JP2008311436A - エッチング用組成物及びエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び/又は硝酸塩、水を含んでなり、しかもフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物では、酸化ケイ素に対する窒化ケイ素のエッチング選択比が高く、なおかつバッチ処理を繰り返した場合における酸化ケイ素の再析出の問題がない。
【選択図】 図1
Description
ヘキサフルオロケイ酸0.04%、水3.75%、表1に記載の硝酸、残部85%リン酸からなるエッチング組成物100gに、SiNをCVD法により300nmの厚みに成膜したシリコンウエハ(15mm角の正方形)及び熱酸化膜1000nmの厚みに成膜したシリコンウエハ(15mm角の正方形)を155℃で30分間浸漬した。ウエハを取り出し、水洗、乾燥の後、光干渉式膜厚計でSiN、及び熱酸化膜の膜厚を測定した。窒化ケイ素のエッチング速度、酸化ケイ素のエッチング速度、選択比率(窒化ケイ素/酸化ケイ素)を表1及び図1に示した。
硝酸を添加しない以外は実施例1〜7と同じ方法で実施した。結果を表1に示す。
実施例1において硝酸のかわりに硝酸アンモニウムを添加した以外は同様な条件でエッチングを実施した。窒化ケイ素のエッチング速度、酸化ケイ素のエッチング速度、選択比率(窒化ケイ素/酸化ケイ素)を表2に記載した。
ヘキサフルオロケイ酸0.03%、水2.5%、硝酸0.1%、残部85%リン酸からなるエッチング組成物100gに、SiNをCVD法により300nmの厚みに成膜したシリコンウエハ(15mm角の正方形)及び熱酸化膜1000nmの厚みに成膜したシリコンウエハ(15mm角の正方形)を150℃で30分間浸漬するバッチ処理を繰り返し実施した。バッチ毎に0.1%ヘキサフルオロケイ酸を4%づつ逐次追加しながら行った。レファレンスとして、硝酸を加えない以外は同じ組成でバッチ処理を繰り返した。結果を図2に示す。
Claims (8)
- リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び/又は硝酸塩、及び水を含んでなり、なおかつフッ酸を含有しない窒化ケイ素のエッチング用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物が、ハロゲン化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸塩、アルコキシシラン類、アルキルシラン類から成る群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載のエッチング用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物が、ケイ酸、ケイ酸塩、フッ化ケイ素、塩化ケイ素、ヘキサフルオロケイ酸、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシランから成る群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1〜2のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 硝酸塩が硝酸アンモニウムである請求項1〜3のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 可溶性ケイ素化合物が0.001〜0.5重量%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 硝酸及び/又は硝酸塩が、0.0001〜10重量%であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のエッチング用組成物。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のエッチング組成物を使用し、120℃以上180℃以下でエッチングすることを特徴とする窒化ケイ素のエッチング方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のエッチング組成物を使用して窒化ケイ素をエッチングする方法において、リン酸、可溶性ケイ素化合物、硝酸及び/又は硝酸塩の群から選ばれる少なくとも一種の成分を追加添加して用いることを特徴とするエッチング方法。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009094455A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR101097277B1 (ko) | 2009-10-07 | 2011-12-22 | 솔브레인 주식회사 | 습식 식각용 조성물 |
US8211810B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution |
JP2013128109A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Sk Hynix Inc | エッチング組成物及びこれを利用した半導体素子の製造方法 |
KR101391605B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-08 | 솔브레인 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
KR101539375B1 (ko) * | 2014-07-17 | 2015-07-27 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
JP2016092392A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | ラムテクノロジー株式会社Ram Technology Co.,Ltd. | 窒化膜エッチング組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
KR20170059170A (ko) | 2015-11-20 | 2017-05-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
JP2017118092A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-06-29 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
KR101828437B1 (ko) | 2017-04-06 | 2018-03-29 | 주식회사 디엔에스 | 실리콘 질화막 식각용 조성물. |
WO2018168874A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 株式会社 東芝 | エッチング液、エッチング方法、及び電子部品の製造方法 |
US10147619B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-12-04 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and etchant |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200044426A (ko) * | 2018-10-19 | 2020-04-29 | 동우 화인켐 주식회사 | 식각액 조성물 및 이에 포함되는 실란계 커플링제의 선정 방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03268327A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-29 | Sony Corp | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
