KR100657072B1 - 포토레지스트 박리조성물 및 포토레지스트 박리방법 - Google Patents

포토레지스트 박리조성물 및 포토레지스트 박리방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 포토레지스트 박리조성물은 (1) 질소함유 유기히드록실화합물, (2) 다음 일반식으로 표현되는 알킬렌글리콜 모노알킬에테르: HO-(CpH2pO)q-R (여기서, R은 C1-C4알킬, p는 2 또는 3, 또한 q는 1, 2 또는 3이다), (3) 당이나 당알코올, (4) 인함유화합물 및 (5) 물을 포함한다. 이 포토레지스트 박리조성물은 무기질 기판상의 포토레지스트막, 에칭후 잔존하는 패턴화된 포토레지스트막과 포토레지스트 잔사를 반도체재료, 회로형성재료, 단열재료 등의 부식없이 단기간에 쉽게 제거할 수 있다.

Description

포토레지스트 박리조성물 및 포토레지스트 박리방법{PHOTORESIST STRIPPING COMPOSITION AND PROCESS FOR STRIPPING PHOTORESIST}
도 1은 마스크로서의 레지스트막을 이용하여 염화제2철/염산수용액으로 ITO막을 습식에칭한 후의 LCD소자를 보여주는 개략도.
도 2는 본 발명의 박리조성물로 레지스트막 및 먼지제거후 도 1의 LCD소자를 보여주는 개략도.
도 3은 비교예 2의 박리조성물로 레지스트막 및 먼지제거후 도 1의 LCD소자를 보여주는 개략도.
본 발명은 포토레지스트 박리조성물과 포토레지스트 박리방법, 더 구체적으로 액정 디스플레이 소자 및 반도체소자 제조에 있어서 포토레지스트막을 제거하는 박리조성물과 이 조성물을 이용하는 포토레지스트막 박리방법에 관한 것이다.
반도체소자는 무기질 기판을 포토레지스트로 피복하는 단계와, 노광 및 후속의 현상에 의한 포토레지스트막 패턴화 단계와, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 이용하여 무기질 기판의 노광부를 에칭하여 미세회로를 형성하는 단계와, 또한 상기 패턴화된 포토레지스트막을 상기 무기질 기판으로부터 제거하는 단계에 의해 제조된다. 또는 대안적으로, 상기와 동일한 방식으로 미세회로를 형성한 후 패턴화된 포토레지스트막을 애싱(ashing)하고 다시 잔존하는 레지스트 잔사를 무기질 기판로부터 제거하는 단계를 포함한다.
근래에는, LCD(액정디스플레이), 특히 TFT-LCD(박막트랜지스터 액정디스플레이)가 더 큰 기판크기를 갖는 추세이다. 이는 불규칙한 노광, 현상 및 에칭 뿐만 아니라 회로성형재료, 절연재료 및 레지스트재료의 필름형성 시의 불균일성으로 인해 다수의 문제점을 야기시키며 결국 제품 결함율이 증가하는 결과를 가져온다.
특히, 형성된 필름의 불균일성은 습식에칭시 형성된 필름의 벗겨짐으로 인한 먼지발생 또는 건식에칭시 레지스트 잔사로 인한 먼지발생 등을 일으키기 쉽다. 이러한 먼지는 포토레지스트 박리액을 사용해도 제거하기가 대단히 어렵다. 어떤 경우, 제거되지 않고 남은 먼지는 후속단계에서 형성되는 필름의 결합력을 충분치 않게 하고 이로 인한 필름의 불균일성은 제품결함율의 증대를 가져온다.
일본특허출원공개 62-49355, 62-95531, 64-981949, 64-81950 및 5-273768 등은 아미노알콜을 함유하는 포토레지스트 박리액을 이용하여 건식에칭후 남은 포토레지스트막을 제거하는 것을 제안한다. 그러나, 이러한 포토레지스트 박리액은 에칭과정에서 발생한 먼지의 제거에는 아무런 영향을 미치지 않는다.
