JPH11316465A - アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 - Google Patents
アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法Info
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- JPH11316465A JPH11316465A JP5030299A JP5030299A JPH11316465A JP H11316465 A JPH11316465 A JP H11316465A JP 5030299 A JP5030299 A JP 5030299A JP 5030299 A JP5030299 A JP 5030299A JP H11316465 A JPH11316465 A JP H11316465A
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- ashing
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- treatment liquid
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 より過酷な条件のドライエッチング、アッシ
ング処理により発生した残渣物の除去性に優れ、基板に
対する腐食防止効果に優れたアッシング後の処理液、お
よびこれを用いた処理方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）低級アルキル第４級アンモニウム
塩類を０．５〜１０重量％、（ｂ）多価アルコールを１
〜５０重量％含有させてアッシング後の処理液とする。
そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスク
として、該基板にエッチング、アッシング処理をした
後、上記処理液を適用して基板を処理する。
ング処理により発生した残渣物の除去性に優れ、基板に
対する腐食防止効果に優れたアッシング後の処理液、お
よびこれを用いた処理方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）低級アルキル第４級アンモニウム
塩類を０．５〜１０重量％、（ｂ）多価アルコールを１
〜５０重量％含有させてアッシング後の処理液とする。
そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスク
として、該基板にエッチング、アッシング処理をした
後、上記処理液を適用して基板を処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アッシング後の処
理液およびこれを用いた処理方法に関する。さらに詳し
くは、より過酷な条件のドライエッチング、続いてアッ
シングが施された基板の処理に優れるとともに、各種金
属配線あるいは金属膜に対する腐食防止効果に優れるア
ッシング後の処理液およびこれを用いた基板の処理方法
に関する。本発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あるい
は液晶パネル素子の製造に好適に使用される。
理液およびこれを用いた処理方法に関する。さらに詳し
くは、より過酷な条件のドライエッチング、続いてアッ
シングが施された基板の処理に優れるとともに、各種金
属配線あるいは金属膜に対する腐食防止効果に優れるア
ッシング後の処理液およびこれを用いた基板の処理方法
に関する。本発明はＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あるい
は液晶パネル素子の製造に好適に使用される。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された導電性金属
膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗
布し、これを選択的に露光、現像処理をしてホトレジス
トパターンを形成し、このパターンをマスクとして上記
導電性金属膜や絶縁膜の形成された基板を選択的にエッ
チングし、微細回路を形成した後、不要のホトレジスト
層を除去して製造される。
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された導電性金属
膜やＳｉＯ2膜等の絶縁膜上にホトレジストを均一に塗
布し、これを選択的に露光、現像処理をしてホトレジス
トパターンを形成し、このパターンをマスクとして上記
導電性金属膜や絶縁膜の形成された基板を選択的にエッ
チングし、微細回路を形成した後、不要のホトレジスト
層を除去して製造される。
【０００３】ここで上記金属膜としては、アルミニウム
（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アル
ミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素−
銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ合
金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金
（Ｔｉ合金）など、種々のものが用いられるようにな
り、これらは単層〜複数層にて基板上に形成される。
（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アル
ミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素−
銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ合
金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金
（Ｔｉ合金）など、種々のものが用いられるようにな
