JP2004277576A - エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 - Google Patents

エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法 Download PDF

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健彦 毛塚
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Abstract

【課題】エッチング及び洗浄用途に使用できる溶液を簡便に調製する
【解決手段】（１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
工程Ｉ：フッ化水素酸水溶液とヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種とを混合すること、及び
工程２：工程１で得られた混合物とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩を混合すること
を包含する方法。
【選択図】なし

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法に関する。
【０００２】
【従来の技術及びその課題】
従来、フッ化水素酸塩及び有機溶媒を含むエッチング用又は洗浄用組成物として、種々のものが使用される（特許文献１〜３）。
【０００３】
しかしながら、フッ化水素酸とアミン類、特にアンモニアとの塩は有機溶媒に難溶性であるため、特に水の含量が低い濃厚溶液の調製は困難であった。
【０００４】
本発明は、エッチング用又は洗浄用の溶液を容易に調製する方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−１６４５８５
【０００６】
【特許文献２】
特開２０００−１６４５８６
【０００７】
【特許文献３】
特願２００１−３２６９４８
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、以下のエッチング用又は洗浄用の溶液の製造法を提供するものである。
項１． （１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
工程Ｉ：フッ化水素酸水溶液とヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種とを混合すること、及び
工程２：工程１で得られた混合物とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩を混合すること
を包含する方法。
項２． （１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
工程Ｉ：フッ化水素酸水溶液とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩とを混合すること、及び
工程２：工程１で得られた混合物とヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種とを混合すること、及び必要に応じて
工程３：工程２で得られた混合物を濾過すること
を包含する方法。
項３． （１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種と水を含む混合液に、アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の固形物を加えて溶解させる工程を有する、方法。
項４． アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩が水溶液の形態である項１又は２に記載の方法。
項５． アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩が、フッ化アンモニウムの水溶液である項４に記載の方法。
項６． 前記固形物が一水素二フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）である項３に記載の方法。
項７． 得られる溶液が一水素二フッ化アンモニウム、モノエタノールアミン重フッ化物塩及びエチルアミン重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）及びアセトンからなる群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を有する有機溶媒を含む含水溶液である項１〜６のいずれかに記載の方法。
項８． 一水素二フッ化アンモニウム、モノエタノールアミン重フッ化物塩及びエチルアミン重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種０．００１〜５質量％、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）及びアセトンからなる群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を有する有機溶媒９２〜９９．９９９質量％、水が０〜３質量％である項１〜７のいずれかに記載の方法。
項９． ヘテロ原子を有する有機溶媒と濃フッ化水素酸水溶液を混合し、次に濃フッ化アンモニウム溶液を混合することを特徴とする一水素二フッ化アンモニウム及びヘテロ原子を有する有機溶媒を含むエッチング用又は洗浄用組成物の製造法。
項１０． 濃フッ化水素酸水溶液と濃フッ化アンモニウム溶液を混合した混合液とヘテロ原子を有する有機溶媒を混合し、析出した一水素二フッ化アンモニウムを濾過することを特徴とする一水素二フッ化アンモニウム及びヘテロ原子を有するエッチング用又は洗浄用溶液の製造法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の方法により得られた溶液は、エッチング用又は洗浄用の溶液として好適である。
【００１０】
エッチング用の溶液としては、特許文献１又は２に記載のエッチング液として好適に使用できる。
【００１１】
洗浄用の溶液は、半導体製造工程で好適に使用される。具体的には、ＳＴＩ、メタルゲート，コンタクトホール、ビィアホール、キャパシタなどの洗浄、レジスト由来のポリマー剥離やＣＭＰ後洗浄時において、表面の荒れを起こさない洗浄剤として使用可能である。該洗浄剤は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子或いは液晶パネル素子の製造に好適に使用できる。
【００１２】
本発明の方法により製造される溶液は、（１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種（以下、「含窒素塩基成分」という）とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とする。
（１）含窒素塩基成分
含窒素塩基成分としては、アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩が挙げられる。
【００１３】
ヒドロキシルアミン類としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、Ｎ−プロピルヒドロキシルアミン、Ｎ−フェニルヒドロキシルアミンなどの直鎖又は分枝を有する炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基で１又は２置換されたヒドロキシルアミンが挙げられる。
【００１４】
