JP2000309876A - 置換型無電解錫−銀合金めっき液 - Google Patents
置換型無電解錫−銀合金めっき液Info
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- JP2000309876A JP2000309876A JP11116852A JP11685299A JP2000309876A JP 2000309876 A JP2000309876 A JP 2000309876A JP 11116852 A JP11116852 A JP 11116852A JP 11685299 A JP11685299 A JP 11685299A JP 2000309876 A JP2000309876 A JP 2000309876A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】浴安定性が良好であり、しかも優れた特性の錫
−銀合金めっき皮膜を形成できる置換型の無電解錫−銀
合金めっき浴を提供する。 【解決手段】（ｉ）２価の水溶性錫化合物、（ii）水溶
性銀化合物、（iii）分子内に２個のモノスルフィド基
を有する水溶性含硫黄有機化合物、及び（iv）次亜リン
酸化合物を含有するｐＨ７以下の水溶液からなる置換型
無電解錫−銀合金めっき液。
−銀合金めっき皮膜を形成できる置換型の無電解錫−銀
合金めっき浴を提供する。 【解決手段】（ｉ）２価の水溶性錫化合物、（ii）水溶
性銀化合物、（iii）分子内に２個のモノスルフィド基
を有する水溶性含硫黄有機化合物、及び（iv）次亜リン
酸化合物を含有するｐＨ７以下の水溶液からなる置換型
無電解錫−銀合金めっき液。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、置換型無電解錫−
銀合金めっき浴、及び無電解錫−銀合金めっき方法に関
する。
銀合金めっき浴、及び無電解錫−銀合金めっき方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品にはんだ接合を行う場合
の下地皮膜として、無電解錫−鉛めっき皮膜が用いられ
ている。しかしながら、近年、鉛による環境汚染が問題
となり、将来的には鉛の使用制限が行われる可能性が高
いために、錫−鉛合金めっきの代替として使用し得る合
金皮膜の開発が望まれている。
の下地皮膜として、無電解錫−鉛めっき皮膜が用いられ
ている。しかしながら、近年、鉛による環境汚染が問題
となり、将来的には鉛の使用制限が行われる可能性が高
いために、錫−鉛合金めっきの代替として使用し得る合
金皮膜の開発が望まれている。
【０００３】錫−鉛はんだの代替としては、錫と、銀、
ビスマス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛等との二
元或いは多元合金が候補として挙げられており、錫−銀
合金が現在最も有力視されている。
ビスマス、銅、インジウム、アンチモン、亜鉛等との二
元或いは多元合金が候補として挙げられており、錫−銀
合金が現在最も有力視されている。
【０００４】近年、幾つかの無電解錫−銀合金めっき浴
が提案されている。例えば、特開平９−３０２４７６号
公報には、２価の錫化合物と１価の銀化合物に加えて、
チオ尿素、チオ尿素誘導体、チオ硫酸、ヨウ素化合物、
臭素化合物、コハク酸イミド及びメルカプトコハク酸か
ら選ばれた錯化剤を含む無電解錫−銀合金めっき浴が記
載されている。
が提案されている。例えば、特開平９−３０２４７６号
公報には、２価の錫化合物と１価の銀化合物に加えて、
チオ尿素、チオ尿素誘導体、チオ硫酸、ヨウ素化合物、
臭素化合物、コハク酸イミド及びメルカプトコハク酸か
ら選ばれた錯化剤を含む無電解錫−銀合金めっき浴が記
載されている。
【０００５】また、特開平１１−６１４２６号公報に
は、有機酸又は無機酸、チオ尿素、チオ尿素誘導体、エ
チレンジアミン誘導体等の錯化剤、及びリン化合物を含
む各種の無電解スズ合金めっき浴が開示されており、ス
ズ合金の例として、スズ−銀合金が記載されている。
は、有機酸又は無機酸、チオ尿素、チオ尿素誘導体、エ
チレンジアミン誘導体等の錯化剤、及びリン化合物を含
む各種の無電解スズ合金めっき浴が開示されており、ス
ズ合金の例として、スズ−銀合金が記載されている。
【０００６】しかしながら、これらの無電解錫−銀合金
めっき浴は、浴安定性が不十分であり、放置により錫ま
たは銀の沈殿を生じるという欠点があり、長期使用がで
きないために実用化の大きな妨げとなっている。
めっき浴は、浴安定性が不十分であり、放置により錫ま
たは銀の沈殿を生じるという欠点があり、長期使用がで
きないために実用化の大きな妨げとなっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
浴安定性が良好であり、しかも優れた特性の錫−銀合金
めっき皮膜を形成できる置換型の無電解錫−銀合金めっ
き浴を提供することである。
浴安定性が良好であり、しかも優れた特性の錫−銀合金
めっき皮膜を形成できる置換型の無電解錫−銀合金めっ
き浴を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の如き
従来技術の問題点を解決するために、鋭意研究を重ねて
きた。その結果、２価の水溶性錫化合物と水溶性銀化合
物を含み、更に、分子内に２個のモノスルフィド基を有
する水溶性含硫黄有機化合物と次亜リン酸化合物を配合
したｐＨ７以下の水溶液からなる置換型無電解錫−銀合
金めっき液は、浴安定性が非常に良好であり、形成され
るめっき皮膜は優れた特性を有するものとなることを見
出し、ここに本発明を完成するに至った。
従来技術の問題点を解決するために、鋭意研究を重ねて
きた。その結果、２価の水溶性錫化合物と水溶性銀化合
物を含み、更に、分子内に２個のモノスルフィド基を有
する水溶性含硫黄有機化合物と次亜リン酸化合物を配合
したｐＨ７以下の水溶液からなる置換型無電解錫−銀合
金めっき液は、浴安定性が非常に良好であり、形成され
るめっき皮膜は優れた特性を有するものとなることを見
出し、ここに本発明を完成するに至った。