り、これらは単層〜複数層にて基板上に形成される。
【０００４】また、近年の集積回路の高密度化に伴い、
より高密度の微細エッチングが可能なドライエッチング
が主流となっている。しかしながら、ドライエッチング
においてはエッチング残渣が配線パターン側部等の付着
しやすいという問題がある。このドライエッチング法に
よって形成された配線パターンの側壁面に付着した堆積
物を除去する方法が特開平８−２２２５７４号公報に開
示されている。さらに、エッチング後の不要なホトレジ
スト層除去に際し、プラズマアッシングなどが行われて
いる。
より高密度の微細エッチングが可能なドライエッチング
が主流となっている。しかしながら、ドライエッチング
においてはエッチング残渣が配線パターン側部等の付着
しやすいという問題がある。このドライエッチング法に
よって形成された配線パターンの側壁面に付着した堆積
物を除去する方法が特開平８−２２２５７４号公報に開
示されている。さらに、エッチング後の不要なホトレジ
スト層除去に際し、プラズマアッシングなどが行われて
いる。
【０００５】このような過酷な処理を行った後の基板上
には、パターンの側部や底部等に残渣物が付着して残存
したり、エッチング時に金属膜を削るときに金属デポジ
ションが発生してしまうため、これらを完全に除去する
必要がある。このような残渣物により、半導体製造の歩
留まり低下をきたすなどの問題が生じている。
には、パターンの側部や底部等に残渣物が付着して残存
したり、エッチング時に金属膜を削るときに金属デポジ
ションが発生してしまうため、これらを完全に除去する
必要がある。このような残渣物により、半導体製造の歩
留まり低下をきたすなどの問題が生じている。
【０００６】この残渣物は、エッチングガスの種類やア
ッシング条件、基板上に形成される金属の種類、用いる
ホトレジストの種類等によって、それぞれ異なった組成
のものが生成される。近年の半導体の様々な改良に伴
う、各種処理における処理条件の過酷さや用いられる金
属の多種多様化などにより、残渣物も複雑となり、これ
らの組成等を突き止めることが難しく、そのためこれと
いって満足できる処理液がないのが現状である。中でも
プラズマガスにより無機的な性質を帯びたホトレジスト
の残渣物を完全に除去することは困難であった。
ッシング条件、基板上に形成される金属の種類、用いる
ホトレジストの種類等によって、それぞれ異なった組成
のものが生成される。近年の半導体の様々な改良に伴
う、各種処理における処理条件の過酷さや用いられる金
属の多種多様化などにより、残渣物も複雑となり、これ
らの組成等を突き止めることが難しく、そのためこれと
いって満足できる処理液がないのが現状である。中でも
プラズマガスにより無機的な性質を帯びたホトレジスト
の残渣物を完全に除去することは困難であった。
【０００７】上記特開平８−２２２５７４号公報に開示
される方法では、処理液としてアルコール類、さらには
第４級アンモニウム水酸化物を含む洗浄剤組成物を用い
ているが、該洗浄剤組成物はある程度の処理能力は得ら
れるものの、前記金属膜に対し腐食が発生する点で問題
がある。
される方法では、処理液としてアルコール類、さらには
第４級アンモニウム水酸化物を含む洗浄剤組成物を用い
ているが、該洗浄剤組成物はある程度の処理能力は得ら
れるものの、前記金属膜に対し腐食が発生する点で問題
がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みてなされたもので、特に、より過酷な条件のドライエ
ッチング、アッシングが施された基板の処理性に優れる
とともに、金属層が形成された基板に対する腐食防止効
果に優れるアッシング後の処理液およびこれを用いた処
理方法を提供することを目的とする。
みてなされたもので、特に、より過酷な条件のドライエ
ッチング、アッシングが施された基板の処理性に優れる
とともに、金属層が形成された基板に対する腐食防止効
果に優れるアッシング後の処理液およびこれを用いた処
理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、低級アルキル
第４級アンモニウム塩類と多価アルコールを特定割合で
配合させた処理液を用いて基板を処理することにより、
上記課題を解決し得ることを見出し、これに基づいて本
発明を完成するに至った。
を解決するために鋭意研究を重ねた結果、低級アルキル
第４級アンモニウム塩類と多価アルコールを特定割合で
配合させた処理液を用いて基板を処理することにより、
上記課題を解決し得ることを見出し、これに基づいて本
発明を完成するに至った。
【００１０】すなわち本発明は、（ａ）低級アルキル第
４級アンモニウム塩類を０．５〜１０重量％、（ｂ）多
価アルコールを１〜５０重量％含有する、アッシング後
の処理液を提供するものである。
４級アンモニウム塩類を０．５〜１０重量％、（ｂ）多
価アルコールを１〜５０重量％含有する、アッシング後
の処理液を提供するものである。
【００１１】また本発明は、基板上に設けたホトレジス
トパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッ
シング処理した後、該アッシング処理後の基板を処理液
に接触させて基板を処理する処理方法であって、前記処
理液として上記組成の本発明処理液を用いる処理方法を
提供するものである。
トパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッ
シング処理した後、該アッシング処理後の基板を処理液
に接触させて基板を処理する処理方法であって、前記処
理液として上記組成の本発明処理液を用いる処理方法を
提供するものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明について詳述す
る。
る。
【００１３】（ａ）成分としては、低級アルキル第４級
アンモニウム塩基が用いられる。ここで「低級アルキ
ル」とは炭素原子数１〜６のアルキル基を示す。低級ア
