CN104419930A

CN104419930A - 蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法

Info

Publication number: CN104419930A
Application number: CN201410412157.5A
Authority: CN
Inventors: 李恩远; 李智娟; 权五柄; 崔容硕
Original assignee: Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Current assignee: Dongwoo Fine Chem Co Ltd
Priority date: 2013-08-27
Filing date: 2014-08-20
Publication date: 2015-03-18
Anticipated expiration: 2034-08-20
Also published as: CN104419930B

Abstract

本发明涉及蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法，该方法包括步骤：在基板形成栅极配线；在包含栅极配线的基板形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层形成半导体层；在半导体层形成源极和漏极；形成与漏极连接的像素电极，还包括蚀刻包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜而形成电极的步骤，钼合金膜为铌或钨中的一种以上与钼的合金，蚀刻液组合物包括：组合物总重量中百分比为过氧化氢5.0～25.0％；氟化合物0.01～1.0％；唑类化合物0.1～5％；在分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0％；磷酸盐化合物0.1～5.0％；多元醇类表面活性剂0.001～5.0％；水剩余量，此外，不含有/无机酸或其盐、脂环族胺。

Description

蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示装置用阵列基板的制造方法及由铌或钨中的一种以上与钼的合金的钼合金膜及铜类金属膜构成的多层膜用蚀刻液组合物。

背景技术

作为驱动半导体装置及平板显示装置的电路，代表性的就是薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。在薄膜晶体管的制造过程中，通常在基板的上部形成金属膜作为栅极和数据配线材料，在该金属膜的选择性区域上形成光刻胶后，将该光刻胶作为掩模来蚀刻所述金属膜。

通常，作为栅极及数据配线材料，使用导电性好且电阻小的含铜的铜膜或铜合金膜和与这些膜的表面粘合力优秀的金属氧化物膜。近年来，为了提高薄膜晶体管的性能，作为金属氧化物膜，使用含有镓氧化物和铟氧化物、锌氧化物或它们的混合物的膜。

一方面，在韩国公开专利公报第10-2010-0090538号中，记载了铜类金属膜的蚀刻用组合物，该组合物包含过氧化氢(H₂O₂)、有机酸及磷酸盐类化合物等。当使用所述蚀刻用组合物蚀刻铜-钼膜时，能够形成直线性良好的锥形轮廓，但在一次蚀刻钼-铌(Mo-Nb)的钼类金属膜及铜类金属膜的情况下，蚀刻速度变慢，会出现钼-铌(Mo-Nb)的钼类金属膜无法被蚀刻或者发生残渣等蚀刻性能极其低下的问题。并且，在韩国公开专利公报第10-2010-0035250号中，记载了在过氧化氢等中必备地包含有硫酸铵和环己胺的组合物，当使用所述组合物蚀刻铜/钼-铌(Mo-Nb)的钼类金属膜时，无法实现对铜膜或钼膜的充分的蚀刻速度，蚀刻特性也会严重低下。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：韩国公开专利公报第10-2010-0090538号

专利文献2：韩国公开专利公报第10-2010-0035250号

发明内容

本发明是为了解决所述问题而提出的，本发明的目的在于提供一种使用蚀刻液的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述蚀刻液能够对钼-铌(Mo-Nb)等的钼类金属膜及铜类金属膜进行一次蚀刻。

并且，本发明的目的在于提供一种在对钼-铌(Mo-Nb)等的钼类金属膜及铜类金属膜进行一次蚀刻的情况下，也能够提高蚀刻速度和加快工序速度，避免产生残渣，并且随着铜浓度而保持一定的侧面蚀刻(Side Etch)(μm)变化量的蚀刻液组合物。

