CN106467969A - 显示装置用阵列基板制造方法、蚀刻液组合物及蚀刻方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示装置用阵列基板的制造方法、铜系金属膜蚀刻液组合物及蚀刻方法，所述铜系金属膜蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢(H2O2)5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5‑(碳原子数1～5的烷基)‑1H‑四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水，所述显示装置用阵列基板的制造方法使用上述蚀刻液组合物。

Description

显示装置用阵列基板制造方法、蚀刻液组合物及蚀刻方法
技术领域
本发明涉及显示装置用阵列基板的制造方法、铜系金属膜蚀刻液组合物及蚀刻方法。
背景技术
在半导体装置中在基板上形成金属配线的过程通常包括利用如下工序的步骤：通过溅射等的金属膜形成工序；通过光致抗蚀剂涂布、曝光和显影的在选择性区域的光致抗蚀剂形成工序；以及蚀刻工序，并且包括个别单元工序前后的清洗工序等。上述蚀刻工序是指将光致抗蚀剂作为掩模，在选择性区域残留金属膜的工序，通常使用利用等离子体等的干式蚀刻或利用蚀刻液组合物的湿式蚀刻。
在这样的半导体装置中，近年来，金属配线的电阻成为主要被关注的问题。这是因为电阻是诱发RC信号延迟的主要因素，因此特别是在TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器，thin film transistor-liquid crystal display)的情况下，增加面板尺寸及实现高分辨率成为技术开发的关键。由此，为了实现TFT-LCD的大型化中所必需的RC信号延迟的减小，必须开发低电阻的物质。因此，实际情况是，以往主要使用的铬(Cr，电阻率：12.7×10-8Ωm)、钼(Mo，电阻率：5×10-8Ωm)、铝(Al，电阻率：2.65×10-8Ωm)以及它们的合金难以利用于大型TFT-LCD中使用的栅极和数据配线等。
在这样的背景下，作为新的低电阻金属膜，被高度关注的是铜膜和铜钼膜等铜系金属膜及其蚀刻液组合物。然而，在针对铜系金属膜的蚀刻液组合物的情况下，目前虽然使用许多种类，但实际情况是，无法满足使用者所要求的性能。作为一个例子，在韩国公开专利第10-2010-0090538号中公开了一种铜系金属膜的蚀刻液组合物，其包含一定含量的过氧化氢、有机酸、磷酸盐化合物、水溶性环状胺化合物、在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物、含氟化合物、多元醇型表面活性剂和水，但该组合物在厚膜金属层(Cu)蚀刻时，在侧蚀调节以及随处理张数的蚀刻速度维持方面存在局限。
现有技术文献
专利文献
韩国公开专利公报第10-2010-0090538号
发明内容
所要解决的课题
本发明是为了解决以往技术的如上所述问题而提出的，其目的在于提供一种蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物在制造显示装置用阵列基板时能够对铜系金属膜进行一起蚀刻，并且在厚膜(Cu)金属层蚀刻时能够进行侧蚀及锥角的调节，能够维持随处理张数的蚀刻速度。
此外，目的在于提供一种蚀刻轮廓(etch profile)和直进性优异，并且还防止产生台阶覆盖性不良及蚀刻残渣的金属膜蚀刻液组合物。
解决课题的方法
本发明提供一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：(a)在基板上形成栅电极的步骤、(b)在包含上述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤、(c)在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤、(d)在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、以及(e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，上述(a)步骤或(d)步骤中的至少一个步骤包括：在上述基板上形成铜系金属膜的步骤、以及使用蚀刻液组合物对所形成的上述铜系金属膜进行蚀刻的步骤，上述蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢(H2O2)5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水。