脂肪族アミン類としては、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリブチルアミンなどの直鎖又は分枝を有する炭素数１〜８のアルキル基で１、２または３置換された脂肪族アミン；モノフルオロメチルアミン、ジフルオロメチルアミン、トリフルオロメチルアミン、パーフルオロエチルアミン、パーフルオロプロピルアミン、パーフルオロイソプロピルアミン、パーフルオロブチルアミン、パーフルオロヘキシルアミン、パーフルオロオクチルアミン、ジ（パーフルオロメチル）アミン、ジ（パーフルオロエチル）アミン、ジ（パーフルオロプロピル）アミン、ジ（パーフルオロイソプロピル）アミン、ジ（パーフルオロブチル）アミン、トリ（パーフルオロメチル）アミン、トリ（パーフルオロエチル）アミン、トリ（パーフルオロプロピル）アミン、トリ（パーフルオロイソプロピル）アミン、トリ（パーフルオロブチル）アミンなどの直鎖又は分枝を有する少なくとも１つのフッ素原子含有Ｃ１〜８アルキル基で１、２または３置換された脂肪族アミン；モノエタノールアミン、エチレンジアミン、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、ジエタノールアミン、２−エチルアミノエタノール、ジメチルアミノエタノール、エチルジエタノールアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどが挙げられる。
【００１５】
芳香族アミン類としては、アニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ベンジルアミン、ジベンジルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンなどが挙げられる。
【００１６】
脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩としては、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトライソプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラフェニルアンモニウムなどの脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムの塩酸塩、臭化水素酸塩、硫酸塩、硝酸塩などの鉱酸塩が挙げられる。
（２）含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩
含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩は、含窒素塩基成分とフッ化水素酸が１：１のモル比で結合した化合物が挙げられ、例えばアンモニアとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、フッ化アンモニウムであり、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類とフッ化水素酸も同様に、両者が１：１の比率で結合したフッ化物塩〔（含窒素塩基成分）・ＨＦ〕が形成される。
【００１７】
脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、（脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム）・Ｆで表される。
【００１８】
同様に、含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成された重フッ化物塩は、含窒素塩基成分とフッ化水素酸が１：２のモル比で結合した化合物が挙げられ、例えばアンモニアとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、一水素二フッ化アンモニウムであり、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類とフッ化水素酸も同様に、両者が１：２の比率で結合したフッ化物塩〔（含窒素塩基成分）・２ＨＦ〕が形成される。
【００１９】
脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウムとフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩は、（脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム）Ｆ・ＨＦで表される。
（３）ヘテロ原子を有する有機溶媒
本発明組成物に含まれるヘテロ原子を有する有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、１−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、ｔ−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、４−ヘプタノール、１−オクタノール、１−ノニルアルコール、１−デカノール、１−ドデカノールなどのアルコール類；エチレングリコール、１，２−プロパンジオール、プロピレングリコール、２，３−ブタンジオール、グリセリンなどのポリオール類；アセトン、アセチルアセトン、メチルエチルケトン、１，３−ジヒドロキシアセトン等のケトン類；アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、イソブチロニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類；ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒドなどのアルデヒド類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキレングリコールモノアルキルエーテル；テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状エーテル類；トリフルオロエタノール、ペンタフルオロプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素アルコール；酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、カプリル酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、モノフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、α−クロロ酪酸、δ−クロロ酪酸、γ−クロロ酪酸、乳酸、グリコール酸、ピルビン酸、グリオキサル酸、アクリル酸等のモノカルボン酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等のスルホン酸、シュウ酸、コハク酸、アジピン酸、酒石酸、クエン酸等のポリカルボン酸；スルホラン及びニトロメタンが例示される。より好ましくはアルコール類、モノカルボン酸およびケトン類からなる含酸素有機溶媒が挙げられる。具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）などのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン、１，３−ジヒドロキシアセトンなどのケトン類、酢酸、プロピオン酸などのモノカルボン酸類がより好ましく挙げられる。これらヘテロ原子を有する有機溶媒は、単独で、又は２種以上組み合わせて用いることができる。
（４）本発明の製造法
