CN107475716A - 铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用 - Google Patents

铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明提供铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用。上述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，上述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。

Description

铜系金属膜的蚀刻液组合物及其应用
技术领域
本发明涉及铜系金属膜的蚀刻液组合物及使用其的显示装置用阵列基板的制造方法、触摸传感器基板的制造方法和铜系金属膜的蚀刻方法。
背景技术
半导体装置中，在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：利用溅射等的金属膜形成工序；利用光致抗蚀剂涂覆、曝光及显影的选择性区域中的光致抗蚀剂形成工序；及蚀刻工序，并且包括在个别单元工序前后的清洗工序等。这样的蚀刻工序是指，将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域中留下金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。
这样的半导体装置中，近年来主要关注金属配线的电阻。这是因为，电阻是诱发RC信号延迟的主要因素，特别是薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquidcrystal display，TFT-LCD)的情况下，其决定了面板大小增大和高分辨率实现。因此，为了实现TFT-LCD的大型化中所必要的RC信号延迟的减小，必须开发低电阻物质。因此，实际情况是，以往主要使用的铬(Cr，电阻率：12.7×10-8Ωm)、钼(Mo，电阻率：5×10-8Ωm)、铝(Al，电阻率：2.65×10-8Ωm)及它们的合金难以用于大型TFT LCD中所使用的栅极配线和数据配线等。
在这样的背景下，作为新的低电阻金属膜，高度关注铜膜和铜钼膜等的铜系金属膜及其蚀刻液组合物。但是，针对铜系金属膜的蚀刻液组合物的情况下，目前多种已被使用，但实际情况是，无法满足使用者所要求的性能。
因此，对于如下蚀刻液组合物的要求正在增加：当蚀刻由铜系金属膜构成的单层或多层金属层时，可以一并蚀刻且形成图案，没有蚀刻后的铜系金属膜的界面变形，形成直线性优异的锥角轮廓，因不产生残渣而不发生电短路或配线的不良、亮度的减小等问题。
现有技术文献
专利文献
韩国公开专利公报第10-2010-0090538号(公开日：2010年08月16日，名称：液晶显示装置用阵列基板的制造方法)
发明内容
所要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种蚀刻液组合物，其在铜系金属层的湿式蚀刻时根据对于铜系金属膜(比如，铜、铜合金、钼、钼合金)的微细图案可形成指数能够形成微细图案或厚膜图案。
此外，本发明的目的在于，提供一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其能够进行构成薄膜晶体管显示装置的薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)的栅电极和栅极配线以及源电极/漏电极和数据配线的一并蚀刻。
此外，本发明的目的在于，提供一种铜系金属膜的蚀刻方法，其使用与上述相同的铜系金属膜的蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的在于，提供一种显示装置用阵列基板的制造方法，其使用与上述相同的铜系金属膜的蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的在于，提供一种触摸传感器基板的制造方法，其使用与上述相同的铜系金属膜的蚀刻液组合物。
解决课题的方法
本发明提供一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，上述组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
此外，本发明提供一种铜系金属膜的蚀刻方法，其包括：在基板上形成铜系金属膜的步骤；在上述铜系金属膜上选择性地留下光反应物质的步骤；及使用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜的步骤。
此外，本发明提供一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：在基板上形成栅极配线的步骤；在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，上述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，上述在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤。
此外，本发明提供一种触摸传感器基板的制造方法，其包括：在基板上形成栅极配线的步骤；在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤；及形成触摸传感器配线的步骤，上述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，上述在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤。
发明效果