【０００９】即ち、本発明は、下記の置換型無電解錫−
銀合金めっき液、無電解錫−銀合金めっき方法、及びめ
っき処理品を提供するものである。 １．（ｉ）２価の水溶性錫化合物、（ii）水溶性銀化合
物、（iii）分子内に２個のモノスルフィド基を有する
水溶性含硫黄有機化合物、及び（iv）次亜リン酸化合物
を含有するｐＨ７以下の水溶液からなる置換型無電解錫
−銀合金めっき液。 ２．分子内に２個のモノスルフィド基を有する水溶性含
硫黄有機化合物が、分子内に水酸基、カルボキシル基、
スルホン酸基、アミノ基、ホスホン基およびメルカプト
基から選ばれた少なくとも１種の水溶性基を有し、２個
のモノスルフィド基の間に炭素数１〜８個の２価の炭化
水素基が存在する化合物、および該化合物の塩から選ば
れた少なくとも１種である上記項１に記載の無電解錫−
銀合金めっき液。 ３．２価の水溶性錫化合物を、錫金属量として１〜５０
ｇ／ｌ含有し、水溶性銀化合物を、銀金属量として０．
００１〜１０ｇ／ｌ含有し、分子内に２個のモノスルフ
ィド基を有する水溶性含硫黄有機化合物を０．１〜１５
０ｇ／ｌ含有し、次亜リン酸化合物を５〜１３０ｇ／ｌ
含有する水溶液からなる上記項１又は２に記載の無電解
錫−銀合金めっき液。 ４．ホウフッ化水素酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸、ｐ−フェノールスルホン酸、酒石酸、グ
ルコン酸及びクエン酸から選ばれた少なくとも一種の酸
を１〜４００ｇ／ｌ含有する上記項１〜３のいずれかに
記載の無電解錫−銀合金めっき液。 ５．チオ尿素類を１〜１５０ｇ／ｌ含有する上記項１〜
４のいずれかに記載の無電解錫−銀合金めっき液。 ６．浴温１０〜８０℃の上記項１〜５のいずれかに記載
の置換型無電解錫−銀合金めっき液に、被めっき物を浸
漬することを特徴とする無電解錫−銀合金めっき方法。 ７．上記項６の方法で錫−銀合金めっき皮膜が形成され
ためっき処理品。
銀合金めっき液、無電解錫−銀合金めっき方法、及びめ
っき処理品を提供するものである。 １．（ｉ）２価の水溶性錫化合物、（ii）水溶性銀化合
物、（iii）分子内に２個のモノスルフィド基を有する
水溶性含硫黄有機化合物、及び（iv）次亜リン酸化合物
を含有するｐＨ７以下の水溶液からなる置換型無電解錫
−銀合金めっき液。 ２．分子内に２個のモノスルフィド基を有する水溶性含
硫黄有機化合物が、分子内に水酸基、カルボキシル基、
スルホン酸基、アミノ基、ホスホン基およびメルカプト
基から選ばれた少なくとも１種の水溶性基を有し、２個
のモノスルフィド基の間に炭素数１〜８個の２価の炭化
水素基が存在する化合物、および該化合物の塩から選ば
れた少なくとも１種である上記項１に記載の無電解錫−
銀合金めっき液。 ３．２価の水溶性錫化合物を、錫金属量として１〜５０
ｇ／ｌ含有し、水溶性銀化合物を、銀金属量として０．
００１〜１０ｇ／ｌ含有し、分子内に２個のモノスルフ
ィド基を有する水溶性含硫黄有機化合物を０．１〜１５
０ｇ／ｌ含有し、次亜リン酸化合物を５〜１３０ｇ／ｌ
含有する水溶液からなる上記項１又は２に記載の無電解
錫−銀合金めっき液。 ４．ホウフッ化水素酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエ
ンスルホン酸、ｐ−フェノールスルホン酸、酒石酸、グ
ルコン酸及びクエン酸から選ばれた少なくとも一種の酸
を１〜４００ｇ／ｌ含有する上記項１〜３のいずれかに
記載の無電解錫−銀合金めっき液。 ５．チオ尿素類を１〜１５０ｇ／ｌ含有する上記項１〜
４のいずれかに記載の無電解錫−銀合金めっき液。 ６．浴温１０〜８０℃の上記項１〜５のいずれかに記載
の置換型無電解錫−銀合金めっき液に、被めっき物を浸
漬することを特徴とする無電解錫−銀合金めっき方法。 ７．上記項６の方法で錫−銀合金めっき皮膜が形成され
ためっき処理品。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の無電解錫−銀合金めっき
液は、必須成分として、（ｉ）２価の水溶性錫化合物、
（ii）水溶性銀化合物、（iii）分子内に２個のモノス
ルフィド基を有する水溶性含硫黄有機化合物、及び（i
v）次亜リン酸化合物を含有する水溶液である。
液は、必須成分として、（ｉ）２価の水溶性錫化合物、
（ii）水溶性銀化合物、（iii）分子内に２個のモノス
ルフィド基を有する水溶性含硫黄有機化合物、及び（i
v）次亜リン酸化合物を含有する水溶液である。
【００１１】２価の水溶性錫化合物としては、所定のｐ
Ｈ範囲に調整した本発明のめっき液に可溶な錫化合物で
あれば、特に限定なく使用できる。特に、酸化錫、硫酸
錫、塩化錫、ホウフッ化錫、メタンスルホン酸錫等は溶
解性が良好である点で好ましい。又、ｐＨ調整のために
酸を添加する場合には、ｐＨ調整に用いる酸と同種のア
ニオン部分を有する錫塩を使用すると、余分なアニオン
成分の蓄積を防止できる。水溶性錫化合物は、１種単独
又は２種以上混合して用いることができる。
Ｈ範囲に調整した本発明のめっき液に可溶な錫化合物で
あれば、特に限定なく使用できる。特に、酸化錫、硫酸
錫、塩化錫、ホウフッ化錫、メタンスルホン酸錫等は溶
解性が良好である点で好ましい。又、ｐＨ調整のために
酸を添加する場合には、ｐＨ調整に用いる酸と同種のア
ニオン部分を有する錫塩を使用すると、余分なアニオン
成分の蓄積を防止できる。水溶性錫化合物は、１種単独
又は２種以上混合して用いることができる。
【００１２】水溶性錫化合物の配合量は、錫金属量とし
て１〜５０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、５〜２０
ｇ／ｌ程度とすることがより好ましい。錫金属量が上記
範囲にある場合には実用的に十分な析出速度となり、め
っき浴の安定性も良好となる。錫金属量が不足すると析
出速度が低下するので好ましくない。錫化合物量が上記
範囲を上回ってもめっき性能上の問題はないが、汲み出
し量が増加するので、経済的に好ましくない。
て１〜５０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、５〜２０
ｇ／ｌ程度とすることがより好ましい。錫金属量が上記
