WO2013136624A1 - エッチング液組成物及びエッチング方法 - Google Patents

エッチング液組成物及びエッチング方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013136624A1
WO2013136624A1 PCT/JP2012/083435 JP2012083435W WO2013136624A1 WO 2013136624 A1 WO2013136624 A1 WO 2013136624A1 JP 2012083435 W JP2012083435 W JP 2012083435W WO 2013136624 A1 WO2013136624 A1 WO 2013136624A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
etching
film
group
solution composition
etching solution
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/083435
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
雄太 田口
康太 齊藤
Original Assignee
株式会社Adeka
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社Adeka filed Critical 株式会社Adeka
Priority to JP2014504640A priority Critical patent/JP6062418B2/ja
Priority to CN201280070725.7A priority patent/CN104160486B/zh
Priority to EP12871234.6A priority patent/EP2827363A4/en
Priority to KR1020147021473A priority patent/KR102058485B1/ko
Priority to US14/371,572 priority patent/US9068267B2/en
Publication of WO2013136624A1 publication Critical patent/WO2013136624A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/18—Acidic compositions for etching copper or alloys thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
    • H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
    • H01L21/32134—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by liquid etching only
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Definitions

  • the present invention relates to an etching solution composition and an etching method using the etching solution composition, and more specifically, an etching solution composition used for collectively etching a laminated film composed of an indium oxide film and a metal film. And an etching method using the etching solution composition.
  • Patent Document 1 discloses an etching solution composition for indium-tin oxide (hereinafter sometimes abbreviated as ITO) containing ferric chloride and hydrochloric acid.
  • ITO indium-tin oxide
  • Patent Document 2 discloses an aqueous solution containing cupric ions, organic acids, halogen ions, azoles, and polyalkylene glycols as copper or copper alloy etchants. Yes.
  • polyalkylene glycol is used to suppress dissolution of the electrolytic copper plating layer and promote etching of the electroless copper plating layer which is the underlying conductive layer.
  • the etching solution disclosed above is used to form a thin line with good linearity composed of an ITO film and a copper film by collectively etching a laminated film composed of an ITO film and a copper film, etching is performed.
  • the speed cannot be controlled and a thin line with a desired width cannot be obtained, and that the thin line may meander.
  • the etching rate differs greatly between the ITO film and the copper film, so that the width of etching the ITO film in the direction parallel to the substrate surface and the width of etching the copper film in the same direction are large.
  • the present invention has been made to solve the above problems, and when a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film is collectively etched, the present invention is provided between the indium oxide-based film and the metal-based film.
  • An etching solution composition capable of performing etching with good linearity with a small width of a thin line made of an indium oxide-based coating and a metal coating without causing a large level difference, and an etching method using the etching solution composition The purpose is to provide.
  • the present inventors have found that a ferric ion component; a hydrogen chloride component; and a compound represented by the following general formula (1) and a straight chain having 1 to 4 carbon atoms
  • the etching liquid composition containing the at least 1 sort (s) or more of compound component chosen from the group which consists of branched alcohol can solve the said problem, and came to this invention:
  • R 1 and R 3 each independently represents hydrogen or a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms; R 2 represents a linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms; n represents a number of 1 to 3.
  • the present invention provides an etching solution composition for collectively etching a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film.
  • a component Ferric ion component
  • B component Hydrogen chloride component
  • C component at least one compound component selected from the group consisting of the compound represented by the above general formula (1) and a linear or branched alcohol having 1 to 4 carbon atoms (hereinafter sometimes abbreviated as “C component”).
  • An etching solution composition comprising an aqueous solution containing.
  • the present invention also provides an etching method for collectively etching a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film, characterized by using the above-mentioned etching solution composition.
  • the etching solution composition of the present invention when a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film is etched at once, a large step is not generated between the indium oxide-based film and the metal-based film.
  • the thin line of the indium oxide-based film and the metal-based film has a small width and can be etched with good linearity. Therefore, the etching solution composition of the present invention can be suitably used for an etching method used for forming a fine line by etching an ITO film and a metal film at once.
