板均有优异的蚀刻选择性，由于这些优点，对湿式蚀刻液的需要还将继续存在下去。
电路的小型化、集成化是电子业界的一贯趋势，对于TFT也不例外，随着电路的小型化、集成化，线路上的线变细，电阻的相对增加成为了一个大问题。这是由于电阻是诱发RC信号延迟的主要因素。特别对于TFT来说，业界的趋势是增加面板的尺寸，提高解析度，而能否将电阻维持在低水平的值是实现面板的尺寸的增加和高解析度的关键。因而为了实现TFT-LCD的大型化中所必须要求的RC信号延迟的减少，必须开发出具有低电阻的物质，而以往作为线路材料主要使用铬、钼、铝以及它们的合金，这些物质的电阻值比较大，不适合用作未来的大型TFT-LCD电极配线。
另一方面，铜是储量丰富的金属，其电气传导度优越，以铜膜作为TFT配线的情况下，其具有电阻明显低于铝膜和铬膜且在环境方面更环保的优点。但是，铜对氧化剂的耐受性高于铝和铬，因而必须使用含有苛刻的氧化剂的蚀刻液。作为这样的氧化剂，广泛使用的是过氧化氢(H2O2)和三价铁Fe(III)等。
具体地说，对于过氧化氢，下述专利文献1中公开了使用过氧化氢与无机酸或与中性盐的混合物作为针对铜膜的蚀刻溶液，下述专利文献2中公开了过氧化氢、铜反应抑制剂、过氧化氢(過水)稳定化剂、氟化离子的组合物，下述专利文献3中公开了在过氧化氢中添加含有氟化合物、有机分子等5类的添加剂的组成。
对于三价铁氧化剂来说，下述专利文献4公开了氯化铁(III)6水合物和氢氟酸的混合物。另一方面，还有下述专利文献5，其中，作为含铜的多层膜的蚀刻溶液，使用磷酸、硝酸、乙酸等通用蚀刻液。
但是，这些蚀刻液存在下述的问题：层压有铜膜与其他的金属层的半导体基板的蚀刻速度过快；产生被蚀刻的金属膜的锥度曲线(taperprofile)大于90度等的不良蚀刻。特别是对于使用最为广泛的过氧化氢来说，在铜和铁离子的存在下，其特别容易引起岐化反应(disproportionation)而被分解成水和氧(参见下述专利文献6)，发生放热和急剧的组成变化，所以其工程裕度和稳定性方面的问题多。为了解决过氧化氢中的这种问题，使用了添加过氧化氢稳定化剂的方法，但是由于过氧化氢稳定化剂价格高，导致了费用的上升。
专利文献1：大韩民国公开特许第2000-079355号
专利文献2：大韩民国公开特许第2005-000682号
专利文献3：大韩民国公开特许第2006-064881号
专利文献4：大韩民国公开特许第2000-032999号
专利文献5：大韩民国公开特许第1999-017836号
专利文献6：美国注册专利第4140772号
发明内容
本发明的目的在于提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含有铜的金属层均等地进行锥角蚀刻。本发明通过提供不使用过氧化氢的蚀刻液解决了工程裕度、稳定性以及添加过氧化氢稳定化剂的问题，利用选择性添加的无机盐类氧化调节剂来确保优异的蚀刻轮廓。
本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵((NH4)2S2O8，ammoniumpersulfate)和唑(azole)系化合物。
以与蚀刻液的重量比计，上述过硫酸铵的含量为0.1％～50％。以与蚀刻液的重量比计，上述唑系化合物的含量为0.01％～5％。
上述蚀刻液组合物还可以含有氟化物系化合物。
上述蚀刻液组合物还可以含有选自由含有硝酸或硝酸盐的第1化合物、含有硫酸或硫酸盐的第2化合物、含有磷酸或磷酸盐的第3化合物和含有乙酸或乙酸盐的第4化合物组成的组中的一种化合物。
上述蚀刻液组合物还可以含有磺酸系化合物。
上述蚀刻液组合物还可以含有螯合剂。
利用这样的蚀刻液组合物时，由于没有使用过氧化氢，所以不存在放热现象和蚀刻液的稳定性的降低以及需要添加价格高的稳定化剂的问题，具有能够以良好的速度对铜进行锥角蚀刻的优点。以本发明的蚀刻液组合物形成铜配线的情况下，其具有下述效果：能够确保蚀刻液的稳定性，从而能更长时间地维持蚀刻液的性能，能够充分保障蚀刻工程上的裕度，降低费用。
附图说明
图1显示了用本发明的实施例1的蚀刻液组合物通过蚀刻超过30％的过蚀刻实验对铜单一膜进行蚀刻后的铜层的侧面的显微镜照片。
图2显示了用本发明的实施例2的蚀刻液组合物通过蚀刻超过30％的过蚀刻实验对铜单一膜进行蚀刻后的铜层的侧面的显微镜照片。
图3显示了用本发明的实施例3的蚀刻液组合物通过蚀刻超过30％的过蚀刻实验对铜单一膜进行蚀刻后的铜层的侧面的显微镜照片。
图4显示了用本发明的实施例4的蚀刻液组合物通过蚀刻超过30％的过蚀刻实验对铜单一膜进行蚀刻后的铜层的侧面的显微镜照片。
具体实施方式
本发明提供一种由过硫酸铵、唑系化合物和相当于余分的水构成的蚀刻液。
本发明中，虽然没有明确提到水，但是全部的蚀刻液中，除了水之外的其他的成分的重量％的总计相对于100％的余分为水。作为本发明的蚀刻液中所使用的水，优选使用半导体用等级的水或超纯水(ultrapurewater)。
蚀刻液组合物
本发明的过硫酸铵是氧化剂，其是对含有铜的金属层进行蚀刻的主成分。过硫酸铵可以优选使用具有半导体工程用纯度的物质。本发明的蚀刻液中，以与蚀刻液的重量比计，过硫酸铵占0.1％～50％。
本发明中，唑系化合物是含有氮作为元素而在环中具有至少一个以上非碳原子的5元杂环。对该唑系化合物没有特别限定，作为本发明的唑系化合物的例子，可以举出苯并三唑(benzotriazole)、氨基四唑(aminotetrazole)、咪唑(imidazole)、吡唑(pyrazole)等。本发明的蚀刻液中，唑系化合物与全部蚀刻液的重量比为0.01％～5％。唑系化合物起到下述作用：在上述含有铜的金属层中抑制铜的蚀刻，在上述含有铜的金属层的上部和/或下部形成有铜和其他金属层的多层膜中调整上述铜和其他金属之间的蚀刻速度。上述铜和其他金属层例如可以含有钛。上述唑系化合物通过减少金属配线的切割尺寸损失(cut dimension loss，CD loss)，使金属配线用作栅极和数据配线。本发明的蚀刻溶液中未添加唑系化合物的情况下，不仅不能调节对铜的蚀刻速度，而且CD损失变大，配线的直进性也降低，可能在应用于量产工序时引起严重的问题。
上述蚀刻液还可以含有含氟的氟化物系化合物。本发明的蚀刻液中，上述氟化物系化合物与全部蚀刻液的重量比为0.01％～10％。上述氟化物系化合物可以作为上述蚀刻液的氧化辅助剂提高对上述含铜的金属层的蚀刻速度。另外，上述氟化物系化合物能够蚀刻上述含有钛的金属层。上述氟化物系化合物例如可以含有氢氟酸(Hydrofluoric acid)、氟化铵(Ammonium fluoride)、氟氢化铵(Ammonium Bifluoride)、氟化钾(Potassiumfluoride)、氟化钠(Sodium fluoride)等。
本发明中，在上述过硫酸铵和唑系化合物中还可以进一步含有4种类型的氧化调节剂。这4种类型的氧化调节剂可以以任意的组合使用，含有全部都不使用和全部都使用的情况。这4种类型的氧化调节剂分别是含有硝酸或硝酸盐的第1化合物、含有硫酸或硫酸盐的第2化合物、含有磷酸或磷酸盐的第3化合物、以及含有乙酸或乙酸盐的第4化合物。