为了达到上述目的，本发明提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述液晶显示装置用阵列基板的制造方法包括：步骤a)，在基板上形成栅极配线；步骤b)，在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层；步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层；步骤d)，在所述半导体层上形成源极和漏极；以及步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极，所述液晶显示装置用阵列基板的制造方法的特征在于，所述步骤a)或步骤d)包括：通过对包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜进行蚀刻，来形成各电极的步骤，所述钼合金膜为铌(Nb)或钨(W)中的一种以上与钼的合金，在用于蚀刻的所述蚀刻液组合物中，各组分在组合物总重量中的重量百分比范围为：A)过氧化氢(H₂O₂)5.0重量百分比～25.0重量百分比；B)氟类化合物0.01重量百分比～1.0重量百分比；C)唑类化合物0.1重量百分比～5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；E)磷酸盐类化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；F)多元醇类表面活性剂0.001重量百分比～5.0重量百分比；以及G)水剩余量，除了所述成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。

本发明提供铌(Nb)或钨(W)中的一种以上与钼的合金和铜类金属膜的蚀刻液组合物，其中，各组分在组合物总重量中的重量百分比范围为：A)过氧化氢(H₂O₂)5.0重量百分比～25.0重量百分比；B)氟类化合物0.01重量百分比～1.0重量百分比；C)唑类化合物0.1重量百分比～5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；E)磷酸盐类化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；F)多元醇类表面活性剂0.001重量百分比～5.0重量百分比；以及G)水剩余量，除了所述成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。

根据本发明的蚀刻液组合物，在对钼-铌(Mo-Nb)等的钼类金属膜及铜类金属膜进行一次蚀刻的情况下，也能够提高蚀刻速度和加快工序速度，避免产生残渣，并且随着铜浓度而保持一定的侧面蚀刻(Side Etch)(μm)变化量。

附图说明

图1是在使用实施例2的蚀刻液组合物蚀刻铜/钼铌(Cu/MoNb)双层膜质的金属膜后，利用扫描电子显微镜(SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。

图2是在使用比较例4的蚀刻液组合物蚀刻铜/钼铌(Cu/MoNb)双层膜质的金属膜后，利用扫描电子显微镜(SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。

图3是在使用比较例5的蚀刻液组合物蚀刻铜/钼铌(Cu/MoNb)双层膜质的金属膜后，利用扫描电子显微镜(SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。

图4是在使用比较例7的蚀刻液组合物蚀刻铜/钼铌(Cu/MoNb)双层膜质的金属膜后，利用扫描电子显微镜(SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。

图5是在使用比较例9的蚀刻液组合物蚀刻铜/钼铌(Cu/MoNb)双层膜质的金属膜后，利用扫描电子显微镜(SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。

图6是在使用比较例10的蚀刻液组合物蚀刻铜/钼铌(Cu/MoNb)双层膜质的金属膜后，利用扫描电子显微镜(SEM，Hitach S-4700)来观察图像的结果。

具体实施方式

本发明涉及蚀刻液组合物及利用该组合物的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述蚀刻液组合物在由用于形成薄膜晶体管阵列配线的铜/钼合金构成的双层膜膜质中，能够以优秀的蚀刻特性，对上部铜金属膜和铌(Nb)或钨(W)中的一种以上与钼的合金的钼合金膜进行一次蚀刻。

具体而言，本发明提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法，所述液晶显示装置用阵列基板的制造方法包括：步骤a)，在基板上形成栅极配线；步骤b)，在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层；步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层；步骤d)，在所述半导体层上形成源极和漏极；以及步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极，所述液晶显示装置用阵列基板的制造方法的特征在于，所述步骤a)或步骤d)包括：通过对包含作为铌(Nb)或钨(W)中的一种以上与钼的合金的钼类金属膜及铜类金属膜的多层膜进行蚀刻，来形成各电极的步骤，用于蚀刻的所述蚀刻液组合物包括：A)过氧化氢(H₂O₂)；B)氟类化合物；C)唑类化合物；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物；E)磷酸盐类化合物；F)多元醇类表面活性剂；以及G)水。