따라서, 상기의 문제를 해결하기 위해 레지스트막, 레지스트 잔사 및 또한 에칭시 발생한 먼지등을 쉽게 제거할 수 있고 또한 액정 디스플레이소자나 반도체소자 제조에서 사용할 재료의 부식에 대한 높은 저항력을 갖는 고성능 포토레지스트 박리액의 개발이 요구되고 있다.
본 발명의 한가지 목적은 무기질 기판상에 액정 디스플레이소자나 반도체소자 제조시 형성된 포토레지스트막, 포토레지스트 잔사 및 에칭과정에서 발생하는 먼지등을 쉽게 제거할 수 있고 또한 각종 반도체재료, 전도성재료 및 절연재료의 부식에 대해 높은 저항성을 갖는 포토레지스트 박리조성물을 제공하는 것이다.
공지기술의 상기 문제점을 해결하기 위한 광범위한 연구결과, 본 발명자는 (1)질소함유 유기히드록실화합물, (2) 특정 알킬렌글리콜 모노알킬에테르, (3) 당 또는 당알코올, (4) 인함유화합물 및 (5) 물을 포함하는 포토레지스트 박리조성물이 포토레지스트막, 포토레지스트 잔사 및 에칭과정중 발생한 먼지를 저온에서 단기간에 완전제거하며, 재료부식을 일으키지 않는 것을 발견하였다. 본 발명은 이러한 발견에 기초하여 달성된 것이다.
따라서, 본 발명은 (1) 질소함유 유기히드록실화합물, (2) 다음 일반식으로 표현되는 알킬렌글리콜 모노알킬에테르: HO-(CpH2pO)q-R (여기서, R은 C1-C4알킬, p는 2 또는 3, 또한 q는 1, 2 또는 3이다), (3) 당이나 당알코올, (4) 인함유화합물 및 (5) 물을 포함하는 포토레지스트 박리조성물을 제공한다.
본 발명은 또한 포토레지스트 박리조성물을 이용한 포토레지스트 박리방법도 제공한다.
질소함유 유기히드록실 화합물(1)은 특별히 제한되지 않으나 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 프로판올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-에틸프로판올아민, N,N-디에틸프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N-히드록시에틸피페라진, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, 2-(2-히드록시에틸)피리딘, 2-피페리딘 메탄올 및 N-메틸-4-피페리디놀 등이 포함된다. 이들 질소함유 유기히드록실화합물 중에서 바람직한 것은 모노에탄올아민, N-메틸에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 및 4-(2-히드록시에틸)모르폴린이다.
박리조성물내 질소함유 유기히드록실 화합물(1)의 함량은 그 범위가 넓으나 바람직하게는 조성물 전체중량에 대해 30 내지 80중량%, 더 바람직하게는 40 내지 60중량%이다. 이 함량이 너무 작을 경우 포토레지스트 박리속도를 낮출수 있다. 또한 이 함량이 너무 크면 회로형성재료 등의 부식을 방지할 수 없다.
알킬렌글리콜 모노알킬에테르(2)는 다음 일반식으로 표현된다:
HO-(CpH2pO)q-R
(여기서, R은 C1-C4알킬, p는 2 또는 3, 또한 q는 1, 2 또는 3이다)
알킬렌글리콜 모노알킬에테르(2)의 구체적 예로서 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르 및 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르 등이 있다.
알킬렌글리콜 모노알킬에테르(2)의 함량은 각종 변수에 따라 변하며 바람직하게는 전체 조성물의 총중량에 대하여 5 내지 40중량%, 더 바람직하게는 15 내지 30중량%이다. 이 함량이 너무 적으면, 회로형성재료 등의 부식이 심각해지는 경우도 있다. 함량이 너무 크면 포토레지스트 박리속도를 떨어뜨려서 불리한 경우가 있다.
