JPH11307497A - 洗浄方法 - Google Patents
洗浄方法Info
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- JPH11307497A JPH11307497A JP12950398A JP12950398A JPH11307497A JP H11307497 A JPH11307497 A JP H11307497A JP 12950398 A JP12950398 A JP 12950398A JP 12950398 A JP12950398 A JP 12950398A JP H11307497 A JPH11307497 A JP H11307497A
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- water
- cleaning
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、半導体ウエット洗浄工程における薬
品洗浄工程及び純水又は超純水を使用したリンス工程に
おいて、表面酸化膜の形成を抑制するパーティクル
の除去及び付着防止シリコン原子の水素終端化を助長
するリンス水又は薬液の提供を目的とする。 【解決手段】本発明の洗浄方法は、リンスの際に使用す
る純水又は超純水に水素ガスを添加することにより表面
酸化膜の形成を抑制し、また洗浄対象物がシリコン基板
の場合、表面の水素終端化を促進する。またパーティク
ル除去効果、再付着防止のために水素ガスを添加した純
水又は超純水に５００ＫＨｚ以上の周波数の振動を与え
ながら洗浄を行うことを特徴とする。またふっ酸に酸化
性を有するオゾン若しくは過酸化水素を添加することに
より従来の表面のエッチング効果にパーティクル付着防
止効果を付与し、次に続く純水又は超純水中に水素ガス
を添加したリンス水で洗浄することによりオゾン若しく
は過酸化水素の添加により鈍化した水素終端化を促進す
る事を特徴とする。
品洗浄工程及び純水又は超純水を使用したリンス工程に
おいて、表面酸化膜の形成を抑制するパーティクル
の除去及び付着防止シリコン原子の水素終端化を助長
するリンス水又は薬液の提供を目的とする。 【解決手段】本発明の洗浄方法は、リンスの際に使用す
る純水又は超純水に水素ガスを添加することにより表面
酸化膜の形成を抑制し、また洗浄対象物がシリコン基板
の場合、表面の水素終端化を促進する。またパーティク
ル除去効果、再付着防止のために水素ガスを添加した純
水又は超純水に５００ＫＨｚ以上の周波数の振動を与え
ながら洗浄を行うことを特徴とする。またふっ酸に酸化
性を有するオゾン若しくは過酸化水素を添加することに
より従来の表面のエッチング効果にパーティクル付着防
止効果を付与し、次に続く純水又は超純水中に水素ガス
を添加したリンス水で洗浄することによりオゾン若しく
は過酸化水素の添加により鈍化した水素終端化を促進す
る事を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スの洗浄方法に係り、より詳細にはふっ酸にオゾンを添
加した溶液若しくはふっ酸に過酸化水素を添加した溶液
による洗浄及び水素ガスを添加した純水又は超純水を薬
液洗浄後のリンス水として使用する洗浄方法である。
スの洗浄方法に係り、より詳細にはふっ酸にオゾンを添
加した溶液若しくはふっ酸に過酸化水素を添加した溶液
による洗浄及び水素ガスを添加した純水又は超純水を薬
液洗浄後のリンス水として使用する洗浄方法である。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に形成される半導体素子
は、サブミクロンのレベルに高密度且つ微細化してい
る。高密度化を達成するためには、基板の表面は超清浄
な状態に保たれなければならない。すなわち、基板表面
から有機物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化
膜）の不純物は除去されていなければならない。そのた
め、基板は洗浄を行う必要がある。
は、サブミクロンのレベルに高密度且つ微細化してい
る。高密度化を達成するためには、基板の表面は超清浄
な状態に保たれなければならない。すなわち、基板表面
から有機物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化
膜）の不純物は除去されていなければならない。そのた
め、基板は洗浄を行う必要がある。
【０００３】半導体の洗浄を行うための薬液には、有機
物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化膜）に対し
て除去効果の高いものが使用されている。しかし、薬液
洗浄後のリンスを目的とした純水又は超純水の洗浄工程
においては、有機物、金属、各種パーティクル、酸化物
（酸化膜）に対する除去効果はない。逆に、純水又は超
純水に溶解した酸素により酸化膜の成長が報告されてい
る。このような酸化膜の成長は、一例としてふっ酸によ
る酸化膜除去工程後のエピタキシャル成長を阻害する原
因となる。これらの問題を解決する手段として純水又は
超純水中の酸素量を数ｐｐｂまで低減した脱酸素水（脱
気水）と呼ばれる純水又は超純水を使用している。また
ｎ+シリコン表面（ｎ型シリコン中でドーピング量が１
×１０19／ｃｍ3を超えるものを差す）は酸化速度の速
い事が知られている。ｎ+シリコンは、シリコン系素子
において金属電極形成のコンタクト材料として非常に重
要である。そこでｎ+シリコン表面は、金属半導体間の
接触抵抗を増加させない様に出来るだけ酸化させないこ
とが望ましい。しかし、ただ単に脱気水を使うだけで
は、ｎ+シリコン表面の酸化膜の成長を抑制するのは、
非常に困難である。
物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化膜）に対し
て除去効果の高いものが使用されている。しかし、薬液
洗浄後のリンスを目的とした純水又は超純水の洗浄工程
においては、有機物、金属、各種パーティクル、酸化物
（酸化膜）に対する除去効果はない。逆に、純水又は超
純水に溶解した酸素により酸化膜の成長が報告されてい
る。このような酸化膜の成長は、一例としてふっ酸によ
る酸化膜除去工程後のエピタキシャル成長を阻害する原
因となる。これらの問題を解決する手段として純水又は
超純水中の酸素量を数ｐｐｂまで低減した脱酸素水（脱
気水）と呼ばれる純水又は超純水を使用している。また
ｎ+シリコン表面（ｎ型シリコン中でドーピング量が１
×１０19／ｃｍ3を超えるものを差す）は酸化速度の速
い事が知られている。ｎ+シリコンは、シリコン系素子
において金属電極形成のコンタクト材料として非常に重
要である。そこでｎ+シリコン表面は、金属半導体間の
接触抵抗を増加させない様に出来るだけ酸化させないこ
とが望ましい。しかし、ただ単に脱気水を使うだけで
は、ｎ+シリコン表面の酸化膜の成長を抑制するのは、
非常に困難である。
【０００４】シリコン基板のウエット洗浄工程において
ふっ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板は表面に酸化
膜のない状態である。しかし、この状態の基板は各種パ
ーティクルの付着を引き起こしやすい。特にふっ酸を含
有した洗浄液での洗浄後に純水又は超純水でのリンス工
程しか存在しない場合、純水又は超純水自体には、パー
ティクルを除去する効果はないため、成膜プロセスなど
の次工程でパーティクルに起因した結晶欠陥を招く原因
となる。
ふっ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板は表面に酸化
膜のない状態である。しかし、この状態の基板は各種パ
ーティクルの付着を引き起こしやすい。特にふっ酸を含
有した洗浄液での洗浄後に純水又は超純水でのリンス工
程しか存在しない場合、純水又は超純水自体には、パー
ティクルを除去する効果はないため、成膜プロセスなど
の次工程でパーティクルに起因した結晶欠陥を招く原因
となる。
【０００５】シリコン基板のウエット洗浄工程において
ふっ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板表面は最表面
のシリコン原子は水素原子と結びつき、最表面が水素原
子で終端した構造を取っている。この水素終端したシリ
コン表面は、化学的に非常に安定な表面といわれてい
る。しかし、全てのシリコン原子が水素原子と結合して
いるわけではなく中には、シリコン原子がそのまま表面
に現れている未結合状態やふっ素原子が結合したシリコ
ン原子も存在が確認されている。このようなシリコン原
子は、化学的に非常に不安定であり酸化を受けやすいサ
イトとなっている。
ふっ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板表面は最表面
のシリコン原子は水素原子と結びつき、最表面が水素原
子で終端した構造を取っている。この水素終端したシリ
コン表面は、化学的に非常に安定な表面といわれてい
る。しかし、全てのシリコン原子が水素原子と結合して
いるわけではなく中には、シリコン原子がそのまま表面
に現れている未結合状態やふっ素原子が結合したシリコ
ン原子も存在が確認されている。このようなシリコン原
子は、化学的に非常に不安定であり酸化を受けやすいサ
イトとなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体ウエ
ット洗浄工程における薬品洗浄工程及び純水又は超純水
を使用したリンス工程において、表面酸化膜の形成を
抑制するパーティクルの除去及び付着防止シリコン
原子の水素終端化を助長するリンス水又は薬液の提供を
目的とする。
