KR101934863B1 - 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 - Google Patents

금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법 Download PDF

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Abstract

금속막 및 인듐산화막의 이중막을 실질적으로 동일한 속도로 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법이 개시된다. 상기 식각액 조성물은, 23 내지 40 중량%의 과산화수소; 0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물; 0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물; 0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물; 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물; 및 나머지 물을 포함한다.

Description

금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법{Etchant composition for etching double layer of metal layer and indium oxide layer and method for etching using the same}
본 발명은 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각액 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 금속막 및 인듐산화막의 이중막을 실질적으로 동일한 속도로 식각할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법에 관한 것이다.
최근 디스플레이 패널의 대면적화 및 고해상도화에 따라, 화소 전극이 형성되는 픽셀(pixel)의 개수도 증가하고 있다. 한정된 공간에 많은 수의 화소 전극을 형성하기 위해서는, 화소 전극을 형성하는 패턴의 크기를 감소시켜야 하지만, 단순히 패턴의 크기를 감소시키는 것에는 한계가 있으므로, 화소 전극의 식각 속도를 조절하여, 화소 전극을 형성하는 방법도 사용되고 있다. 한편, 상기 화소 전극을 구동시키기 위한 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 회로가 상기 화소 전극과 중첩되어 형성된다. 여기서, 상기 화소 전극은 일반적으로 인듐틴산화막(indium tin oxide layer, ITO)으로 이루어지고, 상기 화소 전극과 중첩되는 박막 트랜지스터의 게이트 및 소스-드레인 전극은 몰리브덴, 티타늄, 구리 등의 금속막으로 이루어진다.
이와 같은 화소 전극 및 박막 트랜지스터의 형성에 있어서, 금속막 및 인듐산화막의 이중막 상부에 소정 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 식각액 조성물을 적용하여, 상기 이중막을 식각함으로써, 소정 형상의 화소 전극 패턴 및 박막 트랜지스터 전극 패턴을 형성하고 있다. 여기서, 상기 금속막 및 인듐산화막을 식각하기 위한 식각액 조성물로서, 과산화수소, 무기산, 유기산 등을 주성분으로 하는 산화제 용액이 주로 사용되고 있다. 그러나, 이러한 종래의 식각액 조성물은, 금속막 또는 인듐산화막의 단일막 식각 시에는 특별한 문제가 없지만, 일반적으로, 금속막과 비교하여 인듐산화막의 식각 속도가 빠르므로, 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각 시에는, 금속막의 팁(Tip)이 발생하여, 식각 프로파일 불량, 구체적으로, 테이퍼 각(taper Angle)의 불량을 유발하는 단점이 있다. 또한, 종래의 식각액 조성물은, 사용 시간의 경과에 따라, 잔사(residue), 잔막(residual layer) 등의 석출물을 발생시키기도 한다.
본 발명의 목적은, 금속막 및 인듐산화막의 이중막을 실질적으로 동일한 속도로 식각할 수 있는 식각액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 금속막 또는 인듐산화막의 단일막뿐 만 아니라, 금속막 및 인듐산화막의 이중막 식각 시에도, 테이퍼 각 등 식각 프로파일이 우수한 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 식각 과정에서 발생하는 Mo, Ti, In, Sn 등의 금속 이온을 안정화하여, 석출에 의한 잔사 또는 잔막의 발생을 억제함으로써, 공정 생산성을 개선할 수 있는 식각액 조성물 및 이를 이용한 식각 방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 23 내지 40 중량%의 과산화수소; 0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물; 0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물; 0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물; 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물; 및 나머지 물을 포함하는 식각액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은, 금속막 및/또는 인듐산화막이 형성된 기판에 소정 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 식각액 조성물을 접촉시켜, 기판으로부터 금속막 및/또는 인듐산화막을 식각하여 제거하는 단계를 포함하며,상기 식각액 조성물은 23 내지 40 중량%의 과산화수소, 0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물, 0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물, 0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물, 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물, 및 나머지 물을 포함하는 것인 식각 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은, 금속막 및 인듐산화막의 이중막을 실질적으로 동일한 속도로 식각하여, 금속막 또는 인듐산화막의 단일막 뿐 만 아니라, 금속막 및 인듐틴산화막의 이중막 식각 시에도, 식각 프로파일이 우수한 장점이 있다. 또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물은, 식각 과정에서 발생하는 잔사 또는 잔막의 발생을 억제할 수 있다.