본 발명의 박리조성물은 당이나 당알코올(3)을 함유한다. 이 당은 단당류 또는 다당류이다. 당의 구체적 예로서 글리세린 알데히드, 트레오스, 아라비노스, 크실로스, 리보스, 리불로스(ribulose), 크실룰로스(xylulose), 글루코스, 만노스, 갈락토스, 타가토스(tagatose), 알로스(allose), 알트로스, 굴로스(gulose), 이도스(idose), 탈로스(talose), 소르보스, 사이코스(psicose) 및 프룩토스(fructose) 등 3 내지 6개의 탄소원자를 갖는 단당류; 또한 수크로스, 말토스, 셀로비오스(cellobiose), 락토스, 소포로스(sophorose), 라미나리비오스(laminaribiose), 만니노트리오스(manninotriose), 아라반(araban), 크실란(xylan), 만난(mannan) 및 전분 등의 다당류가 있다. 당 알코올의 예로서, 트레이톨, 에리트리톨, 아도니톨, 아라비톨, 크실리톨, 탈리톨, 소르비톨, 만니톨, 이디톨 및 둘시톨이 있다. 이들 당 및 당알코올로서 바람직한 것은 글루코스, 만노스, 갈락토스, 소르비톨, 만니톨 및 크실리톨 등이 가용성 및 분해성 측면에서 바람직하다.
당이나 당알코올(3)의 함량은 다양한 변수에 따라 달라지며 바람직하게는 전체 박리조성물 중량에 대해 0.1 내지 15중량%, 더 바람직하게는 1 내지 10중량%이다. 너무 함량이 작을 경우 회로형성재료 등의 부식을 효과적으로 방지할 수 없다. 함량이 지나치게 커도 추가의 효과는 없으며 따라서 경제적으로 바람직하지 않다.
인함유화합물(4)의 예로서, 인산 및 이에 관련된 산류, 인산염 계면활성제와 포스폰산 킬레이트제를 들 수 있다. "인산 및 이에 관련된 산류" 란 오르토인산(orthophosphoric acid), 하이포인산(hypophosphoric acid), 아인산(phosphorous acid), 하이포아인산(hypophosphorous acid), 폴리인산, 예컨대 피로인산, 트리메타인산 및 테트라메타인산, 폴리아인산, 폴리메타아인산 등을 포함한다. 본 발명에 있어서, 이들 "인산 및 이에 관련된 산류"의 암모늄염, 아민염 및 4급암모늄염 역시 인함유화합물(4)로 사용될 수 있다.
적절한 인산염 계면활성제는 예컨대 다음 일반식 (1)로 표현되는 화합물과,
Figure 112000006145123-pat00001
(여기서 R1은 C1-C30알킬 또는 C7-C30 알킬아릴이고, "a"는 1 내지 200의 정수이다) 또한
다음 일반식 (2)로 표현되는 화합물을 포함한다:
Figure 112000006145123-pat00002
(여기서 R2과 R3은 동일하거나 상이하며 각각 C1-C30알킬이나 C7-C30 알킬아릴이고, "b" 는 1 내지 200의 정수이고 "c"도 역시 1 내지 200의 정수이다).
상기 일반식 (1) 및 (2)에서, 바람직한 알킬기는 2 내지 12 탄소원자수를 가진 것이며 바람직한 알킬아릴기는 14 내지 18 탄소원자수를 가진 것이다.
인산염 계면활성제로는 ADEKACOL(아사히덴카 코교사), PLYSURF(다이치코교 세이야쿠사), PHOSPHANOL(토호가가쿠 코교사), 또한 NEWCOL 및 ANTOX(니폰뉴카자이사) 등의 시판 제품이 있다.