本发明中，上述第1化合物是在蚀刻液内释放出硝酸根离子(NO3 -)的物质。本发明的蚀刻液中，作为选择性构成成分的上述第1化合物的重量比占0％～10％。上述第1化合物可以含有例如硝酸、硝酸铁(III)(Fe(NO3)3)、硝酸钾、硝酸铵、硝酸锂等。
本发明中，上述第2化合物是在蚀刻液内释放出硫酸根离子(SO4 2-)或硫酸氢根离子(HSO4 2-)的化合物。作为本发明的选择性构成成分的上述第2化合物在全部蚀刻液中的重量比占0％～10％。本发明中的金属配线蚀刻溶液中，上述第2化合物使得含有铜的金属层的蚀刻中形成适当的锥角(30°～60°)，改善后续工序时膜的覆盖(step coverage)，有助于提高收率，另一方面，其提高铜的蚀刻速度，有助于提高蚀刻工序的生产率。本发明的蚀刻溶液中，在不含有上述第2化合物的情况下，也能对铜进行蚀刻，但在使用上述第2化合物的情况下，锥角可维持在适当的水平，可防止后续膜的被覆性降低的现象，预防不良现象的发生。上述第2化合物例如可以含有硫酸、硫酸氢铵(NH4HSO4)、硫酸氢钾(KHSO4)、硫酸钾(K2SO4)等。
本发明的上述第3化合物是在蚀刻液中释放出磷酸根离子(PO4 3-)、磷酸一氢根离子(HPO4 2-)或磷酸二氢根离子(H2PO4-)的化合物。作为本发明的选择性构成成分的上述第3化合物在全部蚀刻液中的重量比占0％～10％。上述第3化合物例如可以含有磷酸、磷酸铵((NH4)3PO4)、磷酸一氢铵((NH4)2HPO4)、磷酸二氢铵(NH4H2PO4)、磷酸钾(K3PO4)、磷酸一氢钾(K2HPO4)、磷酸二氢钾(KH2PO4)、磷酸钠(Na3PO4)、磷酸一氢钠(Na2HPO4)和磷酸二氢钠(NaH2PO4)等。含有适当的上述第3化合物的蚀刻液能均匀地对含铜的金属层进行锥角蚀刻。
本发明中，上述第4化合物是在蚀刻液内释放出乙酸根离子(CH3COO-)的物质。本发明的蚀刻液中，作为选择性构成成分的上述第4化合物的重量比占0％～10％。上述第4化合物例如可以含有乙酸、乙酸铵、乙酸钾、乙酸钠、亚氨基二乙酸(HN(CH2COOH)2，iminodiacetic acid，IDA)等。上述第4化合物提高蚀刻液的安全性，维持蚀刻能力。
上述蚀刻液还可以含有含磺酸的磺酸化合物。本发明的蚀刻液中，上述氟化物系化合物在全部蚀刻液中的重量比占0.001％～10％。上述磺酸化合物能够通过抑制作为对上述含有铜的金属层进行蚀刻的主成分的上述过硫酸铵的分解来保障上述蚀刻液的稳定性。上述磺酸化合物例如可以含有苯磺酸(Benzenesulfonic acid)、对甲苯磺酸(para-Toluenesulfonicacid)、甲烷磺酸化合物(Methanesulfonic acid)、氨基磺酸(Amidosulnic acid)等。
上述蚀刻液还可以含有螯合剂。本发明的蚀刻液中，上述螯合剂在全部蚀刻液中的重量比占0.0001％～5％。上述螯合剂与利用上述蚀刻液对上述含有铜的金属层进行蚀刻时产生的铜离子结合，从而使上述铜离子不影响上述蚀刻液的蚀刻速度。上述螯合剂例如可以是膦系(Phosphonic series)、砜系(Sulfonic series)、乙酸酯系(Acetate series)等物质。
本发明公开的蚀刻液或蚀刻液组合物的范围中，当然包括上述所示重量比范围内含有的蚀刻液，但是例如在其构成中，组成处于在该重量比范围的数值之外或者上述作为例子举出的一部分成分有改变时，如果对本领域技术人员来说可以清楚上述构成与上述所示的蚀刻液组成实质上是同等的，则这种构成也属于本发明公开的蚀刻液或蚀刻液组合物的范围。
下面举出实施例，对本发明更详细地进行说明。下文的实施例所示的构成是用于帮助对发明进行理解的，任何情况下，以实施例提示本发明的技术范围的实施方式并不对本发明的技术范围进行限制，这是不言自明的。
蚀刻液组合物的实施例
按下述表1所示制造本发明的蚀刻液组合物的实施例1～4的蚀刻液。实施例1～4的组成如表1所示，所有的％值是重量比。
【表1】
由表1可知，本发明的实施例1的蚀刻液含有2重量％的过硫酸铵、0.7重量％的唑系化合物和1重量％的第1化合物。
本发明的实施例2的蚀刻液含有3重量％的过硫酸铵、0.1重量％的唑系化合物和0.5重量％的第2化合物。
本发明的实施例3的蚀刻液含有3重量％的过硫酸铵、0.1重量％的唑系化合物和0.5重量％的第3化合物。
本发明的实施例4的蚀刻液含有3重量％的过硫酸铵和0.5重量％的第1化合物。
如下述表2所示制造本发明的蚀刻液组合物的实施例5～13的蚀刻液。实施例5～13的组成如表2所示，所有的％值为重量比。
【表2】
由表2可知，本发明的实施例5的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、1重量％的第1化合物、1重量％的第4化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例6的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.5重量％的氟化物系化合物、1重量％的第1化合物、1重量％的第4化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例7的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.7重量％的氟化物系化合物、1重量％的第1化合物、1重量％的第4化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例8的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、1重量％的第1化合物、1重量％的第4化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.01重量％的螯合剂。
本发明的实施例9的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、1重量％的第1化合物、0.5重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例10的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、1重量％的第1化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例11的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例12的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、1重量％的第3化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
本发明的实施例13的蚀刻液含有5重量％的过硫酸铵、0.5重量％的唑系化合物、0.2重量％的氟化物系化合物、1重量％的第4化合物、0.2重量％的磺酸系化合物和0.001重量％的螯合剂。
蚀刻液组合物的实验例-蚀刻液组合物的蚀刻能力评价