도 1 내지 5는 각각 본 발명의 실시예 1 내지 5의 조성물을 사용하여 식각한 금속막 및/또는 인듐산화막 단면의 전자 주사 현미경 사진.
도 6 내지 9는 각각 본 발명의 비교예 1 내지 4의 조성물을 사용하여 식각한 금속막 및/또는 인듐산화막 단면의 전자 주사 현미경 사진.
도 10은 본 발명의 실시예 1, 비교예 3 및 비교예 4의 식각액 조성물을 사용하여, 실리콘나이트라이드막(SiNx) 및 유리(glass) 기판을 식각한 결과를 보여주는 전자 주사 현미경 사진.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은, 금속막 및 인듐산화막의 이중막을 식각하기 위한 것으로서, 23 내지 40 중량%의 과산화수소(H2O2), 0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물(Fluoride), 0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물, 0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물, 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물 및 나머지 물을 포함한다.
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 과산화수소(H2O2)는, 몰리브덴, 티타늄 등의 금속막을 식각하기 위한 산화제이다. 상기 과산화수소(H2O2)의 함량은, 전체 식각액 조성물에 대하여, 23 내지 40 중량%, 바람직하게는 26 내지 32 중량%이다. 상기 과산화수소(H2O2)의 함량이 너무 작으면, 금속막의 식각이 불충분하게 될 우려가 있고, 너무 많으면, 금속막의 식각 속도가 과도하게 빨라져, 금속막/인듐산화막의 이중막 식각에서 금속막의 팁(Tip)이 발생할 우려가 있다.
상기 불소 화합물(Fluoride)은, 몰리브덴, 티타늄 등의 금속막과 인듐산화막을 동시에 식각하는 역할을 한다. 상기 불소 화합물로는, 수용액 중에서 플루오라이드 이온(fluoride ion, F-)을 생성하는 다양한 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 HF(Hydrogen fluoride), NaF, NaHF2, NH4F(Ammonium Fluoride), NH4HF2 (Ammonium Bifluoride), NH4BF4, KF, KHF2, AlF3, HBF4, LiF4, KBF4, CaF2, 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있고, 더욱 바람직하게는 HF, NH4F, NH4HF2 를 사용할 수 있다. 상기 불소 화합물의 함량은, 전체 조성물에 대하여, 0.01 내지 2 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 1 중량%, 더욱 바람직하게는 0.15 내지 0.5 중량%이다. 상기 불소 화합물의 함량이 상기 범위 미만이면, 금속막 및 인듐산화막의 식각 속도가 저하될 우려가 있고, 상기 범위를 초과하면, 하부의 절연막 및 유리 기판이 식각되어 손상될 우려가 있다.
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 아졸계 화합물은, 몰리브덴, 티타늄 등의 금속막, 인듐산화막 또는 금속막/인듐산화막의 이중막이 화소 전극으로 사용되고, 박막트랜지스터의 소스/드레인 전극으로 구리가 사용될 경우, 두 전극의 접합면에서 노출될 수 있는 구리막의 식각을 억제하는 역할을 한다. 상기 아졸계 화합물로는, 벤조트리아졸(benzotriazole), 아미노테트라졸(aminotetrazole), 아미노테트라졸 포타슘염(aminotetrazole of potassium salt), 이미다졸(imidazole), 피라졸(pyrazole), 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있고, 바람직하게는 아미노테트라졸을 사용할 수 있다. 상기 아졸계 화합물의 함량은, 전체 조성물에 대하여, 0.1 내지 1 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 0.9 중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 0.8 중량%이다. 상기 아졸계 화합물의 함량이 상기 범위 미만이면, 주변의 구리막이 식각되어 제거될 우려가 있고, 상기 범위를 초과하면, 특별한 이익이 없이, 경제적으로 바람직하지 못하다.
