CN107287593A - 含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法 - Google Patents

含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法，所述含钼金属膜的蚀刻液组合物以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物、和水。

Description

含钼金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板 的制造方法
技术领域
本发明涉及含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法。
背景技术
随着真正步入信息化时代，处理及显示大量信息的显示器领域实现了快速发展，得益于此，各种各样的平板显示器得到开发并受到关注。
作为这样的平板显示装置的例子，可举出液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay device：LCD)、等离子体显示装置(Plasma Display Panel device：PDP)、场发射显示装置(Field Emission Display device：FED)、有机发光元件(Organic LightEmitting Diodes：OLED)等。作为一例，液晶显示装置因如下特性而受到关注：提供由卓越的分辨率形成的鲜明的影像，耗电少，可较薄地制造显示器画面。
TFT-LCD等显示装置的像素电极中使用钼合金膜及金属氧化物膜的单层膜、或钼合金膜与金属氧化物膜的多层膜等。上述像素电极经由如下一系列光刻(lithography)工序而完成：一般通过溅射等方法层叠于基板上，并在其上均匀地涂布光致抗蚀剂。之后，通过刻有图案的掩模照射光，通过显影形成期望的图案的光致抗蚀剂。接着，通过干式或湿式蚀刻将图案转印到位于光致抗蚀剂下部的金属膜，然后通过剥离工序将没有必要的光致抗蚀剂去除。
在用相同的蚀刻液对上述钼合金膜和金属氧化物膜实施蚀刻时，能够简化制造工序，但一般而言钼合金膜存在因耐化学性优异而不易进行湿式蚀刻的问题。此外，根据处理张数的蚀刻性能差异大，因此存在使用寿命短、工艺费用提高、成本上升的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：韩国公开专利第10-2014-0042121号
发明内容
所要解决的课题
本发明是为了解决上述以往技术问题而提出的，
其目的在于提供蚀刻钼或钼合金的单层膜、或者包含上述单层膜和金属氧化物膜的多层膜时，随处理张数的侧蚀(side etch)变化量小，使用寿命优异的蚀刻液组合物。
此外，本发明的目的在于提供使用上述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。
解决课题的方法
本发明提供一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。
此外，本发明提供显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
a)在基板上形成栅极配线的步骤；
b)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
c)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤；
d)在上述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及
e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，
上述e)步骤包括在基板上形成含钼(Mo)金属膜，并且用本发明的含钼金属膜的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极的步骤。
发明效果
本发明的含钼金属膜的蚀刻液组合物以一定含量含有过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物和水，从而能够提供蚀刻含钼金属膜时随处理张数的侧蚀(side etch)变化量小，使用寿命优异的特性。
此外，本发明通过使用上述蚀刻液组合物而能够提供制造显示装置用阵列基板的方法。
具体实施方式
本发明人等为了提供蚀刻含钼金属膜时具有随处理张数的侧蚀变化量小的特性的蚀刻液组合物而进行了深入研究，结果利用以一定含量包含过氧化氢、氟化合物、唑系化合物、羟胺衍生物和水的蚀刻液组合物完成了本发明。
本发明涉及一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。
上述含钼金属膜是膜的构成成分中包含钼的金属膜，是包含单层膜以及两层膜以上的多层膜的概念。上述含钼(Mo)金属膜可举出钼(Mo)或钼合金(Mo alloy)的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜形成的多层膜等，但不限于此。
以下，对构成本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物的各成分进行说明。
(A)过氧化氢
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的过氧化氢(H2O2)是用作主氧化剂的成分，会给含钼金属膜的蚀刻速度带来影响。
上述过氧化氢(H2O2)相对于含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含5～30重量％，优选包含10～25重量％。当所包含的上述过氧化氢小于5重量％时，会引起含钼金属膜的蚀刻速度降低，因此可能无法实现充分的蚀刻。另一方面，在所包含的上述过氧化氢超过30重量％的情况下，会因过氧化氢(H2O2)的浓度变得过高而使钼膜、钼合金膜或金属氧化物膜等发生过蚀刻现象，并且蚀刻液的稳定性可能降低。这里，过蚀刻现象的意义可理解为：由于蚀刻速度(etch rate)过快，蚀刻时金属膜或金属氧化物膜流失的现象。