尤其，用于本发明的蚀刻液组合物用于由铌或钨中的一种以上与钼的合金的钼合金膜及铜类金属膜构成的多层膜，其特征在于，除了所述A)至G)成分以外，不包括有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。在以往，为了提高铜的蚀刻速度或者为了营造有利于铜类金属膜的蚀刻的环境，而必备地添加了除了所述D)成分以外的有机酸或有机酸盐、硫酸盐等无机酸或无机酸盐、环胺化合物等的脂环族胺，而通过对这种包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺等的以往的蚀刻液组合物进行试验后，确认了其会导致钼类金属膜，尤其作为铌(Nb)或钨(W)中的一种与钼的合金的钼类金属膜的蚀刻效率急剧下降。进一步地，本发明的蚀刻液组合物在没有如上所述的有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺的条件下，也表现出非常优秀的铜类金属膜蚀刻速度和蚀刻特性，对于钼类金属膜也表现出了非常优秀的蚀刻特性。

在本发明中，铜类金属膜是在膜的组成成分中包含有铜的，所述铜类金属膜表示纯铜、铜的氮化物、铜的氧化物或铜的合金。所述铜合金表示选自包括纯铜、铜的氮化物、铜的氧化物的组的一种和选自包括铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)、钛(Ti)、银(Ag)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、钯(Pd)、铪(Hf)、钽(Ta)及钨(W)的组中的一种以上的金属的合金。

并且，优选地，所述钼合金膜是铌(Nb)或钨(W)中的一种与钼的合金。

以下，将对本发明的构成进行详细说明。

1.用于由铌或钨中的一种以上与钼的合金的钼合金膜及铜类金属膜构成的多层膜的蚀刻液组合物

包含在本发明的蚀刻液组合物中的A)过氧化氢(H₂O₂)是对以包含钼合金膜和形成于所述钼合金膜上的铜金属膜为特征的铜类金属膜的蚀刻产生影响的主氧化剂，优选地，所述A)过氧化氢(H₂O₂)在组合物总重量中的比重为5.0重量百分比～25.0重量百分比。当所述A)过氧化氢(H₂O₂)的含量不足5.0重量百分比时，铜类金属膜及钼合金膜的蚀刻力不足，进而无法实施充分的蚀刻；当所述A)过氧化氢(H₂O₂)的含量超过25.0重量百分比时，蚀刻速度整体上会加快，进而导致工序控制的难度增加，根据铜离子增加的发热稳定性大幅降低。

包含在本发明的蚀刻液组合物中的B)氟类化合物，表示分解于水而产生氟(F)离子的化合物。所述B)氟类化合物是对钼合金膜的蚀刻速度产生影响的辅助氧化剂，用于调节钼合金膜的蚀刻速度。

优选地，所述B)氟类化合物的含量在组合物总重量中的比重为0.01重量百分比～1.0重量百分比，用于去除在同时对铜膜和钼膜进行蚀刻的溶液中必然产生的残渣。当所述B)氟类化合物的含量不足0.01重量百分比时，会产生蚀刻残渣。当所述B)含氟化合物的含量超过1.0重量百分比时，导致玻璃基板的蚀刻率变大。

氟类化合物是在本领域中使用的物质，但只要是在溶液内可分解为氟离子或多原子氟离子的化合物，就没有特殊限制，优选地，氟类化合物是选自包括氟化氢(HF)、氟化钠(NaF)、氟化铵(NH₄F)、氟硼酸铵(NH₄BF₄)、氟化氢铵(NH₄F·HF)、氟化钾(KF)、氟氢化钾(KHF₂)、氟化铝(AlF₃)及氟硼酸(HBF₄)的组的一种或两种以上。尤其，优选地，使用氟化氢铵(ammonium bifluoride：NH₄F·HF)。

包含在本发明的蚀刻液组合物中的蚀刻液组合物中的C)唑类化合物用于调节铜类金属的蚀刻速度，减少图案的临界尺寸损失(CD Loss)，进而提高工序上的收获率。所述C)唑类化合物的含量在组合物总重量中的比重为0.1重量百分比～5重量百分比。当所述C)唑类化合物的含量不足0.1重量百分比时，铜的蚀刻速度过快，进而导致临界尺寸损失过大。当所述C)唑类化合物的含量超过5重量百分比时，铜的蚀刻速度变慢，钼合金膜的蚀刻速度也变慢，进而导致工序时间的浪费，钼合金的残渣残留的可能性增加。