포스폰산 킬레이트제는 한개의 분자에 적어도 1개의 포스폰산기나 그 염형태를 가진 킬레이트제이며 예를들면 메틸디포스폰산, 히드록시에탄디포스폰산, 아미노트리스(메틸렌)포스폰산, 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌)포스폰산, 도데실아미노비스(메틸렌)포스폰산, 니트릴로트리스(메틸렌)포스폰산, 에틸렌디아민비스(메틸렌)포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌)포스폰산, 헥센디아민테트라키스(메틸렌)포스폰산, 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산 및 1,2-프로판디아민테트라메틸렌포스폰산 같은 포스폰산류와 이들의 암모늄염, 알칼리금속염, 또한 유기아민염 등을 들수 있다. 본 발명에 있어서, 또한 인함유화합물(4)로 사용되는 것으로서 포스폰산 킬레이트제의 질소원자 산화에 의해 형성된 N-산화물 같은 산화물 형태도 들수 있다.
이들 인함유화합물(4)은 단독으로 또는 2종 이상의 조합물 형태로 이용될 수 있다.
인함유화합물(4)의 함량은 다양한 변수에 따라 적절히 결정되며 바람직하게는 박리조성물 전체중량에 대해 0.01 내지 10중량%, 더 바람직하게는 0.1 내지 5중량%이다. 이 함량이 지나치게 작으면 레지스트 잔사를 충분히 제거하기 어렵다. 또한 너무 크면, 포토레지스트 제거가 충분히 이루어지지 않는다.
본 발명에 따른 박리조성물은 성분(1) 내지 (4)와 또한 나머지로서 물을 함유하는 수성조성물이다. 수성조성물은 통상 수용액이지만, 분산액이나 현탁액인 경우도 있다. 또한, 본 발명에 따른 조성물은 본 발명의 목적에 역효과를 미치는 경우가 아니라면 통상의 포토레지스트 박리제에 사용되는 적절한 첨가제를 적절히 함유할 수도 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리조성물은 임의의 공지방법으로 제조할 수 있다. 예를들어, 성분(1) 내지 (4)를 교반하면서 물에 첨가하여 균일한 혼합물을 수득한다. 성분 첨가순서는 중요치 않으며 모두 한꺼번에 또는 차례대로 첨가할 수 있다.
본 발명에 따른 방법은 상기 박리조성물을 이용하여 포토레지스트를 제거하는 것에 관한 것이며 특히, 반도체집적회로 또는 액정디스플레이의 제조시 무기질 기판에 형성된 포토레지스트막을 제거하는 것에 관계한다. 무기질 기판의 재료는 실리콘, 비정질실리콘, 폴리실리콘, 산화실리콘, 질화실리콘, 알루미늄, 알루미늄합금, 티타늄, 티타늄-텅스텐합금, 질화티타늄, 텅스텐, 탄탈륨, 탄탈륨화합물, 탄탈륨합금, 크롬, 산화크롬, 크롬합금, ITO(인듐-산화주석) 같은 전도체 또는 반도체 회로형성재료; 갈륨-비소, 갈륨-인 및 인듐-인 같은 화합물반도체; 또한 LCD용 유리기판 등이 있다.
본 발명의 포토레지스트 박리제는 무기질 기판상에 도포된 포토레지스트막, 에칭후 남은 패턴화된 포토레지스트막, 또는 에칭 후의 패턴화된 포토레지스트막의 애싱 뒤에 남은 포토레지스트 잔사를 제거하는데 사용된다. 박리처리시, 포토레지스트막, 포토레지스트 잔사, 먼지 등은 침지나 분무법 등의 기타 방법에 의해 정상적으로 박리조성물과 접촉한다. 필요하다면, 박리처리시 가열 및 초음파노출 등의 방법을 적절히 이용할 수 있다. 박리조성물로 처리한 후 처리된 기판은 알코올 등의 유기용매나 물로 헹굴 수 있다. 바람직한 방법에서는, 40 내지 80℃에서 수분간 박리처리를 실행할 수 있다.