此外，本发明提供一种铜系金属膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢(H2O2)5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水。
此外，本发明提供一种蚀刻方法，其特征在于，包括：(a)在基板上形成铜系金属膜的步骤、(b)在上述步骤中形成的膜上选择性地残留光反应物质的步骤、以及(c)使用上述本发明的蚀刻液组合物对上述步骤中形成的膜进行蚀刻的步骤。
发明效果
本发明的铜系金属膜蚀刻液组合物能够对铜系金属膜进行一起蚀刻，并且在厚膜(Cu)金属层蚀刻时能够进行侧蚀、锥角的调节，能够维持随处理张数的蚀刻速度。此外，蚀刻时提供优异的蚀刻轮廓和直进性，并且还有效防止产生台阶覆盖性不良及蚀刻残渣。
具体实施方式
本发明涉及一种铜系金属膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢(H2O2)5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水。
在本发明中，上述铜系金属膜可以为：铜或铜合金的单层膜；或者多层膜，所述多层膜包含选自由钼膜、钼合金膜、钛膜和钛合金膜组成的组中的一种以上的膜、以及选自铜膜和铜合金膜中的一种以上的膜，上述合金膜可以包含氮化膜或氧化膜。
例如，上述多层膜可以举出铜/钼膜、铜/钼合金膜、铜合金/钼合金膜、铜/钛膜等双重膜，或者三重膜。上述铜/钼膜是指包含钼层和在上述钼层上形成的铜层的膜，上述铜/钼合金膜是指包含钼合金层和在上述钼合金层上形成的铜层的膜，铜合金/钼合金膜是指包含钼合金层和在上述钼合金层上形成的铜合金层的膜，上述铜/钛膜是指包含钛层和在上述钛层上形成的铜层的膜。
此外，上述钼合金层是指由例如选自由钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Cr)、镍(Ni)、钕(Nd)和铟(In)组成的组中的一种以上的金属与钼的合金形成的层。
在本发明中，铜系厚膜金属膜是厚度至少为以上的金属膜，与薄膜有区别。在厚膜的情况下，用以往的蚀刻液进行蚀刻时，腐蚀速度慢，加工时间(Process Time)增加。因此，要求与以往蚀刻液相比更快的腐蚀速度(以上)，由此难以适用以往的蚀刻液。此外，由于厚膜的特性，在锥角(Taper Angle)大的情况下(锥角60°以上)，进行后续工序时，有可能产生台阶覆盖性(Step Coverage)不良，因此必须将锥角调节得小，但在以往蚀刻液的情况下，形成大的锥角，由此难以应用于厚膜。
以下，详细说明本发明的蚀刻液组合物的构成。
(A)过氧化氢(H2O2)
上述过氧化氢(H2O2)是对包含铜钼膜或铜钼合金膜的铜系金属膜的蚀刻产生影响的主氧化剂，所述铜钼膜包含钼层和在上述钼层上形成的铜层，所述铜钼合金膜包含钼合金层和在上述钼合金层上形成的铜层。
上述过氧化氢相对于组合物总重量包含5～30重量％，优选包含15～26重量％，更优选包含18.0～24.0重量％。如果含量小于上述范围，则铜系金属膜的蚀刻能力不足，无法实现充分的蚀刻，在含量超过上述范围的情况下，铜离子的增加所带来的发热稳定性大大降低。
(B)含氟化合物
上述含氟化合物是指能够在水中解离而产生氟(F)离子的化合物。上述含氟化合物是对包含钼合金膜的钼系金属膜的蚀刻速度产生影响的助氧化剂，调节钼系金属膜的蚀刻速度。
上述含氟化合物相对于组合物总重量包含0.01～3重量％，优选包含0.05～1重量％。如果含量小于上述范围，则钼系金属膜的蚀刻速度变慢，如果含量超过上述范围，则钼系金属膜的蚀刻性能提高但总蚀刻速度变快，因此明显出现底切(undercut)现象或下部层(n+a-Si:H、a-Si:G等半导体层；AxByCzO等氧化物半导体层(式中，A、B和C各自为选自由锌(Zn)、钛(Ti)、镉(Cd)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、铪(Hf)、锆(Zr)和钽(Ta)组成的组中的金属，x、y和z为0以上)；等)的蚀刻损伤。