所述C)唑类化合物若是使用于本领域的，就不受特殊限制。例如，优选地，唑类化合物是碳数为1～30的唑类化合物。更优选地，能够独立或混合使用选自包括三唑类化合物、氨基四唑类化合物、咪唑类化合物、吲哚类化合物、嘌呤类化合物、吡唑类化合物、吡啶类化合物、嘧啶类化合物、吡咯类化合物、吡咯烷类化合物、吡咯啉类化合物等的组的一种或两种以上。

包含在本发明的蚀刻液组合物中的D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物，用于防止在保管蚀刻液组合物时可能发生的过氧化氢水的自主分解反应，防止在蚀刻大量基板时发生的蚀刻特性变化。通常，在使用过氧化氢水的蚀刻液组合物的情况下，保管过程中过氧化氢水发生自主分解，进而导致保管期限短，还具有容器爆炸的危险要素。但是，在包含有所述D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的情况下，过氧化氢水的分解速度降低近10倍，有利于保管期限的延长和稳定性保障。尤其，在铜层中，大量残存着蚀刻液组合物内的铜离子的情况下，形成钝化(passivation)膜而氧化变黑后，经常发生无法再进行蚀刻的情况，而当添加了该化合物时，能够防止出现这种现象。优选地，所述D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量为0.1重量百分比～5.0重量百分比。当所述D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量不足所述范围时，在蚀刻大量的基板(约500张)后，形成钝化膜，很难获得足够的工序余量。并且，当所述D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量超过所述范围时，钼合金的蚀刻速度变慢，在铜钼膜或铜钼合金膜的情况下，锥角变小。

优选地，所述D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物选自包括丙氨酸(alanine)、氨基丁酸(aminobutyric acid)、谷氨酸(glutamic acid)、甘氨酸(glycine)、亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、次氨基三乙酸(nitrilotriacetic acid)及肌氨酸(sarcosine)的组的一种或两种以上。

包含在本发明的蚀刻液组合物中的E)磷酸盐类化合物是使图案的锥形轮廓变得良好的成分。若本发明的蚀刻液组合物中不含所述E)磷酸盐类化合物，则蚀刻轮廓将变不合格。优选地，所述磷酸盐类化合物的含量在组合物总重量中的比重为0.1重量百分比～5.0重量百分比。当所述E)磷酸盐类化合物的含量不足所述范围时，蚀刻轮廓将变不合格。当所述E)磷酸盐类化合物的含量超过所述范围时，将发生钼合金膜的蚀刻速度变慢的问题。

所述E)磷酸盐类化合物只要是选自在磷酸中一个或两个氢被置换为碱性金属或碱土金属的盐，没有特殊限制，但是，优选地，所述E)磷酸盐类化合物选自包括磷酸钠(sodium phosphate)、磷酸钾(potassium phosphate)及磷酸铵(ammonium phosphate)的组的一种或两种以上。

包含在本发明的蚀刻液组合物中的F)多元醇类表面活性剂通过降低表面张力来增加蚀刻的均匀性。并且，所述F)多元醇类表面活性剂在蚀刻铜膜后，包覆蚀刻液中溶解的铜离子，进而遏制铜离子的活跃度，遏制过氧化氢的分解反应。如此，当降低铜离子的活跃度时，使用蚀刻液期间，能够稳定地推进工序。所述F)多元醇类表面活性剂的含量在组合物总重量中的比重为0.001重量百分比～5.0重量百分比。当所述F)多元醇类表面活性剂的含量不足所述范围时，蚀刻均匀性降低，并且过氧化氢的分解会加速。当所述F)多元醇类表面活性剂的含量超过所述范围时，将产生大量泡沫。