본 발명을 다음 실시예 및 비교예를 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나 본 발명이 이들에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
도 1은 마스크로서 레지스트막을 사용하여 염화제2철/염산 수용액으로 ITO 막을 습식에칭한 후의 LCD소자를 보여주는 개략도이다. 유리기판(6)상에는 아크릴수지 부동막(5) 상에 형성된 TFT층(1)을 형성했다. 부동막(5)상에는 픽셀전극인 투명 ITO전극(4)이 형성되었으며 이 전극상에는 패턴화된 레지스트막(3)이 아직 잔존하였다. 먼지(2)는 습식에칭시 발생한 ITO-레지스트 혼합잔사로 예측되며 이역시 ITO전극(4)과 패턴화된 레지스트막(3)에 잔존하였다.
도1에서 보는 바와 같은 LCD소자는 50.0중량%의 모노메탄올아민, 24.0중량%의 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 5.0중량%의 소르비톨, 1.0중량%의 인산염 계면활성제 ANTOX EHD400 (니폰 뉴카제이사) 및 20중량%의 물을 포함하는 박리조성물에 50℃에서 5분간 침지처리한 후 초순수로 헹구고 건조시켰다. 그후, 처리된 LCD소자의 표면을 주사전자현미경(SEM)으로 관찰하였다. 관찰결과 패턴화된 레지스트막(3)과 먼지(2)가 완전제거되었음을 확인하였다.
[실시예 2 내지 12]
도1에서의 LCD소자를 표1의 조건하에 역시 표1의 화학조성으로된 박리조성물 각각에 침지한후 초순수로 헹구고 다시 건조시켰다. 이것을 SEM으로 관찰하여 패턴화된 레지스트막(3)과 먼지(2)의 제거상태를 평가하였다. 그 결과를 표1에서 나타내었다.
SEM 관찰결과를 다음의 평가기준으로 표시하였다.
박리상태:
++ : 완전 제거됨
+ : 거의 완전 제거됨
- : 일부 잔존함
-- : 대부분 잔존함
박리조성물
실시예 N-함유 유기히드록실 화합물 HO-(CpH2pO)q-R 당 또는 당알코올 P-함유화합물 물
(중량%) (중량%) (중량%) (중량%) (중량%)
2 a1 40.0 b1 29.0 c1 5.0 d1 1.0 25.0
3 a1 60.0 b1 25.0 c1 5.0 d1 1.0 9.0
4 a1 52.0 b1 25.0 c1 2.0 d1 1.0 20.0
5 a1 49.9 b1 25.0 c1 5.0 d1 0.1 20.0
6 a2 70.0 b1 10.0 c1 5.0 d1 1.0 14.0
7 a1 60.0 b2 25.0 c1 5.0 d1 1.0 9.0
8 a1 50.0 b1 24.0 c2 5.0 d1 1.0 20.0
9 a3 50.0 b1 24.0 c1 5.0 d2 1.0 20.0
10 a4 50.0 b1 24.0 c1 5.0 d2 1.0 20.0
11 a1 60.0 b3 20.0 c1 3.0 d2 1.0 16.0
12 a1 50.0 b1 24.0 c1 5.0 d3 1.0 20.0
삭제
실시예 박리조건 제거 정도
온도(℃) 시간(분) 레지스트막 먼지
2 50 5 ++ ++
3 50 5 ++ ++
4 50 5 ++ ++
5 50 10 ++ ++
6 50 10 ++ ++
7 50 10 ++ ++
8 50 10 ++ ++
9 50 5 ++ ++
10 50 10 ++ ++
11 50 10 ++ ++
12 50 10 ++ ++
삭제
a1 모노에탄올아민
a2 N-메틸메탄올아민
a3 2-(2-아미노에톡시)에탄올
a4 4-(2-히드록시에틸)모르폴린
b1 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
b2 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르
b3 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르
c1 소르비톨
c2 크실리톨
d1 ANTOX EHD400 (니폰뉴카제이사, 인산염계면활성제)
d2 히드록시에탄디포스폰산
d3 프로판디아민테트라메틸렌포스폰산
[실시예 13]
실시예 1에서 사용한 것과 동일한 LCD소자를 50.0중량%의 에탄올아민, 24.0중량%의 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 5.0중량% 의 소르비톨, 1.0중량%의 인산염 계면활성제 ANTOX EHD400(니폰뉴카제이사), 0.3중량%의 히드록시에탄포스폰산 및 19.7중량%의 물을 포함하는 박리조성물에 40℃온도에서 10분간 침지한 후 초순수로 헹구고 다시 건조시켰다. 처리된 LCD소자의 SEM관찰 결과 패턴화된 레지스트막(3)과 먼지(2)가 기판으로부터 완전제거되었음을 확인하였다.
