CN110273156A - 不包含氟的蚀刻液组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示用于液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。所述蚀刻液组合物包含蚀刻液组合物，所述蚀刻液组合物包含：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、以及水，还包含钼铜蚀刻液组合物，所述钼铜蚀刻液组合物还包含：过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比、有机酸1重量百分比至5重量百分、无机酸0.1重量百分比至5重量百分比以及磺酸化合物1重量百分比至5重量百分比。

Description

不包含氟的蚀刻液组合物
技术领域
本发明涉及不包含氟的蚀刻液组合物，更详细地，涉及用于液晶显示装置或有机发光二极管(OLED，Organic Light Emitting Diode)显示装置等的不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，TFT)为在液晶显示装置或有机发光二极管显示装置等中，向各个像素施加特定信号来驱动的电路。薄膜晶体管的结构包括传递扫描信号的栅极配线、传递图像信号的数据配线及与所述两个配线相连接的像素电极等。薄膜晶体管由形成栅极电极和通道的半导体层、作为数据配线的一部分的源电极及漏极形成，构成它们的金属薄膜大部分由Mo/Cu、MoTi/Cu、Ti/Cu构成。薄膜晶体管制造工序通过如下蚀刻过程完成，即，在玻璃基板上层叠栅极或源电极、漏极用配线材料的金属层，通过具有腐蚀性的气体或溶液对这些金属层进行蚀刻来体现所需要的电路的线路。通常，用于蚀刻工序的蚀刻液包含过氧化氢类蚀刻液和非过氧化氢类蚀刻液，过氧化氢类蚀刻液可使用包含氟的蚀刻液。在包含氟的蚀刻液的情况下，在作为活化层(active layer)的非晶硅(amorphous silicon)引起损伤(damage)，从而发生有可能对晶体管的驱动特性产生不利影响的余地和废水处理器费用发生等的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供钼铜合金膜蚀刻液组合物，即，对钼(Mo)铜(Cu)双重薄膜进行蚀刻并可控制钼(Molybdenum)残留物，且不会发生底切。
本发明的另一目的在于，提供不包含氟的钼铜合金膜蚀刻液组合物，其抑制过氧化氢的分解反应，与以往过氧化氢类蚀刻液相比，稳定性得到提高。
为了实现所述目的，本发明提供包含如下物质的蚀刻液组合物：过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、三氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、以及水。
本发明的不包含氟的蚀刻液组合物可制备能够控制钼(Molyb denum)的残留物(残渣，residue)及底切的蚀刻液组合物。
附图说明
图1为包含通过本发明实施例1至13的蚀刻组合物进行蚀刻的层叠的钼铜双重膜及光刻胶图案的样品的扫描电子显微镜照片。
图2为包含通过本发明比较例1至9的蚀刻组合物进行蚀刻的层叠的钼铜双重膜及光刻胶图案的样品的扫描电子显微镜照片。
图3为包含通过本发明参照例13至16的蚀刻组合物进行蚀刻的层叠的钼铜双重膜及光刻胶图案的样品的扫描电子显微镜照片。
具体实施方式
以下，更加详细说明本发明。
本发明作为钼铜合金膜蚀刻液组合物，包含过氧化氢、四氮环状化合物、三氮环状化合物、胺类化合物、芳香族化合物及水，所述钼铜合金膜蚀刻液组合物作为不包含氟的蚀刻液组合物，对铜类金属膜进行蚀刻。
在本发明中，用于传递电信号的金属配线为铜类金属膜，上述铜类金属膜可以为铜膜、铜合金膜中的一种，作为上述铜膜、铜合金膜的下部膜可以为钼(Molybdenum)膜或钼(Molybdenum)合金膜中的一种。本发明所使用的优选的铜类金属膜为多层膜，所述多层膜为铜钼膜或铜钼合金膜。所述铜钼膜是指包含钼层及形成于所述钼层上的所述铜类金属膜，所述铜钼合金膜是指包含钼合金层及形成于所述钼合金层上的所述铜类金属膜。