优选地，所述F)多元醇类表面活性剂选自包括丙三醇(glycerol)、乙二醇(ethylene glycol)、二甘醇(diethylene glycol)、三甘醇(triethylene glycol)及聚乙二醇(polyethylene glycol)等的组的一种或两种以上。

优选地，包含在本发明的铜钼合金膜蚀刻液组合物中的G)水，以剩余量的形式包含其中，确保能够满足组合物总重量为100重量百分比。所述水不受特别限制，优选地，使用脱离子水。并且，优选地，使用表示所述水中的离子被去除的程度的水的比电阻值为18MΩ·㎝以上的脱离子水。

并且，除了前述的成分之外，还可添加常规的添加剂，添加剂有金属离子螯合剂及防腐剂等。并且，所述添加剂不受此限定，为了进一步发挥本发明的效果，可选择并添加本领域公开的其他各种添加剂。

在本发明中使用的A)过氧化氢(H₂O₂)、B)氟类化合物、C)唑类化合物、D)一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、E)磷酸盐类化合物、F)多元醇类表面活性剂等可借助常规公知的方法而制造，优选地，本发明的蚀刻液组合物具有半导体工序用的纯度。

本发明的蚀刻液组合物在蚀刻铜类金属膜时，能够体现蚀刻均匀性及直线性优秀的锥形轮廓。本发明的蚀刻液组合物在蚀刻时不产生残渣，可避免电气短路或布线不合格、亮度降低等问题。因此，本发明的蚀刻液组合物非常适用于具有大画面、高亮度的电路的液晶显示装置用阵列基板的制造。

本发明的蚀刻液组合物能够一次蚀刻由铜类金属构成的液晶显示装置的栅极电极和栅极配线及源极/漏极和数据配线层。

尤其，本发明的蚀刻液组合物，其特征在于，以的速度蚀刻钼类金属膜，以的速度蚀刻铜类金属膜。在LGD蚀刻工序中，当蚀刻速度(Etch rate)缓慢时，蚀刻工序时间(Process Time)增加，进而很难确保批量生产性，因此，如何确保所述范围的蚀刻速度显得非常重要。

2.液晶显示装置用阵列基板的制造方法

本发明提供液晶显示装置用阵列基板的制造方法，该液晶显示装置用阵列基板的制造方法包括：步骤a)，在基板上形成栅极配线，步骤b)，在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层，步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层，步骤d)，在所述半导体层上形成源极和漏极，以及步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极，所述液晶显示装置用阵列基板的制造方法的特征在于，所述步骤a)或步骤d)包括：通过对包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜进行蚀刻，来形成各电极的步骤，在用于蚀刻的所述蚀刻液组合物中，各组分在组合物总重量中的重量百分比范围为：A)过氧化氢5.0重量百分比～25.0重量百分比；B)氟类化合物0.01重量百分比～1.0重量百分比；C)唑类化合物0.1重量百分比～5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；E)磷酸盐类化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；F)多元醇类表面活性剂0.001重量百分比～5.0重量百分比；以及G)水剩余量。

所述液晶显示装置用阵列基板能够是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。

并且，所述配线形成方法包括：

Ⅰ)在基板上形成钼合金膜的步骤；

Ⅱ)在所述钼合金膜的上部形成铜类金属膜的步骤；

Ⅲ)在所述铜类金属膜上选择性地保留光反应物质的步骤；以及

Ⅳ)使用本发明的蚀刻液组合物，对铜类金属膜及钼合金膜进行一次蚀刻的步骤。

在本发明的配线形成方法中，优选地，所述光反应物质为一般的光刻胶物质，能够借助通常的曝光及显像工序而选择性地保留。

优选地，所述钼合金膜为铌(Nb)或钨(W)中的一种以上与钼的合金。

以下，将利用实施例及比较例对本发明进行更详细的说明。然而，下述实施例及比较例仅仅是用于例示本发明，本发明不受此限制，而且能够实施各种修改及变更。

实施例1至实施例3及比较例1至比较例10蚀刻液组合物的制造

按照下表1显示的组成，制造了实施例1至实施例3及比较例1至比较例10的蚀刻液组合物。

[表1]