本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物根据对于铜系金属膜(比如，铜、铜合金、钼、钼合金)的微细图案可形成指数能够形成微细图案或厚膜图案。此外，蚀刻铜系金属膜时，能够形成直线性优异的锥角轮廓。此外，利用本发明的蚀刻液组合物蚀刻铜系金属膜时，由于不产生残渣而不发生电短路或配线的不良、亮度的减小等问题。
此外，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物制造显示装置用阵列基板或触摸传感器基板时，能够将栅电极和栅极配线、源电极/漏电极和数据配线一并蚀刻，因此能够因工序非常简单而使工序产率最大化。
进一步，当将本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物用于电阻低的铜或铜合金配线的蚀刻时，能够实现大画面、高亮度的电路，并且制造环保的显示装置用阵列基板或触摸传感器基板。
附图说明
图1是表示与对于铜系金属膜的微细图案可形成指数有关的侧蚀厚度(②的厚度)/铜系金属膜的厚度(①的厚度)的图。
具体实施方式
下述实施例用于例示本发明，本发明不受下述实施例的限定，可以进行多种多样的修改和变更。在判断为说明本发明之前对于相关的公知功能和构成的说明可能不必要地混淆本发明的主旨的情况下，对此的说明将省略。
以下说明将例示特定实施例以便本领域的技术人员能够容易地实施所说明的装置和方法。另一实施例从结构上、理论上讲可以包含另一变形。只要没有明确要求个别构成要素和功能，则可以进行一般选择，且过程的顺序可以改变。某些实施例的部分和特征可以被其他实施例包含或被其他实施例代替。
本说明书中公开的对于根据本发明的概念的实施例特定的结构或功能说明是仅以用于说明实施例的目的而例示的，根据本发明的概念的实施例可以以多种形态实施且不限于本说明书中说明的实施例，包括属于本发明的思想和技术范围的所有变更、等同物或替代物。
以下，参照附图详细地说明本发明的优选的实施例。
本发明涉及一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、和余量的水，上述组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为小于1.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
具体而言，本申请发明的对于铜系金属膜的微细图案可形成指数是与相对于铜系金属膜质厚度的相对侧蚀程度有关的参数，是侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度，并且是图1中图示的铜系金属膜的侧蚀厚度、即②的厚度/图1中图示的铜系金属膜的厚度、即①的厚度。换言之，本申请发明的对于铜系金属膜的微细图案可形成指数是铜系金属膜的侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
本申请发明中，本申请发明的对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，更优选为大于0且小于1.0。
本发明中，铜系金属膜是膜的构成成分中包含铜的金属膜，是包含单层膜以及双层膜等多层膜的概念。比如，包含铜或铜合金的单层膜，作为多层膜的铜钼膜、铜钼合金膜等。上述铜钼膜的意思是，包含钼层和形成于上述钼层上的铜层的膜。上述铜钼合金膜的意思是，包含钼合金层和形成于上述钼合金层上的铜层的膜。此外，上述钼合金层的意思是，选自由钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)和铟(In)等组成的组中的一种以上与钼的合金。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的过氧化氢是蚀刻铜系金属膜的主成分，相对于组合物总重量，其含量为5～25重量％，优选为8.0～25.0重量％。如果上述过氧化氢的含量低于5重量％，则无法进行铜系金属的蚀刻或蚀刻速度变得非常慢。此外，上述过氧化氢的含量超过25重量％的情况下，蚀刻速度整体变快，因此不易控制工序。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所含的含氟化合物作为本领域中所使用的物质，只要在溶液中能够解离出氟离子或多原子氟离子就没有特别限定。但是，上述含氟化合物优选为选自由氟化铵(ammonium fluoride：NH4F)、氟化钠(sodium fluoride：NaF)、氟化钾(potassium fluoride：KF)、氟化氢铵(ammonium bifluoride：NH4F·HF)、氟化氢钠(sodium bifluoride：NaF·HF)和氟化氢钾(potassium bifluoride：KF·HF)组成的组中的一种或两种以上，更优选为选自由氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾组成的组中的一种或两种以上，最优选为氟化氢铵。
相对于组合物总重量，上述含氟化合物的含量为0.01～1.0重量％，优选为0.05～0.5重量％。如果含量低于上述范围，则钼、钼合金膜的蚀刻速度变慢而可能产生蚀刻残渣。如果含量超过上述范围，则存在玻璃基板蚀刻率增大的问题。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的环状胺化合物发挥调节铜系金属膜的蚀刻速度且降低图案的CD损失(CD Loss)而提高工序余量的作用。
相对于组合物总重量，上述环状胺化合物的含量为0.1～5.0重量％，优选为0.1～3.0重量％。如果低于上述范围，则蚀刻速度变快而可能发生过多CD损失。如果超过上述范围，则铜系金属膜的蚀刻速度变得过慢而可能产生蚀刻残渣。
上述环状胺化合物优选为选自由5-甲基-1H-四唑、氨基四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、吡唑、吡咯、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑和4-丙基咪唑组成的组中的一种或两种以上。优选地，环状胺化合物为选自由5-甲基-1H-四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、吡唑、吡咯、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑和4-丙基咪唑组成的组中的一种或两种以上，更优选地，环状胺化合物为5-甲基-1H-四唑(5-Methyl-1H-tetrazole)。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的磷酸氢钠发挥增大铜系金属膜的蚀刻速度且降低图案的CD损失(CD Loss)而提高工序余量的作用。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的磷酸氢钠是使图案的锥角轮廓变得良好的成分。如果本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中不存在上述磷酸氢钠，则蚀刻轮廓会变得不良。相对于组合物总重量，上述磷酸氢钠的含量为0.1～5重量％。上述磷酸氢钠的含量低于0.1重量％的情况下，蚀刻轮廓会变得不良。上述磷酸氢钠超过5重量％的情况下，可能发生蚀刻速度变慢的问题。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物作为处理张数提高剂发挥提高铜系金属膜的处理张数的作用。此外，本发明的蚀刻液组合物中所包含的一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物发挥在蚀刻铜膜后通过包围蚀刻液中溶出的铜离子从而抑制铜离子的活度而抑制过氧化氢的分解反应的作用。一般而言，使用过氧化氢水的蚀刻液组合物的情况下，保管时由于过氧化氢水发生自分解而其保管时间不长，还具有可能使容器爆炸的危险因素。但是，包含上述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的情况下，会降低铜离子的活度而减慢过氧化氢水的分解速度，有利于确保保管时间和稳定性，从而能够进行稳定的工序。
相对于组合物总重量，上述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量为1.0～5.0重量％。低于上述范围的情况下，铜系金属膜的蚀刻速度变慢而可能产生蚀刻残渣，且过氧化氢的分解加速而可能出现使蚀刻机稳定性降低的问题。如果含量超过上述范围，可能导致铜系金属膜的过蚀刻。
上述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物优选为选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种或两种以上，更优选为亚氨基二乙酸。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的多元醇型表面活性剂发挥在蚀刻铜膜后通过包围蚀刻液中溶出的铜离子从而抑制铜离子的活度而抑制过氧化氢的分解反应的作用。如果如此降低铜离子的活度，则在使用蚀刻液期间能够稳定地进行工序。此外，上述多元醇型表面活性剂发挥减小表面张力而使蚀刻均匀性增大的作用。此外，通过抑制铜离子的活度，从而抑制过氧化氢的分解反应。相对于组合物总重量，多元醇型表面活性剂的含量为0.1～5.0重量％。低于上述范围的情况下，蚀刻速度调节、蚀刻的均匀性效果可能不大，超过5.0重量％的情况下，因过蚀刻而工序控制变难。
上述多元醇型表面活性剂优选为选自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种或两种以上，更优选为三乙二醇。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的水含量为余量，其种类没有特别限定，优选为去离子水。更优选地，使用水的电阻率值(即，所谓水中离子被去除的程度)为18MΩ/㎝以上的去离子水为佳。
上述铜系金属膜的蚀刻液组合物可以进一步包含乙酸盐0.5～10.0重量％。
上述组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数可以为大于0且小于1.0。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中所包含的乙酸盐是将蚀刻液的pH维持在适当pH而改善蚀刻特性的成分。相对于组合物总重量，上述乙酸盐的含量为0.5～10.0重量％，更优选地，0.5～5.0重量％为佳。乙酸盐的含量低于上述范围的情况下，难以维持适当pH而蚀刻特性的改善效果可能降低。此外，乙酸盐的含量超过上述范围的情况下，铜的蚀刻速度可能变快，且钼或钼合金的蚀刻速度可能变慢，从而CD损失(CD Loss)可能变大。
上述乙酸盐更优选为选自由乙酸铵、乙酸钠、乙酸钾组成的组中的一种或两种以上，特别优选为乙酸钠。
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物中除了上述成分以外可以进一步添加通常的添加剂，作为添加剂，可以使用多价螯合剂、防腐蚀剂等。
此外，上述添加剂并不限于此，为了使本发明的效果更加良好，也可以选择添加本领域公知的各种各样的其他添加剂。
本发明中所使用的过氧化氢、含氟化合物、环状胺化合物、磷酸氢钠、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、多元醇型表面活性剂、乙酸盐优选具有用于半导体工序的纯度。
本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物可以将由铜系金属构成的显示装置的栅电极和栅极配线、源电极/漏电极和数据配线一并蚀刻。
此外，本发明涉及一种铜系金属膜的蚀刻方法，其包括：
在基板上形成铜系金属膜的步骤；
在上述铜系金属膜上选择性留下光反应物质的步骤；及
使用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜的步骤。
本发明的蚀刻方法中，上述光反应物质优选为通常的光致抗蚀剂物质，可以通过通常的曝光及显影工序而选择性地留下。
此外，本发明涉及一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅极配线的步骤；
在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；
在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及
形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，
上述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，
上述在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤。
上述显示装置用阵列基板可以为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
此外，本发明涉及一种触摸传感器基板的制造方法，其包括：
在基板上形成栅极配线的步骤；
在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；
在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；
形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤；及
形成触摸传感器配线的步骤，
上述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，
上述在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用本发明的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻上述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤。
以下，通过实施例更具体地说明本发明。然而，本发明的范围不受下述实施例的限制。
实施例和比较例：铜系金属膜的蚀刻液组合物的制造
根据下述表1制造实施例1～2和比较例1～5的铜系金属膜的蚀刻液组合物。
[表1]
(单位：重量％)
试验例:铜系金属膜的蚀刻液组合物的特性评价
利用实施例和比较例的铜系金属膜的蚀刻液组合物来实施铜系金属膜(Cu单层膜和Cu/Mo-Ti双层膜)的蚀刻工序。即，在玻璃基板(100mmⅩ100mm)上蒸镀Cu膜或钼、钼合金后，通过光刻(photolithography)工序在基板上形成具有预定图案的光致抗蚀剂，然后，分别使用上述实施例1～实施例2和比较例1～比较例5组合物对Cu膜实施蚀刻工序。此时，Cu膜质厚度使用(0.55μm)。蚀刻工序时，蚀刻液组合物的温度设为约30℃左右，但合适温度可以根据其他工序条件和其他因素视需要来变更。蚀刻时间可以根据蚀刻温度变化而变化，通常以30～180秒程度进行。关于上述蚀刻工序中所蚀刻的铜系金属膜的轮廓截面，使用SEM(日立公司制品，型号名S-4700)进行观测，将结果记载于表2。
[表2]
<对于铜系金属膜的微细图案可形成指数评价基准>
对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度
○：大于0且小于1.0；△：1.0以上且小于2.0；Х：2.0以上
<微细图案形成能力评价基准>
○：S/E：0.5μm以下，T/A 45°以上且55°以下；
△：S/E：大于0.5μm～1.0μm以下，T/A大于55°且65°以下；
Х：S/E：大于1.0μm，T/A小于45°或大于65°
从上述表2可以确认到，与比较例1～5的铜系金属膜的蚀刻液组合物相比，实施例1～2的铜系金属膜的蚀刻液组合物表现出良好的蚀刻特性，并且与实施例1相比，进一步包含乙酸盐且对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0的实施例2表现出更优异的蚀刻特性。

Claims (20)

1.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅极配线的步骤；
在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；
在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及
形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，
所述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，
所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，
所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物进一步包含乙酸盐0.5～10.0重量％。
3.根据权利要求2所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0。
4.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述显示装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。