具体地说，对于铜单一膜采用以时间为基准进行超过30％的蚀刻的过蚀刻(overetching)实验，对实施例1～4的蚀刻液的蚀刻速度、切割尺寸偏离(Cut dimension skew，CD Skew)和锥角评价。另外，利用显微镜照片，观察蚀刻后的铜层的侧截面。其结果如表3和图1至图4所示。
【表3】
| 蚀刻终点(秒) | 切割尺寸偏离(μm) | 锥角(°) | |
| 实施例1 | 25 | 0.2 | 47 |
| 实施例2 | 35 | 0.2 | 42 |
| 实施例3 | 40 | 0.2 | 40 |
| 实施例4 | 45 | 0.3 | 50 |
蚀刻终点是利用蚀刻液完成对铜单一膜的蚀刻从而成为玻璃基板的玻璃暴露出来的状态。蚀刻终点的值越小，说明蚀刻力越强。切割尺寸偏离表示光致抗蚀层末端与铜末端之间的距离，由于进行的是没有高度差的均匀的锥角蚀刻，因而该距离必须在适当的范围内。锥角是从蚀刻后的金属膜的侧面所见的斜率，该值在45°～60°是适当的。根据表3可知，本发明的蚀刻液组合物显示出优异的蚀刻速度和切割尺寸偏离，能够将锥度曲线(taper profile)调整为30°～70°。如图1～图4所示，其具有图案的直进性优异、稳定性优异的优点，并具有对大多的铜金属膜进行蚀刻均可维持与初期同等的性能的优点。
对于含有铜膜和与上述铜膜接触形成的钛膜的多层膜，采用以时间为基准进行超过30％的蚀刻的过蚀刻实验，对实施例5～13的蚀刻液的蚀刻速度、切割尺寸偏离和锥角进行评价。其结果见表4。
【表4】
| 蚀刻终点(秒) | 切割尺寸偏离(μm) | 锥角(°) | |
| 实施例5 | 35 | 0.2 | 47 |
| 实施例6 | 40 | 0.2 | 42 |
| 实施例7 | 45 | 0.2 | 40 |
| 实施例8 | 60 | 0.3 | 50 |
| 实施例9 | 28 | 0.3 | 45 |
| 实施例10 | 25 | 0.2 | 40 |
| 实施例11 | 30 | 0.2 | 38 |
| 实施例12 | 40 | 0.3 | 60 |
| 实施例13 | 50 | 0.2 | 50 |
由表4可知，本发明的蚀刻液组合物显示出优异的蚀刻速度和切割尺寸偏离，能够将锥度曲线调整为30°～70°。
上面参照实施例进行了说明，但是熟悉本领域的本领域技术人员可知，在不脱离权利要求书所记载的本发明的思想和领域的范围内，可以对本发明进行多种修改和变化。
Claims (16)
1、一种蚀刻液组合物，其特征在于，其含有0.1重量％～50重量％过硫酸铵和0.01重量％～5重量％唑系化合物。
2、如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑系化合物含有选自由苯并三唑、氨基四唑、咪唑和吡唑组成的组中的至少一种以上的物质。
3、如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，其进一步含有含氟的氟化物系化合物。
4、如权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化物系化合物的含量为0.01重量％～10重量％。
5、如权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化物系化合物为选自由氢氟酸、氟化铵、氟氢化铵、氟化钾、氟化钠组成的组中的至少一种以上的物质。
6、如权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，该蚀刻液组合物进一步含有选自由下述化合物组成的组中的至少一种化合物：大于0重量％且小于或等于10重量％的含有硝酸或硝酸盐的第1化合物、大于0重量％且小于或等于10重量％的含有硫酸或硫酸盐的第2化合物、大于0重量％且小于或等于10重量％的含有磷酸或磷酸盐的第3化合物、以及大于0重量％且小于或等于10重量％的含有乙酸或乙酸盐的第4化合物。
7、如权利要求6所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第1化合物含有选自由硝酸、硝酸铁、硝酸钾、硝酸铵和硝酸锂组成的组中的至少一种以上的物质。
8、如权利要求6所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第2化合物含有选自由硫酸、硫酸氢铵、硫酸氢钾和硫酸钾组成的组中的至少一种以上的物质。
9、如权利要求6所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第3化合物含有选自由磷酸、磷酸铵、磷酸一氢铵、磷酸二氢铵、磷酸钾、磷酸一氢钾、磷酸二氢钾、磷酸钠、磷酸一氢钠和磷酸二氢钠组成的组中的至少一种以上的物质。
10、如权利要求6所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第4化合物含有选自由乙酸、乙酸铵、乙酸钾、乙酸钠和亚氨基二乙酸组成的组中的至少一种以上的物质。
11、如权利要求5所述的蚀刻液组合物，其特征在于，其进一步含有含磺酸的磺酸系化合物。
12、如权利要求11所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸系化合物的含量为0.001重量％～10重量％。
13、如权利要求12所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸系化合物含有选自由苯磺酸、对甲苯磺酸、甲烷磺酸化合物、氨基磺酸组成的组中的至少一种以上的物质。
14、如权利要求11所述的蚀刻液组合物，其特征在于，其进一步含有螯合剂。
15、如权利要求14所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂的含量为0.0001重量％～5重量％。
16、如权利要求15所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述螯合剂含有至少一种以上选自由膦系、砜系和乙酸酯系组成的组中的化合物。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20070025341 | 2007-03-15 | ||
| KR10-2007-0025341 | 2007-03-15 | ||
| KR10-2007-0104166 | 2007-10-16 | ||
| KR1020070104166A KR101310310B1 (ko) | 2007-03-15 | 2007-10-16 | 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101265579A true CN101265579A (zh) | 2008-09-17 |
| CN101265579B CN101265579B (zh) | 2012-11-07 |
Family
ID=39988264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2008100850477A Active CN101265579B (zh) | 2007-03-15 | 2008-03-14 | 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101310310B1 (zh) |