(B)氟化合物
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的氟化合物的意思是，在水等中解离而能够提供氟离子(F-)的化合物。上述氟化合物是给含钼金属膜的蚀刻速度带来影响的解离剂，发挥调节含钼金属膜的蚀刻速度的作用。
上述氟化合物只要是本领域中所使用的氟化合物就没有特别限制，作为具体例子，可使用选自氟化氢(HF)、氟化钠(NaF)、氟化铵(NH4F)、氟硼酸铵(NH4BF4)、氟化氢铵(NH4FHF)、氟化钾(KF)、氟化氢钾(KHF2)、氟化铝(AlF3)和四氟硼酸(HBF4)中的一种以上。可更优选使用氟化氢铵(NH4FHF)。
上述氟化合物相对于本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含0.1～2重量％，优选包含0.5～1.5重量％。在上述氟化合物的含量小于0.1重量％的情况下，含钼金属膜的蚀刻速度降低，当超过2重量％时，虽然对含钼金属膜的蚀刻性能会被提高，但对Si系下部膜的损伤(damage)较为明显，因此不宜。
(C)唑系化合物
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的唑系化合物发挥调节与含钼金属膜以及金属氧化物膜接触的铜等数据配线的蚀刻速度的作用。
上述唑系化合物只要是本领域中所使用的唑系化合物就没有特别限制。作为具体例子，可举出吡咯(pyrrole)系、吡唑(pyrazol)系、咪唑(imidazole)系、三唑(triazole)系、四唑(tetrazole)系、五唑(pentazole)系、唑(oxazole)系、异唑(isoxazole)系、噻唑(thiazole)系和异噻唑(isothiazole)系化合物等，它们可单独使用一种或将两种以上一同使用。其中，优选为三唑(triazole)系化合物，作为三唑系化合物的具体例子，可更优选为苯并三唑(benzotriazole)。
上述唑系化合物相对于本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含0.1～1重量％，优选包含0.2～0.8重量％。在所包含的唑系化合物小于0.1重量％的情况下，对铜等配线的蚀刻速度增大而使侵蚀(attack)防止效果降低。另一方面，在所包含的唑系化合物超过1重量％的情况下，对含钼(Mo)金属膜、金属氧化物膜的蚀刻速度降低而出现工序时间变长等损失。
(D)羟胺衍生物
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的羟胺衍生物起到金属螯合剂的作用，从而发挥减小用蚀刻液组合物蚀刻的基板的处理张数变化的侧蚀(side etch)变化率的作用。
上述羟胺衍生物只要是本领域中所使用的羟胺衍生物就没有特别限制，作为具体例子，可举出羟胺(Hydroxylamine)、羟胺-O-磺酸(hydroxylamine-o-sulfonic acid)、硫酸羟胺(hydroxylamine sulfate)、N,N-二乙基羟胺(N,N-Diethylhydroxylamine)、N-甲基羟胺(N-Methylhydroxylamine)、N,N-二苄基羟胺(N,N-Dibenzylhydroxylamine)、N,N,O-三乙酰基羟胺(N,N,O-Triacetylhydroxylamine)等。它们可单独使用一种或将两种以上一同使用。其中，可更优选为N,N-二乙基羟胺(N,N-Diethylhydroxylamine)。
上述羟胺衍生物相对于本发明含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量包含0.1～5重量％，更优选包含0.3～3重量％。根据上述基准，在含量小于0.1重量％的情况下，随被蚀刻的基板的处理张数变化的侧蚀(side etch)变化量增大，当超过5重量％时，蚀刻速度变得过慢，蚀刻时间(etch time)变长，造成产量减少。
(E)水
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所包含的水没有特别限制，优选使用用于半导体工序中的去离子水，更优选使用表现从水中去除离子的程度的电阻率值为18MΩ·cm以上的去离子水。
上述水包含余量以使本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物总重量成为100重量％。
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物除了上述提及的成分以外可进一步包含选自蚀刻调节剂、表面活性剂、多价螯合剂、防腐蚀剂、pH调节剂以及不局限于此的其他添加剂中的一种以上。关于上述添加剂，为了在本发明的范围内使本发明的效果更加良好，可从本领域通常使用的添加剂中选择使用。
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物优选具有用于半导体工序的纯度，各构成成分可利用通常公知的方法来制造。
本发明的含钼(Mo)金属膜的蚀刻液组合物所适用的含钼(Mo)金属膜是膜的构成成分中包含钼(Mo)的金属膜，可举出钼(Mo)或钼合金的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜等，但不限于此。