範囲にある場合には実用的に十分な析出速度となり、め
っき浴の安定性も良好となる。錫金属量が不足すると析
出速度が低下するので好ましくない。錫化合物量が上記
範囲を上回ってもめっき性能上の問題はないが、汲み出
し量が増加するので、経済的に好ましくない。
【００１３】水溶性銀化合物としては、所定のｐＨ範囲
に調整した本発明のめっき液に可溶な１価の銀化合物で
あれば特に限定なく使用できる。例えば、酸化銀の他、
各種の有機酸、無機酸等の銀塩を用いることができる。
特に、酸化銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸銀等は溶解性が良
好である点で好ましい。又、ｐＨ調整のために酸を添加
する場合には、ｐＨ調整に用いる酸と同種のアニオン部
分を有する銀塩を使用すると、余分なアニオン成分の蓄
積を防止できる。水溶性銀化合物は、１種単独又は２種
以上混合して用いることができる。
に調整した本発明のめっき液に可溶な１価の銀化合物で
あれば特に限定なく使用できる。例えば、酸化銀の他、
各種の有機酸、無機酸等の銀塩を用いることができる。
特に、酸化銀、硫酸銀、塩化銀、硝酸銀等は溶解性が良
好である点で好ましい。又、ｐＨ調整のために酸を添加
する場合には、ｐＨ調整に用いる酸と同種のアニオン部
分を有する銀塩を使用すると、余分なアニオン成分の蓄
積を防止できる。水溶性銀化合物は、１種単独又は２種
以上混合して用いることができる。
【００１４】水溶性銀化合物の配合量は、銀金属量とし
て０．００１〜１０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、
０．０１〜５ｇ／ｌとすることがより好ましい。銀金属
量が上記範囲にある場合には、密着性、外観等の良好な
皮膜が得られ、安定した合金組成の皮膜を連続的に形成
することができる。銀金属量が少なすぎる場合には、連
続的に使用した場合に、浴中の銀濃度の変動が大きくな
り、浴の管理が煩雑になるので好ましくない。また、銀
化合物量が多くなりすぎると、形成される皮膜の密着性
が低下するので好ましくない。
て０．００１〜１０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、
０．０１〜５ｇ／ｌとすることがより好ましい。銀金属
量が上記範囲にある場合には、密着性、外観等の良好な
皮膜が得られ、安定した合金組成の皮膜を連続的に形成
することができる。銀金属量が少なすぎる場合には、連
続的に使用した場合に、浴中の銀濃度の変動が大きくな
り、浴の管理が煩雑になるので好ましくない。また、銀
化合物量が多くなりすぎると、形成される皮膜の密着性
が低下するので好ましくない。
【００１５】本発明のめっき液では、形成されるめっき
皮膜の合金組成は、ほぼ浴中の金属濃度比と一致するの
で、目的とする合金組成に応じて、めっき液中の錫化合
物と銀化合物の割合を決めればよい。
皮膜の合金組成は、ほぼ浴中の金属濃度比と一致するの
で、目的とする合金組成に応じて、めっき液中の錫化合
物と銀化合物の割合を決めればよい。
【００１６】分子内に２個のモノスルフィド基を有する
水溶性含硫黄有機化合物としては、分子内に２個のモノ
スルフィド基を有するとともに、分子内に水酸基、カル
ボキシル基、スルホン酸基、アミノ基、ホスホン酸基お
よびメルカプト基から選ばれた少なくとも１種の水溶性
基を有し、２個のモノスルフィド基の間に炭素数１〜８
個の２価の炭化水素基が存在する化合物、該化合物のア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩等が好ましい。水溶性基
は、分子内に１個以上存在すれば良いが、２個以上存在
することが好ましい。該水溶性含硫黄有機化合物は、１
種単独又は２種以上混合して用いることができる。
水溶性含硫黄有機化合物としては、分子内に２個のモノ
スルフィド基を有するとともに、分子内に水酸基、カル
ボキシル基、スルホン酸基、アミノ基、ホスホン酸基お
よびメルカプト基から選ばれた少なくとも１種の水溶性
基を有し、２個のモノスルフィド基の間に炭素数１〜８
個の２価の炭化水素基が存在する化合物、該化合物のア
ルカリ金属塩、アンモニウム塩等が好ましい。水溶性基
は、分子内に１個以上存在すれば良いが、２個以上存在
することが好ましい。該水溶性含硫黄有機化合物は、１
種単独又は２種以上混合して用いることができる。
【００１７】該水溶性含硫黄化合物の好ましい例として
は、下記一般式で表される化合物、その塩等を挙げるこ
とができる。
は、下記一般式で表される化合物、その塩等を挙げるこ
とができる。
【００１８】Ｘ−Ｒ1−Ｓ−Ｒ2−Ｓ−Ｒ3−Ｙ （式中、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、同一又は異なって、そ
れぞれ、炭素数１〜８の直鎖又は分岐鎖状のアルキレン
基、ＸおよびＹは、同一又は異なって、水酸基、カルボ
キシル基、スルホン酸基、アミノ基、ホスホン酸基又は
メルカプト基である） 該水溶性含硫黄有機化合物の具体例としては、１，２−
ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）エタン、２，２’−
（エチレンジチオ）ジエタンチオール、１，４−ビス
（２−ヒドロキシエチルチオ）ブタン、３，３’−（プ
ロピレンジチオ）ジプロピオン酸、これらの化合物の塩
（アルカリ金属塩、アンモニウム塩）等を挙げることが
できる。
れぞれ、炭素数１〜８の直鎖又は分岐鎖状のアルキレン
基、ＸおよびＹは、同一又は異なって、水酸基、カルボ
キシル基、スルホン酸基、アミノ基、ホスホン酸基又は
メルカプト基である） 該水溶性含硫黄有機化合物の具体例としては、１，２−
ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）エタン、２，２’−
（エチレンジチオ）ジエタンチオール、１，４−ビス
（２−ヒドロキシエチルチオ）ブタン、３，３’−（プ
ロピレンジチオ）ジプロピオン酸、これらの化合物の塩
（アルカリ金属塩、アンモニウム塩）等を挙げることが
できる。
【００１９】該水溶性含硫黄有機化合物の配合量は、