상기 술폰산 화합물(sulfonic acid)은, 금속막 및 인듐산화막의 식각 시 발생하는 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 인듐(In), 주석(Sn) 등의 이온을 안정화시켜, 상기 이온들이 석출되거나 재흡착되어 잔사 또는 잔막이 발생하는 것을 억제함으로써, 불량 화소의 발생을 방지하고, 생산성을 향상시키는 역할을 한다. 상기 술폰산 화합물로는, 수용액 중에서 설포네이트 이온(sulfonate ion, SO3 -)을 생성하는 다양한 화합물을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 NH2SO3H (aminosulfonic acid), CH3SO3H(methanesulfonic acid), CH3C6H4SO3H (tolueneesulfonic acid), C6H5SO3H(benzenesulfonic acid), 이들의 염, 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있고, 더욱 바람직하게는 메탄설포닉산(CH3SO3H)을 사용할 수 있다. 상기 술폰산 화합물의 함량은, 전체 조성물에 대하여, 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 9 중량%, 더욱 바람직하게는 1 내지 9 중량%이다. 상기 술폰산 화합물의 함량이 상기 범위 미만이면, 잔사 또는 잔막의 발생을 충분히 억제할 수 없고, 상기 범위를 초과하면, 특별한 이익이 없이, 경제적으로 바람직하지 못하다.
본 발명의 식각액 조성물에 사용되는 인듐계 화합물은, 불소계 화합물에 의해 실리콘나이트라이드막(SiNx), 유리(Glass) 기판 등이 식각되는 것을 억제할 뿐만 아니라, 인듐산화막의 식각 속도를 증가시키는 역할을 한다. 상기 인듐계 화합물로는, 인듐(indium) 금속을 포함하고, 인듐 이온(In3+)으로 해리될 수 있는 화합물을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, In(NO3)3 (Indium Nitrate), In2(SO4)3 (Indium Sulfate), In(C2H3O2)3 (Indium acetate), In2O3 (Indium Oxide), 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 상기 인듐계 화합물의 함량은, 전체 조성물에 대하여, 10 내지 500 ppm, 바람직하게는 20 내지 500 ppm이다. 상기 인듐계 화합물의 함량이 상기 범위 미만이면, 실리콘나이트라이드막(SiNx), 유리(Glass) 기판 등의 식각을 충분히 억제하지 못할 우려가 있고, 상기 범위를 초과하면, 특별한 이익이 없이, 경제적으로 바람직하지 못하다.
본 발명의 식각액 조성물에 있어서, 나머지 성분은 수성 매질(본 명세서에 있어서, 필요에 따라, 단순히 "물"이라 한다), 바람직하게는 탈이온수(deionized water, DI), 증류수 등이다. 본 발명에 따른 식각액 조성물은, 발명의 목적 및 효과를 달성하는 한도 내에서, 필요에 따라, pH 조절제, 부식 방지제 등의 통상의 첨가제를 더욱 포함할 수 있다. 본 발명에 따른 식각액 조성물은, 공지된 임의의 방법으로 제조될 수 있다. 예를 들면, 불소 화합물(Fluoride), 아졸계 화합물, 술폰산 화합물, 인듐계 화합물 등을 탈이온수, 증류수 등의 수성 매질에 필요한 농도로 첨가한 다음, 과산화수소(H2O2) 수용액을 상기 수성 매질에 원하는 농도로 첨가하여, 본 발명의 조성물을 제조할 수 있다.