  • Evaluation is a schematic diagram showing the relationship of L 1, L 2 in the test.
  • the “indium oxide-based film” described in the present specification is not particularly limited as long as it is a film containing indium oxide.
  • indium oxide, indium-tin oxide, and indium-zinc A film made of at least one selected from oxides is generically named.
  • the “metal-based coating” described in the present specification is not particularly limited as long as it is a coating made of a metal.
  • a coating made of at least one selected from alloy coatings such as CuNi, CuNiTi, NiCr, Ag—Pd—Cu, etc. is generically named.
  • the ferric ion component used in the etching solution composition of the present invention is a component constituting the main component of the etching solution composition of the present invention.
  • the compound used as the ferric ion component is not particularly limited as long as it is a compound that can supply ferric ion.
  • iron (III) chloride, iron (III) bromide examples thereof include iron (III) iodide, iron (III) sulfate, iron (III) nitrate, and iron (III) acetate, and they may be anhydrous or hydrated. Two or more compounds that can supply the ferric ion may be used in combination.
  • the preferable (A) ferric ion concentration in the etching solution composition of the present invention may be adjusted as appropriate depending on the thickness and width of a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film as a desired material to be etched. 0.1 to 15% by mass, preferably 1 to 10% by mass. (A) If the ferric ion concentration is less than 0.1% by mass, a sufficient etching rate may not be obtained, which is not preferable. On the other hand, when (A) the ferric ion concentration is higher than 15% by mass, the compound represented by the general formula (1) may be insolubilized as the component (C). Therefore, it is not preferable.
  • the (B) hydrogen chloride component used in the etching solution composition of the present invention is a component constituting the main component of the etching solution composition of the present invention.
  • the concentration of the preferred (B) hydrogen chloride component in the etching solution composition of the present invention may be appropriately adjusted depending on the thickness and width of the laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film, which is a desired material to be etched. Is 0.1 to 25% by mass, preferably 1 to 20% by mass.
  • concentration of the hydrogen chloride component is less than 0.1% by mass, a sufficient etching rate may not be obtained, which is not preferable.
  • the concentration of the (B) hydrogen chloride component is more than 25% by mass, the etching rate is not improved, and it may cause problems such as corrosion of the apparatus members.
  • (C) used in the etching solution composition of the present invention is at least one compound selected from the group consisting of the compound represented by the above general formula (1) and a linear or branched alcohol having 1 to 4 carbon atoms.
  • a ferric ion component and (B) a hydrogen chloride component are used in combination, a multilayer film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film is collectively etched into the etching solution composition of the present invention.
  • the hydrogen represented by R 1 and R 3 or the linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is, for example, Examples thereof include hydrogen, methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, secondary butyl, tertiary butyl, isobutyl and the like.
  • the linear or branched alkylene group having 1 to 4 carbon atoms represented by R 2 include methylene , Ethylene, propylene, isopropylene, butylene, second butylene, third butylene, isobutylene and the like.
  • R 1 and R 3 hydrogen, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group and the like are preferable, and as R 2 , ethylene group, propylene group and the like are preferable.
  • Specific examples of the compound represented by the general formula (1) include, for example, ethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monoisopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, Diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoisobutyl ether, diethylene glycol monoisobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol Nopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol
  • the indium oxide-based film and the metal-based film are used. This is preferable because the level difference generated in the line is small, the narrow width of the fine line is small, and a fine line with good linearity can be obtained. Moreover, the case where dipropylene glycol monomethyl ether or isopropanol is used is particularly preferable because the effects as described above are particularly high. Further, when the etching solution composition of the present invention is used in an etching process using a resin resist, it is particularly preferable to use isopropanol because it does not affect the resin resist. Two or more kinds of the compound represented by the general formula (1) and the linear or branched alcohol having 1 to 4 carbon atoms may be used in combination.
  • R 1, R 3 and n are R 1, R 3 and as defined n in the general formula (1).