０．１〜１５０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、５〜
８０ｇ／ｌ程度とすることがより好ましい。該水溶性含
硫黄有機化合物を配合することによって、めっき液が長
期に亘って安定となり、しかも密着性、外観等の良好な
錫−銀合金皮膜を形成することができる。該水溶性含硫
黄有機化合物の配合量が不足すると、浴安定性を長期間
維持することが困難になるので好ましくない。一方、硫
黄有機化合物の配合量が上記範囲を上回ってもめっき性
能上の問題はないが、めっき液の持ち出しが増大するの
で、経済的に好ましくない。
０．１〜１５０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、５〜
８０ｇ／ｌ程度とすることがより好ましい。該水溶性含
硫黄有機化合物を配合することによって、めっき液が長
期に亘って安定となり、しかも密着性、外観等の良好な
錫−銀合金皮膜を形成することができる。該水溶性含硫
黄有機化合物の配合量が不足すると、浴安定性を長期間
維持することが困難になるので好ましくない。一方、硫
黄有機化合物の配合量が上記範囲を上回ってもめっき性
能上の問題はないが、めっき液の持ち出しが増大するの
で、経済的に好ましくない。
【００２０】本発明のめっき液に配合する次亜リン酸化
合物としては、次亜リン酸の他に、次亜リン酸ナトリウ
ム、次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩を用いること
ができる。次亜リン酸化合物は、一種単独又は二種以上
混合して用いることができる。次亜リン酸化合物を配合
することによって、めっき液の安定性をより向上させる
ことができる。次亜リン酸化合物の配合量は、５〜１３
０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、２０〜８０ｇ／ｌ
程度とすることがより好ましい。
合物としては、次亜リン酸の他に、次亜リン酸ナトリウ
ム、次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸塩を用いること
ができる。次亜リン酸化合物は、一種単独又は二種以上
混合して用いることができる。次亜リン酸化合物を配合
することによって、めっき液の安定性をより向上させる
ことができる。次亜リン酸化合物の配合量は、５〜１３
０ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、２０〜８０ｇ／ｌ
程度とすることがより好ましい。
【００２１】本発明のめっき液は、ｐＨ７以下とするこ
とが必要である。ｐＨがこれを上回ると、めっき液の安
定性が低下するので好ましくない。ｐＨ調整は、必要に
応じて、有機スルホン酸、カルボン酸等の有機酸、硫
酸、硝酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸を用いて行えば
よい。有機スルホン酸としては、メタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンス
ルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、
ペンタンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸、２−
ヒドロキシエタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシプ
ロパン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−
スルホン酸、２−ヒドロキシペンタンスルホン酸、ｐ−
トルエンスルホン酸、ｐ−フェノールスルホン酸等を用
いることができる。有機カルボン酸としては、酒石酸、
リンゴ酸、クエン酸、コハク酸、グルコン酸等を用いる
ことができる。
とが必要である。ｐＨがこれを上回ると、めっき液の安
定性が低下するので好ましくない。ｐＨ調整は、必要に
応じて、有機スルホン酸、カルボン酸等の有機酸、硫
酸、硝酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸を用いて行えば
よい。有機スルホン酸としては、メタンスルホン酸、エ
タンスルホン酸、プロパンスルホン酸、２−プロパンス
ルホン酸、ブタンスルホン酸、２−ブタンスルホン酸、
ペンタンスルホン酸、クロルプロパンスルホン酸、２−
ヒドロキシエタン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシプ
ロパン−１−スルホン酸、２−ヒドロキシブタン−１−
スルホン酸、２−ヒドロキシペンタンスルホン酸、ｐ−
トルエンスルホン酸、ｐ−フェノールスルホン酸等を用
いることができる。有機カルボン酸としては、酒石酸、
リンゴ酸、クエン酸、コハク酸、グルコン酸等を用いる
ことができる。
【００２２】これらの酸は一種単独又は二種以上混合し
て用いることができ、その使用量は、めっき液のｐＨが
７以下となる量とすればよい。ｐＨの下限値について
は、特に限定はないが、酸の添加量が過剰になると、液
の持ち出しの点で経済的に好ましくない。このため、酸
の添加量は、４００ｇ／ｌ程度以下とすることが好まし
く、２００ｇ／ｌ程度以下とすることがより好ましい。
て用いることができ、その使用量は、めっき液のｐＨが
７以下となる量とすればよい。ｐＨの下限値について
は、特に限定はないが、酸の添加量が過剰になると、液
の持ち出しの点で経済的に好ましくない。このため、酸
の添加量は、４００ｇ／ｌ程度以下とすることが好まし
く、２００ｇ／ｌ程度以下とすることがより好ましい。
【００２３】上記した酸の内で、特に、ホウフッ化水素
酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−
フェノールスルホン酸、酒石酸、グルコン酸、クエン酸
等を配合する場合には、めっき液の安定性をより向上さ
せることができる。この様な効果を発揮させるために
は、これらの酸の配合量は、１〜４００ｇ／ｌ程度とす
ることが好ましく、５０〜２００ｇ／ｌ程度とすること
がより好ましい。
酸、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−
フェノールスルホン酸、酒石酸、グルコン酸、クエン酸
等を配合する場合には、めっき液の安定性をより向上さ
せることができる。この様な効果を発揮させるために
は、これらの酸の配合量は、１〜４００ｇ／ｌ程度とす
ることが好ましく、５０〜２００ｇ／ｌ程度とすること
がより好ましい。
【００２４】めっき液のｐＨを上げる場合には、水酸化
アルカリ、アンモニア水等を使用すればよい。
アルカリ、アンモニア水等を使用すればよい。
【００２５】本発明の無電解錫−銀合金めっき液には、
更に、必要に応じて、チオ尿素類を添加することができ
る。チオ尿素類を添加することによって、析出速度が向
上し、厚付けが可能となる。
更に、必要に応じて、チオ尿素類を添加することができ
る。チオ尿素類を添加することによって、析出速度が向
上し、厚付けが可能となる。
【００２６】チオ尿素類としては、チオ尿素の他に、
１，３−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、テト
ラメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’−ジイ
ソプロピルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿
素、エチレンチオ尿素、１，３−ジフェニルチオ尿素、
二酸化チオ尿素、チオセミカルバジド等を使用できる。
１，３−ジメチルチオ尿素、トリメチルチオ尿素、テト
ラメチルチオ尿素、ジエチルチオ尿素、Ｎ，Ｎ’−ジイ
ソプロピルチオ尿素、アリルチオ尿素、アセチルチオ尿
素、エチレンチオ尿素、１，３−ジフェニルチオ尿素、
二酸化チオ尿素、チオセミカルバジド等を使用できる。
【００２７】チオ尿素類は、１種又は２種以上混合して
使用することができ、その使用量は、１〜１５０ｇ／ｌ
程度とすることが好ましく、５〜１２０ｇ／ｌ程度とす
ることがより好ましい。
使用することができ、その使用量は、１〜１５０ｇ／ｌ
程度とすることが好ましく、５〜１２０ｇ／ｌ程度とす
ることがより好ましい。
【００２８】本発明の無電解錫−銀合金めっき液には、
更に、必要に応じて、ｐＨ緩衝剤、界面活性剤等の各種
の添加剤を配合することができる。ｐＨ緩衝剤として
は、例えば、ホウ酸、ホスフィン酸、ホスホン酸、リン
酸、２−リン酸、トリポリリン酸、酢酸、クエン酸、酒
石酸等のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等
や塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム等を、一種単独
又は二種以上混合して用いることができる。ｐＨ緩衝剤
の添加量については、特に限定はないが、通常、１〜１
００ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、１０〜５０ｇ／
ｌ程度とすることがより好ましい。
更に、必要に応じて、ｐＨ緩衝剤、界面活性剤等の各種
の添加剤を配合することができる。ｐＨ緩衝剤として
は、例えば、ホウ酸、ホスフィン酸、ホスホン酸、リン
酸、２−リン酸、トリポリリン酸、酢酸、クエン酸、酒
石酸等のナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩等
や塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム等を、一種単独
又は二種以上混合して用いることができる。ｐＨ緩衝剤
の添加量については、特に限定はないが、通常、１〜１
００ｇ／ｌ程度とすることが好ましく、１０〜５０ｇ／
ｌ程度とすることがより好ましい。
【００２９】界面活性剤としては、ノニオン系界面活性
剤、両性界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン
系界面活性剤をいずれも使用できるが、特に、ノニオン
系界面活性剤が好ましい。ノニオン系界面活性剤の具体
例としては、ノニルフェノールポリアルコキシレート、
α−（又はβ−）ナフトールポリアルコキシレート等を
挙げることができる。界面活性剤の添加量については、
特に限定はないが、通常、０．０１〜４０ｇ／ｌ程度と
することが好ましく、０．０５〜１０ｇ／ｌ程度とする
ことがより好ましい。
剤、両性界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン
系界面活性剤をいずれも使用できるが、特に、ノニオン
系界面活性剤が好ましい。ノニオン系界面活性剤の具体
例としては、ノニルフェノールポリアルコキシレート、
α−（又はβ−）ナフトールポリアルコキシレート等を
挙げることができる。界面活性剤の添加量については、
特に限定はないが、通常、０．０１〜４０ｇ／ｌ程度と
することが好ましく、０．０５〜１０ｇ／ｌ程度とする
ことがより好ましい。
【００３０】本発明の置換型無電解錫−銀合金めっき液
を用いてめっきを行うには、ｐＨ７以下に調整しためっ
き液中に、必要に応じてめっき液を攪拌しながら、被め
っき物を浸漬すればよい。めっき液の液温は、１０〜８
０℃程度の範囲とすることが好ましい。めっき時間につ
いては、特に限定はなく、必要な膜厚のめっき皮膜が析
出するまで被めっき物をめっき液中に浸漬すればよく、
通常、１分〜３０分程度の範囲のめっき時間とすればよ
い。又、被めっき物にめっき液を吹き付ける方法によっ
てもめっき皮膜を形成することが可能である。
を用いてめっきを行うには、ｐＨ７以下に調整しためっ
き液中に、必要に応じてめっき液を攪拌しながら、被め
っき物を浸漬すればよい。めっき液の液温は、１０〜８
０℃程度の範囲とすることが好ましい。めっき時間につ
いては、特に限定はなく、必要な膜厚のめっき皮膜が析
出するまで被めっき物をめっき液中に浸漬すればよく、
通常、１分〜３０分程度の範囲のめっき時間とすればよ
い。又、被めっき物にめっき液を吹き付ける方法によっ
てもめっき皮膜を形成することが可能である。
【００３１】被めっき物としては、本発明のめっき液中
で錫−銀合金の置換析出が可能な材料であればよく、例
えば銅、銅合金等の部分を含む各種物品にめっきを行う
ことができる。被めっき物の形状については、特に限定
はなく、例えば、板状、粉状等の各種の形状の物品にめ
っきを行うことができる。
で錫−銀合金の置換析出が可能な材料であればよく、例
えば銅、銅合金等の部分を含む各種物品にめっきを行う
ことができる。被めっき物の形状については、特に限定
はなく、例えば、板状、粉状等の各種の形状の物品にめ
っきを行うことができる。
【００３２】本発明のめっき液を用いて、銅、銅合金等
を使用したプリント基板へめっき皮膜を形成する場合に
は、レジストの密着性を損なうことなく、パターン析出
性に優れためっき皮膜を形成できる。
を使用したプリント基板へめっき皮膜を形成する場合に
は、レジストの密着性を損なうことなく、パターン析出
性に優れためっき皮膜を形成できる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の置換型無電解錫−銀合金めっき
液は、浴安定性が良好であり、適度な析出速度を有し、
厚付が可能である。そして、該めっき液を用いて形成さ
れる錫−銀合金めっき皮膜は、緻密でパターン析出性に
優れており、密着性、耐食性、電気特性等も良好であ
る。
液は、浴安定性が良好であり、適度な析出速度を有し、
厚付が可能である。そして、該めっき液を用いて形成さ
れる錫−銀合金めっき皮膜は、緻密でパターン析出性に
優れており、密着性、耐食性、電気特性等も良好であ
る。
【００３４】
【実施例】次に、実施例および比較例により本発明を具
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）下記組成の無電解錫−銀合金めっき浴１リ
ットルを調製した。
体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定される
ものではない。 （実施例１）下記組成の無電解錫−銀合金めっき浴１リ
ットルを調製した。
【００３５】 メタンスルホン酸錫 １０ｇ／ｌ（錫として） メタンスルホン酸銀 ０．３ｇ／ｌ（銀として） メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ １，４−ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）エタン ２５ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ４０ｇ／ｌ ｐＨ ０．５ 浴温 ４０℃ 被めっき物として圧延銅板（表面積０．５ｄｍ2）を用
い、これを脱脂処理した後、上記無電解錫−銀合金めっ
き液に浸漬し、揺動装置を用いて１ｍ／分の速度で被め
っき物を動かしながら２０分間めっきを行った。
い、これを脱脂処理した後、上記無電解錫−銀合金めっ
き液に浸漬し、揺動装置を用いて１ｍ／分の速度で被め
っき物を動かしながら２０分間めっきを行った。
【００３６】形成されためっき皮膜について、下記の方
法で外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組
成を評価した。結果を下記表１に示す。めっき皮膜評価方法 ＊外観：目視により評価した。 ＊めっき皮膜の密着性：１×１ｃｍの広さのめっき面
に、カッターナイフを用いて１ｍｍ間隔で縦横に切れ目
を入れて１００個の升目を作り、この面に粘着テープを
貼り付けて、勢いよく引き剥がして、剥離した升目の個
数を求めた。 ＊膜厚及び合金組成：めっき皮膜を硝酸で溶解し、ＩＣ
Ｐ発光分光分析装置（セイコー電子工業(株)社製ＳＰＳ
４０００）を用いて測定した。 （実施例２）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表１に示す。
法で外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組
成を評価した。結果を下記表１に示す。めっき皮膜評価方法 ＊外観：目視により評価した。 ＊めっき皮膜の密着性：１×１ｃｍの広さのめっき面
に、カッターナイフを用いて１ｍｍ間隔で縦横に切れ目
を入れて１００個の升目を作り、この面に粘着テープを
貼り付けて、勢いよく引き剥がして、剥離した升目の個
数を求めた。 ＊膜厚及び合金組成：めっき皮膜を硝酸で溶解し、ＩＣ
Ｐ発光分光分析装置（セイコー電子工業(株)社製ＳＰＳ
４０００）を用いて測定した。 （実施例２）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表１に示す。
【００３７】ホウフッ化錫
２０ｇ／ｌ（錫として） 酸化銀 ３ｇ／ｌ（銀として） ホウフッ化水素酸 ７０ｇ／ｌ ｐ−フェノールスルホン酸 ３０ｇ／ｌ １，４−ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）ブタン ４０ｇ／ｌ 次亜リン酸カリウム ５０ｇ／ｌ ｐＨ ３．０（ＫＯＨで調整） 浴温 ２５℃ （実施例３）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表１に示す。
２０ｇ／ｌ（錫として） 酸化銀 ３ｇ／ｌ（銀として） ホウフッ化水素酸 ７０ｇ／ｌ ｐ−フェノールスルホン酸 ３０ｇ／ｌ １，４−ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）ブタン ４０ｇ／ｌ 次亜リン酸カリウム ５０ｇ／ｌ ｐＨ ３．０（ＫＯＨで調整） 浴温 ２５℃ （実施例３）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表１に示す。
【００３８】 酸化錫 ５ｇ／ｌ（錫として） 酸化銀 ３ｇ／ｌ（銀として） ｐ−トルエンスルホン酸 ３０ｇ／ｌ 酒石酸 ５０ｇ／ｌ ２，２’−（エチレンジチオ）ジエタンチオール ４５ｇ／ｌ 次亜リン酸 ３５ｇ／ｌ ｐＨ ６．５（ＮａＯＨで調整） 浴温 ７０℃ （実施例４）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表１に示す。
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表１に示す。
【００３９】 メタンスルホン酸錫 １０ｇ／ｌ（錫として） メタンスルホン酸銀 ０．３ｇ／ｌ（銀として） メタンスルホン酸 １００ｇ／ｌ １，４−ビス（２−ヒドロキシエチルチオ）エタン ２５ｇ／ｌ ２，２’−（エチレンジチオ）ジエタンチオール ５ｇ／ｌ 次亜リン酸ナトリウム ４０ｇ／ｌ チオ尿素 ２０ｇ／ｌ β−ナフトールポリエトキシレート（ＥＯ１５） ０．５ｇ／ｌ ｐＨ ０．５ 浴温 ４０℃ （比較例１）下記組成の無電解錫−合金銀めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表２に示す。
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表２に示す。
【００４０】 メタンスルホン酸錫 １０ｇ／ｌ（錫として） メタンスルホン酸銀 ０．３ｇ／ｌ（銀として） チオ尿素 ２０ｇ／ｌ ｐＨ ５．０ 浴温 ６０℃ （比較例２）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表２に示す。
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表２に示す。
【００４１】 ２−ヒドロキシプロパノールスルホン酸錫 ２０ｇ／ｌ（錫として） クエン酸銀 １ｇ／ｌ（銀として） ヨウ化カリ ８０ｇ／ｌ スルホコハク酸 １００ｇ／ｌ ピロリン酸 １２０ｇ／ｌ リン酸水素２アンモニウム ５ｇ／ｌ ｐＨ ４．０（ＮａＯＨで調整） 浴温 ９０℃ （比較例３）下記組成の無電解錫−銀合金めっき液を用
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表２に示す。
いる他は、実施例１と同様にしてめっき皮膜を形成し、
外観、めっき皮膜の密着性、めっき膜厚及び合金組成を
評価した。結果を下記表２に示す。
【００４２】 塩化錫 ５ｇ／ｌ（錫として） 塩化銀 ３ｇ／ｌ（銀として） チオ硫酸ナトリウム ８０ｇ／ｌ グリコール酸 １５ｇ／ｌ グリオキシル酸 ５ｇ／ｌ β−ナフトールポリエトキシレート（ＥＯ１５） ０．５ｇ／ｌ 硝酸アンモニウム ２０ｇ／ｌ ｐＨ １．０ 浴温 ７０℃
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】以上の結果から明らかなように、実施例１
〜４のめっき液を用いて、置換めっきを行うことによっ
て、外観および密着性に優れた錫−銀合金めっき皮膜を
形成できた。得られた皮膜の合金組成はほぼ浴中金属濃
度と一致しており、めっき浴中で錫および銀が安定に存
在しているものと考えられる。
〜４のめっき液を用いて、置換めっきを行うことによっ
て、外観および密着性に優れた錫−銀合金めっき皮膜を
形成できた。得られた皮膜の合金組成はほぼ浴中金属濃
度と一致しており、めっき浴中で錫および銀が安定に存
在しているものと考えられる。
【００４６】これに対して、比較例１〜３のめっき液を
用いる場合には、得られた皮膜は黒みを帯びており、ム
ラが認められ、ムラの発生した箇所は一部剥離が認めら
れた。合金組成についても、浴中濃度以上に銀が優先析
出する傾向が認められた。保存試験 実施例１〜４及び比較例１〜３で用いた各めっき液を室
温で４週間放置後、各実施例及び比較例と同様の方法で
めっき試験を行った。
用いる場合には、得られた皮膜は黒みを帯びており、ム
ラが認められ、ムラの発生した箇所は一部剥離が認めら
れた。合金組成についても、浴中濃度以上に銀が優先析
出する傾向が認められた。保存試験 実施例１〜４及び比較例１〜３で用いた各めっき液を室
温で４週間放置後、各実施例及び比較例と同様の方法で
めっき試験を行った。
【００４７】その結果、実施例１〜４のめっき液につい
ては、いずれも、沈殿の発生は認められず、めっき試験
結果は、建浴時と同等であった。
ては、いずれも、沈殿の発生は認められず、めっき試験
結果は、建浴時と同等であった。
【００４８】一方、比較例１〜３のめっき液について
は、めっき液に濁りが認められ、各めっき液を濾過し、
同様のめっき試験を行ったが、析出速度は建浴時の約５
０％程度まで低下していた。以上の結果から判るよう
に、本発明の置換型無電解錫−銀合金めっき液は、長期
間放置した場合にも沈殿の発生はなく、浴安定性が良好
であり、外観、密着性等に優れた錫−銀合金めっき皮膜
を形成できる。
は、めっき液に濁りが認められ、各めっき液を濾過し、
同様のめっき試験を行ったが、析出速度は建浴時の約５
０％程度まで低下していた。以上の結果から判るよう
に、本発明の置換型無電解錫−銀合金めっき液は、長期
間放置した場合にも沈殿の発生はなく、浴安定性が良好
であり、外観、密着性等に優れた錫−銀合金めっき皮膜
を形成できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 靖博 大阪府大阪市鶴見区放出東１丁目10番25号 奥野製薬工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4K022 AA02 AA42 BA01 BA21 BA32 DA03 DB01 DB02 DB03 DB04 DB07 DB08
Claims (7)
- 【請求項１】（ｉ）２価の水溶性錫化合物、（ii）水溶
性銀化合物、（iii）分子内に２個のモノスルフィド基
を有する水溶性含硫黄有機化合物、及び（iv）次亜リン
酸化合物を含有するｐＨ７以下の水溶液からなる置換型
無電解錫−銀合金めっき液。 - 【請求項２】分子内に２個のモノスルフィド基を有する
水溶性含硫黄有機化合物が、分子内に水酸基、カルボキ
シル基、スルホン酸基、アミノ基、ホスホン基およびメ
ルカプト基から選ばれた少なくとも１種の水溶性基を有
し、２個のモノスルフィド基の間に炭素数１〜８個の２
価の炭化水素基が存在する化合物、および該化合物の塩
から選ばれた少なくとも１種である請求項１に記載の無
電解錫−銀合金めっき液。 - 【請求項３】２価の水溶性錫化合物を、錫金属量として
１〜５０ｇ／ｌ含有し、水溶性銀化合物を、銀金属量と