ット洗浄工程における薬品洗浄工程及び純水又は超純水
を使用したリンス工程において、表面酸化膜の形成を
抑制するパーティクルの除去及び付着防止シリコン
原子の水素終端化を助長するリンス水又は薬液の提供を
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、被
洗浄物を薬液で洗浄した後、純水又は超純水中に水素ガ
スをを０．５ｐｐｍ以上含有し、酸素ガスの溶存量が１
００ｐｐｂ以下である純水又は超純水によりリンスを行
うことを特徴とする。リンスの際に使用する純水又は超
純水に水素ガスを添加することにより、従来リンス時に
発生していた表面酸化膜の形成を抑制することができ
る。また、被洗浄物が半導体基体（特にシリコン半導体
基体）の場合には、表面の水素終端化を促進することが
可能となる。また、リンスの際に、５００ＫＨｚ以上の
周波数の振動を純水又は超純水に付与することによりパ
ーティクル除去効果、パーティクルの再付着防止効果が
生ずる。リンス前の薬液洗浄をフッ酸に酸化性を有する
オゾン又は過酸化水素を含有する薬液による洗浄には、
表面のエッチング効果及びパーティクル付着防止効果が
あるが、かかる薬液の洗浄の後に本発明のリンスを行う
と、鈍化した水素終端化を促進することができる。
洗浄物を薬液で洗浄した後、純水又は超純水中に水素ガ
スをを０．５ｐｐｍ以上含有し、酸素ガスの溶存量が１
００ｐｐｂ以下である純水又は超純水によりリンスを行
うことを特徴とする。リンスの際に使用する純水又は超
純水に水素ガスを添加することにより、従来リンス時に
発生していた表面酸化膜の形成を抑制することができ
る。また、被洗浄物が半導体基体（特にシリコン半導体
基体）の場合には、表面の水素終端化を促進することが
可能となる。また、リンスの際に、５００ＫＨｚ以上の
周波数の振動を純水又は超純水に付与することによりパ
ーティクル除去効果、パーティクルの再付着防止効果が
生ずる。リンス前の薬液洗浄をフッ酸に酸化性を有する
オゾン又は過酸化水素を含有する薬液による洗浄には、
表面のエッチング効果及びパーティクル付着防止効果が
あるが、かかる薬液の洗浄の後に本発明のリンスを行う
と、鈍化した水素終端化を促進することができる。
【０００８】
【作用】本発明においては、まず純水又は超純水に水素
ガスの添加することによって酸化膜形成の抑制効果があ
る。その際に添加する水素濃度は、０．５ｐｐｍという
極微量濃度から効果がある事が分かった。また、この時
同時に溶解している酸素濃度は１００ｐｐｂ以下である
ことが望ましい。１００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解
している場合、酸化膜の形成を完全に抑制することは出
来ない。なおこの現象は、ｎ+シリコン表面にて特に顕
著である。
ガスの添加することによって酸化膜形成の抑制効果があ
る。その際に添加する水素濃度は、０．５ｐｐｍという
極微量濃度から効果がある事が分かった。また、この時
同時に溶解している酸素濃度は１００ｐｐｂ以下である
ことが望ましい。１００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解
している場合、酸化膜の形成を完全に抑制することは出
来ない。なおこの現象は、ｎ+シリコン表面にて特に顕
著である。
【０００９】純水又は超純水に水素ガスを添加すること
によってシリコンの未結合手又は他の吸着原子を水素原
子に置き換えることが可能となる。これによりシリコン
表面の水素終端が進行し、シリコンは電子の交換が容易
にできなくなるため表面は安定化する。その際に添加す
る水素濃度は、０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果
がある事が分かった。また、この時同時に溶解している
酸素濃度は１００ｐｐｂ以下であることが望ましい。１
００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解している場合、逆に
水素終端表面は損なわれる。なおこの現象は、ｎ+シリ
コン表面にて特に顕著である。
によってシリコンの未結合手又は他の吸着原子を水素原
子に置き換えることが可能となる。これによりシリコン
表面の水素終端が進行し、シリコンは電子の交換が容易
にできなくなるため表面は安定化する。その際に添加す
る水素濃度は、０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果
がある事が分かった。また、この時同時に溶解している
酸素濃度は１００ｐｐｂ以下であることが望ましい。１
００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解している場合、逆に
水素終端表面は損なわれる。なおこの現象は、ｎ+シリ
コン表面にて特に顕著である。
【００１０】純水又は超純水に水素ガスの添加し、５０
０ＫＨｚ以上の周波数の振動を与えることでパーティク
ル除去、再付着防止が可能となる。しかしここで用いる
振動の周波数は、５００ＫＨｚ〜３ＭＨｚであることが
好ましい。周波数が５００ＫＨｚ未満の場合、水粒子の
大きな振幅動で生じる摩擦によって基板上に帯電が起こ
りデバイス破壊を生じさせるまた周波数が３ＭＨｚ以上
の場合は、このような高周波になるに従って、増幅器の
効率が悪くなるので大きな出力を得るためには大きな電
力が必要となり実用的でない。またこの時に溶解するパ
ーティクル除去及び再付着防止に必要な水素濃度は、
０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果がある事が分か
った。またこの時、同時に溶解している酸素濃度は１０
０ｐｐｂ以下であることが望ましい。１００ｐｐｂより
多くの酸素量が溶解している場合、シリコン表面には酸
化膜の形成が認められる。
０ＫＨｚ以上の周波数の振動を与えることでパーティク
ル除去、再付着防止が可能となる。しかしここで用いる
振動の周波数は、５００ＫＨｚ〜３ＭＨｚであることが
好ましい。周波数が５００ＫＨｚ未満の場合、水粒子の
大きな振幅動で生じる摩擦によって基板上に帯電が起こ
りデバイス破壊を生じさせるまた周波数が３ＭＨｚ以上
の場合は、このような高周波になるに従って、増幅器の
効率が悪くなるので大きな出力を得るためには大きな電
力が必要となり実用的でない。またこの時に溶解するパ
ーティクル除去及び再付着防止に必要な水素濃度は、
０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果がある事が分か
った。またこの時、同時に溶解している酸素濃度は１０
０ｐｐｂ以下であることが望ましい。１００ｐｐｂより
多くの酸素量が溶解している場合、シリコン表面には酸
化膜の形成が認められる。
【００１１】ふっ酸中にオゾン若しくは過酸化水素を添
加することによって、ふっ酸の持つシリコン酸化膜の除
去能力にパーティクル付着防止効果を付与することが出
来る。この時ふっ酸濃度は０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％
以下であること、オゾン濃度は２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ
以下であること、過酸化水素は、０．１ｗｔ以上１ｗｔ
％以下であることが望ましい。ふっ酸濃度が０．０５％
未満である場合、シリコンの酸化膜をエッチング能力は
ほとんど無い。また、ふっ酸濃度が１ｗｔ％を超えると
基板の表面荒れがひどくなる。また、オゾンが２ｐｐｍ
未満若しくは過酸化水素が０．１ｗｔ％未満である場
合、パーティクル付着防止効果は無い。また、オゾンが
１０ｐｐｍを超える若しくは過酸化水素が１ｗｔ％を超
える場合、シリコン表面に酸化膜が残存してしまう。
加することによって、ふっ酸の持つシリコン酸化膜の除
去能力にパーティクル付着防止効果を付与することが出
来る。この時ふっ酸濃度は０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％
以下であること、オゾン濃度は２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ
以下であること、過酸化水素は、０．１ｗｔ以上１ｗｔ
％以下であることが望ましい。ふっ酸濃度が０．０５％
未満である場合、シリコンの酸化膜をエッチング能力は
ほとんど無い。また、ふっ酸濃度が１ｗｔ％を超えると
基板の表面荒れがひどくなる。また、オゾンが２ｐｐｍ
未満若しくは過酸化水素が０．１ｗｔ％未満である場
合、パーティクル付着防止効果は無い。また、オゾンが
１０ｐｐｍを超える若しくは過酸化水素が１ｗｔ％を超
える場合、シリコン表面に酸化膜が残存してしまう。
【００１２】ここに記載された純水は比抵抗１５ＭΩ／
ｃｍ以上の水、超純水とは、比抵抗１８ＭΩ／ｃｍ以上
の水をいう。
ｃｍ以上の水、超純水とは、比抵抗１８ＭΩ／ｃｍ以上
の水をいう。
【００１３】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されることがない
ことは言うまでもない。 （実施例１）基板濃度１．１×１０19／ｃｍ3を有する
ｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と３０％過酸
化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０分間洗浄を
行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行った後、０．
５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。
するが、本発明がこれら実施例に限定されることがない