| CN (1) | CN101265579B (zh) |
| TW (1) | TWI433909B (zh) |
Cited By (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102177219A (zh) * | 2008-11-12 | 2011-09-07 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 透明导电膜蚀刻剂 |
| KR20110121120A (ko) * | 2010-04-30 | 2011-11-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
| CN102234805A (zh) * | 2010-05-06 | 2011-11-09 | 株式会社东进世美肯 | 金属布线蚀刻液以及利用该蚀刻液的金属布线形成方法 |
| CN102326235A (zh) * | 2009-02-23 | 2012-01-18 | 关东化学株式会社 | 金属层积膜用蚀刻液组合物 |
| CN102471688A (zh) * | 2009-08-13 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于形成铜互连的蚀刻组合物 |
| CN102472938A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 液晶显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN102576171A (zh) * | 2009-11-17 | 2012-07-11 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法 |
| CN102597162A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-07-18 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 蚀刻液组合物 |
| CN102822391A (zh) * | 2010-04-30 | 2012-12-12 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| CN102834548A (zh) * | 2010-04-29 | 2012-12-19 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| CN102912350A (zh) * | 2012-07-24 | 2013-02-06 | 友达光电股份有限公司 | 蚀刻液及形成图案化多层金属层的方法 |
| CN102939407A (zh) * | 2010-03-18 | 2013-02-20 | 三星显示有限公司 | 用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法 |
| CN102977889A (zh) * | 2011-09-02 | 2013-03-20 | 东友精细化工有限公司 | 含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物 |
| CN102995021A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 关东化学株式会社 | 铜及铜合金的蚀刻液组合物及蚀刻方法 |
| CN103000509A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 东友精细化工有限公司 | 制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物 |
| CN103361643A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种GaN腐蚀液 |
| CN103526206A (zh) * | 2012-07-03 | 2014-01-22 | 株式会社东进世美肯 | 一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法 |
| CN103571495A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法 |
| CN103668206A (zh) * | 2012-09-19 | 2014-03-26 | 东友精细化工有限公司 | 用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物 |
| CN103764874A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-04-30 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| CN104073803A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 东友精细化工有限公司 | 用于基于铜的金属层的蚀刻组合物和制备金属线的方法 |
| CN104250814A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 东友精细化工有限公司 | 蚀刻剂组合物 |
| CN104451681A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 三星显示有限公司 | 蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法 |
| CN104911592A (zh) * | 2014-03-13 | 2015-09-16 | 东友精细化工有限公司 | 用于铜层和钛层的蚀刻剂组合物及使用该蚀刻剂组合物制造液晶显示器的阵列基板的方法 |
| CN105734570A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物及使用其制造金属接线的方法 |
| CN105887091A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 东友精细化工有限公司 | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 |
| CN106011861A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-12 | 东友精细化工有限公司 | 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法 |