(单位：重量百分比)

试验例：蚀刻液组合物的特性评估

在玻璃基板(100mmⅩ100mm)上沉积钼合金膜，在所述膜上沉积铜膜后，通过光刻(photolithography)工序在基板上形成具有规定的图案的光刻胶，分别使用实施例1至实施例3及比较例1至比较例10的组合物，针对铜类金属膜实施蚀刻工序。在试验中，使用了喷射式蚀刻方式的实验装备(型号：ETCHER(TFT)，SEMES公司)，在实施蚀刻工序时，蚀刻液组合物的温度设置为约30℃左右，但适当温度可根据其他工序条件和其他要素而按需变更。蚀刻时间可随着蚀刻温度而发生变化，通常实施80秒钟左右。通过剖面SEM(Hitachi公司产品，型号S-4700)，来检查在所述蚀刻工序中完成蚀刻的铜类金属膜的属性，其结果记载于下表2。

[表2]

○：良

△：一般

Х：不良

Unetch：未蚀刻

在LCD蚀刻工序中，当蚀刻速度(Etch rate)缓慢时，工序时间(ProcessTime)就会增加，进而难以确保批量生产性，因此，应确保铜蚀刻速度(CuEtch rate)钼铌蚀刻速度(Mo-Nb)以上。并且，应保持一定的根据铜浓度的侧面蚀刻(Side Etch)(μm)变化量。侧面蚀刻(SideEtch)是指在蚀刻后测定的光刻胶末端和下部金属末端之间的距离。当侧面蚀刻变化量大时，薄膜晶体管驱动时信号传递速度发生变化，进而导致薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)特性发生变化，因此，优选地，侧面蚀刻变化量应最小化。在本评估中，假设了当侧面蚀刻变化量满足±0.1μm的条件时能够继续将蚀刻液组合物用于蚀刻工序，并实施了实验。

从表2中可知，实施例1至实施例3的本发明的蚀刻液组合物均表现出良好的蚀刻特性。并且，从图1可知，以实施例2的蚀刻液组合物蚀刻的铜类金属膜，其蚀刻轮廓(Profile)及直线性优秀，并且未残留有蚀刻残渣。

相比之下，在过氧化氢含量小于适当含量范围的比较例1中，铜(Cu)及钼铌(Mo-Nb)蚀刻速度过慢，表现出未蚀刻(Unetch)的现象，在中性氟化铵含量小于适当含量范围的比较例2中，铜蚀刻速度(Cu Etch rate)处于可满足水平，但钼铌(Mo-Nb)出现未蚀刻(Unetch)的现象。在氨基噻唑的含量大于适当含量范围的比较例3中，铜、钼铌均表现出未蚀刻的现象。

一方面，不同于实施例2，在组合中包含有乙醇酸的比较例4的情况下，铜蚀刻速度(Cu Etch rate)从的速度提高到的速度，有利于铜蚀刻(Cu Etch)，但从图2中可知，钼铌(Mo-Nb)表现出残留着残渣未蚀刻(Unetch)的现象，在包含有有机酸的情况下，不利于钼铌蚀刻(Mo-NbEtch)。

并且，不同于实施例2，在组合中包含有硫酸铵的比较例5的情况下，铜蚀刻速度从提高到在比较例6中，铜蚀刻速度从提高到进而有利于铜蚀刻，但从图3中可知，在铜和钼铌表面部能够观察到侵蚀现象，并表现出残留着钼铌残渣的未蚀刻(Unetch)现象，由此可知，在包含有硫酸盐的情况下，将对蚀刻轮廓造成不利影响。