  • the preferable concentration of the component (C) in the etching solution composition of the present invention may be adjusted as appropriate depending on the thickness and width of the laminated film of the indium oxide-based film and the metal-based film, which is a desired material to be etched. 0.01 to 10% by mass, preferably 0.1 to 5% by mass. When the concentration of the component (C) is less than 0.01% by mass, the blending effect is not exhibited, which is not preferable. Even when the concentration exceeds 10% by mass, no further improvement in the blending effect is observed.
  • the etching solution composition of the present invention is blended with known additives as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the additive include an etchant composition stabilizer, a solubilizer for each component, an antifoaming agent, a pH adjuster, a specific gravity adjuster, a viscosity adjuster, a wettability improver, a chelating agent, an oxidizing agent, and a reduction agent.
  • concentration when these additives are used is generally in the range of 0.001% by mass to 10% by mass, respectively.
  • the etching rate of the etching solution composition of the present invention is too fast, it is preferable to use a reducing agent as an additive, specifically, copper chloride, ferrous chloride, copper powder, silver powder, and the like.
  • a reducing agent specifically, copper chloride, ferrous chloride, copper powder, silver powder, and the like.
  • the concentration is preferably in the range of 0.01 to 10% by mass.
  • the etching solution composition of the present invention is used when collectively etching a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film.
  • the indium oxide-based film may be a single layer or a laminated film of two or more layers.
  • the metal-based film may be a single layer or a laminated film of two or more layers.
  • the metal-based film may be an upper layer, a lower layer, or an upper layer and a lower layer.
  • the indium oxide-based film and the metal-based film may be alternately laminated.
  • Examples of the device having a laminated film composed of an indium oxide-based film and a metal-based film as described above include a liquid crystal display, a plasma display, a touch panel, an organic EL, a solar battery, a lighting fixture, and the like.
  • the etching solution composition of the present invention can be used.
  • the etching method for collectively etching the laminated film of the indium oxide film and the metal film using the etching solution composition of the present invention is not particularly limited, and a well-known general etching method may be used. For example, there are dip type, spray type and spin type etching methods. Among these, for example, when etching a base material on which a CuNi / Cu / ITO layer is formed on a PET substrate by a dip etching method, the base material is used as the etching solution composition of the present invention.
  • the CuNi / Cu / ITO layer on the PET substrate can be etched in a lump by dipping and pulling up after dipping under appropriate etching conditions.
  • Etching conditions are not particularly limited, and can be arbitrarily set according to the shape or film thickness of the etching target.
  • the etching temperature is preferably 10 ° C. to 60 ° C., particularly preferably 30 ° C. to 50 ° C. Since the temperature of the etching solution composition may be increased by heat of reaction, the temperature may be controlled by a known means so as to maintain it within the above temperature range if necessary.
  • the etching time is not particularly limited because it may be a time sufficient for the object to be etched to be completely etched. For example, in the case of an etching target having a film thickness of about 500 to 2000 mm as in wiring manufacturing on an electronic circuit board, the etching may be performed for about 0.2 to 5 minutes within the above temperature range.
  • Example 1 Using the compound shown in Table 1 as the component (C), the etching solution composition was formulated according to the formulation shown in Table 2, and Products 1 to 19 of the present invention were obtained. The balance of the content is water.
  • Comparative Example 1 Comparative products 1 to 5 were obtained by blending an etching solution composition with the composition shown in Table 3. The balance of the content is water.
  • Example 2 A substrate on which a resist pattern having a width of 75 ⁇ m and an opening of 25 ⁇ m was formed on a CuNi / Cu / ITO / PET using a positive liquid resist was cut into a test piece of 20 mm length ⁇ 20 mm width. This test piece was subjected to a dip etching process with stirring at 40 ° C. for 1 minute using the etching solution compositions of inventive products 1 to 19 prepared in Example 1.
  • Comparative Example 2 A substrate on which a resist pattern having a width of 75 ⁇ m and an opening of 25 ⁇ m was formed on a CuNi / Cu / ITO / PET using a positive liquid resist was cut into a test piece of 20 mm length ⁇ 20 mm width. The test piece was subjected to a dip etching process at 40 ° C. for 1 minute with stirring using the etching solution compositions of Comparative Products 1 to 5 prepared in Comparative Example 1.
  • the etching solution composition of the present invention can be used when etching the indium oxide-based film and the metal-based film in a lump, thereby reducing the thinning of the thin line and making a large step difference between the indium oxide-based film and the metal-based film. It turned out that it is an etching liquid composition which can obtain a thin line with good linearity, without generating.