して０．００１〜１０ｇ／ｌ含有し、分子内に２個のモ
ノスルフィド基を有する水溶性含硫黄有機化合物を０．
１〜１５０ｇ／ｌ含有し、次亜リン酸化合物を５〜１３
０ｇ／ｌ含有する水溶液からなる請求項１又は２に記載
の無電解錫−銀合金めっき液。 - 【請求項４】ホウフッ化水素酸、メタンスルホン酸、ｐ
−トルエンスルホン酸、ｐ−フェノールスルホン酸、酒
石酸、グルコン酸及びクエン酸から選ばれた少なくとも
一種の酸を１〜４００ｇ／ｌ含有する請求項１〜３のい
ずれかに記載の無電解錫−銀合金めっき液。 - 【請求項５】チオ尿素類を１〜１５０ｇ／ｌ含有する請
求項１〜４のいずれかに記載の無電解錫−銀合金めっき
液。 - 【請求項６】浴温１０〜８０℃の請求項１〜５のいずれ
かに記載の置換型無電解錫−銀合金めっき液に、被めっ
き物を浸漬することを特徴とする無電解錫−銀合金めっ
き方法。 - 【請求項７】請求項６の方法で錫−銀合金めっき皮膜が
形成されためっき処理品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116852A JP2000309876A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 置換型無電解錫−銀合金めっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11116852A JP2000309876A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 置換型無電解錫−銀合金めっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000309876A true JP2000309876A (ja) | 2000-11-07 |
Family
ID=14697229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11116852A Pending JP2000309876A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 置換型無電解錫−銀合金めっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000309876A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002088481A (ja) * | 2000-09-14 | 2002-03-27 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解スズ−銀合金メッキ浴 |
| JP2002356783A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Ishihara Chem Co Ltd | 無電解銀メッキ浴 |
| JP2008174817A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | C Uyemura & Co Ltd | 置換錫合金めっき皮膜の形成方法、置換錫合金めっき浴及びめっき性能の維持方法 |
| WO2009054420A1 (ja) * | 2007-10-22 | 2009-04-30 | National Institute For Materials Science | 合金皮膜の無電解めっき方法およびめっき液 |
| JP2013502512A (ja) * | 2009-08-24 | 2013-01-24 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング | 錫及び錫合金の無電解めっき法 |
| WO2011056698A3 (en) * | 2009-10-28 | 2013-04-18 | Enthone Inc. | Immersion tin silver plating in electronics manufacture |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11116852A patent/JP2000309876A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP2213766A4 (en) * | 2007-10-22 | 2014-01-22 | Nat Inst For Materials Science | AUTOCATALYTIC DEPOSITION METHOD FOR ALLOY COATING FILM AND DEPOSITION FLUID |
| JP5544617B2 (ja) * | 2007-10-22 | 2014-07-09 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 合金皮膜の無電解めっき方法およびめっき液 |
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| US9458541B2 (en) | 2009-08-24 | 2016-10-04 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for electroless plating of tin and tin alloys |
| WO2011056698A3 (en) * | 2009-10-28 | 2013-04-18 | Enthone Inc. | Immersion tin silver plating in electronics manufacture |
| US9175400B2 (en) | 2009-10-28 | 2015-11-03 | Enthone Inc. | Immersion tin silver plating in electronics manufacture |
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