补充地，不同于实施例2，在组合中包含有1.0％环已胺的比较例7的情况下，铜蚀刻速度从下降到而且钼铌蚀刻速度从显著下降到从图4中可知，钼铌表现出了残留着残渣的未蚀刻(Unetch)的现象，如比较例8所示，环已胺的浓度增加到4.0％时，钼铌未蚀刻(Unetch)，由此可知，在包含有环已胺的情况下，不利于钼铌的蚀刻。

不同于实施例2，在组合中包含有1.0％硫酸铵、1.0％环已胺的比较例9中，从图5中可知，在铜和钼铌表面部能够观察到侵蚀现象，并且表现出残留着钼铌残渣的未蚀刻(Unetch)现象，由此可知，将对蚀刻轮廓造成不利的影响。

最后，在韩国公开专利公报第10-2010-0035250号中，记载了在过氧化氢等中必备地包含有硫酸铵和环已胺的组合物，如比较例10，当使用所述组合物蚀刻铜/钼-铌(Mo-Nb)时，从图6中可知，在铜和钼铌表面部能够观察到侵蚀现象，无法实现对钼铌的充分的蚀刻速度，蚀刻特性也会严重低下。

Claims

1.一种液晶显示装置用阵列基板的制造方法，包括：

步骤a)，在基板上形成栅极配线；

步骤b)，在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层；

步骤c)，在所述栅极绝缘层上形成半导体层；

步骤d)，在所述半导体层上形成源极和漏极；以及

步骤e)，形成与所述漏极相连接的像素电极，

其中，所述步骤a)或步骤d)包括：通过对包含钼类金属膜或铜类金属膜的膜进行蚀刻，来形成各电极的步骤，

所述钼合金膜为铌或钨中的一种以上与钼的合金，

用于蚀刻的所述蚀刻液组合物包括：占组合物总重量中的重量百分比为：A)过氧化氢5.0重量百分比～25.0重量百分比；B)氟化合物0.01重量百分比～1.0重量百分比；C)唑类化合物0.1重量百分比～5重量百分比；D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；E)磷酸盐化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；F)多元醇类表面活性剂0.001重量百分比～5.0重量百分比；以及G)水剩余量，除了所述成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其中，所述液晶显示装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置用阵列基板的制造方法，其中，用于蚀刻的所述蚀刻液组合物，以的速度蚀刻钼类金属膜，以的速度蚀刻铜类金属膜。

4.一种蚀刻液组合物，用于由铌或钨中的一种以上与钼的合金的钼合金膜及铜类金属膜构成的多层膜，包括：

占组合物总重量中的重量百分比为：

A)过氧化氢5.0重量百分比～25.0重量百分比；

B)氟化合物0.01重量百分比～1.0重量百分比；

C)唑类化合物0.1重量百分比～5重量百分比；

D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；

E)磷酸盐化合物0.1重量百分比～5.0重量百分比；

F)多元醇类表面活性剂0.001重量百分比～5.0重量百分比；以及

G)水剩余量，

除了所述成分之外，所述蚀刻液组合物不包含有机酸或有机酸盐、无机酸或无机酸盐或脂环族胺。

5.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，以的速度蚀刻钼类金属膜，以的速度蚀刻铜类金属膜。

6.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，所述B)氟化合物为选自由氟化氢、氟化钠、氟化铵、氟硼酸铵、氟化氢铵、氟化钾、氟氢化钾、氟化铝及氟硼酸组成的组中的一种以上。

7.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，所述C)唑类化合物为选自由三唑类化合物、氨基四唑类化合物、咪唑类化合物、吲哚类化合物、嘌呤类化合物、吡唑类化合物、吡啶类化合物、嘧啶类化合物、吡咯类化合物、吡咯烷类化合物及吡咯啉类化合物组成的组中的一种以上。

8.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，所述D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物为选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸及肌氨酸组成的组中的一种以上。

9.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，所述E)磷酸盐化合物为选自由磷酸钠、磷酸钾及磷酸铵组成的组中的一种以上。

10.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其中，所述F)多元醇类表面活性剂为选自由丙三醇、乙二醇、二甘醇、三甘醇及聚乙二醇组成的组中的一种以上。