| CN107630219A (zh) * | 2016-07-19 | 2018-01-26 | 东友精细化工有限公司 | 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN108456885A (zh) * | 2017-02-13 | 2018-08-28 | 东进世美肯株式会社 | 蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法 |
| CN109811344A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法 |
| CN110016667A (zh) * | 2018-01-08 | 2019-07-16 | 东友精细化工有限公司 | Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法 |
| CN110093606A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-06 | 大连亚太电子有限公司 | 一种用于pcb板的蚀刻液及其制作方法 |
| CN110387545A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法 |
| CN110396693A (zh) * | 2018-04-25 | 2019-11-01 | 达兴材料股份有限公司 | 蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及制造显示装置或含igzo半导体的方法 |
| CN111876780A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-03 | 武汉迪赛新材料有限公司 | 一种蚀刻tft铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液 |
| CN114231288A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 东友精细化工有限公司 | 硅蚀刻液组合物、图案形成方法、阵列基板的制造方法、以及阵列基板 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100919596B1 (ko) * | 2008-02-21 | 2009-09-29 | (주) 휴브글로벌 | 에칭 첨가제 및 이를 함유하는 에칭용 조성물 |
| KR101594465B1 (ko) * | 2009-01-08 | 2016-02-16 | 솔브레인 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 |
| KR101619380B1 (ko) * | 2009-05-14 | 2016-05-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 |
| KR101146099B1 (ko) * | 2009-09-07 | 2012-05-16 | 솔브레인 주식회사 | 박막 트랜지스터 액정표시장치용 식각조성물 |
| KR101728542B1 (ko) * | 2009-11-16 | 2017-04-19 | 동우 화인켐 주식회사 | 몰리브덴용 식각액 조성물 |
| KR101693383B1 (ko) * | 2010-08-12 | 2017-01-09 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
| KR20120066950A (ko) | 2010-12-15 | 2012-06-25 | 삼성전자주식회사 | 식각액, 이를 이용한 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101778296B1 (ko) | 2011-04-01 | 2017-09-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액, 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101964826B1 (ko) * | 2011-06-15 | 2019-04-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 포함하는 표시 기판의 제조 방법 |
| KR101361839B1 (ko) * | 2011-10-27 | 2014-02-11 | 한국항공대학교산학협력단 | 식각액 조성물, 및 다중금속막 식각 방법 |
| KR20140013310A (ko) * | 2012-07-23 | 2014-02-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 및 이를 이용한 금속 배선과 박막 트랜지스터 표시판 제조 방법 |
| KR101394133B1 (ko) * | 2012-08-22 | 2014-05-15 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 몰리브덴 합금막 및 인듐 산화막 식각액 조성물 |
| WO2015020243A1 (ko) * | 2013-08-06 | 2015-02-12 | 동우화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| KR20160108944A (ko) * | 2015-03-09 | 2016-09-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR102368380B1 (ko) * | 2015-08-04 | 2022-02-28 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정 표시 장치용 어레이 기판의 제조방법 |
| KR102571627B1 (ko) * | 2017-02-13 | 2023-08-30 | 주식회사 동진쎄미켐 | 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선의 형성 방법 |
| KR102013397B1 (ko) * | 2018-01-26 | 2019-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각액 조성물, 금속 패턴의 형성 방법 및 표시 기판의 제조 방법 |