以下において、含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成されるフッ化物塩を単にフッ化物塩と記載する場合があり、含窒素塩基成分とフッ化水素酸から形成される重フッ化物塩を単に重フッ化物塩と記載する場合がある。
【００２０】
本発明の方法において、フッ化水素酸は好ましくは濃厚溶液、より好ましくは約５０質量％の水溶液が用いられる。
【００２１】
フッ化物塩及び重フッ化物塩は、ヘテロ原子を有する有機溶媒に対する溶解度が低いものである。例えばヘテロ原子を有する有機溶媒にフッ化物塩の水溶液を溶解した後、フッ化水素酸水溶液を加えると、沈殿物が析出し、当該沈殿物は溶解せずに残ったままになる。
【００２２】
フッ化物塩及び重フッ化物塩の固形物を加える場合には、水又は含水有機溶媒に加える必要がある。フッ化物塩及び重フッ化物塩を非水有機溶媒に加えた後に水を加えても、フッ化物塩及び重フッ化物塩の固形物を溶解させることができない。
【００２３】
従って、本発明では、各成分の配合順序が非常に重要である。
【００２４】
重フッ化物塩を主成分として含む溶液の製造法の１つの実施形態としては、ヘテロ原子を含む有機溶媒とフッ化水素酸水溶液を混合し、次にフッ化物塩の水溶液を加える方法が例示される。この添加順序を変えて、ヘテロ原子を含む有機溶媒とフッ化物塩の水溶液を混合し、次にフッ化水素酸水溶液を加えると沈殿が析出する。
【００２５】
重フッ化物塩を含む溶液の製造法の他の実施形態としては、フッ化水素酸水溶液とフッ化物塩の水溶液を、好ましくはＨＦ：フッ化物塩＝１：１（モル比）の割合で混合して重フッ化物塩の水溶液とし、次にこの水溶液をヘテロ原子を含む有機溶媒と混合する方法が例示される。この方法において、有機溶媒の使用量を相対的に少なくすると、重フッ化物塩の濃縮溶液が得られ、その濃度によっては重フッ化物塩が析出するが、該析出物は純粋な重フッ化物塩であるので、半導体製造用途などの高純度の重フッ化物塩が必要な場合に好適に使用される。濾液はエッチングないし洗浄用途の溶液として好適に使用できる。該濾液は重フッ化物塩の濃厚溶液であるので、使用時にヘテロ原子を含む有機溶媒を加えて濃度を調製して使用可能である。ＮＨ４Ｆ・ＨＦなどの重フッ化物塩の含水溶液は、平衡に達するのに時間がかかるため、飽和溶解度になっていなくても重フッ化物塩が析出する傾向にある。濾液中の重フッ化物塩濃度は、電気伝導度を測定することにより決定でき、必要な組成の溶液に希釈等により調製することが可能である。
【００２６】
重フッ化物塩を含む溶液の製造法の他の実施形態としては、ヘテロ原子を有する有機溶媒と水を混合した含水溶液に重フッ化物塩の固形物を加えて溶解する方法が例示される。この方法において、重フッ化物塩をヘテロ原子を有する有機溶媒に溶解してから水を加えても完全には溶解しないので、含水有機溶媒に重フッ化物塩を加える必要がある。
【００２７】
一水素二フッ化アンモニウムなどの含窒素塩基成分の重フッ化物塩の含有量は、好ましくは０．００１〜１０質量％程度、より好ましくは０．００１〜５質量％程度である。
【００２８】
フッ化アンモニウムなどの含窒素塩基成分のフッ化物塩の含有量は、好ましくは０．００１〜１０質量％程度、より好ましくは０．００１〜４質量％程度である。
【００２９】
水の含有量は、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは３質量％以下である。
【００３０】
ヘテロ原子を有する有機溶媒の含有量は、好ましくは８０質量％以上、より好ましくは９２質量％以上である。
【００３１】
本発明の方法により製造される溶液は、通常（１）フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１〜１０質量％、（２） ヘテロ原子を有する有機溶媒８０〜９９．９８９質量％、及び（３）水を０．０１〜１０質量％含み；好ましくは（１）フッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種を０．００１〜５質量％、（２） ヘテロ原子を有する有機溶媒８５〜９９．９８９質量％、及び（３）水を０．０１〜１０質量％含む。
【００３２】
本発明の好ましい溶液の配合比を以下に示す。
・一水素二フッ化アンモニウム：ＩＰＡ：水＝０．００１〜５質量％：９２〜９９．９９９質量％：０〜３質量％；
・一水素二フッ化アンモニウム：エタノール：水＝０．００１〜５質量％：９２〜９９．９９９質量％：０〜３質量％；
・一水素二フッ化アンモニウム：アセトン：水＝０．００１〜５質量％：９２〜９９．９９９質量％：０〜３質量％；
・フッ化アンモニウム：ＩＰＡ：水＝０．００１〜４質量％：８６〜９９．９９９質量％：０〜１０質量％；
・フッ化アンモニウム：酢酸：水＝０．００１〜４質量％：９４．５〜９９．９９９質量％：０〜１．５質量％；
・フッ化アンモニウム：エタノール：水＝０．００１〜５質量％：８６〜９９．９９９質量％：０〜１０質量％；
・モノエタノールアミン重フッ化物塩：エタノール：水＝０．００１〜５質量％：９２〜９９．９９９質量％：０〜３質量％；
・モノエタノールアミン重フッ化物塩：ＩＰＡ：水＝０．００１〜５質量％：９２〜９９．９９９質量％：０〜３質量％。
【００３３】
本発明の製造法により得られたエッチング又は洗浄用途の溶液は、保存安定性に優れているため、大量に製造して貯蔵した溶液を使用してもよいし、エッチング又は洗浄を行う工場内等で使用時に必要量を調製してすぐに使用してもよい。また、該溶液をフッ化物塩または重フッ化物塩の濃度が高い濃縮溶液として製造し、使用時にヘテロ原子を有する有機溶媒を加えて必要な濃度まで希釈して使用してもよい。
【００３４】
【発明の効果】
本発明によれば、エッチング及び洗浄用途に使用できる溶液を簡便に調製することができる。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明を実施例および比較例を用いてより詳細に説明する。
【００３６】
なお、実施例の判定において、結晶の析出状態は目視で判定した。
【００３７】
また、電気伝導度（μＳ／ｃｍ）は東亜電波工業製（ＣＭ−４０Ｓ）を用いて２５℃での測定値を示した。
実施例１
有機溶媒（ＩＰＡ）１Ｌに表１のように５０％ＨＦと４０％ＮＨ４Ｆをそれぞれ添加したときの、ＩＰＡへの添加順序の違いによる結晶析出の状態と作成されたエッチング液の電気伝導度を表１に示す。
【００３８】
ＩＰＡへの添加方法は以下のように行った。
【００３９】
有機溶媒（ＩＰＡ）１Ｌを攪拌しているところに５０％ＨＦを徐々に滴下した。次に４０％ＮＨ４Ｆを徐々に滴下した。
【００４０】
【表１】
Figure 2004277576
【００４１】
実施例２
５０％ＨＦと４０％ＮＨ４ＦをＨＦ：３２．０ｇとＮＨ４Ｆ：７３．６を混合しＨＦとＮＨ４Ｆの等モル水溶液を調整した。
【００４２】
有機溶媒（ＩＰＡ）１Ｌと先のＨＦ／ＮＨ４Ｆ等モル水溶液を全量混合した。ＩＰＡとＨＦ／ＮＨ４Ｆは完全溶解しない為分離し結晶析出するが、上澄液の電気伝導度が４００μＳ／ｃｍ以上になるまで攪拌溶解させた。
【００４３】
上澄液の電気伝導度が４００μＳ／ｃｍ以上になったところで上澄液と結晶部分をろ過分離した。
【００４４】
ＩＰＡと上澄液を混ぜ合わせ電気伝導度をモニターすることでエッチング液の濃度を調整した。結果を表２に示した。
【００４５】
【表２】
Figure 2004277576
【００４６】
実施例３
有機溶媒（ＩＰＡ）１Ｌに粉末ＮＨ４ＦＨＦと水を添加した時の、ＩＰＡへの添加順序の違いによる結晶析出の状態と作成されたエッチング液の電気伝導度を表３に示す。
【００４７】
有機溶媒（ＩＰＡ）１Ｌに水５．０ｇを添加し攪拌後、粉末のＮＨ４ＦＨＦを０．３８ｇ添加して十分に攪拌した。
【００４８】
また、有機溶媒（ＩＰＡ）１Ｌに粉末のＮＨ４ＦＨＦを０．３８ｇ添加し攪拌後、水５．０ｇを添加して十分に攪拌した。
【００４９】
【表３】
Figure 2004277576