上述含氟化合物只要是作为本领域中公知的物质能够在溶液内解离成氟离子或多原子氟离子的物质就没有特别限定。作为代表性例子，可以举出氢氟酸(hydrofluoricacid，HF)、氟化铵(ammonium fluoride：NH4F)、氟化钠(sodium fluoride，NaF)、氟化钾(potassium fluoride，KF)、氟化氢铵(ammonium bifluoride，NH4F·HF)、氟化氢钠(sodium bifluoride，NaF·HF)、氟化氢钾(potassium bifluoride，KF·HF)、氟硼酸(fluoroboric acid，HBF4)、氟化铝(aluminium fluoride，AlF3)、氟化钙(calciumfluoride，CaF2)、氟硅酸(Hydrofluorosilicic Acid，H2SiF6)等。它们可以单独使用一种或一起使用两种以上。特别是，可以优选使用氟化氢铵(ammonium bifluoride，NH4F·HF)。
(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑
上述5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑起到调节铜系金属膜的蚀刻速度、降低图案的CD损失(CD Loss)从而提高工序余量的作用。
上述5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑相对于组合物总重量包含0.01～3重量％，优选包含0.05～2重量％，更优选包含0.1～1.5重量％。如果含量小于上述范围，则明显出现过度蚀刻以及随处理张数的蚀刻轮廓的变动。在超过上述范围的情况下，铜的蚀刻速度变得太慢，因此可能损失工序时间。
作为上述5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑，可以举出5-甲基-1H-四唑、5-乙基-1H-四唑、5-丙基-1H-四唑、5-丁基-1H-四唑等，作为特别优选的例子，可以举出5-甲基-1H-四唑。
(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物
上述在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物阻止在保管蚀刻液组合物时可能发生的过氧化氢水的自分解反应，且在对大量基板进行蚀刻时防止蚀刻特性发生变化。一般而言，在使用过氧化氢水的蚀刻液组合物的情况下，保管时过氧化氢水发生自分解而其保管时间不长，甚至具有容器可能爆发的危险因素。但是，在包含在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的情况下，过氧化氢水的分解速度降低近10倍，从而有利于确保保管时间和稳定性。特别是在铜层的情况下，当蚀刻液组合物中大量残存铜离子时，发生形成钝化(passivation)膜而氧化发黑后不再被蚀刻的情况较多，但在添加该化合物时能够防止这种现象。
上述在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物的含量为0.5～5重量％，优选为1.0～3重量％。在含量小于上述范围的情况下，在蚀刻大量的基板(约500张)后就形成钝化膜而难以获得充分的工序余量，在超过上述范围的情况下，钼或钼合金的蚀刻速度变慢，因此在铜钼膜或铜钼合金膜的情况下有可能发生钼或钼合金膜的残渣问题。
作为上述在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物，可以举出丙氨酸(alanine)、氨基丁酸(aminobutyric acid)、谷氨酸(glutamic acid)、甘氨酸(glycine)、亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)、氨三乙酸(nitrilotriacetic acid)和肌氨酸(sarcosine)等，它们可以单独使用一种或将两种以上组合使用。特别是，在这些成分中，可以最优选使用亚氨基二乙酸(iminodiacetic acid)。
(E)硫酸盐化合物
上述硫酸盐是调节Cu表面的氧化电位而使铜膜的蚀刻速度增加的成分。如果在本发明的蚀刻液组合物中不存在上述硫酸盐化合物，则蚀刻速度很低，有可能蚀刻轮廓变得不良。