| KR20190114138A (ko) | 2018-03-29 | 2019-10-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 금속막 식각액 조성물 및 이를 이용한 도전 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3400558B2 (ja) * | 1994-08-12 | 2003-04-28 | メック株式会社 | 銅および銅合金のエッチング液 |
| KR100248113B1 (ko) * | 1997-01-21 | 2000-03-15 | 이기원 | 전자 표시 장치 및 기판용 세정 및 식각 조성물 |
| KR20030079740A (ko) * | 2002-04-02 | 2003-10-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 알루미늄(또는 알루미늄 합금)층을 함유한 다층막 및단일막 식각액 조성물 |
| TW200417628A (en) * | 2002-09-09 | 2004-09-16 | Shipley Co Llc | Improved cleaning composition |
| KR101174767B1 (ko) * | 2005-03-10 | 2012-08-17 | 솔브레인 주식회사 | 금속배선 식각용액을 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
-
2007
- 2007-10-16 KR KR1020070104166A patent/KR101310310B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-03-10 TW TW097108299A patent/TWI433909B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-03-14 CN CN2008100850477A patent/CN101265579B/zh active Active
Cited By (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102177219A (zh) * | 2008-11-12 | 2011-09-07 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 透明导电膜蚀刻剂 |
| CN102177219B (zh) * | 2008-11-12 | 2014-06-11 | 韩国泰科诺赛美材料株式会社 | 透明导电膜蚀刻溶液 |
| CN102326235B (zh) * | 2009-02-23 | 2015-05-20 | 关东化学株式会社 | 金属层积膜用蚀刻液组合物 |
| CN102326235A (zh) * | 2009-02-23 | 2012-01-18 | 关东化学株式会社 | 金属层积膜用蚀刻液组合物 |
| US9039915B2 (en) | 2009-02-23 | 2015-05-26 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Etching solution compositions for metal laminate films |
| CN102472938B (zh) * | 2009-07-23 | 2016-03-30 | 东友精细化工有限公司 | 液晶显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN102472938A (zh) * | 2009-07-23 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 液晶显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN102471688A (zh) * | 2009-08-13 | 2012-05-23 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于形成铜互连的蚀刻组合物 |
| CN102597162B (zh) * | 2009-10-30 | 2014-10-01 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 蚀刻液组合物 |
| CN102597162A (zh) * | 2009-10-30 | 2012-07-18 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 蚀刻液组合物 |
| CN102576171A (zh) * | 2009-11-17 | 2012-07-11 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法 |
| CN102576171B (zh) * | 2009-11-17 | 2014-12-10 | 东友精细化工有限公司 | 制造用于液晶显示装置的阵列基板的方法 |
| CN102939407A (zh) * | 2010-03-18 | 2013-02-20 | 三星显示有限公司 | 用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法 |
| CN102939407B (zh) * | 2010-03-18 | 2016-04-20 | 三星显示有限公司 | 用于金属线的蚀刻剂和使用其来制造金属线的方法 |
| CN102834548A (zh) * | 2010-04-29 | 2012-12-19 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| TWI608126B (zh) * | 2010-04-29 | 2017-12-11 | 東友精細化工有限公司 | 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物 (1) |
| CN106995922A (zh) * | 2010-04-29 | 2017-08-01 | 东友精细化工有限公司 | 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| KR20110121120A (ko) * | 2010-04-30 | 2011-11-07 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
| KR101641740B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2016-07-21 | 동우 화인켐 주식회사 | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 |