ことは言うまでもない。 （実施例１）基板濃度１．１×１０19／ｃｍ3を有する
ｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と３０％過酸
化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０分間洗浄を
行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行った後、０．
５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。
【００１４】この基板を直ちに測定室の到達真空度が１
×１０-10ｔｏｒｒを有するＸ線光電子分光装置に入
れ、光電子の取り出し角度を５度に設定し、Ｓｉ4+（Ｓ
ｉＯ2）のピークの検出を試みたがピークの確認は出来
なかった。
×１０-10ｔｏｒｒを有するＸ線光電子分光装置に入
れ、光電子の取り出し角度を５度に設定し、Ｓｉ4+（Ｓ
ｉＯ2）のピークの検出を試みたがピークの確認は出来
なかった。
【００１５】一方、０．５ｗｔふっ酸洗浄後、シリコン
基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超純
水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、１２時間後、２
４時間後にシリコン基板を容器より取り出し、Ｘ線光電
子分光装置により、Ｓｉ4+（ＳｉＯ2）のピークの検出
を行った。その結果を表１及び表２に示す。
基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超純
水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、１２時間後、２
４時間後にシリコン基板を容器より取り出し、Ｘ線光電
子分光装置により、Ｓｉ4+（ＳｉＯ2）のピークの検出
を行った。その結果を表１及び表２に示す。
【００１６】（実施例２）基板濃度１．１×１０19／ｃ
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、０．５ｗｔふっ酸にて１分間処理した。
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、０．５ｗｔふっ酸にて１分間処理した。
【００１７】この基板を直ちに、大きさ５０ｍｍ×２０
ｍｍ（厚さ２ｍｍ）断面の角度が６０度の平行四辺形型
ゲルマニウムクリスタルをプリズムとして、フーリエ変
換赤外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観
察した。
ｍｍ（厚さ２ｍｍ）断面の角度が６０度の平行四辺形型
ゲルマニウムクリスタルをプリズムとして、フーリエ変
換赤外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観
察した。
【００１８】一方、０．５ｗｔ％ふっ酸洗浄後、シリコ
ン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超
純水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、ある時間毎に
容器より取り出し、直ちにフーリエ変換赤外分光装置の
多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察した。その時の
ピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂの場合を表３
に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表４及び溶存酸素
量５００ｐｐｂの場合を表５に示す。
ン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超
純水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、ある時間毎に
容器より取り出し、直ちにフーリエ変換赤外分光装置の
多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察した。その時の
ピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂの場合を表３
に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表４及び溶存酸素
量５００ｐｐｂの場合を表５に示す。
【００１９】表３、表４及び表５の結果からシリコン表
面の水素終端化には純水若しくは超純水中に含まれる溶
存酸素濃度を１００ｐｐｂ以下、溶存水素は０．５ｐｐ
ｍ以上にする必要がある事がわかった。表５の結果では
溶存酸素濃度が５００ｐｐｂ以上でもＳｉ−Ｈピークの
増加が見られるが、浸漬時間１０分以降ではＳｉ−Ｈピ
ークは単調に減少している。
面の水素終端化には純水若しくは超純水中に含まれる溶
存酸素濃度を１００ｐｐｂ以下、溶存水素は０．５ｐｐ
ｍ以上にする必要がある事がわかった。表５の結果では
溶存酸素濃度が５００ｐｐｂ以上でもＳｉ−Ｈピークの
増加が見られるが、浸漬時間１０分以降ではＳｉ−Ｈピ
ークは単調に減少している。
【００２１】（実施例３）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００２２】この基板にアルミナ粒子を使用し、０．１
７ミクロンより大きな粒子が基板１枚当たり３０００〜
５０００個程度付着した汚染基板を作成した。
７ミクロンより大きな粒子が基板１枚当たり３０００〜
５０００個程度付着した汚染基板を作成した。
【００２３】溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超純
水を、周波数１．６ＭＨｚ（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）
を照射しながらノズル型周波数照射装置に通水（通水量
５Ｌ／分）し、基板を１０００回転／分にて回転させな
がら２０秒間洗浄を行った。
水を、周波数１．６ＭＨｚ（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）
を照射しながらノズル型周波数照射装置に通水（通水量
５Ｌ／分）し、基板を１０００回転／分にて回転させな
がら２０秒間洗浄を行った。
【００２４】洗浄後、基板を１５００回転／分にて回転
させ乾燥を行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し、除去率を
求めた。その結果を表６に示す。
させ乾燥を行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し、除去率を
求めた。その結果を表６に示す。
【００２５】（実施例４）比較例として（実施例３）に
おいて周波数の照射無しの場合及び周波数５００ＫＨｚ
（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）を照射しながら洗浄を行っ
た場合の結果をそれぞれ表７、表８に示す。
おいて周波数の照射無しの場合及び周波数５００ＫＨｚ
（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）を照射しながら洗浄を行っ
た場合の結果をそれぞれ表７、表８に示す。
【００２６】（実施例５）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００２７】この基板を０．５ｗｔ％ふっ酸に各濃度の
オゾン水を添加し、溶液のオゾン濃度を変化させ、洗浄
を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを２０秒
間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミクロン
より大きな粒子の付着状態を観察した。またその時の酸
化膜残りをＸ線光電子分光装置にて評価した。その結果
を表９に示す。
オゾン水を添加し、溶液のオゾン濃度を変化させ、洗浄
を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを２０秒
間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミクロン
より大きな粒子の付着状態を観察した。またその時の酸
化膜残りをＸ線光電子分光装置にて評価した。その結果
を表９に示す。
【００２８】（実施例６）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００２９】この基板を濃度５ｐｐｍのオゾン水に、各
濃度のふっ酸溶液を添加し、溶液のふっ酸濃度を変化さ
せ洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを
２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミ
クロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またその
時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラフ
ネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１０
に示す。
濃度のふっ酸溶液を添加し、溶液のふっ酸濃度を変化さ
せ洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを
２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミ
クロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またその
時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラフ
ネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１０
に示す。
【００３０】（実施例７）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００３１】この基板を０．５ｗｔ％ふっ酸に各濃度の
過酸化水素水を添加し、溶液の過酸化水素濃度を変化さ
せ、洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンス
を２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またそ
の時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラ
フネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１
１に示す。
過酸化水素水を添加し、溶液の過酸化水素濃度を変化さ
せ、洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンス
を２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またそ
の時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラ
フネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１
１に示す。
【００３２】（実施例８）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％ふっ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００３３】この基板を濃度０．５ｗｔ％の過酸化水素
水に、各濃度のふっ酸溶液を添加し、溶液のふっ酸濃度
を変化させ洗浄を２０秒間行った。その後超純水による
リンスを２０秒間行い、パーティクルカウンターにて
０．１７ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し
た。またその時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置に
て、表面のラフネスを原子間力顕微鏡にて評価した。そ
の結果を表１２に示す。
水に、各濃度のふっ酸溶液を添加し、溶液のふっ酸濃度
を変化させ洗浄を２０秒間行った。その後超純水による
リンスを２０秒間行い、パーティクルカウンターにて
０．１７ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し
た。またその時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置に
て、表面のラフネスを原子間力顕微鏡にて評価した。そ
の結果を表１２に示す。
【００３４】（実施例９）基板濃度１．１×１０19／ｃ
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、濃度０．５ｗｔ％のふっ酸にオゾン水５ｐｐｍ
を添加し、２０秒間洗浄を行った。
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、濃度０．５ｗｔ％のふっ酸にオゾン水５ｐｐｍ
を添加し、２０秒間洗浄を行った。
【００３５】シリコン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１３に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１４及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１５に示
す。
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１３に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１４及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１５に示
す。
【００３６】（実施例１０）基板濃度１．１×１０19／
ｃｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫
酸と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で
１０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを
行った後、濃度０．５ｗｔ％のふっ酸に過酸化水素水
０．５ｗｔ％を添加し、２０秒間洗浄を行った。
ｃｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫
酸と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で
１０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを
行った後、濃度０．５ｗｔ％のふっ酸に過酸化水素水
０．５ｗｔ％を添加し、２０秒間洗浄を行った。
【００３７】シリコン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１６に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１７及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１８に示
す。
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１６に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１７及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１８に示
す。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば以下の効果が得られる。 純水もしくは、超純水中での自然酸化膜の形成を押
さえることができる。 シリコン表面を化学的に安定化することができる。 純水もしくは超純水にパーティクル除去効果を付与
することができる。 ウェット洗浄工程でのパーティクルの付着を押さえ
ることができる。
さえることができる。 シリコン表面を化学的に安定化することができる。 純水もしくは超純水にパーティクル除去効果を付与
することができる。 ウェット洗浄工程でのパーティクルの付着を押さえ
ることができる。
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【表６】
【表７】
【表８】
【表９】
【表１０】
【表１１】
【表１２】
【表１３】
【表１４】
【表１５】
【表１６】
【表１７】
【表１８】
【手続補正書】
【提出日】平成１０年６月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 洗浄方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造プロセ
スの洗浄方法に係り、より詳細にはフッ酸にオゾンを添
加した溶液若しくはフッ酸に過酸化水素を添加した溶液
による洗浄及び水素ガスを添加した純水又は超純水を薬
液洗浄後のリンス水として使用する洗浄方法である。
スの洗浄方法に係り、より詳細にはフッ酸にオゾンを添
加した溶液若しくはフッ酸に過酸化水素を添加した溶液
による洗浄及び水素ガスを添加した純水又は超純水を薬
液洗浄後のリンス水として使用する洗浄方法である。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に形成される半導体素子
は、サブミクロンのレベルに高密度且つ微細化してい
る。高密度化を達成するためには、基板の表面は超清浄
な状態に保たれなければならない。すなわち、基板表面
から有機物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化
膜）の不純物は除去されていなければならない。そのた
め、基板は洗浄を行う必要がある。
は、サブミクロンのレベルに高密度且つ微細化してい
る。高密度化を達成するためには、基板の表面は超清浄
な状態に保たれなければならない。すなわち、基板表面
から有機物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化
膜）の不純物は除去されていなければならない。そのた
め、基板は洗浄を行う必要がある。
【０００３】半導体の洗浄を行うための薬液には、有機
物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化膜）に対し
て除去効果の高いものが使用されている。しかし、薬液
洗浄後のリンスを目的とした純水又は超純水の洗浄工程
においては、有機物、金属、各種パーティクル、酸化物
（酸化膜）に対する除去効果はない。逆に、純水又は超
純水に溶解した酸素により酸化膜の成長が報告されてい
る。このような酸化膜の成長は、一例としてフッ酸によ
る酸化膜除去工程後のエピタキシャル成長を阻害する原