所述过氧化氢为对金属膜，例如，对铜钼膜进行氧化的主氧化剂。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述过氧化氢的含量为5重量百分比至20重量百分比，优选为10重量百分比至20重量百分比。若所述过氧化氢的含量小于5重量百分比，则氧化并不充分，从而蚀刻速度变得缓慢，若大于20重量百分比，则很难控制蚀刻程度。
所述过氧化氢起到氧化剂的作用并与金属离子发生反应来进行分解。例如，根据下述反应式1，过氧化氢对包含铜(Cu)的金属膜进行氧化及蚀刻，根据下述反应式2发生过氧化氢分解反应。过氧化氢分解反应是过氧化氢被分解的反应。
反应式1：M+H2O2→MO+H2O
反应式2：H2O2+M+→OH+OH-+M2+
所述反应式1及2中，M为铜、钛、钼、铜合金、钛合金及钼合金等的金属膜。因所述过氧化氢的分解反应，在累计数量处理过程中，工序成本会上升。
因此，为了抑制通过所述过氧化氢发生的问题，本发明还可包含过氧化氢稳定剂。所述过氧化氢稳定剂可通过抑制因过氧化氢分解反应所引起的铜的蚀刻速度降低及处理数量的减少及因过氧化氢的放热反应引起的稳定性降低问题来确保工序并控制工序不良。所述过氧化氢稳定剂包含磷酸盐、苯基脲、二甲基脲、二元醇类化合物等，优选为三甘醇、聚乙二醇，更优选为三甘醇。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述过氧化氢稳定剂的含量为1重量百分比至5重量百分比，优选为1.5重量百分比至4.5重量百分比。若所述过氧化氢稳定剂的含量小于1重量百分比，则因过氧化氢的分解反应及放热反应而无法确保蚀刻液的稳定性，若大于5重量百分比，铜的蚀刻能力削弱，工序上蚀刻时间有可能加长，从而引发生产性收益率问题。
所述四氮环状化合物起到如下作用，即，在包含钼(molybdenum)的金属层的上部及下部由钼和其他金属层形成的多层膜中，调节所述钼与其他金属(例如，钛、钛合金、铜、铜合金等)之间的蚀刻速度。所述四氮环状化合物选自由四唑类化合物组成的组，优选地，可以为选自由四唑、5-甲基四唑、5-巯基-甲基四唑及它们的混合物组成的组中的一种以上。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述四氮环状化合物的含量为0.01重量百分比至1.5重量百分比，优选为0.05重量百分比至1.0重量百分比。若所述四氮环状化合物的含量小于0.01重量百分比，则蚀刻速度会加快，若大于1.5重量百分比，蚀刻速度变得缓慢，从而很难控制速度。
所述三氮环状化合物为钼蚀刻剂，通过调节蚀刻速度来调节维度损失(CD-Loss，critical dimensio-Loss)。所述维度损失为从光刻胶(PR)末端横向蚀刻的损失。所述三氮环状化合物可包含硫醇(Thiol)基，选自由三唑类化合物组成的组，优选地，可以为选自由1，2，4-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑-5-硫醇、苯并三唑、1，2，4-三唑-3-硫醇、3-巯基-4-甲基-1，2，4-三唑及它们的混合物组成的组中的一种以上。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述三氮环状化合物的含量为0.01重量百分比至1.5重量百分比，优选为0.01重量百分比至1.0重量百分比。若所述三氮环状化合物的含量小于0.01重量百分比，则引发钼的残留物，若大于1.5重量百分比，则引发钼的底切。
本发明的钼在pH3至5区域中容易蚀刻。因此，本发明使用所述胺类化合物来增加pH并轻松对钼进行蚀刻。适当调节pH来抑制钼(molybdenum)的残留物及底切现象。所述残留物(residue)为经过蚀刻工序后在金属膜的表面形成的小突起形态的残渣。所述底切现象意味着钼的过度蚀刻，引发蚀刻形状的分解能力的降低。
所述胺类化合物可以为选自二乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-氨基乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-甲基异丙醇胺及它们的混合物中的一种以上，优选为二乙醇胺。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述胺类化合物含量为3重量百分比至10重量百分比，优选为3.5重量百分比至9.8重量百分比。若所述胺类化合物的含量小于3重量百分比，则会引发钼的残留物，若大于10重量百分比，则发生钼的底切。