| CN102822391A (zh) * | 2010-04-30 | 2012-12-12 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| TWI510675B (zh) * | 2010-04-30 | 2015-12-01 | Dongwoo Fine Chem Co Ltd | 含銅及鈦之金屬層用蝕刻液組成物(2) |
| CN102822391B (zh) * | 2010-04-30 | 2014-12-10 | 东友精细化工有限公司 | 用于含铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| CN102234805A (zh) * | 2010-05-06 | 2011-11-09 | 株式会社东进世美肯 | 金属布线蚀刻液以及利用该蚀刻液的金属布线形成方法 |
| CN103764874B (zh) * | 2011-08-31 | 2016-07-27 | 东友精细化工有限公司 | 用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| CN103764874A (zh) * | 2011-08-31 | 2014-04-30 | 东友Fine-Chem股份有限公司 | 用于包括铜和钛的金属层的蚀刻液组合物 |
| CN102977889A (zh) * | 2011-09-02 | 2013-03-20 | 东友精细化工有限公司 | 含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物 |
| CN102995021A (zh) * | 2011-09-08 | 2013-03-27 | 关东化学株式会社 | 铜及铜合金的蚀刻液组合物及蚀刻方法 |
| CN103000509A (zh) * | 2011-09-09 | 2013-03-27 | 东友精细化工有限公司 | 制造显示设备的方法和蚀刻溶液组合物 |
| CN103526206A (zh) * | 2012-07-03 | 2014-01-22 | 株式会社东进世美肯 | 一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法 |
| CN103526206B (zh) * | 2012-07-03 | 2018-01-02 | 株式会社东进世美肯 | 一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法 |
| CN102912350A (zh) * | 2012-07-24 | 2013-02-06 | 友达光电股份有限公司 | 蚀刻液及形成图案化多层金属层的方法 |
| CN103571495B (zh) * | 2012-08-03 | 2017-11-28 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法 |
| CN103571495A (zh) * | 2012-08-03 | 2014-02-12 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法 |
| CN103668206A (zh) * | 2012-09-19 | 2014-03-26 | 东友精细化工有限公司 | 用于铜层/钛层的蚀刻溶液组合物 |
| CN104073803A (zh) * | 2013-03-28 | 2014-10-01 | 东友精细化工有限公司 | 用于基于铜的金属层的蚀刻组合物和制备金属线的方法 |
| CN104250814B (zh) * | 2013-06-27 | 2018-09-25 | 东友精细化工有限公司 | 蚀刻剂组合物 |
| CN104250814A (zh) * | 2013-06-27 | 2014-12-31 | 东友精细化工有限公司 | 蚀刻剂组合物 |
| CN103361643A (zh) * | 2013-07-22 | 2013-10-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种GaN腐蚀液 |
| CN104451681A (zh) * | 2013-09-25 | 2015-03-25 | 三星显示有限公司 | 蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法 |
| CN104911592A (zh) * | 2014-03-13 | 2015-09-16 | 东友精细化工有限公司 | 用于铜层和钛层的蚀刻剂组合物及使用该蚀刻剂组合物制造液晶显示器的阵列基板的方法 |
| CN104911592B (zh) * | 2014-03-13 | 2018-03-13 | 东友精细化工有限公司 | 用于铜层和钛层的蚀刻剂组合物及使用该蚀刻剂组合物制造液晶显示器的阵列基板的方法 |
| CN105734570A (zh) * | 2014-12-26 | 2016-07-06 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物及使用其制造金属接线的方法 |
| CN105887091B (zh) * | 2015-02-16 | 2020-05-26 | 东友精细化工有限公司 | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 |
| CN105887091A (zh) * | 2015-02-16 | 2016-08-24 | 东友精细化工有限公司 | 用于银薄层的蚀刻剂组合物，使用其形成金属图案的方法和使用其制作阵列基板的方法 |
| CN106011861A (zh) * | 2015-03-26 | 2016-10-12 | 东友精细化工有限公司 | 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法 |
| CN106011861B (zh) * | 2015-03-26 | 2019-06-14 | 东友精细化工有限公司 | 用于蚀刻含银薄层的蚀刻剂组合物和用其制造显示装置的阵列基板的方法 |
| CN107630219A (zh) * | 2016-07-19 | 2018-01-26 | 东友精细化工有限公司 | 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN107630219B (zh) * | 2016-07-19 | 2020-01-24 | 东友精细化工有限公司 | 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 |
| CN108456885A (zh) * | 2017-02-13 | 2018-08-28 | 东进世美肯株式会社 | 蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法 |