본 발명에 따른 식각액 조성물은, 금속막, 인듐산화막 등의 단일막뿐 만 아니라, 금속막 및 인듐산화막이 순차적을 적층된 금속막/인듐산화막의 이중막의 식각에 유용하게 사용된다. 예를 들면, 액정표시장치(LCD) 패널 등의 제조에 있어서, 금속막/인듐산화막의 이중막으로 이루어진 화소 전극 또는 박막 트랜지스터(TFT) 전극을 형성하거나, 인듐산화막으로 이루어진 화소 전극과 금속막으로 이루어진 박막 트랜지스터 전극 배선을 중첩하여 형성하는 경우, 본 발명의 조성물을 이용하여 이중막을 효과적으로 식각할 수 있다. 여기서, 상기 금속막은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 이들의 합금 등의 금속으로 이루어진 것일 수 있고, 바람직하게는 몰리브덴(Mo)-티타늄(Ti)의 합금으로 이루어진 것 일 수 있다. 또한, 상기 인듐산화막은 순수한 인듐 산화물(Indium oxide)로 이루어질 수 도 있고, 주석 산화물(Tin Oxide), 아연 산화물(Zinc Oxide), 갈륨 산화물(gallium) 등을 포함하는 Ga-In-Zn 산화물, In-Zn 산화물, In-Sn 산화물 등일 수도 있으며(이 경우, 다른 금속 산화물 성분에 대한 인듐 산화물의 함량은 통상 20 몰% 이상, 바람직하게는 50 몰% 이상이다), 여기에 Al, Ni, Cu, Ta, Hf, Ti 등이 도핑되어 있을 수도 있다. 본 발명의 식각액 조성물을 이용하여, 금속막 및/또는 인듐산화막을 식각하는 방법으로는, 통상의 금속막-식각액 조성물 접촉 방법이 사용될 수 있다. 예를 들면, 금속막 및/또는 인듐산화막이 형성된 기판에 소정 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 본 발명의 식각액 조성물을 접촉시켜, 기판으로부터 금속막 및/또는 인듐산화막을 식각하여 제거할 수 있다.
이하, 구체적인 실시예 및 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1~7, 비교예 1~6] 식각액 조성물의 제조 및 평가
식각액 조성물의 식각 성능을 평가하기 위하여, 하기 표 1에 나타낸 함량(인듐 나이트레이트의 단위는 ppm, 나머지 성분의 단위는 중량%임)의 과산화수소, 플루오르화 수소(Hydrogen fluoride, HF), 암모늄 플루오라이드(Ammonium Fluoride, NH4F), 암모늄 비플루오라이드(Ammonium Bifluoride, NH4HF2), 메탄설포닉산 (CH3SO3H), 인듐 나이트레이트(Indium Nitrate, In(NO3)3), 아미노테트라졸 (aminotetrazole) 및 나머지 물(deionized water)을 포함하는 식각액 조성물(실시예 1~5, 비교예 1~5)을 제조하였다.
과산화
수소		 HF NH4F NH4HF2 CH3SO3H In(NO3)3 아미노
테트라졸
실시예 1 26 - - 0.15 2.5 200 0.2
실시예 2 30 - 0.2 - 4 300 0.5
실시예 3 30 0.15 - - 1 50 0.5
실시예 4 26 - 0.15 - 9 400 0.2
실시예 5 32 - 0.15 - 9 500 0.8
비교예 1 20 - - 0.15 2.5 300 0.2
비교예 2 30 0.15 - - - 50 0.5
비교예 3 26 - - 3 2.5 200 0.2
비교예 4 26 - - 0.15 2.5 - 0.2
A. 금속막 및/또는 인듐산화막의 식각 시험
상기 실시예 1~5 및 비교예 1~4의 식각액 조성물을 이용하여, (i) 몰리브덴(Mo)-티타늄(Ti) 합금막/ 무기막, (ii) 몰리브덴(Mo)-티타늄(Ti) 합금막/ 유기막, (iii) 인듐틴산화막(ITO) / 무기막, (iv) 몰리브덴(Mo)-티타늄(Ti) 합금막/ 인듐틴산화막(ITO) / 무기막을 각각 35 ℃에서 80초 동안 식각하였다. 실시예 1 내지 5의 조성물을 사용하여 식각한 금속막 및/또는 인듐산화막 단면의 전자 주사 현미경 사진을 도 1 내지 5에 각각 나타내었으며, 비교예 1 내지 4의 조성물을 사용하여 식각한 금속막 및/또는 인듐산화막 단면의 전자 주사 현미경 사진을 도 6 내지 9에 각각 나타내었다. 또한, 실시예 및 비교예의 조성물에 의하여 식각된 금속막 및/또는 인듐산화막의 식각 특성으로서, CD 바이어스(Critical Dimension Bias, 마스크 패턴의 크기보다 식각에 의하여 형성된 패턴의 크기가 작은 정도, 단위: ㎛) 및 테이퍼 각(taper Angle, 단위: °)을 측정하여, 그 결과를 하기 표 2 및 표 3에 각각 나타내었다.
CD bias Mo-Ti 합금막
/ 무기막		 Mo-Ti 합금막
/ 유기막		 ITO / 무기막 Mo-Ti 합금막
/ITO / 무기막
실시예 1 0.20 0.29 0.29 0.53
실시예 2 0.18 0.27 0.17 0.44
실시예 3 0.18 0.26 0.24 0.64
실시예 4 0.11 0.21 0.21 0.41
실시예 5 0.23 0.23 0.21 0.47
비교예 1 0.09 0.25 0.28 0.52
비교예 2 0.20 0.28 0.21 0.63
비교예 3 0.19 0.27 0.34 0.66
비교예 4 0.14 0.26 0.19 0.37
상기 표 2로부터, 본 발명에 따른 식각액 조성물(실시예 1 ~ 5)로 식각한 금속막 및/또는 인듐산화막의 CD 바이어스는 비교예 1 ~ 4의 조성물로 식각한 금속막 및/또는 인듐산화막의 CD 바이어스와 유사하거나 동등 이상의 특성을 나타냄을 알 수 있다.
CD bias Mo-Ti 합금막
/ 무기막		 Mo-Ti 합금막
/ 유기막		 ITO / 무기막 Mo-Ti 합금막
/ ITO / 무기막
실시예 1 58 65 48 76
실시예 2 77 70 47 25
실시예 3 65 75 54 58
실시예 4 78 75 60 60
실시예 5 70 53 56 35
비교예 1 75 44 41 Mo-Ti Tip
비교예 2 73 40 46 Mo-Ti Tip
비교예 3 71 70 55 Mo-Ti Tip
비교예 4 62 72 53 25
상기 표 3 및 도 1 내지 9에 나타낸 바와 같이, 과산화수소의 함량이 너무 작은 경우(비교예 1), Mo-Ti 합금막 / ITO의 이중막 식각 시, 상부 Mo-Ti 합금막에 팁(Tip)이 발생하였다(도 6 참조). 또한, 술폰산을 사용하지 않는 경우(비교예 2) 및 불소 화합물의 함량이 너무 많은 경우(비교예 3)에도, Mo-Ti 합금막 / ITO의 이중막 식각 시, 상부 Mo-Ti 합금막에 팁(Tip)이 발생하였다(도 7 및 도 8 참조). 한편, 나머지 성분은 실시예 1과 동일하지만, 인듐계 화합물을 사용하지 않는 경우(비교예 4), 실시예 1의 조성물과 비교하여, 식각 속도가 현저히 감소하였다(도 9 참조).
B. 실리콘나이트라이드막(SiNx) 및 유리(glass) 기판의 식각 시험
실시예 1, 비교예 3 및 비교예 4의 식각액 조성물을 사용하여, 실리콘나이트라이드막(SiNx) 및 유리(glass) 기판을 식각하였으며, 그 결과를 하기 표 4 및 도 10에 나타내었다. 하기 표 4 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 비교예 3 및 4의 조성물과 비교하여, 실시예 1의 식각액 조성물을 사용할 경우, 실리콘나이트라이드막 및 유리 기판의 손상이 억제되었다. 따라서, 실리콘나이트라이드막 및 유리 기판의 식각 억제를 위하여, 불소 화합물의 함량을 0.01 내지 2 중량%로 조절하고, 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물을 포함하여야 함을 알 수 있다.
실리콘나이트라이드막(SiNx, Å/sec) 유리(glass) 기판(Å/sec)
실시예 1 2.1 0.9
비교예 3 6.1 8.6
비교예 4 3.3 3.7
C. 식각액 조성물의 금속 및 인듐산화물 용해도 시험
본 발명의 식각액 조성물에 있어서, 술폰산은 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 인듐(In), 주석(Sn) 이온 등의 용해력을 향상시키며, 특히 인듐의 용해력을 향상시킨다. 비교예 2의 조성물과, 상기 비교예 2의 조성물에 1 중량%의 술폰산 화합물이 더욱 추가된 실시예 3의 조성물 1 kg에, 금속 및 인듐틴산화물 파우더를 상온에서 각각 용해시키고, 식각액 조성물 내의 금속이온(Mo, Ti) 및 인듐틴산화물(ITO) 농도를 ICP-AES(Inductively coupled plasma atomic emission spectroscopy)로 측정하였으며, 그 결과를 표 5에 나타내었다. 하기 표 5에 나타낸 바와 같이, 술폰산을 포함하는 실시예 3의 조성물을 사용하는 경우, 인듐틴산화물(ITO)의 용해도를 증가시킬 수 있다.
Mo/Ti (ppm) ITO (ppm)
실시예 3 3000 3000
비교예 2 3000 600
상기 실시예와 비교예로부터 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용할 경우, 몰리브덴, 티타늄 등의 금속막 또는 인듐산화막의 단일막 뿐 만 아니라, 몰리브덴-티타늄/인듐산화막의 이중막을 양호한 식각 프로파일(테이퍼 각)로 빠르게 식각할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 식각액 조성물을 사용할 경우, 실리콘나이트라이드막(SiNx) 및 유리(glass) 기판의 손상을 최소화하여 불량 발생율을 감소시킬 수 있다.

Claims (7)

  1. 23 내지 40 중량%의 과산화수소;
    0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물;
    0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물;
    0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물;
    10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물; 및
    나머지 물을 포함하는 식각액 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 불소 화합물은 HF, NaF, NaHF2, NH4F, NH4HF2, NH4BF4, KF, KHF2, AlF3, HBF4, LiF4, KBF4, CaF2 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 식각액 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 아졸계 화합물은 벤조트리아졸, 아미노테트라졸, 아미노테트라졸 포타슘염, 이미다졸, 피라졸 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 식각액 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 술폰산 화합물은 NH2SO3H, CH3SO3H, CH3C6H4SO3H, C6H5SO3H, 이들의 염 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 식각액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 인듐계 화합물은 In(NO3)3, In2(SO4)3, In(C2H3O2)3, In2O3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 식각액 조성물.
  6. 금속막 및/또는 인듐산화막이 형성된 기판에 소정 형상의 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하고, 식각액 조성물을 접촉시켜, 기판으로부터 금속막 및/또는 인듐산화막을 식각하여 제거하는 단계를 포함하며,
    상기 식각액 조성물은 23 내지 40 중량%의 과산화수소, 0.01 내지 2 중량%의 불소 화합물, 0.1 내지 1 중량%의 아졸계 화합물, 0.1 내지 10 중량%의 술폰산 화합물, 10 내지 500 ppm의 인듐계 화합물, 및 나머지 물을 포함하는 것인 식각 방법.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 금속막 및/또는 인듐산화막은 금속막 및 인듐산화막이 순차적을 적층된 이중막인 것인, 식각 방법.
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