Abstract

　本発明の目的は、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜の一括エッチングする際に、酸化インジウム系被膜と金属系被膜との間に大きな段差が発生することなく、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる細線の細り幅が少なく、また、直線性良くエッチングすることができるエッチング液組成物及びエッチング方法を提供することにある。本発明のエッチング液組成物は、第二鉄イオン成分；塩化水素成分；及び下記一般式（１）で表される化合物及び炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の化合物成分を含むことを特徴とする： 【化１】 （式中、Ｒ1、Ｒ3は各々独立に水素または炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキル基を表し、ｎは１～３の数を表す。）

Description

エッチング液組成物及びエッチング方法
　本発明は、エッチング液組成物及び該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関し、更に詳細には、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングするために用いられるエッチング液組成物及び該エッチング液組成物を用いたエッチング方法に関するものである。
　透明導電膜等に使用される酸化インジウム系被膜のウエットエッチングに関する技術は、種々知られているが、安価でエッチング速度が良好であることから、塩酸を含む水溶液がエッチング液組成物として多く使用されている。
　例えば、特許文献１には、塩化第二鉄と塩酸を含有するインジウム－スズ酸化物（以下、ＩＴＯと略す場合もある）用エッチング液組成物が開示されている。
　また、塩酸を使用しないエッチング液として、例えば特許文献２には、銅または銅合金のエッチング剤として、第二銅イオン、有機酸、ハロゲンイオン、アゾール、ポリアルキレングリコールを含有する水溶液が開示されている。ここで、ポリアルキレングリコールは電解銅めっき層の溶解を抑制し、下地導電層である無電解銅めっき層のエッチングを促進するために用いられている。
特開２００９－２３１４２７号公報 特開２００６－１１１９５３号公報
　しかしながら、例えば、ＩＴＯ膜と銅膜からなる積層膜を一括でエッチングすることによってＩＴＯ膜と銅膜からなる直線性の良い細線を形成するために上記に開示されたエッチング液を用いた場合、エッチング速度を制御することができず所望の幅の細線を得ることができない場合があることや、細線が蛇行してしまう場合があるという問題点があった。また、特に大きな問題点として、ＩＴＯ膜と銅膜とでエッチング速度が大きく異なることから、基板表面と平行方向におけるＩＴＯ膜がエッチングされる幅と、同方向における銅膜がエッチングされる幅が大きく異なり、細線を形成するＩＴＯ膜と銅膜との間に大きな段差が生じてしまうという問題点が存在した。
　したがって、本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括エッチングする際に、酸化インジウム系被膜と金属系被膜との間に大きな段差が発生することなく、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる細線の細り幅が少なく、また、直線性良くエッチングすることができるエッチング液組成物及び該エッチング液組成物を用いたエッチング方法を提供することを目的とする。
　本発明者等は、上記問題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、第二鉄イオン成分；塩化水素成分；及び下記一般式（１）で表される化合物及び炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の化合物成分を含むエッチング液組成物が、上記問題を解決し得ることを見出し、本発明に至った：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 （式中、Ｒ1、Ｒ3は各々独立に水素または炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキレン基を表し、ｎは１～３の数を表す。）
　すなわち、本発明は、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液組成物において、
（Ａ）第二鉄イオン成分（以下、Ａ成分と略す場合がある。）；
（Ｂ）塩化水素成分（以下、Ｂ成分と略す場合がある。）；
（Ｃ）上記一般式（１）で表される化合物及び炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の化合物成分（以下、Ｃ成分と略す場合がある。） を含む水溶液からなることを特徴とするエッチング液組成物を提供するものである。
　また、本発明は上記エッチング液組成物を用いることを特徴とする酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングするエッチング方法を提供するものである。
　本発明のエッチング液組成物によれば、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングする際に、酸化インジウム系被膜と金属系被膜との間に大きな段差が発生することなく、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる細線の細り幅が少なく、また、直線性良くエッチングすることができるという効果を奏するものである。
　したがって、本発明のエッチング液組成物は、特にＩＴＯ被膜と金属系被膜を一括でエッチングすることにより細線を形成するために用いられるエッチング方法に好適に使用することができる。
評価試験におけるＬ1、Ｌ2の関係を示す模式図である。
　以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。
まず、本明細書に記載する「酸化インジウム系被膜」とは、酸化インジウムを含む膜であればよく、特に限定されるものではないが、例えば、酸化インジウム、インジウム－スズ酸化物及びインジウム－亜鉛酸化物から選ばれる１種以上からなる被膜を総称するものとする。