ルキル第４級アンモニウム塩基の具体例として、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド（＝ＴＭＡＨ）、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチル
アンモニウムヒドロキシド(＝コリン)、（２−ヒドロキ
シエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２
−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロ
キシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド等が例示される。中でもＴＭＡＨ、
コリン等が特に好ましく用いられる。これらは、１種だ
けを用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用
いてもよい。
アンモニウム塩基が用いられる。ここで「低級アルキ
ル」とは炭素原子数１〜６のアルキル基を示す。低級ア
ルキル第４級アンモニウム塩基の具体例として、テトラ
メチルアンモニウムヒドロキシド（＝ＴＭＡＨ）、テト
ラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルア
ンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウ
ムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチル
アンモニウムヒドロキシド(＝コリン)、（２−ヒドロキ
シエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２
−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロ
キシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド等が例示される。中でもＴＭＡＨ、
コリン等が特に好ましく用いられる。これらは、１種だ
けを用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用
いてもよい。
【００１４】（ｂ）成分としては、グリセリン、エチレ
ングリコール、プロピレングリコール、１，２−ブチレ
ングリコール、１，３−ブチレングリコール、および
２，３−ブチレングリコールの中から選ばれるいずれか
１種以上が好ましく用いられる。中でもグリセリンが特
に好ましく用いられる。
ングリコール、プロピレングリコール、１，２−ブチレ
ングリコール、１，３−ブチレングリコール、および
２，３−ブチレングリコールの中から選ばれるいずれか
１種以上が好ましく用いられる。中でもグリセリンが特
に好ましく用いられる。
【００１５】これらは、１種だけを用いてもよく、ある
いは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
いは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１６】本発明における（ａ）成分と（ｂ）成分の
配合割合は、（ａ）成分が０．５〜１０重量％、好まし
くは１〜５重量％、（ｂ）成分が１〜５０重量％、好ま
しくは３〜４０重量％である。本発明においては、上記
（ａ）、（ｂ）成分の配合割合が特に重要であり、上記
範囲よりも（ａ）成分が過剰または（ｂ）成分が不足の
ときは防食効果が劣る。（ｂ）成分が過剰または（ａ）
成分が不足のときは残渣物の除去性が劣る。
配合割合は、（ａ）成分が０．５〜１０重量％、好まし
くは１〜５重量％、（ｂ）成分が１〜５０重量％、好ま
しくは３〜４０重量％である。本発明においては、上記
（ａ）、（ｂ）成分の配合割合が特に重要であり、上記
範囲よりも（ａ）成分が過剰または（ｂ）成分が不足の
ときは防食効果が劣る。（ｂ）成分が過剰または（ａ）
成分が不足のときは残渣物の除去性が劣る。
【００１７】特に（ｂ）成分は、後述する処理方法にお
いて、処理液と基板との接触時間が５〜２０分間と長い
ディップ処理およびシャワー処理においては、２５〜５
０重量％、特には３０〜４５重量％と比較的多く配合さ
れることが好ましく、一方、前記接触時間が３０秒間か
ら１分間と短いパドル処理においては、１〜２５重量
％、特には３〜２０重量％と比較的少なく配合されるこ
とが好ましい。
いて、処理液と基板との接触時間が５〜２０分間と長い
ディップ処理およびシャワー処理においては、２５〜５
０重量％、特には３０〜４５重量％と比較的多く配合さ
れることが好ましく、一方、前記接触時間が３０秒間か
ら１分間と短いパドル処理においては、１〜２５重量
％、特には３〜２０重量％と比較的少なく配合されるこ
とが好ましい。
【００１８】この処理液にはさらに、本願発明効果を損
なわない範囲で、水、水溶性有機溶媒や界面活性剤等を
含有してもよい。
なわない範囲で、水、水溶性有機溶媒や界面活性剤等を
含有してもよい。
【００１９】水は（ａ）、（ｂ）成分に必然的に含まれ
ているのものもあるが、さらに使用上、あるいは基板と
処理液が接触する処理時間等を考慮すれば別途加えてそ
の配合量を調整した方がよい。
ているのものもあるが、さらに使用上、あるいは基板と
処理液が接触する処理時間等を考慮すれば別途加えてそ
の配合量を調整した方がよい。
【００２０】水溶性有機溶媒としては、ジメチルスルホ
キシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチ
ルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、
テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プ
ロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−
ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等
のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾ
リジノン類；等が挙げられる。これらは１種だけを用い
てもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
キシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチ
ルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、
テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プ
ロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−
ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等
のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノ
ン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３
−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾ
リジノン類；等が挙げられる。これらは１種だけを用い
てもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
【００２１】本発明のアッシング後の処理液は、ネガ型
およびポジ型ホトレジストを含めてアルカリ水溶液で現
像可能なホトレジストに有利に使用できる。このような
ホトレジストとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化
合物とノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
（ｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分解
しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物およ
びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
（ｉｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分
解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有す
るアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
および（ｉｖ）光により酸を発生する化合物、架橋剤お
よびアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジスト
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
およびポジ型ホトレジストを含めてアルカリ水溶液で現
像可能なホトレジストに有利に使用できる。このような
ホトレジストとしては、（ｉ）ナフトキノンジアジド化
合物とノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
（ｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分解
しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物およ
びアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
（ｉｉｉ）露光により酸を発生する化合物、酸により分
解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有す
るアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
および（ｉｖ）光により酸を発生する化合物、架橋剤お
よびアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジスト
等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２２】本発明のアッシング後の処理方法は、基板
上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基
板にエッチング、アッシング処理した後、該アッシング
処理後の基板を処理液に接触させて基板を処理する処理
方法であって、前記処理液として上記した本発明処理液
を用いることからなる。
上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基
板にエッチング、アッシング処理した後、該アッシング
処理後の基板を処理液に接触させて基板を処理する処理
方法であって、前記処理液として上記した本発明処理液
を用いることからなる。
【００２３】具体的には、例えばシリコンウェーハ、ガ
ラス等の基板上に、ホトレジスト層を形成する。基板上
には、蒸着等により金属膜、ＳｉＯ2膜等の絶縁膜を形
成してもよい。上記金属膜としては、アルミニウム（Ａ
ｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニ
ウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素−銅
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ合
金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金
（Ｔｉ合金）が用いられ、これらは単層〜複数層にて基
板上に形成される。特に、Ａｌ；Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃ
ｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金；Ｔｉ；ＴｉＮ、Ｔ
ｉＷ等のＴｉ合金にあっては、後工程のアッシングを施