因となる。これらの問題を解決する手段として純水又は
超純水中の酸素量を数ｐｐｂまで低減した脱酸素水（脱
気水）と呼ばれる純水又は超純水を使用している。また
ｎ+シリコン表面（ｎ型シリコン中でドーピング量が１
×１０19／ｃｍ3を超えるものを差す）は酸化速度の速
い事が知られている。ｎ+シリコンは、シリコン系素子
において金属電極形成のコンタクト材料として非常に重
要である。そこでｎ+シリコン表面は、金属半導体間の
接触抵抗を増加させない様に出来るだけ酸化させないこ
とが望ましい。しかし、ただ単に脱気水を使うだけで
は、ｎ+シリコン表面の酸化膜の成長を抑制するのは、
非常に困難である。
物、金属、各種パーティクル、酸化物（酸化膜）に対し
て除去効果の高いものが使用されている。しかし、薬液
洗浄後のリンスを目的とした純水又は超純水の洗浄工程
においては、有機物、金属、各種パーティクル、酸化物
（酸化膜）に対する除去効果はない。逆に、純水又は超
純水に溶解した酸素により酸化膜の成長が報告されてい
る。このような酸化膜の成長は、一例としてフッ酸によ
る酸化膜除去工程後のエピタキシャル成長を阻害する原
因となる。これらの問題を解決する手段として純水又は
超純水中の酸素量を数ｐｐｂまで低減した脱酸素水（脱
気水）と呼ばれる純水又は超純水を使用している。また
ｎ+シリコン表面（ｎ型シリコン中でドーピング量が１
×１０19／ｃｍ3を超えるものを差す）は酸化速度の速
い事が知られている。ｎ+シリコンは、シリコン系素子
において金属電極形成のコンタクト材料として非常に重
要である。そこでｎ+シリコン表面は、金属半導体間の
接触抵抗を増加させない様に出来るだけ酸化させないこ
とが望ましい。しかし、ただ単に脱気水を使うだけで
は、ｎ+シリコン表面の酸化膜の成長を抑制するのは、
非常に困難である。
【０００４】シリコン基板のウエット洗浄工程において
フッ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板は表面に酸化
膜のない状態である。しかし、この状態の基板は各種パ
ーティクルの付着を引き起こしやすい。特にフッ酸を含
有した洗浄液での洗浄後に純水又は超純水でのリンス工
程しか存在しない場合、純水又は超純水自体には、パー
ティクルを除去する効果はないため、成膜プロセスなど
の次工程でパーティクルに起因した結晶欠陥を招く原因
となる。
フッ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板は表面に酸化
膜のない状態である。しかし、この状態の基板は各種パ
ーティクルの付着を引き起こしやすい。特にフッ酸を含
有した洗浄液での洗浄後に純水又は超純水でのリンス工
程しか存在しない場合、純水又は超純水自体には、パー
ティクルを除去する効果はないため、成膜プロセスなど
の次工程でパーティクルに起因した結晶欠陥を招く原因
となる。
【０００５】シリコン基板のウエット洗浄工程において
フッ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板表面は最表面
のシリコン原子は水素原子と結びつき、最表面が水素原
子で終端した構造を取っている。この水素終端したシリ
コン表面は、化学的に非常に安定な表面といわれてい
る。しかし、全てのシリコン原子が水素原子と結合して
いるわけではなく中には、シリコン原子がそのまま表面
に現れている未結合状態やフッ素原子が結合したシリコ
ン原子も存在が確認されている。このようなシリコン原
子は、化学的に非常に不安定であり酸化を受けやすいサ
イトとなっている。
フッ酸を含有した洗浄液での洗浄後の基板表面は最表面
のシリコン原子は水素原子と結びつき、最表面が水素原
子で終端した構造を取っている。この水素終端したシリ
コン表面は、化学的に非常に安定な表面といわれてい
る。しかし、全てのシリコン原子が水素原子と結合して
いるわけではなく中には、シリコン原子がそのまま表面
に現れている未結合状態やフッ素原子が結合したシリコ
ン原子も存在が確認されている。このようなシリコン原
子は、化学的に非常に不安定であり酸化を受けやすいサ
イトとなっている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半導体ウエ
ット洗浄工程における薬品洗浄工程及び純水又は超純水
を使用したリンス工程において、表面酸化膜の形成を
抑制するパーティクルの除去及び付着防止シリコン
原子の水素終端化を助長するリンス水又は薬液の提供を
目的とする。
ット洗浄工程における薬品洗浄工程及び純水又は超純水
を使用したリンス工程において、表面酸化膜の形成を
抑制するパーティクルの除去及び付着防止シリコン
原子の水素終端化を助長するリンス水又は薬液の提供を
目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄方法は、被
洗浄物を薬液で洗浄した後、純水又は超純水中に水素ガ
スを０．５ｐｐｍ以上含有し、酸素ガスの溶存量が１０
０ｐｐｂ以下である純水又は超純水によりリンスを行う
ことを特徴とする。
洗浄物を薬液で洗浄した後、純水又は超純水中に水素ガ
スを０．５ｐｐｍ以上含有し、酸素ガスの溶存量が１０
０ｐｐｂ以下である純水又は超純水によりリンスを行う
ことを特徴とする。
【０００８】リンスの際に使用する純水又は超純水に水
素ガスを添加することにより、従来リンス時に発生して
いた表面酸化膜の形成を抑制することができる。また、
被洗浄物が半導体基体（特にシリコン半導体基体）の場
合には、表面の水素終端化を促進することが可能とな
る。
素ガスを添加することにより、従来リンス時に発生して
いた表面酸化膜の形成を抑制することができる。また、
被洗浄物が半導体基体（特にシリコン半導体基体）の場
合には、表面の水素終端化を促進することが可能とな
る。
【０００９】また、リンスの際に、５００ｋＨｚ以上の
周波数の振動を純水又は超純水に付与することによりパ
ーティクル除去効果、パーティクルの再付着防止効果が
生ずる。
周波数の振動を純水又は超純水に付与することによりパ
ーティクル除去効果、パーティクルの再付着防止効果が
生ずる。
【００１０】リンス前の薬液洗浄をフッ酸に酸化性を有
するオゾン又は過酸化水素を含有する薬液による洗浄に
は、表面のエッチング効果及びパーティクル付着防止効
果があるが、かかる薬液の洗浄の後に本発明のリンスを
行うと、鈍化した水素終端化を促進することができる。
するオゾン又は過酸化水素を含有する薬液による洗浄に
は、表面のエッチング効果及びパーティクル付着防止効
果があるが、かかる薬液の洗浄の後に本発明のリンスを
行うと、鈍化した水素終端化を促進することができる。
【００１１】
【作用】本発明においては、まず純水又は超純水に水素
ガスを添加することによって酸化膜形成の抑制効果があ
る。その際に添加する水素濃度は、０．５ｐｐｍという
極微量濃度から効果がある事が分かった。また、この時
同時に溶解している酸素濃度は１００ｐｐｂ以下である
ことが望ましい。１００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解
している場合、酸化膜の形成を完全に抑制することは出
来ない。なおこの現象は、ｎ+シリコン表面にて特に顕
著である。
ガスを添加することによって酸化膜形成の抑制効果があ
る。その際に添加する水素濃度は、０．５ｐｐｍという
極微量濃度から効果がある事が分かった。また、この時
同時に溶解している酸素濃度は１００ｐｐｂ以下である
ことが望ましい。１００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解
している場合、酸化膜の形成を完全に抑制することは出
来ない。なおこの現象は、ｎ+シリコン表面にて特に顕
著である。
【００１２】純水又は超純水に水素ガスを添加すること
によってシリコンの未結合手又は他の吸着原子を水素原
子に置き換えることが可能となる。これによりシリコン
表面の水素終端が進行し、シリコンは電子の交換が容易
にできなくなるため表面は安定化する。その際に添加す
る水素濃度は、０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果
がある事が分かった。また、この時同時に溶解している
酸素濃度は１００ｐｐｂ以下であることが望ましい。１
００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解している場合、逆に
水素終端表面は損なわれる。なおこの現象は、ｎ+シリ
コン表面にて特に顕著である。
によってシリコンの未結合手又は他の吸着原子を水素原
子に置き換えることが可能となる。これによりシリコン
表面の水素終端が進行し、シリコンは電子の交換が容易
にできなくなるため表面は安定化する。その際に添加す
る水素濃度は、０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果
がある事が分かった。また、この時同時に溶解している
酸素濃度は１００ｐｐｂ以下であることが望ましい。１
００ｐｐｂより多くの酸素量が溶解している場合、逆に
水素終端表面は損なわれる。なおこの現象は、ｎ+シリ
コン表面にて特に顕著である。
【００１３】純水又は超純水に水素ガスを添加し、５０
０ｋＨｚ以上の周波数の振動を与えることでパーティク
ル除去、再付着防止が可能となる。しかしここで用いる
振動の周波数は、５００ｋＨｚ〜３ＭＨｚであることが
好ましい。周波数が５００ｋＨｚ未満の場合、水粒子の
大きな振幅動で生じる摩擦によって基板上に帯電が起こ
りデバイス破壊を生じさせるまた周波数が３ＭＨｚ以上
の場合は、このような高周波になるに従って、増幅器の
効率が悪くなるので大きな出力を得るためには大きな電