　また、本明細書に記載する「金属系被膜」とは、金属からなる被膜であれば特に限定されるものではないが、例えば、銅、ニッケル、チタン、クロム、銀、モリブデン、アルミニウム、白金及びパラジウム等からなる群から選択される金属被膜や、銅、ニッケル、チタン、クロム、銀、モリブデン、アルミニウム、白金及びパラジウムからなる群から選択される２種類以上の金属を含有する合金被膜、例えば、ＣｕＮｉ、ＣｕＮｉＴｉ、ＮｉＣｒ、Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ等の合金被膜から選ばれる１種以上からなる被膜を総称するものとする。
　本発明のエッチング液組成物に用いられる（Ａ）第二鉄イオン成分は、本発明のエッチング液組成物の主剤を構成する成分である。第二鉄イオン成分として用いられる化合物は、特に限定されるものではなく、第二鉄イオンを供給することができる化合物であればよく、例えば、塩化鉄（ＩＩＩ）、臭化鉄（ＩＩＩ）、ヨウ化鉄（ＩＩＩ）、硫酸鉄（ＩＩＩ）、硝酸鉄（ＩＩＩ）、酢酸鉄（ＩＩＩ）等が挙げられ、無水物でも水和していてもよい。前記第二鉄イオンを供給することができる化合物は２種以上を併用してもよい。
　本発明のエッチング液組成物における好ましい（Ａ）第二鉄イオン濃度は、所望とする被エッチング材である酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜の厚みや幅によって適宜調節すればよいが、０．１～１５質量％、好ましくは１～１０質量％である。（Ａ）第二鉄イオン濃度が０．１質量％よりも少ないと、充分なエッチング速度が得られないことがあるために好ましくない。一方、（Ａ）第二鉄イオン濃度が１５質量％より多い場合には、（Ｃ）成分として上記一般式（１）で表される化合物を用いた場合に、該化合物が不溶化する場合があるために好ましくない。
　本発明のエッチング液組成物に用いられる（Ｂ）塩化水素成分は、本発明のエッチング液組成物の主剤を構成する成分である。
　本発明のエッチング液組成物における好ましい（Ｂ）塩化水素成分の濃度は、所望とする被エッチング材である、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜の厚みや幅によって適宜調節すればよいが、０．１～２５質量％、好ましくは１～２０質量％である。（Ｂ）塩化水素成分の濃度が０．１質量％よりも少ないと、充分なエッチング速度が得られないことがあるために好ましくない。一方、（Ｂ）塩化水素成分の濃度を２５質量％より多くしても、エッチング速度の向上は図られず、かえって装置部材の腐食等の不具合を生じる場合があることがあるために好ましくない。
　本発明のエッチング液組成物に用いられる（Ｃ）上記一般式（１）で表される化合物及び炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の化合物は、（Ａ）第二鉄イオン成分及び（Ｂ）塩化水素成分と組み合わせて用いることにより、本発明のエッチング液組成物に、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングする際に、細線の細り幅を減少させる効果、直線性を向上させる効果、大きな段差が発生することを抑制させる効果を付与することができる。
　本発明のエッチング液組成物に用いられる場合のある上記一般式（１）において、Ｒ1及びＲ3で表される水素若しくは炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキル基としては、例えば、水素、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第２ブチル、第３ブチル、イソブチル等が挙げられ、Ｒ2で表される炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキレン基としては、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブチレン、第２ブチレン、第３ブチレン、イソブチレン等が挙げられる。これらの中でも、Ｒ1及びＲ3としては、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等が好ましく、Ｒ2としては、エチレン基、プロピレン基等が好ましい。
　上記一般式（１）で表される化合物の具体例としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のグリコールエーテル類が挙げられ、また、炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールの具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、２－ブタノール、イソブタノール、ｔ－ブタノール等のアルコール類が挙げられる。
　更に、上記一般式（１）で表される化合物として、下記一般式（２）で表される化合物若しくは炭素数３～４の分岐アルコールを用いると、酸化インジウム系被膜と金属系被膜との間に発生する段差が小さく、細線の細り幅が小さく、直線性が良い細線が得られることから好ましい。また、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルまたはイソプロパノールを用いた場合が、上記に示すような効果が特に高いことから、特に好ましい。また、本発明のエッチング液組成物が樹脂レジストを用いたエッチング工程に用いられる場合には、イソプロパノールを用いると、樹脂レジストへの影響がなく、特に好ましい。
　なお、前記一般式（１）で表される化合物及び炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールは２種以上を併用してもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 ［式中、Ｒ1、Ｒ3及びｎは、上記一般式（１）のＲ1、Ｒ3及びｎと同意義である。］
　本発明のエッチング液組成物における好ましい（Ｃ）成分の濃度は、所望とする被エッチング材である酸化インジウム系被膜と金属系被膜との積層膜の厚みや幅によって適宜調節すればよいが、０．０１～１０質量％、好ましくは０．１～５質量％である。（Ｃ）成分の濃度が０．０１質量％よりも少ないと、その配合効果が発現しないために好ましくなく、また、１０質量％を超えても、配合効果の更なる向上が見られない。