所述芳香族化合物可防止铜(Cu)蚀刻率(E/R，etch rate)的降低(drop)，芳香族化合物起到铜和钼的辅助蚀刻剂作用，通过防止铜及钼的蚀刻率降低来维持蚀刻速度。可通过减少铜(Cu)的蚀刻速度变幅来维持蚀刻速度。并且，起到钼(Mo)的蚀刻剂的作用。
所述芳香族化合物可包含选自由选自碳数为4至10的组氨酸(histidine)、苯丙氨酸(phenylalanine)、香草酸(vanillic acid)、扁桃酸(mandelic acid)、吡唑酸(pyrazolic acid)及它们的混合物组成的组中的一种以上，优选为扁桃酸。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述芳香族化合物的含量为0.01重量百分比至1重量百分比，优选为0.1重量百分比至1重量百分比。若所述芳香族化合物的含量小于0.01重量百分比，则铜的蚀刻率会降低并发生钼的残留物，若大于1重量百分比，则铜会被过度蚀刻，从而引发钼的底切。
所述蚀刻液组合物还可包含磺酸类化合物。磺酸类化合物为铜的辅助氧化剂，补充因作为铜的主氧化剂的过氧化氢的分解作用而消耗的氧化力来防止氧化力降低，并维持蚀刻速度。所述磺酸类化合物可包含选自由甲磺酸、氨基磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、氨磺酸、胺基磺酸、环状磺酸化合物、烃类磺酸及它们的混合物组成的组中的一种以上。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述磺酸类化合物的含量为1重量百分比至5重量百分比，优选为1.5重量百分比至4.5重量百分比。若所述磺酸类化合物的含量小于1重量百分比，则铜的蚀刻速度变得缓慢，若大于5重量百分比，则会发生铜的过度蚀刻。
所述蚀刻液组合物还可包含有机酸。所述有机酸被用成铜离子的螯合剂。随着本发明的蚀刻液组合物反复进行蚀刻工序，在蚀刻液中增加金属离子的浓度，如铜离子。这种铜离子促进作为主氧化剂的过氧化氢的分解，作为可控制铜离子和过氧化氢的反应的物质，可使用所述有机酸。有机酸与铜离子形成螯合物，从而可防止过氧化氢的分解促进。
所述有机酸可包含选自丁二酸、丙二酸、苹果酸、甲酸、马来酸、乙酸、柠檬酸、酒石酸及它们的混合物中的一种以上。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述有机酸的含量为1重量百分比至5重量百分比，优选为1.5重量百分比至4.5重量百分比。若所述有机酸的含量小于1重量百分比，则螯合剂能力会削弱，从而减少处理数量，若大于5重量百分比，则处理数量会增加或引发铜的过度蚀刻。
本发明的蚀刻液组合物还可包含无机酸。所述无机酸与当过氧化氢分解时发生的自由基相结合来抑制自由基的持续发生。所述无机酸控制自由基反应来起到过氧化氢的稳定剂作用，从而确保过氧化氢的稳定性，并可调节圆锥角度(Taper angle)。
所述无机酸可包含选自磷酸、亚磷酸、偏磷酸、焦磷酸、正磷酸、三磷酸、四磷酸及它们的混合物中的一种以上，优选地，可以为亚磷酸。相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述无机酸的含量为0.1重量百分比至5重量百分比，优选为0.5重量百分比至4.5重量百分比。若所述无机酸的含量小于0.1重量百分比，则圆锥角会增加，若大于5重量百分比，则圆锥角会减少。
本发明的蚀刻液组合物中，溶剂可使用水，相对于蚀刻液组合物100重量百分比，所述水的含量为除在所述蚀刻液组合物包含的成分的含量之外的剩余含量。
所述蚀刻液组合物不包含氟，以往的蚀刻液组合物中，氟化合物起到同时对铜/钼合金进行蚀刻时通过提高钼合金的蚀刻速度来去除钼合金的残留物的作用。但是，所述氟化合物对钼合金和作为铜/钼合金的栅极配线的下部膜的玻璃基板和作为源极漏极配线的下部膜的SiNx进行蚀刻。下部膜的蚀刻增加会导致基于在后工序及再生产(rework)工序中的蚀刻污渍的不良和基于在轻量化工序中的蚀刻污渍的不良。并且，含有氟的钼铜蚀刻液有可能通过氟引发钼的底切。因此，本发明可提供不包含氟离子，对钼(Mo)铜(Cu)双重薄膜进行蚀刻并可控制钼的残留物，抑制所述过氧化氢的分解反应来提供稳定性比以往过氧化氢类蚀刻液提高的组合物。所述蚀刻液组合物中，可抑制以往的氟化合物的化合物为四氮环状化合物。
并且，因氟，钼的一部分不会被蚀刻，而是留在基板表面，从而有可能引发晶体管的漏电(off current)的增加，但是本发明不包含氟，由此节减废水处理费用，不会对玻璃基板(Glass substrate)产生影响(damage)，从而有利于再生产(rework)。
本发明另一实施例的金属配线形成方法包括：在基板形成包含铜的单一膜或包含铜且包含作为下部膜的钼膜中的至少一种以上的多重膜的步骤；以及使用蚀刻液组合物对所述形成的单一膜或多重膜进行蚀刻的步骤。
具体地，所述多层膜可由钼合金膜、铝合金膜、钼合金膜及钼合金氧化膜依次层叠而成。而且，所述金属图案可形成于液晶显示装置用薄膜晶体管(Thin Firm Transistor，TFT)阵列基板。
可利用蚀刻液组合物对形成于所述薄膜晶体管的铜钼多重膜进行蚀刻，所述蚀刻工序可通过本发明所属技术领域的已知方法执行，当所述蚀刻工序时的温度一般为30℃至35℃。但是，并不局限于所述范围，本发明所属技术领域的普通技术人员通过其他工序条件及因素，根据需要确定适当的蚀刻工序条件。
并且，若利用本发明的蚀刻液组合物来对被用作薄膜晶体管液晶显示器或有机发光二极管等的电极的所述铜钼合金膜进行蚀刻，则使下部膜的蚀刻最小化，从而可以使作为后续工序的有机基板轻量化工序或再生产工序中发生的不良最小化。
以下，通过实施例更加详细说明本发明，本发明并不局限于下述实施例。
实施例1至13及比较例1至9：蚀刻液组合物
通过下述表1中记载的成分含量混合各个成分及剩余水来制备实施例1至13及比较例1至9的蚀刻液组合物。
下述表1中，四氮环状化合物使用5-甲基四唑(5-Methyltetrazole)，有机酸使用丙二酸，三氮环状化合物使用3-氨基-1，2，4-三唑-5-硫醇(3-Amino-1，2，4-triazole-5thiol)，胺类使用二乙醇胺(Diethanolamine)，磺酸化合物使用甲磺酸(Methanesulfonic acid)，芳香族化合物使用扁桃酸(Mandelic acid)，氟合物使用二氟化铵(Ammonium bifluoride)。
表1
实验例1.钼残留物及底切测定
通过实施例1至13及比较例1至9的蚀刻组合物对包含所层叠的钼/铜双重膜及光刻胶图案的样品的垂直剖面进行蚀刻，利用扫描电子显微镜照片测定对于各个样品的钼残留物及底切之后，记载在下述表2中，对于所述实施例及比较例的扫描显微镜照片记载于下述图1和图2。
表2
钼残留物 底切
实施例1 无 无
实施例2 无 无
实施例3 无 无
实施例4 无 无
实施例5 无 无
实施例6 无 无
实施例7 无 无
实施例8 无 无
实施例9 无 无
实施例10 无 无
实施例11 无 无
实施例12 无 无
实施例13 无 无
比较例1 有 无
比较例2 无 有
比较例3 有 有
比较例4 有 无
比较例5 无 有
比较例6 有 无
比较例7 无 有
比较例8 有 有
比较例9 无 有
参照所述表2，在超出过氧化氢5重量百分比至20重量百分比、芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比、胺类化合物3重量百分比至10重量百分比、四氮环状化合物0.01重量百分比至1重量百分比、三氮环状化合物0.01重量百分比至1重量百分比的比较例1至4及比较例6至9或作为蚀刻液组合物包含氟化物的比较例5的情况下，发生钼残留物或者发生底切。
实验例2.维度损失(CD-Loss)及蚀刻速度测定
若比较铜蚀刻速度(Cu Etch Rate)和维度损失(CD-Loss)，则所述铜适当的蚀刻速度为/秒钟至/秒钟，所述维度损失为光刻胶图案末端与下部膜或栅极膜末端之间的距离，为了高度差小且均匀的锥形蚀刻，具有维度损失0.5μm至1.0μm的范围。
表3
参照所述表3，在磺酸化合物的含量超出1重量百分比至5重量百分比范围的情况下，钼残留物及底切不会发生，维度损失及铜蚀刻速度无法达到适当的范围。
实验例3.对于放热的评价
表4
混合在所述表4中记载的成分含量的组合物及与除所述组合物的含量之外的剩余含量相对应的水来制备参照例11至12，为了对于所述实施例1至13及参照例11至12的放热评价而在以下表5中进行了记载。
所述放热评价向蚀刻液持续投入金属离子，若在铜及钼的含量为8000ppm以上的条件下温度不超过40℃，则显示成“稳定”，当超过时，显示成“放热”。
表5
放热稳定性评价
实施例1 稳定
实施例2 稳定
实施例3 稳定
实施例4 稳定
实施例5 稳定
实施例6 稳定
实施例7 稳定
实施例8 稳定
实施例9 稳定
实施例10 放热
实施例11 放热
实施例12 稳定
实施例13 稳定
参照例11 放热
参照例12 放热
参照所述表5，在因过氧化氢的分解反应的放热稳定性中，在三甘醇的含量为1重量百分比至5重量百分比的情况下，不会发生放热，在所述三甘醇的含量超出所述含量的情况下，发生放热现象。
实验例4.圆锥角测定
表6
混合在所述表6中记载的含量的组合物及与除所述组合物的含量之外的剩余含量相对应的水来制备参照例13及14，通过1至13及参照例13至14的蚀刻组合物对包含所层叠的钼/铜双重膜及光刻胶图案的样品的垂直剖面进行蚀刻，利用扫描电子显微镜照片来测定圆锥角(Taper angel)的值记载在以下表7。当圆锥角度的范围为45至60°时优选。
表7
圆锥角(°)
实施例1 46
实施例2 50
实施例3 47
实施例4 48
实施例5 46
实施例6 46
实施例7 50
实施例8 51
实施例9 50
实施例10 53
实施例11 45
实施例12 45
实施例13 50
参照例13 73
参照例14 38
参照所述表7，当圆锥角度的范围为45°至60°时适当，若亚磷酸的含量大于0.1重量百分比至5重量百分比，则圆锥角度很难调节成45°至60°。
实验例5.蚀刻速度评价
表8
混合在所述表8中记载的含量的组合物及与除所述组合物的含量之外的剩余含量相对应的水来制备参照例15及16，通过参照例15至16的蚀刻组合物对包含所层叠的钼/铜双重膜及光刻胶图案的样品的垂直剖面进行蚀刻，测定蚀刻速度来记载于以下表9，下述图3记载对于所述参照例15至16的扫描显微镜照片。所述蚀刻速度范围并未确定，工序上，/秒钟至/秒钟的情况优选。
表9
参照所述表9，在有机酸的含量满足1重量百分比至5重量百分比范围的情况下，蚀刻速度维持/秒钟至/秒钟，维度损失可维持0.5μm至1.0μm。
实验例6.蚀刻液组合物的保存稳定性评价
对于放热稳定性评价和保存的稳定性评价不相同，放热稳定性评价为通过基于金属的过氧化氢分解反应，蚀刻液的温度急剧上升的上升点的评价，保存稳定性为当保存蚀刻液时，确定与没有性能变化地可使用的有效期间有关的指标并执行的实验。
将所述实施例1及比较例3的蚀刻液组合物制备5kg来在约为25℃中保存规定期间之后，为了验证药液特性变化而比较对于保存的稳定性评价并整理在表10。
表10
2天 5天 7天 10天 15天
实施例1 稳定 稳定 稳定 稳定 稳定
比较例3 稳定 稳定 特性降低 特性降低 特性降低
参照所述表10，在实施例1的情况下，即使保存期间增加，不发生基于铜离子的放热现象。在所述比较例3的情况下，从保存日期为7天的时间点开始发生蚀刻液的构成成分的分解，从而导致蚀刻液的特性降低。
实验例7.保存稳定性评价
在将所述实施例1的蚀刻组合物在约为25℃的条件下保存规定期间之后，每日通过相同条件再次对所述蚀刻组合物进行蚀刻测试，通过比较组与参考测试结果进行比较，将结果记载于表11。
表11
实施例1 参考(Ref) 1天 3天 7天
铜蚀刻速度 ◎ ◎ ◎ ◎
CD-Skew(维度损失) ◎ ◎ ◎ ◎
圆锥角 ◎ ◎ ◎ ◎
钼残留物 ◎ ◎ ◎ ◎
底切 ◎ ◎ ◎ ◎
◎：非常优秀(相比于参考，变化量为10％以内)/×：不良(相比于参考，变化量大于10％)
参照所述表11，即使所述蚀刻组合物的保存期间增加，蚀刻速度、维度损失及圆锥角度的变化并不大，可确保优秀的保存稳定性。
实验例8.累积数量评价
利用所述实施例1的蚀刻液，增加铜离子浓度，如下所述，进行了基板的处理数量评价，进行参考蚀刻(reference etch)，将铜粉末从500ppm添加至6000ppm来进行蚀刻测试，与参考测试结果进行比较，将其结果整理在以下表12。
表12
◎：非常优秀(相比于参考表，变化量为10％以内)/×：不良(相比于参考表，变化量大于10％)