上述硫酸盐化合物的含量相对于组合物总重量为0.05～1.0重量％，特别优选为0.1～0.5重量％。在含量小于上述范围的情况下，蚀刻速度很低，有可能发生蚀刻轮廓不良及工序时间损失，在含量超过上述范围的情况下，铜或铜合金膜的蚀刻速度变得过快，或者锥角变得太大，容易使台阶覆盖性变得不良，因此难以应用于厚膜。
作为上述硫酸盐，可以举出硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸镁和硫酸锂等。
(F)多元醇型表面活性剂
上述多元醇型表面活性剂起到降低表面张力而提高蚀刻均匀性的作用。此外，多元醇型表面活性剂通过包围在蚀刻铜膜后溶出到蚀刻液中的铜离子，从而抑制铜离子的活度来抑制过氧化氢的分解反应。如果这样降低铜离子的活度，则在使用蚀刻液的期间能够稳定地进行工序。
上述多元醇型表面活性剂相对于组合物总重量包含1～5重量％，优选包含1.5～3重量％。在含量小于上述范围的情况下，有可能产生蚀刻均匀性下降、过氧化氢的分解加速化的问题，如果超过上述范围，则导致大量产生泡沫的缺点。
作为上述多元醇型表面活性剂，可以举出甘油(glycerol)、三乙二醇(triethylene glycol)和聚乙二醇(polyethylene glycol)等，其中最优选为三乙二醇(triethylene glycol)。
(G)水
本发明的蚀刻液组合物中所包含的水为余量以使组合物总重量达到100重量％。本发明的蚀刻液组合物中的水起到稀释蚀刻液组合物的作用。上述水虽然没有特别限定，但优选利用去离子水。并且，更优选利用显示从水中去除离子的程度的水的电阻率值为18MΩ·cm以上的去离子水。
本发明中使用的过氧化氢(H2O2)、含氟化合物、唑类化合物、化学式1的化合物和余量的水优选使用可用于半导体工序的纯度的物质，可以使用市售品，或者可以将工业级的物质根据本领域中通常公知的方法进行精制后使用。
此外，在根据本发明的蚀刻液组合物中，除了上述成分以外，还可以添加通常的添加剂。即，根据本发明的优选的一个实施例，上述蚀刻液组合物可以进一步包含选自表面活性剂、多价螯合剂和防腐蚀剂中的任一种以上的添加剂。
表面活性剂起到降低表面张力而提高蚀刻均匀性的作用。作为这样的表面活性剂，优选为能够对蚀刻液耐受且具有相容性的形态的表面活性剂。作为其例子，可以举出任意的阴离子性、阳离子性、两性或非离子性表面活性剂等。此外，作为表面活性剂，可以使用氟系表面活性剂。
上述添加剂并不限于此，为了使本发明的效果更加良好，可以选择性地添加本领域中公知的多种其它添加剂。
此外，本发明涉及一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：(a)在基板上形成栅电极的步骤、(b)在包含上述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤、(c)在上述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤、(d)在上述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、以及(e)形成与上述漏电极连接的像素电极的步骤，上述(a)步骤或(d)步骤中的一个以上包括：在上述基板上形成铜系金属膜的步骤、以及使用蚀刻液组合物对所形成的上述铜系金属膜进行蚀刻的步骤，上述蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢(H2O2)5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水。
上述显示装置用阵列基板可以为薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
上述半导体层可以由n+a-Si:H、a-Si:G等形成，或者由AxByCzO等氧化物半导体形成(上述式中，A、B和C各自为选自由锌(Zn)、钛(Ti)、镉(Cd)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、铪(Hf)、锆(Zr)和钽(Ta)组成的组中的金属，x、y和z为0以上)。
在上述阵列基板的制造方法中，各步骤的工序可以根据本领域中公知的方法来实施。
其中铜系金属膜与上文中记载的相同。
此外，本发明涉及一种蚀刻方法，其特征在于，包括：(a)在基板上形成铜系金属膜的步骤、(b)在上述步骤中形成的膜上选择性地残留光反应物质的步骤、以及(c)使用上述本发明的蚀刻液组合物对上述步骤中形成的膜进行蚀刻的步骤。