　また、本発明のエッチング液組成物には、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分及び（Ｃ）成分のほかに、本発明の効果を阻害することのない範囲で、周知の添加剤を配合させることができる。当該添加剤としては、エッチング液組成物の安定化剤、各成分の可溶化剤、消泡剤、ｐＨ調整剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、キレート剤、酸化剤、還元剤、界面活性剤等が挙げられ、これらの添加剤を使用する場合の濃度は、一般的に、それぞれ０．００１質量％～１０質量％の範囲である。
　なお、本発明のエッチング液組成物のエッチング速度が速過ぎる場合には、還元剤を添加剤として用いることが好ましく、具体的には塩化銅、塩化第一鉄、銅粉、銀粉等が挙げられる。なお、還元剤を添加する場合、その濃度は、好ましくは０．０１～１０質量％の範囲内である。
　本発明のエッチング液組成物は、酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングする際に使用される。該酸化インジウム系被膜は１層でもよく、２層以上の積層膜であってもよい。また、該金属系被膜は１層でもよく、２層以上の積層膜であってもよい。該酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜は、金属系被膜が酸化インジウム系被膜の上層であってもよく、下層であってもよく、上層及び下層にあってもよい。また、該酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜において、酸化インジウム系被膜と金属系被膜は交互に積層されたものであってもよい。
　上述のような酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を有する機器としては、例えば液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、タッチパネル、有機ＥＬ、太陽電池、照明器具等が挙げられ、これらの機器の電極や配線を加工する際に、本発明のエッチング液組成物を使用することができる。
　本発明のエッチング液組成物を用いた酸化インジウム系被膜と金属系被膜との積層膜を一括でエッチングするエッチング方法としては、特に限定されるものではなく、周知一般のエッチング方法を用いればよい。例えば、ディップ式、スプレー式、スピン式によるエッチング方法が挙げられる。これらの中で、例えば、ディップ式のエッチング方法によって、ＰＥＴ基板上にＣｕＮｉ／Ｃｕ／ＩＴＯ層が成膜された基材をエッチングする場合には、該基材を本発明のエッチング液組成物に浸し、適切なエッチング条件にて浸漬した後に引き上げることでＰＥＴ基板上のＣｕＮｉ／Ｃｕ／ＩＴＯ層を一括にエッチングすることができる。
　エッチング条件は特に限定されるものではなく、エッチング対象の形状や膜厚などに応じて任意に設定することができる。例えば、エッチング温度は、１０℃～６０℃が好ましく、３０℃～５０℃が特に好ましい。エッチング液組成物の温度は反応熱により上昇することがあるので、必要なら上記温度範囲内に維持するよう公知の手段によって温度制御してもよい。また、エッチング時間は、エッチング対象が完全にエッチングされるに十分必要な時間とすればよいので特に限定されるものではない。例えば、電子回路基板における配線製造におけるような膜厚５００～２０００Å程度のエッチング対象であれば、上記温度範囲であれば０．２～５分程度エッチングを行えばよい。
　以下、実施例及び比較例により本発明を詳細に説明するが、これらによって本発明が限定されるものではないことを理解されたい。
　実施例１
　表１に示す化合物を（Ｃ）成分として用いて、表２に示す配合でエッチング液組成物を配合し、本発明品１～１９を得た。なお、含有量の残部は水である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
　比較例１
　表３に示す配合でエッチング液組成物を配合し比較品１～５を得た。なお、含有量の残部は水である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　実施例２
　ＣｕＮｉ／Ｃｕ／ＩＴＯ／ＰＥＴ上にポジ型液状レジストを用いて幅７５μｍ、開口部２５μｍのレジストパターンを形成した基板を縦２０ｍｍ×横２０ｍｍに切断してテストピースとした。このテストピースに対し、実施例１で調製した本発明品１～１９のエッチング液組成物を用いて、４０℃、１分間、撹拌下でディップ式によるエッチング処理を行った。
　比較例２
　ＣｕＮｉ／Ｃｕ／ＩＴＯ／ＰＥＴ上にポジ型液状レジストを用いて幅７５μｍ、開口部２５μｍのレジストパターンを形成した基板を縦２０ｍｍ×横２０ｍｍに切断してテストピースとした。このテストピースに対し、比較例１で調製した比較品１～５のエッチング液組成物を用いて、４０℃、１分間、撹拌下でディップ式によるエッチング処理を行った。
　評価試験
　実施例２及び比較例２で得られた細線について、細線の直線性、細線の幅（Ｌ1）、及びＩＴＯとＣｕの段差の大きさ（Ｌ2）をレーザー顕微鏡によって確認した。細線の直線性は、細線側面の蛇行の有無を確認することで評価した。具体的には、目視で細線に蛇行がみられるものを×、蛇行が見られないものを○とした。ＩＴＯとＣｕの段差の大きさ（Ｌ2）は、得られた配線の片側におけるＩＴＯ膜とＣｕ膜の線幅の差の絶対値を計算したものである。結果を表４に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
　表４の結果より、比較品１、２、３、５において、直線性の悪い細線が得られたことに対して、本発明品１～１９は全てにおいて直線性の良い細線を得ることができた。また、本発明品１～１９は比較品１～５よりも太い配線を大きな段差が発生することなく得ることができることがわかった。
　このことから、本発明のエッチング液組成物は、酸化インジウム系被膜と金属系被膜を一括でエッチング処理する際に用いることにより、細線の細りが少なく、酸化インジウム系被膜と金属系被膜に大きな段差が発生することなく、直線性の良い細線を得ることができるエッチング液組成物であることがわかった。

Claims (8)

  1. 　酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングするためのエッチング液組成物において、
    （Ａ）第二鉄イオン成分；
    （Ｂ）塩化水素成分；
    （Ｃ）下記一般式（１）で表される化合物及び炭素数１～４の直鎖または分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の化合物成分
    を含む水溶液からなることを特徴とするエッチング液組成物：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （式中、Ｒ1、Ｒ3は各々独立に水素または炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキル基を表し、Ｒ2は炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキレン基を表し、ｎは１～３の数を表す。）
  2. 　一般式（１）で表される化合物が、下記一般式（２）で表される化合物または炭素数３～４の分岐状アルコールからなる群から選ばれる少なくとも１種以上の化合物成分である、請求項１に記載のエッチング液組成物：
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
     （式中、Ｒ1、Ｒ3は各々独立に水素または炭素数１～４の直鎖若しくは分岐状アルキル基を表し、ｎは１～３の数を表す。）
  3. 　前記（Ｃ）成分が、少なくともジプロピレングリコールモノメチルエーテルまたはイソプロパノールを含む、請求項１または２に記載のエッチング液組成物。
  4. 　更に、安定化剤、（Ａ）、（Ｂ）または（Ｃ）成分の可溶化剤、消泡剤、ｐＨ調整剤、比重調整剤、粘度調整剤、濡れ性改善剤、キレート剤、酸化剤、還元剤及び界面活性剤からなる群から選択される１種または２種以上の添加剤を含有する、請求項１ないし３のいずれか１項に記載のエッチング液組成物。
  5. 　添加剤が、還元剤である、請求項４に記載のエッチング液組成物。
  6. 　酸化インジウム系被膜と金属系被膜からなる積層膜を一括でエッチングするエッチング方法において、エッチング液組成物として請求項１ないし５のいずれか１項に記載のエッチング液組成物を用いることを特徴とするエッチング方法。
  7. 　酸化インジウム系被膜が、酸化インジウム被膜、インジウム－スズ酸化物被膜及びインジウム－亜鉛酸化物被膜からなる群から選択される１層以上の膜である、請求項６に記載のエッチング方法。
  8. 　金属系被膜が、銅、ニッケル、チタン、クロム、銀、モリブデン、アルミニウム、白金及びパラジウムからなる群から選択される金属被膜及び／または銅、ニッケル、チタン、クロム、銀、モリブデン、アルミニウム、白金及びパラジウムからなる群から選択される２種類以上の金属を含有する合金被膜からなる１層以上の膜である、請求項６または７のいずれか１項に記載のエッチング方法。
PCT/JP2012/083435 2012-03-13 2012-12-25 エッチング液組成物及びエッチング方法 WO2013136624A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014504640A JP6062418B2 (ja) 2012-03-13 2012-12-25 エッチング液組成物及びエッチング方法
CN201280070725.7A CN104160486B (zh) 2012-03-13 2012-12-25 蚀刻液组合物的应用以及蚀刻方法
EP12871234.6A EP2827363A4 (en) 2012-03-13 2012-12-25 ACTION COMPOSITION AND METHODS OF PROCESSING
KR1020147021473A KR102058485B1 (ko) 2012-03-13 2012-12-25 에칭액 조성물 및 에칭방법
US14/371,572 US9068267B2 (en) 2012-03-13 2012-12-25 Etching liquid composition and etching method

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012055520 2012-03-13
JP2012-055520 2012-03-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013136624A1 true WO2013136624A1 (ja) 2013-09-19

Family

ID=49160577

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/083435 WO2013136624A1 (ja) 2012-03-13 2012-12-25 エッチング液組成物及びエッチング方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9068267B2 (ja)
EP (1) EP2827363A4 (ja)
JP (1) JP6062418B2 (ja)
KR (1) KR102058485B1 (ja)
CN (1) CN104160486B (ja)
TW (1) TWI550061B (ja)
WO (1) WO2013136624A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017068849A1 (ja) * 2015-10-23 2017-04-27 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108780747B (zh) * 2016-03-24 2022-09-30 株式会社Adeka 蚀刻液组合物和蚀刻方法
KR20180012372A (ko) * 2016-07-26 2018-02-06 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴 제조 방법
KR101699798B1 (ko) * 2016-08-02 2017-01-25 와이엠티 주식회사 구리 에칭 조성물 및 이를 이용한 구리 배선 형성방법
JP6746518B2 (ja) * 2017-03-10 2020-08-26 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
US11219583B2 (en) * 2019-05-30 2022-01-11 L'oreal Compositions comprising alcohol-rich mixtures of alcohol and propylene glycol methyl ethers
US20230043951A1 (en) * 2020-09-07 2023-02-09 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method therefor, display panel, and backlight module