上述含钼金属膜没有特别限制，作为具体例子，可举出钼(Mo)膜，以钼为主成分并且包含选自钕(Nd)、钽(Ta)、铟(In)、铜(Cu)、钯(Pd)、铌(Nb)、镍(Ni)、铬(Cr)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)和钛(Ti)等中的一种以上金属的钼合金膜等单层膜；由上述单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜；等。上述金属氧化物膜通常是含有由AxByCzO(A、B、C＝Zn、Cd、Ga、In、Sn、Hf、Zr、Ta；x、y、z≥0)的组合构成的三成分系或四成分系氧化物而构成的膜，可用作像素电极。作为上述金属氧化物膜的具体例，可举出氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等，但不限于此。
作为上述多层膜的更具体的例子，可举出氧化铟膜/钼(Mo)或氧化铟膜/钼合金(Molybdenum alloy)等双层膜、氧化铟膜/钼(Mo)/氧化铟膜或氧化铟膜/钼合金/氧化铟膜等三层膜等，但不限于此。
作为上述氧化铟膜的具体例，可举出氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等，但不限于此。
此外，本发明提供显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
a)在基板上形成栅极配线的步骤；
b)在包含上述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
c)在上述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤；
d)在上述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及
e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，
上述e)步骤包括：在基板上形成含钼(Mo)金属膜，并且用本发明的含钼金属膜的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极的步骤。
上述显示装置用阵列基板可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
上述含钼金属膜可以是钼(Mo)或钼合金的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜，上述钼合金可以是以钼(Mo)为主成分，并且包含选自钕(Nd)、钽(Ta)、铟(In)、铜(Cu)、钯(Pd)、铌(Nb)、镍(Ni)、铬(Cr)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)和钛(Ti)等中的一种以上金属的合金形态。
作为上述金属氧化物膜的具体例，可举出氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)或氧化铟镓锌(IGZO)等，但不限于此。
以下，利用实施例和比较例来更详细说明本发明。然而，下述实施例仅用于例示本发明，本发明不受到下述实施例的限制，可进行多种修改和变更。本发明的范围由随附的权利要求范围的技术思想限定。
<实施例和比较例>蚀刻液组合物的制造
分别制造包含下述表1所示的组成和含量，并含有余量的水的实施例1～10以及比较例1～3的蚀刻液组合物6kg。
[表1]
(重量％)
区分 H2O2 ABF 苯并三唑 氨基四唑 N,N-二乙基羟胺 羟胺 CH3SO3H In(NO3)3
实施例1 15 0.4 1.0 - 0.3 - - -
实施例2 15 0.4 1.0 - 0.6 - - -
实施例3 15 0.4 1.0 - 1.0 - - -
实施例4 15 0.4 1.0 - 2.0 - - -
实施例5 15 0.4 1.0 - 5.0 - -
实施例6 10 0.4 1.0 - 1.0 - - -
实施例7 18 0.4 1.0 - 1.0 - - -
实施例8 25 0.4 1.0 - 1.0 - - -
实施例9 15 0.4 1.0 - - 0.3 -
实施例10 15 0.4 1.0 - 3.0 -
比较例1 15 0.4 1.0 - 0.05 - - -
比较例2 15 0.4 1.0 - 6.0 - - -
比较例3 20 0.15 - 0.2 - - 2.5 0.02
注)
ABF:氟化氢铵
<实验例>蚀刻液组合物的性能测定
上述实施例1～10和比较例1～3的蚀刻液组合物的性能测定中，使用在玻璃(SiO2)基板上蒸镀有钼系金属膜和金属氧化物膜Mo-Ti/a-ITO的薄膜基板作为试片。使用上述实施例1～10和比较例1～3的蚀刻液组合物进行如下性能测定。
实验例1.随处理张数变化的侧蚀(side etch)变化量测定
向喷射式蚀刻方式的实验设备(型号名称：ETCHER(TFT)，SEMES公司)内分别装入上述实施例1～10和比较例1～3的蚀刻液组合物，将蚀刻液组合物的温度设为约35℃左右并进行加热。总蚀刻时间可根据蚀刻温度改变，钼系金属膜和金属氧化物膜在LCD蚀刻工序中通常以80～100秒程度进行。
测定随处理张数变化的侧蚀变化量时，以能够反映蚀刻液组合物随基板蚀刻的组合物内金属浓度(ppm)变化的方式，利用将膜质中所包含的Mo-Ti和ITO粉末投入组合物的方法来进行。在1,000ppm的情况下，投入Mo-Ti粉末500ppm和ITO粉末500ppm进行实验，在2,000ppm的情况下，投入Mo-Ti粉末1,000ppm和ITO粉末1,000ppm进行实验。
上述蚀刻工序中，蚀刻后的钼系金属膜和金属氧化物膜的不同处理张数时的侧蚀(side etch)截面使用SEM(日立公司产品，型号名称S-4700)进行检测，并将结果记载于下述表2。
[表2]
通过上述表2可知，实施例1～10的蚀刻液组合物进行处理张数时侧蚀变化量为0.04μm以下，表现出优异的蚀刻特性。
另一方面，对于羟胺衍生物的含量小于本发明的范围的比较例1和不包含羟胺衍生物的比较例3的情况，确认到以处理张数0～2,000ppm进行时侧蚀变化量分别为0.14μm、0.27μm的水平，其为不良。对羟胺衍生物的含量超过本发明的范围的比较例2的情况，初期侧蚀减小，为了满足量产基准即0.3μm的水平，蚀刻工序时间增加，因此出现产量减少的问题。