力が必要となり実用的でない。またこの時に溶解するパ
ーティクル除去及び再付着防止に必要な水素濃度は、
０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果がある事が分か
った。またこの時、同時に溶解している酸素濃度は１０
０ｐｐｂ以下であることが望ましい。１００ｐｐｂより
多くの酸素量が溶解している場合、シリコン表面には酸
化膜の形成が認められる。
０ｋＨｚ以上の周波数の振動を与えることでパーティク
ル除去、再付着防止が可能となる。しかしここで用いる
振動の周波数は、５００ｋＨｚ〜３ＭＨｚであることが
好ましい。周波数が５００ｋＨｚ未満の場合、水粒子の
大きな振幅動で生じる摩擦によって基板上に帯電が起こ
りデバイス破壊を生じさせるまた周波数が３ＭＨｚ以上
の場合は、このような高周波になるに従って、増幅器の
効率が悪くなるので大きな出力を得るためには大きな電
力が必要となり実用的でない。またこの時に溶解するパ
ーティクル除去及び再付着防止に必要な水素濃度は、
０．５ｐｐｍという極微量濃度から効果がある事が分か
った。またこの時、同時に溶解している酸素濃度は１０
０ｐｐｂ以下であることが望ましい。１００ｐｐｂより
多くの酸素量が溶解している場合、シリコン表面には酸
化膜の形成が認められる。
【００１４】フッ酸中にオゾン若しくは過酸化水素を添
加することによって、フッ酸の持つシリコン酸化膜の除
去能力にパーティクル付着防止効果を付与することが出
来る。この時フッ酸濃度は０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％
以下であること、オゾン濃度は２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ
以下であること、過酸化水素は、０．１ｗｔ％以上１ｗ
ｔ％以下であることが望ましい。フッ酸濃度が０．０５
ｗｔ％未満である場合、シリコンの酸化膜をエッチング
能力はほとんど無い。また、フッ酸濃度が１ｗｔ％を超
えると基板の表面荒れがひどくなる。また、オゾンが２
ｐｐｍ未満若しくは過酸化水素が０．１ｗｔ％未満であ
る場合、パーティクル付着防止効果は無い。また、オゾ
ンが１０ｐｐｍを超える若しくは過酸化水素が１ｗｔ％
を超える場合、シリコン表面に酸化膜が残存してしま
う。
加することによって、フッ酸の持つシリコン酸化膜の除
去能力にパーティクル付着防止効果を付与することが出
来る。この時フッ酸濃度は０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％
以下であること、オゾン濃度は２ｐｐｍ以上１０ｐｐｍ
以下であること、過酸化水素は、０．１ｗｔ％以上１ｗ
ｔ％以下であることが望ましい。フッ酸濃度が０．０５
ｗｔ％未満である場合、シリコンの酸化膜をエッチング
能力はほとんど無い。また、フッ酸濃度が１ｗｔ％を超
えると基板の表面荒れがひどくなる。また、オゾンが２
ｐｐｍ未満若しくは過酸化水素が０．１ｗｔ％未満であ
る場合、パーティクル付着防止効果は無い。また、オゾ
ンが１０ｐｐｍを超える若しくは過酸化水素が１ｗｔ％
を超える場合、シリコン表面に酸化膜が残存してしま
う。
【００１５】ここに記載された純水は比抵抗１５ＭΩ／
ｃｍ以上の水、超純水とは、比抵抗１８ＭΩ／ｃｍ以上
の水をいう。
ｃｍ以上の水、超純水とは、比抵抗１８ＭΩ／ｃｍ以上
の水をいう。
【００１６】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されることがない
ことは言うまでもない。
するが、本発明がこれら実施例に限定されることがない
ことは言うまでもない。
【００１７】（実施例１）基板濃度１．１×１０19／ｃ
ｍ3を有するｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。
ｍ3を有するｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。
【００１８】この基板を直ちに測定室の到達真空度が１
×１０-10ｔｏｒｒを有するＸ線光電子分光装置に入
れ、光電子の取り出し角度を５度に設定し、Ｓｉ4+（Ｓ
ｉＯ2）のピークの検出を試みたがピークの確認は出来
なかった。
×１０-10ｔｏｒｒを有するＸ線光電子分光装置に入
れ、光電子の取り出し角度を５度に設定し、Ｓｉ4+（Ｓ
ｉＯ2）のピークの検出を試みたがピークの確認は出来
なかった。
【００１９】一方、０．５ｗｔ％フッ酸洗浄後、シリコ
ン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超
純水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、１２時間後、
２４時間後にシリコン基板を容器より取り出し、Ｘ線光
電子分光装置により、Ｓｉ4+（ＳｉＯ2）のピークの検
出を行った。その結果を表１及び表２に示す。
ン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超
純水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、１２時間後、
２４時間後にシリコン基板を容器より取り出し、Ｘ線光
電子分光装置により、Ｓｉ4+（ＳｉＯ2）のピークの検
出を行った。その結果を表１及び表２に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】（実施例２）基板濃度１．１×１０19／ｃ
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。
【００２３】この基板を直ちに、大きさ５０ｍｍ×２０
ｍｍ（厚さ２ｍｍ）断面の角度が６０度の平行四辺形型
ゲルマニウムクリスタルをプリズムとして、フーリエ変
換赤外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観
察した。
ｍｍ（厚さ２ｍｍ）断面の角度が６０度の平行四辺形型
ゲルマニウムクリスタルをプリズムとして、フーリエ変
換赤外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観
察した。
【００２４】一方、０．５ｗｔ％フッ酸洗浄後、シリコ
ン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超
純水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、ある時間毎に
容器より取り出し、直ちにフーリエ変換赤外分光装置の
多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察した。その時の
ピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂの場合を表３
に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表４及び溶存酸素
量５００ｐｐｂの場合を表５に示す。
ン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超
純水を通水（通水量５００ｍｌ／分）し、ある時間毎に
容器より取り出し、直ちにフーリエ変換赤外分光装置の
多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察した。その時の
ピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂの場合を表３
に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表４及び溶存酸素
量５００ｐｐｂの場合を表５に示す。
【００２５】
【表３】
【００２６】
【表４】
【００２７】
【表５】
【００２８】表３、表４及び表５の結果からシリコン表
面の水素終端化には純水若しくは超純水中に含まれる溶
存酸素濃度を１００ｐｐｂ以下、溶存水素は０．５ｐｐ
ｍ以上にする必要がある事がわかった。表５の結果では
溶存酸素濃度が５００ｐｐｂ以上でもＳｉ−Ｈピークの
増加が見られるが、浸漬時間１０分以降ではＳｉ−Ｈピ
ークは単調に減少している。
面の水素終端化には純水若しくは超純水中に含まれる溶
存酸素濃度を１００ｐｐｂ以下、溶存水素は０．５ｐｐ
ｍ以上にする必要がある事がわかった。表５の結果では
溶存酸素濃度が５００ｐｐｂ以上でもＳｉ−Ｈピークの
増加が見られるが、浸漬時間１０分以降ではＳｉ−Ｈピ
ークは単調に減少している。
【００２９】（実施例３）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００３０】この基板にアルミナ粒子を使用し、０．１
７ミクロンより大きな粒子が基板１枚当たり３０００〜
５０００個程度付着した汚染基板を作成した。
７ミクロンより大きな粒子が基板１枚当たり３０００〜
５０００個程度付着した汚染基板を作成した。
【００３１】溶存酸素量及び溶存水素量を調整した超純
水を、周波数１．６ＭＨｚ（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）
を照射しながらノズル型周波数照射装置に通水（通水量
５Ｌ／分）し、基板を１０００回転／分にて回転させな
がら２０秒間洗浄を行った。
水を、周波数１．６ＭＨｚ（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）
を照射しながらノズル型周波数照射装置に通水（通水量
５Ｌ／分）し、基板を１０００回転／分にて回転させな
がら２０秒間洗浄を行った。
【００３２】洗浄後、基板を１５００回転／分にて回転