| CN108456885B (zh) * | 2017-02-13 | 2022-08-23 | 东进世美肯株式会社 | 蚀刻液组合物以及利用其的金属布线形成方法 |
| CN109811344A (zh) * | 2017-11-21 | 2019-05-28 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法 |
| CN109811344B (zh) * | 2017-11-21 | 2022-07-05 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法 |
| CN110016667B (zh) * | 2018-01-08 | 2021-11-23 | 东友精细化工有限公司 | Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法 |
| CN110016667A (zh) * | 2018-01-08 | 2019-07-16 | 东友精细化工有限公司 | Mo-Nb合金薄膜蚀刻液组合物及利用其的显示装置用基板的制造方法 |
| CN110387545A (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-29 | 三星显示有限公司 | 蚀刻剂组合物和使用蚀刻剂组合物的金属图案的制造方法 |
| CN110396693A (zh) * | 2018-04-25 | 2019-11-01 | 达兴材料股份有限公司 | 蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及制造显示装置或含igzo半导体的方法 |
| CN110396693B (zh) * | 2018-04-25 | 2021-08-10 | 达兴材料股份有限公司 | 蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及制造显示装置或含igzo半导体的方法 |
| CN110093606A (zh) * | 2019-06-14 | 2019-08-06 | 大连亚太电子有限公司 | 一种用于pcb板的蚀刻液及其制作方法 |
| CN111876780A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-11-03 | 武汉迪赛新材料有限公司 | 一种蚀刻tft铜钼合层的过硫酸铵体系蚀刻液 |
| CN114231288A (zh) * | 2020-09-09 | 2022-03-25 | 东友精细化工有限公司 | 硅蚀刻液组合物、图案形成方法、阵列基板的制造方法、以及阵列基板 |
| CN114231288B (zh) * | 2020-09-09 | 2023-12-26 | 东友精细化工有限公司 | 硅蚀刻液组合物、图案形成方法、阵列基板的制造方法、以及阵列基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW200844215A (en) | 2008-11-16 |
| KR20080084539A (ko) | 2008-09-19 |
| KR101310310B1 (ko) | 2013-09-23 |
| TWI433909B (zh) | 2014-04-11 |
| CN101265579B (zh) | 2012-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101265579B (zh) | 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物 | |
| JP5559956B2 (ja) | 薄膜トランジスタ液晶表示装置のエッチング液組成物 | |
| US8894876B2 (en) | Etchant for electrode and method of fabricating thin film transistor array panel using the same | |
| KR101619380B1 (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의 제조방법 | |
| US8377325B2 (en) | Etchant for metal wiring and method for manufacturing metal wiring using the same | |
| KR102279498B1 (ko) | 금속 배선 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 | |
| WO2020062590A1 (zh) | 一种铜钼合金膜的化学蚀刻用组合物 | |
| CN102102206A (zh) | 金属蚀刻液组合物及其蚀刻方法 | |
| CN104614907A (zh) | 液晶显示器用阵列基板的制造方法 | |
| KR20140019108A (ko) | 식각액 조성물 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조 방법 | |
| CN103184453A (zh) | 薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物 | |
| CN102234805A (zh) | 金属布线蚀刻液以及利用该蚀刻液的金属布线形成方法 | |
| CN107630219B (zh) | 金属膜蚀刻液组合物及显示装置用阵列基板的制造方法 | |
| CN105734570B (zh) | 蚀刻剂组合物及使用其制造金属接线的方法 | |
| WO2022095262A1 (zh) | 用于铜钼膜层的蚀刻剂与铜钼膜层的蚀刻方法 | |
| CN110273156A (zh) | 不包含氟的蚀刻液组合物 | |
| TWI614550B (zh) | 液晶顯示裝置用陣列基板的製備方法及其多層膜用蝕刻液組合物 | |
| CN104513982A (zh) | 用于液晶显示器的阵列基板的制造方法 | |
| KR102131394B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법 | |
| KR101369946B1 (ko) | 박막트랜지스터 액정표시장치의 식각액 조성물 | |
| CN110230059B (zh) | 显示面板的金属图案制作方法 | |
| CN110846663A (zh) | 蚀刻液组成物及形成金属线路的方法 | |
| TW201404936A (zh) | 蝕刻液與形成圖案化多層金屬層的方法 | |
| CN105820819B (zh) | 氧化铟层蚀刻液组合物和利用其制造液晶显示装置的阵列基板的方法 | |
| KR20140028446A (ko) | 금속 배선 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |