JP4837285B2 - シリコン表面および層のためのエッチングペースト - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 175
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 43
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 37
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 30
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 26
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 claims description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 2-octanone Chemical compound CCCCCCC(C)=O ZPVFWPFBNIEHGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 11
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 11
- -1 ethyl - Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 claims description 9
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001733 carboxylic acid esters Chemical class 0.000 claims description 8
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N (3S)-octan-3-ol Natural products CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 7
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 7
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 7
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1-hexanol Natural products CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 claims description 6
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001519 homopolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 claims description 4
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 claims description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 229960004667 ethyl cellulose Drugs 0.000 claims description 3
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940071826 hydroxyethyl cellulose Drugs 0.000 claims description 3
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 229940071676 hydroxypropylcellulose Drugs 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 claims description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 3
- 244000007835 Cyamopsis tetragonoloba Species 0.000 claims description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 229920003090 carboxymethyl hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940083542 sodium Drugs 0.000 claims description 2
- 235000015424 sodium Nutrition 0.000 claims description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 2
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims 2
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000306 component Substances 0.000 claims 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 8
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 7
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 7
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 6
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 6
- 229940105329 carboxymethylcellulose Drugs 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 4
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M sodium;(2r)-2-[6-(4-chlorophenoxy)hexyl]oxirane-2-carboxylate Chemical compound [Na+].C=1C=C(Cl)C=CC=1OCCCCCC[C@]1(C(=O)[O-])CO1 RPACBEVZENYWOL-XFULWGLBSA-M 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 description 3
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 description 3
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 2
- 229940043375 1,5-pentanediol Drugs 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Natural products OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGNPSJMNGPUQIW-UHFFFAOYSA-N [C].CC=C Chemical compound [C].CC=C JGNPSJMNGPUQIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000001447 alkali salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229960001631 carbomer Drugs 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000002791 glucosyl group Chemical group C1([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O1)CO)* 0.000 description 1
- 229960004275 glycolic acid Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- DMKSVUSAATWOCU-HROMYWEYSA-N loteprednol etabonate Chemical compound C1CC2=CC(=O)C=C[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@@](C(=O)OCCl)(OC(=O)OCC)[C@@]1(C)C[C@@H]2O DMKSVUSAATWOCU-HROMYWEYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 235000019812 sodium carboxymethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001027 sodium carboxymethylcellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- 150000008495 β-glucosides Chemical class 0.000 description 1
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- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
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Description
光発電、電子技術および半導体産業において、シリコン表面および層は、しばしば浸漬浴(dip baths)において、湿式化学法によってエッチングされる。この全領域エッチングは、酸性媒体においても(等方性エッチング)、アルカリ性媒体においても(異方性エッチング)行うことができる。酸性のエッチングにおいて、フッ化水素酸および硝酸の混合物が頻繁に用いられており、アルカリ性のエッチングにおいては、水酸化ナトリウム溶液、水酸化カリウム溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)などの強塩基が頻繁に用いられている。
このタイプのマスキング法において、出発材料はシリコンウエハである。その上に高密度酸化物層を熱酸化によって製造し、次のように構築される。
標準的なシリコン太陽電池の製造法において、光電効果に必要なp−n転移(p-n transition)は、pドープしたウエハ上に、例えば、POCl3オーブン中のガス拡散によって形成される。この方法において、厚さ約500nmのnドープしたシリコン層をウエハ全体の周囲に形成し、後の光発電の適用のために部分的に開口/切断する。
この開口は、レーザー切断またはプラズマエッチングなどのドライエッチング法によって、機械的に行うことができる。
プラズマエッチングは、例えば、CF4またはC2F6ガスなどのフッ素化炭化水素を用いて、高価な真空設備の中で行われる。この方法において、セルは予め山積みにされ、プラズマエッチングユニットでセルエッジをエッチングされる。山積みの間の考慮し得る取り扱いの問題およびウエハの高い破損率は、このプロセスで起きる。これらの技術上の問題は、高い材料コストのせいで、今日通常である250〜330μmの厚さの基材に比べて、さらに薄い多結晶シリコン出発基材(<200μm)を用いようとするので、将来、さらにもっと激化する。
最近では、実験室規模での開発および使用のみがなされている選択エミッタの製造のための高価な方法において、既に上記に示したリソグラフ酸化物マスキングが用いられる。該酸化物は、接触(contacts)が後に横たわる領域がフリーな状態で残るようにウエハをマスクする。マスクされたウエハは、リンの拡散を当てられ、マスクされていない領域においてn++ドープされる。酸化物のマスクの除去の後、ウエハ全体がn+ドープされる[2]。
リソグラフの代替として、エッチングマスクとしてのスクリーンプリントされた接触線(screen-printed contact lines)の使用が挙げられる。湿式化学およびプラズマ化学エッチングは、ともに文献に記載されている。HF/HNO3の混合物へスクリーンプリントした太陽電池を浸漬することの不利は(接触線間のシリコンの意図的な除去に加え)、接触線の真下のシリコンの攻撃および金属製接触線自体におけるエッチングのダメージにある。このことは、充填比(fill factor)の急速な低下を引き起こす[3]。
選択エミッタの形成に加え、ここでシリコン表面は、太陽電池の反射防止特性を改善するようにエミッタ側に構造化(粗面化(roughened)、「織目化(textured)」)される。
従って本発明は、太陽電池産業において行うことができ、エミッタの製造のため、および反射防止特性の改善のため、これを用いることによりシリコン表面が選択的にエッチングできる、単純で高価でない方法を提供する。同時に、該エッチング方法を行うための安価なエッチング液(etchant)を提供することもまた本発明の課題である。
本課題は、特に、エッチング方法がアルカリ溶媒含有液中で行われる、増粘性(thickened)アルカリ液の形態でのシリコン表面および層のエッチングのためのエッチング媒体によって達成される。
記載した太陽電池のp−n転移の開口に加えて、エッチングペーストを用いたシリコンの選択的エッチングが、大量生産における選択(二段(two-stage)も)エミッタの製造および太陽電池の反射防止特性における改善を可能にする。
本発明は、
a.少なくとも1種の溶媒、
b.増粘剤、および
c.任意に、消泡剤、チキソトロープ剤、流動調節剤、脱気剤(deaerators)および粘着促進剤などの添加剤
を含み、70〜150℃の温度で実効的である、および/または、所望の場合、エネルギーの投入によって活性化され得る、エッチングペースト状態のプリント可能でディスペンス可能(dispensable)であるエッチングペーストの形状のエッチング媒体である。
これらの成分に加え、消泡剤、チキソトロープ剤、流動調節剤、脱気剤および粘着促進剤からなる群から選択される添加剤が、全量に対し、0〜2重量%の量で存在し得る。
本発明によれば、エッチング媒体は、70〜150℃の範囲の温度で作用する。必要であれば、活性化は、エネルギーの投入、好ましくは、IR放射によって行われる。
本発明の方法において、エッチング媒体は、スクリーン、テンプレート、パッド、スタンプ、インクジェットもしくはマニュアルプリンティング法によって、またはディスペンシング法(dispensing technique)によって、エッチングされる表面に適用される。暴露時間後およびエッチングが完了したとき、エッチング媒体は溶媒または溶媒混合物を用いてすすがれる。
本発明の課題は、全領域に亘りエッチングされるか、選択的にエッチングペーストを用いて構造化される半導体の表面および層、特にシリコン表面および層のためである。エッチングペーストをエッチングすべき領域に移すのに適切な、高程度の自動化および大量生産を備えた技術は、プリンティングおよびディスペンシング(dispensing)である。特に、スクリーン、テンプレート、パッド、スタンプおよびインクジェットプリンティング法、ならびにディスペンシング法は当業者に知られている。例えばブラシ/適用ローラーなどによるマニュアル適用も同様に可能である。
従って、複雑なマスキングを伴う構造化方法またはレーザーによる構造化などの方法を、有意に短縮することおよび安価に行うことが可能であり、また、プラズマエッチングなどの技術的欠陥に敏感な方法に対し、プリンティング法およびディスペンシングに置き換えることが可能である。加えて、本エッチング方法は、エッチングペーストがエッチングすべき領域に適用されるだけなので、エッチング化学剤の消費量について有意に低減し得る。
・高価なプラズマエッチングユニットを必要としない
・生じる高いセル破損率の低減
・機械的分離の間の材料の高い損失の最小化
・表面欠陥の回避
エッチングペーストを用いる選択エミッタの製造において、酸化物マスキングおよび高価なプラズマエッチング無しで済ますことが同様に可能である。加えて、本エッチングペーストの選択的な適用によって、接触領域のアンダーエッチングが回避される。マスキングはスクリーンプリントした金属接触線によってさえ要求されていないので、接触へのエッチングのダメージは排除される。
エッチング操作は、好ましくは、エネルギーの投入、例えば、熱放射(IRランプ)の形で、またはホットプレートによって行われる。エッチングが完了したとき、エッチングペーストは好適な溶媒または溶媒混合物を用いてエッチング表面からすすがれる。
エッチングペーストは次の組成を有する:
・エッチング成分
・溶媒
・所望により、例えば、消泡剤、チキソトロープ剤、流動調節剤、脱気剤および粘着促進剤などの添加剤
(酸化物について記載されるように[8]、[9])HFまたはフッ化物に基づく酸性のエッチングペーストは、シリコン上のエッチング作用を示さない。
本発明の記載のエッチングペーストに使用されるアルカリ性エッチング組成物は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ液またはエチレンジアミン/ピロカテコール、エタノールアミン/没食子酸、水酸化テトラアルキルアンモニウムまたは2種類の組み合わせなどの有機系アルカリエッチング混合物の水溶液であり得る。
エッチング成分は70〜150℃のエッチングペーストにおいて効果的である。シリコン表面および層において、1μm未満のエッチング深さは、100℃よりも低い温度で達成され、2〜3μmまでのエッチング深さは、100℃を超えた温度で達成される。
・水
・一価アルコールまたは多価アルコール(例えば、イソプロパノール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、グリセロール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキサノールなど)またはこれらの混合物
・ケトン(例えば、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、1−メチル−2−ピロリドンなど)
・エーテル(例えば、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルなど)
・カルボン酸エステル(例えば、[2,2−ブトキシ(エトキシ)]エチルアセテートなど)
・炭酸のエステル(例えば、プロピレンカーボネートなど)
好ましいものとして、水およびエーテルおよびケトンからなる群からの溶媒の使用が挙げられる。
水が特に好ましいことが分かっている。
本発明の記載されたエッチングペーストの粘度は、液層で膨らみ、所望の適用領域に依存して変化し得る網目形成増粘剤(network-forming thickeners)によって定められる。
所望の目的に有利な特性を有する添加剤は、例えば、TEGO(登録商標)Foamex N (ジメチルポリシロキサン)などの消泡剤、例えば、BYK(登録商標)410(変性尿素)、 Borchigel(登録商標)Thixo2などのチキソトロープ剤、例えば、TEGO(登録商標)Glide ZG 400(ポリエーテル−シロキサンコポリマー)などの流動調節剤、例えば、TEGO(登録商標)Airex 986(シリコンチップを備えたポリマー)などの脱気剤、および例えば、Bayowet(登録商標)FT 929(フッ素系界面活性剤(fluorosurfactant))などの粘着促進剤が挙げられる。これらは、エッチングペーストのプリンタビリティーおよびディスペンサビリティーに積極的に影響し得る。添加剤の割合は、エッチングペーストの全重量に対し、0〜2重量%の範囲である。
本発明のエッチングペーストの適用領域は:
・太陽電池産業
・半導体産業
・高性能電子技術
本発明のエッチングペーストは、シリコン表面または層の全域および/または構造化エッチングが望まれる全ての領域において用いることができる。従って、個々の構造を、シリコン表面または層のそれぞれにおいて所望の深さまで、全領域に亘り、または選択的にエッチングすることができる。
・太陽電池、光ダイオードなどの光電気部品、特にシリコン太陽電池におけるp−n転移の分離およびドープされた層の部分除去(選択エミッタ)をもたらす、シリコン表面および層の表面洗浄/粗面化を含む全てのエッチング工程(構造化工程と同義)、
・半導体部品および回路の製造をもたらす、シリコン表面および層の全てのエッチング工程、
・高性能電子技術(IGBTs、パワーサイリスタ、GTOsなど)における部品の製造をもたらす、シリコン表面および層の全てのエッチング工程、
である。
よりよい理解と本発明の説明のため、本発明の保護の範囲にあたる例を以下に示すが、これらの例に本発明は限定されるものではない。
例1
40.0g KOH
59.0g 脱イオン水
1.5g エチレングリコールモノブチルエーテル
4.0g Carbomer(アクリル酸ホモポリマー)
該化学品をビーカーに量り、混合および溶解し、そして増粘剤を掻き混ぜながら添加した。
該混合物を少し経った後に容器に移した。この混合物は、例えば、シリコン表面および層を、エネルギーの投入によりおよび/または投入なしに、特に全領域に亘り、または所望の深さまで下がった構造において、エッチングし得るエッチングペーストとなる。
得られたエッチングペーストは、貯蔵中安定で、扱いやすく、そしてプリント可能である。例えば水を用いるなど、溶媒を用いてプリントした表面または層から、または、ペースト担体(スクリーン、ドクターブレード、テンプレート、スタンプ、線画凸版、カートリッジなど)から、除去し得る。
8.0g KOH
26.4g 脱イオン水
4.0g N−メチルピロリドン
2.3g カルボキシメチルセルロースのNa塩(Finnifix(登録商標))
バッチおよび処理は例1に記載のように行った。
ディスペンサ(ピン径450μm)を用いて、該エッチングペーストをシリコン表面に適用し、エッチング温度130℃で3分間エッチングした。n−ドープした(100)シリコンウエハ上、約1mmの線幅を有するエッチング構造の製造において、測定されたエッチング深さ(プリンティングおよびディスペンシングパラメーターに依存する)は、0.2〜1μmである。
37.8重量% 水
0.8重量% エタノールアミン
50.0重量% エチレングリコール
4.7重量% 水酸化テトラエチルアンモニウム
4.7重量% 水酸化テトラプロピルアンモニウム
0.3重量% 没食子酸
<0.1重量% ピラジン
1.8重量% カルボキシメチルセルロースのNa塩(Finnifix(登録商標))
バッチおよび処理は例1に記載のように行った。
スクリーンプリンティングまたはディスペンサ(ピン径450μm)を用いて、該エッチングペーストをシリコン表面に適用し、エッチング温度130℃で3分間エッチングした。測定されたエッチング深さは、約1mmの線幅を有するエッチング構造の製造において、シリコンウエハ上、約200nmである。
39.4重量% 脱イオン水
49.3重量% エチレングリコール
4.9重量% 水酸化テトラエチルアンモニウム
4.9重量% 水酸化テトラプロピルアンモニウム
1.5重量% カルボキシメチルセルロースのNa塩(Finnifix(登録商標))
バッチおよび処理は例1に記載のように行った。
スクリーンプリンティングまたはディスペンサ(ピン径450μm)を用いて、該エッチングペーストをシリコン表面に適用し、エッチング温度130℃で3分間エッチングした。測定されたエッチング深さは、約1mmの線幅を有するエッチング構造の製造において、シリコンウエハ上、約300nmである。
50体積% 水酸化テトラエチルアンモニウム
20体積% エチレンジアミン
20体積% 脱イオン水
10体積% トリエチレンテトラアミン
0.25g 没食子酸
<0.1重量% ピラジン
3重量% キサンタンガム
バッチおよび処理は例1に記載のように行った。
スクリーンプリンティングまたはディスペンサ(ピン径450μm)を用いて、該エッチングペーストをシリコン表面に適用し、エッチング温度100℃で3分間エッチングした。測定されたエッチング深さは、4mmの線幅を有するエッチング構造の製造において、シリコンウエハ上、約1μmである。
[2] J. Horzel, J. Slufzik, J. Nijs, R. Mertens, Proc. 26th IEEE PVSC, (1997), pp. 139-42
[3] M. Schnell, R. Ludemann, S. Schafer, Proc. 16thEU PVSEC, (2000), pp. 1482-85
[4] D.S. Ruby, P. Yang, S. Zaidi, S. Brueck, M. Roy, S. Narayanan, Proc. 2nd World Conference and Exhibition on PVSEC, (1998), pp. 1460-63
[5] US 6,091,021 (2000), D.S. Ruby, W.K. Schubert, J.M. Gee, S.H. Zaidi
[6] US 5,871,591 (1999), D.S. Ruby, J.M. Gee, W.K. Schubert
[7] EP 0229915 (1986), M. Bock, K. Heymann, H.-J. Middeke, D. Tenbrink
[8] WO 00/40518 (1998), M. Luly, R. Singh, C. Redmon, J. Mckown, R. Pratt
[9] DE 10101926 (2000), S. Klein, L. Heider, C. Zielinski, A. Kubelbeck, W. Stockum
[10] A.F. Bogenschutz, Atzpraxis fur Halbleiter [Etching Practice for Semiconductors], Carl Hanser Verlag, Munich 1967
Claims (20)
- プリント可能な、増粘性アルカリ液エッチング媒体を、シリコン表面または層の全領域に亘り、またはエッチングが望まれる表面の領域だけにエッチング構造マスクに従って選択的に適用し、前記媒体を30秒から5分の暴露時間の後除去するシリコン表面および層のエッチング方法であって、前記エッチング媒体が、
a.少なくとも1種の溶媒、
b.増粘剤および、任意に
c.消泡剤、チキソトロープ剤、流動調節剤、脱気剤または粘着促進剤である添加剤
を含み、さらに
d.エッチング成分として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つ
を含むペーストであり、70〜150℃の低い温度で実効的である、および/または、エネルギーの投入によって活性化され、また前記ペーストがプリント可能である、前記方法。 - 増粘剤が、ヒドロキシアルキルグア、キサンタンガム、および/またはエチル−、ヒドロキシプロピル−もしくはヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースナトリウム、アクリル酸、アクリレートおよびアルキルメタクリレート(C10〜C30)の官能化されたビニル単位に基づくホモポリマーもしくはコポリマーからなる群から選択され、個々にまたは混合物にて、エッチング媒体の全量に対し、0.5〜25重量%の量であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 添加剤が、チキソトロープ剤、流動調節剤、脱気剤または粘着促進剤であり、全量に対し、0〜2重量%の量で前記添加剤を含有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- プリント可能な、増粘性アルカリ液エッチング媒体を、シリコン表面または層の全領域に亘り、またはエッチングが望まれる表面の領域だけにエッチング構造マスクに従って選択的に適用し、前記媒体を30秒から5分の暴露時間の後除去するシリコン表面および層のエッチング方法であって、
前記エッチング媒体が70〜150℃の範囲の温度で作用する、および/または、エネルギーの投入によって活性化され、
前記エッチング媒体が
(a)前記エッチング媒体の全量に対し5〜48重量%の濃度の、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つであるエッチング成分
および
(b)前記エッチング媒体の全量に対し10〜90重量%の量の、水と、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、グリセロール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキサノール、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、1−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、またはカルボン酸エステルである少なくとも1種の別の溶媒との混合物である溶媒
を含む、前記方法。 - エッチング媒体が熱への暴露によって活性化されることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- エッチング媒体が、テンプレート、パッド、スタンプ、インクジェットもしくはマニュアルプリンティング法によって、またはディスペンシング技術によって、エッチングされる表面に適用されることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- エッチング媒体が、エッチングが完了したとき、溶媒または溶媒混合物を用いてすすがれることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- プリント可能な、増粘性アルカリ液エッチング媒体を、太陽電池におけるp−n転移の分離のためのシリコン表面および層に適用することを含む、太陽電池におけるp−n転移の分離のためのシリコン表面および層のエッチング方法であって、
前記エッチング媒体が
(a)前記エッチング媒体の全量に対し5〜48重量%の濃度の、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つであるエッチング成分
および
(b)前記エッチング媒体の全量に対し10〜90重量%の量の、水と、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、グリセロール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキサノール、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、1−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、またはカルボン酸エステルである少なくとも1種の別の溶媒との混合物である溶媒
を含む、前記方法。 - プリント可能な、増粘性アルカリ液エッチング媒体を、反射防止特性の改善のために太陽電池のシリコン表面および層に適用することを含む、反射防止特性を改善するための太陽電池のシリコン表面および層のエッチング方法であって、
前記エッチング媒体が
(a)前記エッチング媒体の全量に対し5〜48重量%の濃度の、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つであるエッチング成分
および
(b)前記エッチング媒体の全量に対し10〜90重量%の量の、水と、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、グリセロール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキサノール、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、1−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、またはカルボン酸エステルである少なくとも1種の別の溶媒との混合物である溶媒
を含む、前記方法。 - エッチング媒体を、半導体部品およびその回路の製造方法においてシリコン表面および層に適用することを含む、半導体部品およびその回路の製造方法におけるシリコン表面および層のエッチング方法であって、
前記エッチング媒体が
(a)前記エッチング媒体の全量に対し5〜48重量%の濃度の、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つであるエッチング成分
および
(b)前記エッチング媒体の全量に対し10〜90重量%の量の、水と、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、グリセロール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキサノール、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、1−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、またはカルボン酸エステルである少なくとも1種の別の溶媒との混合物である溶媒
を含む、前記方法。 - エッチング媒体を、電子部品の製造方法においてシリコン表面および層に適用することを含む、電子部品の製造方法におけるシリコン表面および層のエッチング方法であって、
前記エッチング媒体が
(a)前記エッチング媒体の全量に対し5〜48重量%の濃度の、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つであるエッチング成分
および
(b)前記エッチング媒体の全量に対し10〜90重量%の量の、水と、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、1,2−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,3−ブタンジオール、グリセロール、1,5−ペンタンジオール、2−エチル−1−ヘキサノール、アセトフェノン、メチル−2−ヘキサノン、2−オクタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2−ペンタノン、1−メチル−2−ピロリドン、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、またはカルボン酸エステルである少なくとも1種の別の溶媒との混合物である溶媒
を含む、前記方法。 - 溶媒が、媒体の全量に対し15〜85重量%の量である、請求項4に記載の方法。
- カルボン酸エステルが、[2,2−ブトキシ(エトキシ)]エチルアセテートまたはプロピレンカーボネートである、請求項4に記載の方法。
- エッチング成分が、全量に対し10〜45重量%の濃度を有する、請求項4に記載の方法。
- 増粘剤が、エッチング媒体の全量に対し1〜10重量%の量である、請求項2に記載の方法。
- エッチング媒体が、前記エッチング媒体の全量に対し10〜45重量%の濃度の、エッチング成分を含む、請求項4に記載の方法。
- アルカリ性エッチング媒体が、前記エッチング媒体の全量に対し30〜40重量%の濃度の、エッチング成分を含む、請求項4に記載の方法。
- アルカリ性エッチング媒体が、前記エッチング媒体の全量に対し0.5〜25重量%の量の増粘剤を含む、請求項4に記載の方法。
- 請求項16に記載の方法であって、エッチング媒体が、
a.15〜85重量%の少なくとも1種の溶媒、
b.0.5〜25重量%の増粘剤および、任意に
c.添加剤
を含み、さらに
d.エッチング成分として、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、エタノールアミン、エチレンジアミン、水酸化テトラアルキルアンモニウム、または、エチレンジアミン/ピロカテコール混合物およびエタノールアミン/没食子酸混合物の1つ
を含み、前記媒体が、70〜150℃の低い温度で実効的である、および/または、エネルギーの投入によって活性化されるペーストを形成し、前記ペーストはプリント可能である、前記方法。 - 熱源が、IRランプまたはホットプレートである、請求項5に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10241300.2 | 2002-09-04 | ||
DE10241300A DE10241300A1 (de) | 2002-09-04 | 2002-09-04 | Ätzpasten für Siliziumoberflächen und -schichten |
PCT/EP2003/008805 WO2004032218A1 (de) | 2002-09-04 | 2003-08-08 | Ätzpasten für siliziumoberflächen und -schichten |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005537680A JP2005537680A (ja) | 2005-12-08 |
JP2005537680A5 JP2005537680A5 (ja) | 2006-09-21 |
JP4837285B2 true JP4837285B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=31724427
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004540559A Expired - Fee Related JP4837285B2 (ja) | 2002-09-04 | 2003-08-08 | シリコン表面および層のためのエッチングペースト |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8540891B2 (ja) |
EP (1) | EP1535318B1 (ja) |
JP (1) | JP4837285B2 (ja) |
KR (1) | KR101052704B1 (ja) |
CN (1) | CN1679147B (ja) |
AT (1) | ATE512459T1 (ja) |
AU (1) | AU2003266266A1 (ja) |
DE (1) | DE10241300A1 (ja) |
ES (1) | ES2367690T3 (ja) |
TW (1) | TWI344999B (ja) |
WO (1) | WO2004032218A1 (ja) |
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-
2002
- 2002-09-04 DE DE10241300A patent/DE10241300A1/de not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-08-08 ES ES03798875T patent/ES2367690T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-08 EP EP03798875A patent/EP1535318B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-08-08 WO PCT/EP2003/008805 patent/WO2004032218A1/de active Application Filing
- 2003-08-08 KR KR1020057003663A patent/KR101052704B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-08-08 AT AT03798875T patent/ATE512459T1/de active
- 2003-08-08 JP JP2004540559A patent/JP4837285B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-08 US US10/526,497 patent/US8540891B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-08 CN CN038209985A patent/CN1679147B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-08-08 AU AU2003266266A patent/AU2003266266A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-03 TW TW092124344A patent/TWI344999B/zh not_active IP Right Cessation
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005537680A (ja) | 2005-12-08 |
EP1535318A1 (de) | 2005-06-01 |
WO2004032218A1 (de) | 2004-04-15 |
CN1679147B (zh) | 2011-06-15 |
EP1535318B1 (de) | 2011-06-08 |
CN1679147A (zh) | 2005-10-05 |
AU2003266266A1 (en) | 2004-04-23 |
US20050247674A1 (en) | 2005-11-10 |
TWI344999B (en) | 2011-07-11 |
KR101052704B1 (ko) | 2011-08-01 |
KR20050043928A (ko) | 2005-05-11 |
TW200404921A (en) | 2004-04-01 |
DE10241300A1 (de) | 2004-03-18 |
ATE512459T1 (de) | 2011-06-15 |
ES2367690T3 (es) | 2011-11-07 |
US8540891B2 (en) | 2013-09-24 |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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