させ乾燥を行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し、除去率を
求めた。その結果を表６に示す。
させ乾燥を行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し、除去率を
求めた。その結果を表６に示す。
【００３３】
【表６】
【００３４】（実施例４）比較例として（実施例３）に
おいて周波数の照射無しの場合及び周波数５００ｋＨｚ
（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）を照射しながら洗浄を行っ
た場合の結果をそれぞれ表７、表８に示す。
おいて周波数の照射無しの場合及び周波数５００ｋＨｚ
（照射密度１３Ｗ／ｃｍ2）を照射しながら洗浄を行っ
た場合の結果をそれぞれ表７、表８に示す。
【００３５】
【表７】
【００３６】
【表８】
【００３７】（実施例５）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００３８】この基板を０．５ｗｔ％フッ酸に各濃度の
オゾン水を添加し、溶液のオゾン濃度を変化させ、洗浄
を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを２０秒
間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミクロン
より大きな粒子の付着状態を観察した。またその時の酸
化膜残りをＸ線光電子分光装置にて評価した。その結果
を表９に示す。
オゾン水を添加し、溶液のオゾン濃度を変化させ、洗浄
を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを２０秒
間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミクロン
より大きな粒子の付着状態を観察した。またその時の酸
化膜残りをＸ線光電子分光装置にて評価した。その結果
を表９に示す。
【００３９】
【表９】
【００４０】（実施例６）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００４１】この基板を濃度５ｐｐｍのオゾン水に、各
濃度のフッ酸溶液を添加し、溶液のフッ酸濃度を変化さ
せ洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを
２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミ
クロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またその
時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラフ
ネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１０
に示す。
濃度のフッ酸溶液を添加し、溶液のフッ酸濃度を変化さ
せ洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンスを
２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７ミ
クロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またその
時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラフ
ネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１０
に示す。
【００４２】
【表１０】
【００４３】（実施例７）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００４４】この基板を０．５ｗｔ％フッ酸に各濃度の
過酸化水素水を添加し、溶液の過酸化水素濃度を変化さ
せ、洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンス
を２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またそ
の時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラ
フネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１
１に示す。
過酸化水素水を添加し、溶液の過酸化水素濃度を変化さ
せ、洗浄を２０秒間行った。その後超純水によるリンス
を２０秒間行い、パーティクルカウンターにて０．１７
ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察した。またそ
の時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置にて、表面のラ
フネスを原子間力顕微鏡にて評価した。その結果を表１
１に示す。
【００４５】
【表１１】
【００４６】（実施例８）抵抗率８〜１２Ωｃｍを有す
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
る８インチｎ型（１００）シリコン基板を９７％硫酸と
３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１０
分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行っ
た後、０．５ｗｔ％フッ酸にて１分間処理した。その
後、流量１Ｌ／分で超純水によるリンスを１０分間行っ
た。
【００４７】この基板を濃度０．５ｗｔ％の過酸化水素
水に、各濃度のフッ酸溶液を添加し、溶液のフッ酸濃度
を変化させ洗浄を２０秒間行った。その後超純水による
リンスを２０秒間行い、パーティクルカウンターにて
０．１７ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し
た。またその時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置に
て、表面のラフネスを原子間力顕微鏡にて評価した。そ
の結果を表１２に示す。
水に、各濃度のフッ酸溶液を添加し、溶液のフッ酸濃度
を変化させ洗浄を２０秒間行った。その後超純水による
リンスを２０秒間行い、パーティクルカウンターにて
０．１７ミクロンより大きな粒子の付着状態を観察し
た。またその時の酸化膜残りをＸ線光電子分光装置に
て、表面のラフネスを原子間力顕微鏡にて評価した。そ
の結果を表１２に示す。
【００４８】
【表１２】
【００４９】（実施例９）基板濃度１．１×１０19／ｃ
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、濃度０．５ｗｔ％のフッ酸にオゾン水５ｐｐｍ
を添加し、２０秒間洗浄を行った。
ｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫酸
と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で１
０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを行
った後、濃度０．５ｗｔ％のフッ酸にオゾン水５ｐｐｍ
を添加し、２０秒間洗浄を行った。
【００５０】シリコン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１３に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１４及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１５に示
す。
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１３に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１４及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１５に示
す。
【００５１】
【表１３】
【００５２】
【表１４】
【００５３】
【表１５】
【００５４】（実施例１０）基板濃度１．１×１０19／
ｃｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫
酸と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で
１０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを
行った後、濃度０．５ｗｔ％のフッ酸に過酸化水素水
０．５ｗｔ％を添加し、２０秒間洗浄を行った。
ｃｍ3を有するｎ型（１１１）シリコン基板を９７％硫
酸と３０％過酸化水素を体積比４：１に混合した薬液で
１０分間洗浄を行い、流量１Ｌ／分の超純水でリンスを
行った後、濃度０．５ｗｔ％のフッ酸に過酸化水素水
０．５ｗｔ％を添加し、２０秒間洗浄を行った。
【００５５】シリコン基板は直ちに溶存酸素量及び溶存
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１６に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１７及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１８に示
す。
水素量を調整した超純水を通水（通水量５００ｍｌ／
分）し、ある時間毎に取り出し、直ちにフーリエ変換赤