Claims (9)

1.一种含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于组合物总重量，包含：
(A)过氧化氢5～30重量％、(B)氟化合物0.1～2重量％、(C)唑系化合物0.1～1重量％、(D)羟胺衍生物0.1～5重量％、和(E)余量的水。
2.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，含钼金属膜的蚀刻液组合物能够蚀刻由钼或钼合金构成的单层膜，或者由上述单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜。
3.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述金属氧化物膜是选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌中的一种以上。
4.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述由单层膜和金属氧化物膜构成的多层膜是氧化铟膜/钼、氧化铟膜/钼合金、氧化铟膜/钼/氧化铟膜、或氧化铟膜/钼合金/氧化铟膜。
5.根据权利要求2所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述钼合金包含钼以及选自钕、钽、铟、铜、钯、铌、镍、铬、镁、钨、镤和钛中的一种以上。
6.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述氟化合物是选自氟化氢、氟化钠、氟化铵、氟硼酸铵、氟化氢铵、氟化钾、氟化氢钾、氟化铝和四氟硼酸中的一种以上。
7.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述唑系化合物是选自吡咯系、吡唑系、咪唑系、三唑系、四唑系、五唑系、唑系、异唑系、噻唑系和异噻唑系化合物中的一种以上。
8.根据权利要求1所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述羟胺衍生物是选自羟胺、羟胺-O-磺酸、硫酸羟胺、N,N-二乙基羟胺、N-甲基羟胺、N,N-二苄基羟胺和N,N,O-三乙酰基羟胺中的一种以上。
9.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
a)在基板上形成栅极配线的步骤；
b)在包含所述栅极配线的基板上形成栅极绝缘层的步骤；
c)在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层的步骤；
d)在所述氧化物半导体层上形成源电极和漏电极的步骤；及
e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，
所述e)步骤包括在基板上形成含钼金属膜，并且用权利要求1～8中任一项所述的含钼金属膜的蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极的步骤。
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Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1389596A (zh) * 2001-06-05 2003-01-08 美格株式会社 铜或铜合金的腐蚀剂及腐蚀方法
KR20060064881A (ko) * 2004-12-09 2006-06-14 주식회사 엘지화학 구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물
CN103890234A (zh) * 2011-11-17 2014-06-25 易安爱富科技有限公司 钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物
CN104280916A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 东友精细化工有限公司 制造液晶显示器用阵列基板的方法
CN104419930A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 东友精细化工有限公司 蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法
CN104562009A (zh) * 2013-10-18 2015-04-29 东进世美肯株式会社 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
CN104611700A (zh) * 2013-11-01 2015-05-13 达兴材料股份有限公司 蚀刻液组合物及蚀刻方法
CN104733383A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 东友精细化工有限公司 薄膜晶体管阵列的制备方法
KR20150092892A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물
KR20150092891A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101934863B1 (ko) 2012-09-28 2019-01-03 주식회사 동진쎄미켐 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1389596A (zh) * 2001-06-05 2003-01-08 美格株式会社 铜或铜合金的腐蚀剂及腐蚀方法
KR20060064881A (ko) * 2004-12-09 2006-06-14 주식회사 엘지화학 구리 몰리브덴 배선용 식각 용액 조성물
CN103890234A (zh) * 2011-11-17 2014-06-25 易安爱富科技有限公司 钼合金膜及铟氧化膜的蚀刻液组合物
CN104280916A (zh) * 2013-07-03 2015-01-14 东友精细化工有限公司 制造液晶显示器用阵列基板的方法
CN104419930A (zh) * 2013-08-27 2015-03-18 东友精细化工有限公司 蚀刻液组合物及液晶显示装置用阵列基板的制造方法
CN104562009A (zh) * 2013-10-18 2015-04-29 东进世美肯株式会社 金属配线蚀刻液组合物及利用其的金属配线形成方法
CN104611700A (zh) * 2013-11-01 2015-05-13 达兴材料股份有限公司 蚀刻液组合物及蚀刻方法
CN104733383A (zh) * 2013-12-23 2015-06-24 东友精细化工有限公司 薄膜晶体管阵列的制备方法
KR20150092892A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물
KR20150092891A (ko) * 2014-02-06 2015-08-17 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각액 조성물

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张孙玮编著: "《有机试剂在分析化学中的应用》", 31 July 1981, 科学出版社 *

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