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006111953A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
JP2008547232A (ja) * 2005-07-04 2008-12-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体
JP2009167459A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Adeka Corp 銅含有材料用エッチング剤組成物
JP2009206462A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法
JP2009231427A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Toagosei Co Ltd エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02135619A (ja) * 1988-11-17 1990-05-24 Asahi Glass Co Ltd ウエットエッチング方法
KR100396695B1 (ko) * 2000-11-01 2003-09-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 에천트 및 이를 이용한 전자기기용 기판의 제조방법
JP4606835B2 (ja) * 2004-10-15 2011-01-05 朝日化学工業株式会社 エッチング組成液
KR101171175B1 (ko) * 2004-11-03 2012-08-06 삼성전자주식회사 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
KR20070017762A (ko) * 2005-08-08 2007-02-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 식각액 조성물, 이를 이용한 도전막의 패터닝 방법 및평판표시장치의 제조 방법
KR20100015974A (ko) * 2007-03-31 2010-02-12 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 웨이퍼 재생을 위한 물질의 스트리핑 방법
JP2009235438A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Toagosei Co Ltd エッチング液、該エッチング液を用いたエッチング方法および被エッチング基板
JP5443863B2 (ja) * 2009-07-09 2014-03-19 株式会社Ａｄｅｋａ 銅含有材料用エッチング剤組成物及び銅含有材料のエッチング方法
US20130092657A1 (en) * 2010-06-14 2013-04-18 Nano Terra, Inc. Cross-linking and multi-phase etch pastes for high resolution feature patterning

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006111953A (ja) 2004-10-18 2006-04-27 Mec Kk 銅又は銅合金のエッチング剤、その製造法、補給液及び配線基板の製造法
JP2008547232A (ja) * 2005-07-04 2008-12-25 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフトング 酸化物透明導電層のエッチング用の媒体
JP2009167459A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Adeka Corp 銅含有材料用エッチング剤組成物
JP2009206462A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Tosoh Corp エッチング用組成物及びエッチング方法
JP2009231427A (ja) 2008-03-21 2009-10-08 Toagosei Co Ltd エッチング液、該エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法及び被エッチング基板

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2827363A4 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017068849A1 (ja) * 2015-10-23 2017-04-27 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
JP2017084873A (ja) * 2015-10-23 2017-05-18 株式会社Adeka エッチング液組成物及びエッチング方法
US10280518B2 (en) 2015-10-23 2019-05-07 Adeka Corporation Etching liquid composition and etching method

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013136624A1 (ja) 2015-08-03
TW201336972A (zh) 2013-09-16
TWI550061B (zh) 2016-09-21
JP6062418B2 (ja) 2017-01-18
KR102058485B1 (ko) 2019-12-23
KR20140134647A (ko) 2014-11-24
EP2827363A1 (en) 2015-01-21
EP2827363A4 (en) 2015-11-11
US9068267B2 (en) 2015-06-30
CN104160486B (zh) 2016-11-02
US20150053888A1 (en) 2015-02-26
CN104160486A (zh) 2014-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6062418B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
KR102259145B1 (ko) 은 함유 박막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치용 어레이 기판의 제조방법
JP6078394B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JP5219304B2 (ja) エッチング剤及びこれを用いたエッチング方法
JP6494349B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JPWO2014171174A1 (ja) エッチング液、補給液、及び配線形成方法
CN108780747B (zh) 蚀刻液组合物和蚀刻方法
CN108352318B (zh) 蚀刻液组合物以及蚀刻方法
KR101777549B1 (ko) 투명 도전 배선 및 투명 도전 배선의 제조 방법
TW201823516A (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
JP2005206903A (ja) エッチング液組成物
KR20160114825A (ko) 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN104278274A (zh) 用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法
CN110383430B (zh) 蚀刻液组合物和蚀刻方法
JP6662671B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JP6501218B2 (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
JP2017199791A (ja) エッチング液組成物及びエッチング方法
WO2016136953A1 (ja) 透明導電配線、及び、透明導電配線の製造方法
JP2014129557A (ja) エッチング液組成物およびエッチング方法
JP5382892B2 (ja) エッチング方法
CN105624680A (zh) 高效铜蚀刻剂
KR20160112643A (ko) 구리계 금속막의 식각액 조성물 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12871234

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014504640

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14371572

Country of ref document: US

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147021473

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2012871234

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012871234

Country of ref document: EP