した場合には、残渣物が付着しやすいので、本発明処理
液は、その残渣物の除去並びにこれら金属膜の腐食防止
に格別の効果を発揮し得る。
ラス等の基板上に、ホトレジスト層を形成する。基板上
には、蒸着等により金属膜、ＳｉＯ2膜等の絶縁膜を形
成してもよい。上記金属膜としては、アルミニウム（Ａ
ｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニ
ウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素−銅
（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ合
金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド（Ｔｉ
Ｎ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン合金
（Ｔｉ合金）が用いられ、これらは単層〜複数層にて基
板上に形成される。特に、Ａｌ；Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃ
ｕ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ等のＡｌ合金；Ｔｉ；ＴｉＮ、Ｔ
ｉＷ等のＴｉ合金にあっては、後工程のアッシングを施
した場合には、残渣物が付着しやすいので、本発明処理
液は、その残渣物の除去並びにこれら金属膜の腐食防止
に格別の効果を発揮し得る。
【００２４】次いで、ホトレジスト層を露光、現像し
て、ホトレジストパターンを形成する。露光、現像条件
は、目的に応じて用いるホトレジストにより適宜、選択
し得る。露光は、例えば紫外線、遠紫外線、エキシマレ
ーザ、Ｘ線、電子線などの活性光線を発光する光源、例
えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノ
ンランプ等により、所望のマスクパターンを介してホト
レジスト層を露光するか、あるいは電子線を走査しなが
らホトレジスト層に照射する。その後、必要に応じて、
露光後加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）を行
う。
て、ホトレジストパターンを形成する。露光、現像条件
は、目的に応じて用いるホトレジストにより適宜、選択
し得る。露光は、例えば紫外線、遠紫外線、エキシマレ
ーザ、Ｘ線、電子線などの活性光線を発光する光源、例
えば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノ
ンランプ等により、所望のマスクパターンを介してホト
レジスト層を露光するか、あるいは電子線を走査しなが
らホトレジスト層に照射する。その後、必要に応じて、
露光後加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）を行
う。
【００２５】次にホトレジスト用現像液を用いてパター
ン現像を行い、所定のホトレジストパターンを得ること
ができる。なお、現像方法は特に限定されるものでな
く、例えばホトレジストが塗布された基板を現像液に一
定時間浸漬した後、水洗して乾燥する浸漬現像、塗布さ
れたホトレジストの表面に現像液を滴下し、一定時間静
置した後、水洗乾燥するパドル現像、ホトレジスト表面
に現像液をスプレーした後に水洗乾燥するスプレー現像
等、目的に応じた種々の現像を行うことができる。
ン現像を行い、所定のホトレジストパターンを得ること
ができる。なお、現像方法は特に限定されるものでな
く、例えばホトレジストが塗布された基板を現像液に一
定時間浸漬した後、水洗して乾燥する浸漬現像、塗布さ
れたホトレジストの表面に現像液を滴下し、一定時間静
置した後、水洗乾燥するパドル現像、ホトレジスト表面
に現像液をスプレーした後に水洗乾燥するスプレー現像
等、目的に応じた種々の現像を行うことができる。
【００２６】次いで、形成されたホトレジストパターン
をマスクとして、上記導電性金属膜や絶縁膜を選択的に
ドライエッチング等によりエッチングし、微細回路を形
成した後、不要のホトレジスト層をプラズマアッシング
により除去する。このとき、基板表面に異物かつ少量で
はあるが、アッシング後のレジスト残渣（ホトレジスト
変質膜）や金属層エッチング時に発生した金属デポジシ
ョンが残渣物として付着、残存する。
をマスクとして、上記導電性金属膜や絶縁膜を選択的に
ドライエッチング等によりエッチングし、微細回路を形
成した後、不要のホトレジスト層をプラズマアッシング
により除去する。このとき、基板表面に異物かつ少量で
はあるが、アッシング後のレジスト残渣（ホトレジスト
変質膜）や金属層エッチング時に発生した金属デポジシ
ョンが残渣物として付着、残存する。
【００２７】これら残渣物を上記した本発明処理液に接
触させて、基板上の残渣物や金属デポジションを除去す
る。本発明処理液を用いることにより、これらホトレジ
スト変質膜や禁則デポジション等の残渣物が容易に除去
される。また、特にＡｌやＡｌ合金等の金属を有する基
板に対する腐食防止効果に優れる。、なお、アッシング
後の基板への処理液の接触は、例えばパドル法、ディッ
プ法、シャワー法等の方法で行われる。
触させて、基板上の残渣物や金属デポジションを除去す
る。本発明処理液を用いることにより、これらホトレジ
スト変質膜や禁則デポジション等の残渣物が容易に除去
される。また、特にＡｌやＡｌ合金等の金属を有する基
板に対する腐食防止効果に優れる。、なお、アッシング
後の基板への処理液の接触は、例えばパドル法、ディッ
プ法、シャワー法等の方法で行われる。
【００２８】ここで、パドル法とは、枚葉式の処理方法
で、基板ごとにノズルから処理液を滴下し、表面張力を
利用して一定時間処理液と基板を接触させた後、基板を
スピンナー等で回転させ液を飛ばすことにより処理を行
う方法をいう。
で、基板ごとにノズルから処理液を滴下し、表面張力を
利用して一定時間処理液と基板を接触させた後、基板を
スピンナー等で回転させ液を飛ばすことにより処理を行