参照所述表12，可以确认即使在所述蚀刻组合物1(实施例1)中的铜离子浓度增加，蚀刻速度、维度损失及圆锥角度的变化并不大。因此，所述蚀刻组合物具有可靠性。

Claims (15)

1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，包含：
过氧化氢5重量百分比至20重量百分比；
四氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比；
三氮环状化合物0.01重量百分比至1.5重量百分比；
芳香族化合物0.01重量百分比至1重量百分比；
胺类化合物3重量百分比至10重量百分比；以及
水。
2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述四氮环状化合物为选自由四唑、5-甲基四唑、5-巯基-甲基四唑以及它们的混合物组成的组中的一种以上。
3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述三氮环状化合物为选自由1，2，4-三唑、3-氨基-1，2，4-三唑-5-硫醇、苯并三唑、1，2，4-三唑-3-硫醇、3-巯基-4-甲基-1，2，4-三唑以及它们的混合物组成的组中的一种以上。
4.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述芳香族化合物为选自由组氨酸、苯丙氨酸、香草酸、扁桃酸、吡唑酸以及它们的混合物组成的组中的一种以上。
5.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述胺类化合物为选自二乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-甲基二乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-氨基乙基乙醇胺、N-丙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、N-甲基异丙醇胺以及它们的混合物中的一种以上。
6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含过氧化氢稳定剂1重量百分比至5重量百分比。
7.根据权利要求6所述的蚀刻液组合物，其特征在于，过氧化氢稳定剂为选自由磷酸盐、苯基脲、二甲脲、二元醇类化合物以及它们的混合物组成的组中的一种以上。
8.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含有机酸1重量百分比至5重量百分比。
9.根据权利要求8所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸为选自由丁二酸、丙二酸、苹果酸、蚁酸、马来酸、乙酸、柠檬酸、酒石酸以及它们的混合物组成的组中的一种以上。
10.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含无机酸0.1重量百分比至5重量百分比。
11.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含磺酸类化合物1重量百分比至5重量百分比。
12.根据权利要求11所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸类化合物为选自由甲磺酸、氨基磺酸、苯磺酸、对甲苯磺酸、氨磺酸、胺基磺酸、环状磺酸化合物、烃类磺酸以及它们的混合物组成的组中的一种以上。
13.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，还包含：
有机酸1重量百分比至5重量百分比；
无机酸0.1重量百分比至5重量百分比；以及
磺酸类化合物1重量百分比至5重量百分比。
14.根据权利要求1至13中的一项所述的蚀刻液组合物，其特征在于，蚀刻液组合物对选自铜、钛、钼、铜合金、钛合金以及钼合金中的一种以上进行蚀刻。
15.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物不包含氟。
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