[비교예 1 내지 7]
표2의 조건하에서 역시 표2의 화학조성으로된 각 박리조성물에 실시예 1에서 사용한 것과 동일한 LCD소자를 침지한 뒤 초순순로 헹구고 다시 건조시켰다. 실시예 1과 동일한 방식으로 SEM 관찰하여 상기 평가기준에 따라 패턴화된 레지스트막(3)과 먼지(2)의 제거상태를 평가했다. 그 결과를 표 2에서 보여준다. 도 3은 패턴화된 레지스트막(3)은 제거되었으나 아직 먼지(2)가 남아있는 (비교예 2에 대응되는) 박리처리후의 LCD소자를 보여주는 개략도이다.
박리조성물
비교예 N-함유 유기히드록실 화합물 HO-(CpH2pO)q-R 당 또는 당알코올 P-함유화합물 물
(중량%) (중량%) (중량%) (중량%) (중량%)
1 a1 50.0 - - - - - - 50.0
2 a1 50.0 b1 24.0 - - - - 26.0
3 a1 50.0 b1 24.0 c1 5.0 - - 21.0
4 - - b1 24.0 c1 5.0 - - 71.0
5 - - b1 24.0 c1 5.0 d1 1.0 70.0
6 a1 50.0 - - c1 5.0 - - 45.0
7 a1 50.0 - - c1 5.0 d1 1.0 44.0
삭제
a1 모노에탄올아민
b1 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르
c1 소르비톨
d1 ANTOX EHD400 (니폰뉴카제이사, 인산염계면활성제)
비교예 박리조건 제거정도
온도(℃) 시간(분) 레지스트막 먼지
1 50 20 - --
2 50 20 ++ --
3 50 20 ++ -
4 50 20 -- --
5 50 20 -- --
6 50 20 - --
7 50 20 - --
삭제
본 발명에 따른 포토레지스트 박리제 조성물을 사용하여 무기질 기판상에 도포된 포토레지스트막, 에칭후 남은 패턴화된 포토레지스트막, 또한 에칭 후 패턴화된 포토레지스트막을 애싱한 뒤 남은 포토레지스트 잔사, 또한 에칭시 생성된 먼지 등은 저온에서 단시간에 쉽게 제거된다. 박리 처리과정에서, 회로형성재료는 부식없이 미세가공될 수 있으며, 그결과 고정밀 및 고품질회로를 수득할 수 있다.