JPH0864574A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-03-08 | At & T Corp | 窒化シリコンのエッチング方法 |
JP2000133631A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-12 | Ashland Inc | 窒化ケイ素膜の選択的腐食組成物および方法 |
JP2007012640A (ja) * | 2005-06-03 | 2007-01-18 | Tosoh Corp | エッチング用組成物 |
JP2007318057A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
-
2007
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03268327A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-29 | Sony Corp | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
JPH0864574A (ja) * | 1994-08-05 | 1996-03-08 | At & T Corp | 窒化シリコンのエッチング方法 |
JP2000133631A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-05-12 | Ashland Inc | 窒化ケイ素膜の選択的腐食組成物および方法 |
JP2007012640A (ja) * | 2005-06-03 | 2007-01-18 | Tosoh Corp | エッチング用組成物 |
JP2007318057A (ja) * | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Tosoh Corp | エッチング用組成物及びエッチング方法 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8211810B2 (en) | 2007-09-21 | 2012-07-03 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method for performing etching process with phosphoric acid solution |
JP2009094455A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
KR101097277B1 (ko) | 2009-10-07 | 2011-12-22 | 솔브레인 주식회사 | 습식 식각용 조성물 |
KR101391605B1 (ko) | 2010-12-31 | 2014-05-08 | 솔브레인 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
JP2013128109A (ja) * | 2011-12-16 | 2013-06-27 | Sk Hynix Inc | エッチング組成物及びこれを利用した半導体素子の製造方法 |
KR101539375B1 (ko) * | 2014-07-17 | 2015-07-27 | 솔브레인 주식회사 | 식각용 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US9868902B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-01-16 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
US10465112B2 (en) | 2014-07-17 | 2019-11-05 | Soulbrain Co., Ltd. | Composition for etching |
JP2016092392A (ja) * | 2014-10-30 | 2016-05-23 | ラムテクノロジー株式会社Ram Technology Co.,Ltd. | 窒化膜エッチング組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
US10147619B2 (en) | 2015-08-27 | 2018-12-04 | Toshiba Memory Corporation | Substrate treatment apparatus, substrate treatment method, and etchant |
JP2017118092A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-06-29 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、基板処理方法およびエッチング液 |
KR20170059170A (ko) | 2015-11-20 | 2017-05-30 | 동우 화인켐 주식회사 | 실리콘 질화막 식각액 조성물 |
JPWO2018168874A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2019-04-25 | 株式会社東芝 | エッチング液、エッチング方法、及び電子部品の製造方法 |
CN109478509A (zh) * | 2017-03-15 | 2019-03-15 | 株式会社东芝 | 蚀刻液、蚀刻方法及电子部件的制造方法 |
WO2018168874A1 (ja) * | 2017-03-15 | 2018-09-20 | 株式会社 東芝 | エッチング液、エッチング方法、及び電子部品の製造方法 |
US20190198344A1 (en) * | 2017-03-15 | 2019-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching solution, etching method, and method for manufacturing an electronic component |
US10957553B2 (en) | 2017-03-15 | 2021-03-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Etching solution, etching method, and method for manufacturing an electronic component |
CN109478509B (zh) * | 2017-03-15 | 2024-01-12 | 株式会社东芝 | 蚀刻液、蚀刻方法及电子部件的制造方法 |
JP2018182312A (ja) * | 2017-04-06 | 2018-11-15 | 株式会社デーアンドエス | シリコン窒化膜エッチング用組成物 |
KR101828437B1 (ko) | 2017-04-06 | 2018-03-29 | 주식회사 디엔에스 | 실리콘 질화막 식각용 조성물. |
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Publication number | Publication date |
---|---|
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