外分光装置の多重反射法によりＳｉ−Ｈピークを観察し
た。その時のピーク強度の変化を溶存酸素量５０ｐｐｂ
の場合を表１６に、溶存酸素量１００ｐｐｂの場合を表
１７及び溶存酸素量５００ｐｐｂの場合を表１８に示
す。
【００５６】
【表１６】
【００５７】
【表１７】
【００５８】
【表１８】
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば以下の効果が得られる。 純水もしくは、超純水中での自然酸化膜の形成を押
さえることができる。 シリコン表面を化学的に安定化することができる。 純水もしくは超純水にパーティクル除去効果を付与
することができる。 ウェット洗浄工程でのパーティクルの付着を押さえ
ることができる。
さえることができる。 シリコン表面を化学的に安定化することができる。 純水もしくは超純水にパーティクル除去効果を付与
することができる。 ウェット洗浄工程でのパーティクルの付着を押さえ
ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の 301 (72)発明者 新田 雄久 東京都文京区本郷４丁目１番４号 株式会 社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究 所内
Claims (5)
- 【請求項１】 被洗浄物を薬液で洗浄した後、純水又は
超純水中に水素ガスをを０．５ｐｐｍ以上含有し、酸素
ガスの溶存量が１００ｐｐｂ以下である純水又は超純水
によりリンスを行うことを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 前記薬液は、フッ酸を含有する洗浄液で
あることを特徴とする請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】 前記フッ酸を含有する洗浄液は、フッ酸
濃度が０．０５ｗｔ％−１ｗｔであり、かつ、２ｐｐｍ
−１０ｐｐｍのオゾン又は・及び０．１ｗｔ％−１ｗｔ
％の過酸化水素を含有する洗浄液であることを特徴とす
る請求項２記載の洗浄方法。 - 【請求項４】 前記リンスは、５００ＫＨｚ以上の周波
数の振動を純水又は超純水に与えながら行うことを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の洗浄方法。 - 【請求項５】 前記被洗浄物は半導体ウエハ又は液晶基
板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１
項記載の洗浄方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12950398A JP4126677B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 洗浄方法 |
| US09/097,278 US6348157B1 (en) | 1997-06-13 | 1998-06-12 | Cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12950398A JP4126677B2 (ja) | 1998-04-23 | 1998-04-23 | 洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11307497A true JPH11307497A (ja) | 1999-11-05 |
| JP4126677B2 JP4126677B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=15011103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12950398A Expired - Fee Related JP4126677B2 (ja) | 1997-06-13 | 1998-04-23 | 洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4126677B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372413B2 (en) | 2000-06-30 | 2002-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for cleaning the surface of substrate to which residues of resist stick |
| WO2004105116A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Yazaki Corporation | Ｐチャネルパワーｍｉｓ電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
| US6848455B1 (en) | 2002-04-22 | 2005-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species |
| US6903015B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process |
| WO2007034534A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08251789A (ja) * | 1995-03-08 | 1996-09-27 | Yasuyuki Nakagawa | 電線・ケーブル収納カバー |
-
1998
- 1998-04-23 JP JP12950398A patent/JP4126677B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6372413B2 (en) | 2000-06-30 | 2002-04-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for cleaning the surface of substrate to which residues of resist stick |
| US6903015B2 (en) | 2002-03-12 | 2005-06-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process |
| US7727891B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-06-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a semiconductor device using a wet process |
| US6848455B1 (en) | 2002-04-22 | 2005-02-01 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for removing photoresist and post-etch residue from semiconductor substrates by in-situ generation of oxidizing species |
| WO2004105116A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Yazaki Corporation | Ｐチャネルパワーｍｉｓ電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
| JP2004356114A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-16 | Tadahiro Omi | Ｐチャネルパワーｍｉｓ電界効果トランジスタおよびスイッチング回路 |
| US7663195B2 (en) | 2003-05-26 | 2010-02-16 | Tadahiro Ohmi | P-channel power MIS field effect transistor and switching circuit |
| US7928518B2 (en) | 2003-05-26 | 2011-04-19 | Tadahiro Ohmi | P-channel power MIS field effect transistor and switching circuit |
| WO2007034534A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| US8030182B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-10-04 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor manufacturing apparatus |
| KR101113628B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2012-02-17 | 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 제조 장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4126677B2 (ja) | 2008-07-30 |
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