5.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述铜系金属膜为包含钼层和形成于所述钼层上的铜层的铜钼膜、或包含钼合金层和形成于所述钼合金层上的铜层的铜钼合金膜。
6.一种触摸传感器基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅极配线的步骤；
在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤；
在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；
形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤；及
形成触摸传感器配线的步骤，
所述在基板上形成栅极配线的步骤包括在基板上形成铜系金属膜后，利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成栅极配线的步骤，
所述在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤包括形成铜系金属膜后，利用铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜而形成源电极和漏电极的步骤，
所述铜系金属膜的蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含过氧化氢5～25重量％、含氟化合物0.01～1.0重量％、环状胺化合物0.1～5重量％、磷酸氢钠0.1～5.0重量％、一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％和余量的水，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
7.根据权利要求6所述的触摸传感器基板的制造方法，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物进一步包含乙酸盐0.5～10.0重量％。
8.根据权利要求7所述的触摸传感器基板的制造方法，其特征在于，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0。
9.一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：
过氧化氢5～25重量％、
含氟化合物0.01～1.0重量％、
环状胺化合物0.1～5重量％、
磷酸氢钠0.1～5.0重量％、
一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.1～5.0重量％、
多元醇型表面活性剂0.1～5.0重量％、和
余量的水，
所述组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于2.0，其中，对于铜系金属膜的微细图案可形成指数＝侧蚀厚度/铜系金属膜的厚度。
10.根据权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，所述铜系金属膜的蚀刻液组合物进一步包含乙酸盐0.5～10.0重量％。
11.根据权利要求10所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述组合物对于铜系金属膜的微细图案可形成指数为大于0且小于1.0。
12.根据权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述含氟化合物为选自由NH4F·HF、KF·HF、NaF·HF、NH4F、KF和NaF组成的组中的一种或两种以上。
13.根据权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，环状胺化合物为选自由氨基四唑、苯并三唑、甲苯基三唑、吡唑、吡咯、咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基咪唑、2-丙基咪唑、2-氨基咪唑、4-甲基咪唑、4-乙基咪唑和4-丙基咪唑组成的组中的一种或两种以上。
14.根据权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物为选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种或两种以上。
15.根据权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述多元醇型表面活性剂为选自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种或两种以上。
16.根据权利要求10所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述乙酸盐为选自由乙酸铵、乙酸钠和乙酸钾组成的组中的一种或两种以上。
17.根据权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜系金属膜为包含钼层和形成于所述钼层上的铜层的铜钼膜、或包含钼合金层和形成于所述钼合金层上的铜层的铜钼合金膜。
18.一种铜系金属膜的蚀刻方法，其包括：
在基板上形成铜系金属膜的步骤；
在所述铜系金属膜上选择性地留下光反应物质的步骤；及
使用权利要求9所述的铜系金属膜的蚀刻液组合物来蚀刻所述铜系金属膜的步骤。
19.根据权利要求18所述的铜系金属膜的蚀刻方法，其特征在于，所述光反应物质是光致抗蚀剂物质，通过曝光及显影工序而选择性地留下。
20.根据权利要求18所述的铜系金属膜的蚀刻方法，其特征在于，所述铜系金属膜为包含钼层和形成于所述钼层上的铜层的铜钼膜、或包含钼合金层和形成于所述钼合金层上的铜层的铜钼合金膜。
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