其中铜系金属膜与上文中记载的相同。
上述蚀刻方法的各步骤的工序可以根据本领域中公知的方法来实施。
以下，利用实施例和比较例，更详细说明本发明。但下述实施例只用于例示本发明，本发明并不限于下述实施例，可以进行各种修正和变更。
实施例1～9和比较例1～5：蚀刻液组合物的制造
按照下述表1所示的组成，制造蚀刻液组合物180kg。
[表1]
区分 H2O2 ABF 5-MTZ IDA AS NHP TEG 5-ATZ 水
实施例1 18 1.0 0.05 1.0 0.1 - 1.5 余量
实施例2 20 0.5 0.10 1.7 0.2 - 2.0 余量
实施例3 22 0.1 0.15 2.3 0.3 - 2.5 余量
实施例4 24 0.05 0.20 3.0 0.5 - 3.0 余量
实施例5 15 0.1 0.05 2.0 0.5 2.0 余量
实施例6 5 0.5 0.05 2.0 0.5 2.0 余量
实施例7 20 0.1 0.01 2.0 0.5 2.0 余量
实施例8 23 0.1 1.5 2.0 0.5 2.0 余量
实施例9 23 0.1 2 2.0 0.5 2.0 余量
比较例1 22 0.1 - 2.3 0.3 - 2.5 余量
比较例2 22 0.1 0.15 2.3 - - 2.5 余量
比较例3 22 0.1 - 2.3 0.3 - 2.5 0.15 余量
比较例4 22 0.1 - 2.3 0.3 - 2.5 0.50 余量
比较例5 22 0.1 0.15 2.3 0.3 2.5 余量
(单位：重量％)
(注)ABF：氟化氢铵；5-MTZ：5-甲基四唑；AS：硫酸铵；TEG：三乙二醇；5-ATZ：5-氨基四唑；IDA：亚氨基二乙酸；NHP：磷酸钠[Na3HPO4]
试验例：蚀刻液特性评价
(1)蚀刻轮廓和蚀刻直进性的评价
分别使用实施例1～9、比较例1～5的蚀刻液组合物，实施蚀刻工序。利用喷射式蚀刻方式的实验装置(型号：ETCHER(TFT)，SEMES公司)，蚀刻工序时蚀刻液组合物的温度设为约33℃左右。蚀刻时间虽然根据蚀刻温度而不同，但进行了在LCD蚀刻工序中通常实施的50～80秒程度。对于在上述蚀刻工序中蚀刻的铜系金属膜的轮廓，使用截面SEM(日立公司制品,型号S-4700)进行观察，将其结果记载于下述表2中。在上述蚀刻工序中，使用了蒸镀有Cu/Mo-Ti的金属膜的基板。
(2)侧蚀变化量和锥角的评价
按照与上述(1)相同的方法，在蚀刻液组合物中Cu离子浓度300ppm的条件下实施参照(reference)蚀刻，在Cu离子浓度7000ppm的条件下实施蚀刻，测定随Cu离子浓度的侧蚀(Side Etch)(μm)变化量和锥角(Taper Angle)。侧蚀是指蚀刻后测定的光致抗蚀剂末端与下部金属末端之间的距离，侧蚀变化量是利用SEM测定以上述参照蚀刻的侧蚀为基准的、Cu离子浓度7000ppm的条件下增加或减少的侧蚀变化量来表示。锥角是以Cu斜面的倾斜度为基准测定。如果侧蚀量发生变化，则在TFT驱动时，信号传输速度发生变化，从而有可能产生斑纹，因此优选使侧蚀变化量最小化。在本评价中，在满足侧蚀变化量为±0.1μm、锥角为40～60°的条件的情况下，定为能够将蚀刻液组合物继续使用于蚀刻工序，而实施实验。
[表2]
区分 蚀刻轮廓 蚀刻直进性 侧蚀变化量(μm) 锥角(°)
实施例1 ○ ○ 0.08 43～48
实施例2 ○ ○ 0.05 47～53
实施例3 ○ ○ 0.03 48～55
实施例4 ○ ○ 0.05 50～58
实施例5 ○ ○ 0.05 48～55
实施例6 ○ ○ 0.09 40～45
实施例7 ○ ○ 0.09 50～58
实施例8 ○ ○ 0.06 45～55
实施例9 ○ ○ 0.09 42～47
比较例1 X X 0.8 20～30
比较例2 Unetch Unetch - -
比较例3 ○ ○ 0.5 50～65
比较例4 △ △ 0.1 45～60
比较例5 ○ ○ 0.15 60～80
(注)○：良好，△：普通，Х：差，Unetch：不能蚀刻
如上述表2所示，本发明的实施例1～4的蚀刻液组合物的蚀刻轮廓和直进性优异，并且不产生Mo、Ti残渣。此外，侧蚀变化量也是±0.1μm的范围，锥角也满足40～60°的条件。