う方法をいう。
【００２９】ディップ法とは、処理液で満たされた槽の
中にウェーハをウェーハカセットごと一定時間浸漬する
ことにより処理を行う方法をいう。
中にウェーハをウェーハカセットごと一定時間浸漬する
ことにより処理を行う方法をいう。
【００３０】シャワー法とは、ウェーハをカセットごと
回転させ、その一方向より複数のノズルから処理液を吹
き付けることにより処理を行う方法をいう。
回転させ、その一方向より複数のノズルから処理液を吹
き付けることにより処理を行う方法をいう。
【００３１】枚葉式のパドル処理に比べて、ディップ処
理、シャワー処理はウェーハカセットごとに処理を行う
ことができるが、処理液との接触時間をより長くとるこ
とが必要となる。そこでディップ処理、シャワー処理で
は、その処理液として（ｂ）成分を２５〜５０重量％、
より好ましくは３０〜４５重量％と多めに配合した処理
液を用いるのが好ましい。一方、パドル処理では、
（ｂ）成分を１〜２５重量％、より好ましくは３〜２０
重量％と少なめに配合した処理液を用いることが好まし
い。
理、シャワー処理はウェーハカセットごとに処理を行う
ことができるが、処理液との接触時間をより長くとるこ
とが必要となる。そこでディップ処理、シャワー処理で
は、その処理液として（ｂ）成分を２５〜５０重量％、
より好ましくは３０〜４５重量％と多めに配合した処理
液を用いるのが好ましい。一方、パドル処理では、
（ｂ）成分を１〜２５重量％、より好ましくは３〜２０
重量％と少なめに配合した処理液を用いることが好まし
い。
【００３２】本発明によれば、短時間で効率的に基板上
のホトレジスト変質膜や金属デポジション等の残渣物を
除去することができ、また、金属層の腐食を有効に防止
することができる。
のホトレジスト変質膜や金属デポジション等の残渣物を
除去することができ、また、金属層の腐食を有効に防止
することができる。
【００３３】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。
【００３４】（実施例１〜９、比較例１〜４）クレゾー
ルノボラック樹脂１００重量部と、ナフトキノン−１，
２−ジアジド−５−スルホン酸の２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾフェノンエステル３０重量部とを、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート３９０重量
部に溶解させて得た溶液を、孔径０．２μｍメンブラン
フィルターでろ過し、ポジ型ホトレジスト塗布液を調製
した。
ルノボラック樹脂１００重量部と、ナフトキノン−１，
２−ジアジド−５−スルホン酸の２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾフェノンエステル３０重量部とを、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート３９０重量
部に溶解させて得た溶液を、孔径０．２μｍメンブラン
フィルターでろ過し、ポジ型ホトレジスト塗布液を調製
した。
【００３５】次いで、このポジ型ホトレジスト塗布液
を、４インチシリコンウェーハ上に第１層としてＴｉ層
が、この第１層上に第２層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層
が、第２層上に第３層としてＴｉＮ層が蒸着された基板
上にスピンナーで塗布し、ホットプレートで１１０℃、
９０秒間乾燥して、膜厚１．３５μｍのホトレジスト層
を形成した。このホトレジスト層をＮＳＲ−１５０５Ｇ
４Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマスクパターンを介し
て露光処理を行った。続いて、２．３８重量％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用
いて、２３℃、６５秒間現像処理を行った後、純水によ
り３０秒間のリンス処理を行った。
を、４インチシリコンウェーハ上に第１層としてＴｉ層
が、この第１層上に第２層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層
が、第２層上に第３層としてＴｉＮ層が蒸着された基板
上にスピンナーで塗布し、ホットプレートで１１０℃、
９０秒間乾燥して、膜厚１．３５μｍのホトレジスト層
を形成した。このホトレジスト層をＮＳＲ−１５０５Ｇ
４Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマスクパターンを介し
て露光処理を行った。続いて、２．３８重量％テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用
いて、２３℃、６５秒間現像処理を行った後、純水によ
り３０秒間のリンス処理を行った。
【００３６】次に、上記工程により形成したホトレジス
トパターンを有する基板を常法によりドライエッチング
処理した。次いでこのホトレジストパターンをアッシン
グ装置ＴＣＡ−３８２２（東京応化工業（株）製）によ
り１５０℃、６０秒間プラズマアッシング処理した。
トパターンを有する基板を常法によりドライエッチング
処理した。次いでこのホトレジストパターンをアッシン
グ装置ＴＣＡ−３８２２（東京応化工業（株）製）によ
り１５０℃、６０秒間プラズマアッシング処理した。
【００３７】続いて、上記プラズマアッシング処理済み
の基板を、下記の表１に示す各処理液を用いて２３℃で
３０秒間、または１分間パドル法による処理を行った。
なお、表１の各処理液において、（ａ）、（ｂ）成分以
外は水である。その後、基板を純水で洗浄処理した。
の基板を、下記の表１に示す各処理液を用いて２３℃で
３０秒間、または１分間パドル法による処理を行った。
なお、表１の各処理液において、（ａ）、（ｂ）成分以
外は水である。その後、基板を純水で洗浄処理した。
【００３８】この処理をした後に基板表面に残る残渣物