Claims (10)

  1. （１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
    工程Ｉ：フッ化水素酸水溶液とヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種とを混合すること、及び
    工程２：工程１で得られた混合物とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩を混合すること
    を包含する方法。
  2. （１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
    工程Ｉ：フッ化水素酸水溶液とアンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩とを混合すること、及び
    工程２：工程１で得られた混合物とヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種とを混合すること、及び必要に応じて
    工程３：工程２で得られた混合物を濾過すること
    を包含する方法。
  3. （１）アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の少なくとも１種；（２）ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種；及び（３）水を含むことを特徴とするエッチング用又は洗浄用の溶液の製造方法であって、
    ヘテロ原子を有する有機溶媒の少なくとも１種と水を含む混合液に、アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種とフッ化水素酸から形成されたフッ化物塩及び重フッ化物塩の固形物を加えて溶解させる工程を有する、方法。
  4. アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩が水溶液の形態である請求項１又は２に記載の方法。
  5. アンモニア、ヒドロキシルアミン類、脂肪族アミン類、芳香族アミン類、脂肪族ないし芳香族第４級アンモニウム塩からなる群から選ばれる少なくとも１種又はそのフッ化物塩が、フッ化アンモニウムの水溶液である請求項４に記載の方法。
  6. 前記固形物が一水素二フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ・ＨＦ）である請求項３に記載の方法。
  7. 得られる溶液が一水素二フッ化アンモニウム、モノエタノールアミン重フッ化物塩及びエチルアミン重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）及びアセトンからなる群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を有する有機溶媒を含む含水溶液である請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
  8. 一水素二フッ化アンモニウム、モノエタノールアミン重フッ化物塩及びエチルアミン重フッ化物塩からなる群から選ばれる少なくとも１種０．００１〜５質量％、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）及びアセトンからなる群から選ばれる少なくとも１種のヘテロ原子を有する有機溶媒９２〜９９．９９９質量％、水が０〜３質量％である請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
  9. ヘテロ原子を有する有機溶媒と濃フッ化水素酸水溶液を混合し、次に濃フッ化アンモニウム溶液を混合することを特徴とする一水素二フッ化アンモニウム及びヘテロ原子を有する有機溶媒を含むエッチング用又は洗浄用組成物の製造法。
  10. 濃フッ化水素酸水溶液と濃フッ化アンモニウム溶液を混合した混合液とヘテロ原子を有する有機溶媒を混合し、析出した一水素二フッ化アンモニウムを濾過することを特徴とする一水素二フッ化アンモニウム及びヘテロ原子を有するエッチング用又は洗浄用溶液の製造法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266306A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
KR100927068B1 (ko) 2005-01-20 2009-11-13 멧쿠 가부시키가이샤 에칭액과 보급액 및 이것을 사용한 도체 패턴의 형성 방법
US7879736B2 (en) 2006-06-29 2011-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same
JP5853953B2 (ja) * 2010-08-20 2016-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 トランジスタの製造方法
KR20200029603A (ko) * 2017-09-20 2020-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2003257636A1 (en) * 2002-08-22 2004-03-11 Daikin Industries, Ltd. Removing solution
KR100818708B1 (ko) * 2006-08-18 2008-04-01 주식회사 하이닉스반도체 표면 세정을 포함하는 반도체소자 제조방법
KR101170296B1 (ko) * 2007-04-13 2012-07-31 다이킨 고교 가부시키가이샤 에칭액
SG188848A1 (en) * 2008-03-07 2013-04-30 Advanced Tech Materials Non-selective oxide etch wet clean composition and method of use
JP5303994B2 (ja) * 2008-03-31 2013-10-02 東亞合成株式会社 エッチング方法、及び、導電性高分子を有する基板
US9536730B2 (en) 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
SG11201707787SA (en) 2015-03-31 2017-10-30 Versum Mat Us Llc Cleaning formulations