另一方面，在不包含5-MTZ的比较例1的情况下，可知蚀刻速度很快而蚀刻轮廓非常不良。侧蚀变化量也显示很大，锥角也显示30度以下的水平。在不包含硫酸盐的比较例2的情况下，铜膜的蚀刻速度很慢，工序中发生不能蚀刻的现象。在包含5-ATZ来代替5-MTZ的比较例3的情况下，虽然蚀刻轮廓优异，但侧蚀变化量很大，锥角也显示60度以上。与此不同，在增加5-ATZ含量的比较例4的情况下，虽然满足了侧蚀变化量和锥角，但由于铜膜蚀刻速度慢而蚀刻轮廓显示不良。在包含磷酸盐来代替硫酸盐的比较例5的情况下，显示了虽然蚀刻轮廓和蚀刻直进性良好但侧蚀变化量大，且形成大锥角的结果。

Claims (10)

1.一种显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
(a)在基板上形成栅电极的步骤、
(b)在包含所述栅电极的基板上形成栅极绝缘层的步骤、
(c)在所述栅极绝缘层上形成半导体层的步骤、
(d)在所述半导体层上形成源电极和漏电极的步骤、以及
(e)形成与所述漏电极连接的像素电极的步骤，
所述(a)步骤或(d)步骤中的至少一个步骤包括：在所述基板上形成铜系金属膜的步骤、以及使用蚀刻液组合物对所形成的所述铜系金属膜进行蚀刻的步骤，
所述蚀刻液组合物相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水。
2.根据权利要求1所述的显示装置用阵列基板的制造方法，其特征在于，所述显示装置用阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。
3.一种铜系金属膜蚀刻液组合物，相对于组合物总重量包含(A)过氧化氢5～30重量％、(B)含氟化合物0.01～3重量％、(C)5-(碳原子数1～5的烷基)-1H-四唑0.01～3重量％、(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物0.5～5重量％、(E)硫酸盐化合物0.05～1重量％、(F)多元醇型表面活性剂1～5重量％、及(G)余量的水。
4.根据权利要求3所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(B)含氟化合物包含选自由氢氟酸、氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠、氟化氢钾、氟硼酸、氟化铝、氟化钙和氟硅酸组成的组中的一种以上。
5.根据权利要求3所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(D)在一个分子内具有氮原子和羧基的水溶性化合物包含选自由丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的一种以上。
6.根据权利要求3所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(E)硫酸盐化合物为选自由硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸镁和硫酸锂组成的组中的一种以上。
7.根据权利要求3所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述(F)多元醇型表面活性剂包含选自由甘油、三乙二醇和聚乙二醇组成的组中的一种以上。
8.根据权利要求3所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述蚀刻液组合物进一步包含选自表面活性剂、多价螯合剂和防腐蚀剂中的一种以上添加剂。
9.根据权利要求3所述的铜系金属膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述铜系金属膜为：
铜或铜合金的单层膜；或者
多层膜，所述多层膜包含选自由钼膜、钼合金膜、钛膜和钛合金膜组成的组中的一种以上的膜、以及选自铜膜和铜合金膜中的一种以上的膜。
10.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：
(a)在基板上形成铜系金属膜的步骤、
(b)在上述(a)步骤中形成的膜上选择性地残留光反应物质的步骤、以及
(c)使用权利要求3～9中的任一项所述的铜系金属膜蚀刻液组合物对上述(a)步骤中形成的膜进行蚀刻的步骤。
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