の除去状態と、基板上に蒸着されたＴｉ層、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ層、ＴｉＮ層に対する腐食の状態をそれぞれＳＥ
Ｍ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結
果を表１に示す。なお、Ｔｉ層、ＴｉＮ層のいずれにも
腐食はみられなかった。
の除去状態と、基板上に蒸着されたＴｉ層、Ａｌ−Ｓｉ
−Ｃｕ層、ＴｉＮ層に対する腐食の状態をそれぞれＳＥ
Ｍ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結
果を表１に示す。なお、Ｔｉ層、ＴｉＮ層のいずれにも
腐食はみられなかった。
【００３９】残渣物の除去性は、以下のように評価し
た。 ○： 残渣物が完全に除去されていた △： 残渣物がわずかに残った ×： 残渣物が目立った
た。 ○： 残渣物が完全に除去されていた △： 残渣物がわずかに残った ×： 残渣物が目立った
【００４０】また、腐食の状態は、以下のように評価し
た。 ○： 腐食がまったく起こらなかった △： 腐食がわずかに起こった ×： 腐食がかなり起こった
た。 ○： 腐食がまったく起こらなかった △： 腐食がわずかに起こった ×： 腐食がかなり起こった
【００４１】
【表１】
【００４２】なお表１中、ＴＭＡＨはテトラメチルアン
モニウムヒドロキシドを、ＧＬＹはグリセリンを、ＣＨ
ＯＬは（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウ
ムヒドロキシドを、ＥＧはエチレングリコールを、それ
ぞれ表す。
モニウムヒドロキシドを、ＧＬＹはグリセリンを、ＣＨ
ＯＬは（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウ
ムヒドロキシドを、ＥＧはエチレングリコールを、それ
ぞれ表す。
【００４３】（実施例１０）実施例１〜９と同様の操作
でアッシング処理まで行った基板に対して、ＴＭＡＨ
２．３８重量％、グリセリン３０重量％および残部が水
からなる処理液を用いて、２３℃で１０分間ディップ法
による処理を行った。このとき基板上の残渣物は完全に
除去されていた。また腐食も起こらなかった。
でアッシング処理まで行った基板に対して、ＴＭＡＨ
２．３８重量％、グリセリン３０重量％および残部が水
からなる処理液を用いて、２３℃で１０分間ディップ法
による処理を行った。このとき基板上の残渣物は完全に
除去されていた。また腐食も起こらなかった。
【００４４】（比較例５）実施例１０と同様の操作でア
ッシング処理まで行った基板に対して、ＴＭＡＨ２．３
８重量％、メタノール５０重量％および残部が水からな
る処理液を用いて、２３℃で１０分間ディップ法による
処理を行った。このとき基板上の残渣物は除去できたも
のの、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層に腐食が起こった。
ッシング処理まで行った基板に対して、ＴＭＡＨ２．３
８重量％、メタノール５０重量％および残部が水からな
る処理液を用いて、２３℃で１０分間ディップ法による
処理を行った。このとき基板上の残渣物は除去できたも
のの、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層に腐食が起こった。
【００４５】（比較例６）実施例１０と同様の操作でア
ッシング処理まで行った基板に対して、ＴＭＡＨ２．３
８重量％、グリセリン６０重量％および残部が水からな
る処理液を用いて、２３℃で１０分間ディップ法による
処理を行った。このとき基板上には残渣物が残ってい
た。
ッシング処理まで行った基板に対して、ＴＭＡＨ２．３
８重量％、グリセリン６０重量％および残部が水からな
る処理液を用いて、２３℃で１０分間ディップ法による
処理を行った。このとき基板上には残渣物が残ってい
た。
【００４６】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、よ
り過酷な条件のドライエッチング、アッシングなどの処
理により発生し、基板表面に残るホトレジスト変質膜や
金属デポジション等の残渣物の除去性に優れ、基板に対
する腐食防止効果に優れたアッシング後の処理液、およ
びこれを用いた処理方法が提供される。
り過酷な条件のドライエッチング、アッシングなどの処
理により発生し、基板表面に残るホトレジスト変質膜や
金属デポジション等の残渣物の除去性に優れ、基板に対
する腐食防止効果に優れたアッシング後の処理液、およ
びこれを用いた処理方法が提供される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 （ａ）低級アルキル第４級アンモニウム
塩類を０．５〜１０重量％、（ｂ）多価アルコールを１
〜５０重量％含有する、アッシング後の処理液。 - 【請求項２】 （ｂ）成分を２５〜５０重量％含有す
る、請求項１記載のアッシング後の処理液。 - 【請求項３】 （ｂ）成分を１〜２５重量％含有する、
請求項１記載のアッシング後の処理液。 - 【請求項４】 （ａ）成分が、テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシドおよび／または（２−ヒドロキシエチ
ル）トリメチルアンモニウムヒドロキシドである請求項
１〜３のいずれか１項に記載の処理液。 - 【請求項５】 （ｂ）成分が、グリセリン、エチレング
リコール、プロピレングリコール、１，２−ブチレング
リコール、１，３−ブチレングリコールおよび２，３−
ブチレングリコールの中から選ばれるいずれか１種以上
である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の処理液。 - 【請求項６】 基板上に設けたホトレジストパターンを
マスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理し
た後、該アッシング処理後の基板を処理液に接触させて
基板を処理する処理方法であって、前記処理液として請
求項１〜５のいずれか１項に記載の処理液を用いる、処
理方法。 - 【請求項７】 基板を処理液にパドル法により接触させ