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4871422A (en) * 1987-01-27 1989-10-03 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and anionic sulfate esters of alkylphenol polyglycidol ethers and method of etching
JP3264405B2 (ja) * 1994-01-07 2002-03-11 三菱瓦斯化学株式会社 半導体装置洗浄剤および半導体装置の製造方法
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US6030932A (en) * 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
JP3903215B2 (ja) * 1998-11-24 2007-04-11 ダイキン工業株式会社 エッチング液
WO2000064828A1 (fr) * 1999-04-27 2000-11-02 Hiroshi Miwa Composition de gravure du verre et procede de givrage utilisant cette composition
JP3976160B2 (ja) * 2000-02-29 2007-09-12 東京応化工業株式会社 アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
US6831048B2 (en) * 2000-04-26 2004-12-14 Daikin Industries, Ltd. Detergent composition
CN1193410C (zh) * 2000-09-01 2005-03-16 株式会社德山 残渣洗涤液
JP2003129089A (ja) * 2001-10-24 2003-05-08 Daikin Ind Ltd 洗浄用組成物

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100927068B1 (ko) 2005-01-20 2009-11-13 멧쿠 가부시키가이샤 에칭액과 보급액 및 이것을 사용한 도체 패턴의 형성 방법
JP2007266306A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7960227B2 (en) 2006-03-28 2011-06-14 Fujitsu Semiconductor Limited Manufacturing method of semiconductor device
US7879736B2 (en) 2006-06-29 2011-02-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same
JP5853953B2 (ja) * 2010-08-20 2016-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 トランジスタの製造方法
KR20200029603A (ko) * 2017-09-20 2020-03-18 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102321240B1 (ko) 2017-09-20 2021-11-02 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US11569085B2 (en) 2017-09-20 2023-01-31 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing device

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