て基板を処理し、かつ、前記処理液として請求項３、
４、５のいずれか１項に記載の処理液を用いる、請求項
６記載の処理方法。 - 【請求項８】 基板を処理液にディップ法あるいはシャ
ワー法により接触させて基板を処理し、かつ、前記処理
液として請求項２、４、５のいずれか１項に記載の処理
液を用いる、請求項６記載の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030299A JPH11316465A (ja) | 1998-03-03 | 1999-02-26 | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-67751 | 1998-03-03 | ||
| JP6775198 | 1998-03-03 | ||
| JP5030299A JPH11316465A (ja) | 1998-03-03 | 1999-02-26 | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11316465A true JPH11316465A (ja) | 1999-11-16 |
Family
ID=26390768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5030299A Pending JPH11316465A (ja) | 1998-03-03 | 1999-02-26 | アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11316465A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002045148A3 (de) * | 2000-11-29 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Reinigungslösung für halbleiterscheiben im beol-bereich |
| EP1178359A3 (en) * | 2000-08-03 | 2003-08-13 | Shipley Co. L.L.C. | Stripping composition |
| JP2004002778A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | アルカリ洗浄剤 |
| JP2011525641A (ja) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | ダイナロイ・エルエルシー | 配線工程操作のために有効な剥離剤溶液 |
| US8669217B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-03-11 | Fujifilm Corporation | Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device |
| US9243218B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-01-26 | Dynaloy, Llc | Dynamic multipurpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP5030299A patent/JPH11316465A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1178359A3 (en) * | 2000-08-03 | 2003-08-13 | Shipley Co. L.L.C. | Stripping composition |
| WO2002045148A3 (de) * | 2000-11-29 | 2002-09-12 | Infineon Technologies Ag | Reinigungslösung für halbleiterscheiben im beol-bereich |
| JP2004002778A (ja) * | 2002-03-29 | 2004-01-08 | Sanyo Chem Ind Ltd | アルカリ洗浄剤 |
| US9243218B2 (en) | 2005-10-28 | 2016-01-26 | Dynaloy, Llc | Dynamic multipurpose composition for the removal of photoresists and method for its use |
| JP2011525641A (ja) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | ダイナロイ・エルエルシー | 配線工程操作のために有効な剥離剤溶液 |
| TWI450052B (zh) * | 2008-06-24 | 2014-08-21 | Dynaloy Llc | 用於後段製程操作有效之剝離溶液 |
| US8669217B2 (en) | 2010-03-25 | 2014-03-11 | Fujifilm Corporation | Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device |
| US9396926B2 (en) | 2010-03-25 | 2016-07-19 | Fujifilm Corporation | Cleaning composition, cleaning process, and process for producing semiconductor device |
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Effective date: 20060724 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060921 |