Claims (18)

  1. (1) 질소함유 유기히드록실화합물, (2) 다음 일반식으로 표현되는 알킬렌글리콜 모노알킬에테르:
    HO-(CpH2pO)q-R
    (여기서, R은 C1-C4알킬, p는 2 또는 3, 또한 q는 1, 2 또는 3이다),
    (3) 당이나 당알코올, (4) 인함유화합물 및 (5) 물을 포함하는 포토레지스트 박리조성물.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 질소함유 유기히드록실화합물은 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N,N-디에틸에탄올아민, 프로판올아민, N,N-디메틸프로판올아민, N-에틸프로판올아민, N,N-디에틸프로판올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N-히드록시에틸피페라진, 4-(2-히드록시에틸)모르폴린, 2-(2-히드록시에틸)피리딘, 2-피페리딘메탄올 및 N-메틸-4-피페리디놀로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 알킬렌글리콜 모노알킬에테르가 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 디프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 디프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 트리프로필렌글리콜 모노프로필에테르 및 트리프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기의 당이 단당류 또는 다당류인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 단당류는 3 내지 6개의 탄소원자를 갖는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 단당류는 글리세린 알데히드, 트레오스, 아라비노스, 크실로스, 리보스, 리불로스(ribulose), 크실룰로스(xylulose), 글루코스, 만노스, 갈락토스, 타가토스(tagatose), 알로스(allose), 알트로스, 굴로스(gulose), 이도스(idose), 탈로스(talose), 소르보스, 사이코스(psicose) 및 프룩토스(fructose)로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 다당류는 수크로스, 말토스, 셀로비오스(cellobiose), 락토스, 소포로스(sophorose), 라미나리비오스(laminaribiose), 만니노트리오스(manninotriose), 아라반(araban), 크실란(xylan), 만난(mannan) 및 전분으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 당알코올은 트레이톨(threitol), 에리트리톨(erythritol), 아도니톨(adonitol), 아라비톨(arabitol), 크실리톨(xylitol), 탈리톨(talitol), 소르비톨, 만니톨(mannitol), 이디톨(iditol) 및 둘시톨(dulcitol)로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 인함유화합물은 인산 및 이에 관련된 산류, 인산염 계면활성제 및 포스폰산 킬레이트제로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 인산 및 이에 관련된 산류는 오르토인산, 하이포인산(hypophosphoric acid), 아인산(phosphorous acid), 하이포아인산(hypophosphorous acid), 폴리인산, 폴리아인산, 폴리메타아인산, 이들의 암모늄염, 아민염 및 4급암모늄염으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 산인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 인산염 계면활성제는 다음 일반식 (1)로 표현되는 적어도 하나의 화합물,
    Figure 112006036456475-pat00003
    (여기서 R1은 C1-C30알킬이나 C7-C30 알킬아릴이고, "a"는 1 내지 200의 정수이다)
    또는 다음 일반식 (2)로 표현되는 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물:
    Figure 112006036456475-pat00004
    (여기서 R2과 R3은 동일하거나 상이하며 각각 C1-C30알킬 이나 C7-C30 알킬아릴이고, "b" 는 1 내지 200의 정수이고 "c"는 1 내지 200의 정수이다).
  12. 제 9항에 있어서,
    상기의 포스폰산 킬레이트제는 포스폰산이나 이들의 N-산화물, 암모늄염, 알칼리금속염 및 유기아민염으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기의 포스폰산은 메틸디포스폰산, 히드록시에탄디포스폰산, 아미노트리스(메틸렌)포스폰산, 에틸리덴디포스폰산, 1-히드록시에틸리덴-1,1-디포스폰산, 1-히드록시프로필리덴-1,1-디포스폰산, 에틸아미노비스(메틸렌)포스폰산, 도데실아미노비스(메틸렌)포스폰산, 니트릴로트리스(메틸렌)포스폰산, 에틸렌디아민비스(메틸렌)포스폰산, 에틸렌디아민테트라키스(메틸렌)포스폰산, 헥센디아민테트라키스(메틸렌)포스폰산 및 디에틸렌트리아민펜타메틸렌포스폰산으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  14. 제 1항에 있어서,
    (1) 30 내지 80중량%의 질소함유 유기히드록실화합물, (2) 5 내지 40중량%의 알킬렌글리콜 모노알킬에테르, (3) 0.1 내지 15중량%의 당 또는 당알코올, (4) 0.01 내지 10중량%의 인함유화합물과 (5) 나머지로서 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리조성물.
  15. 제 1항 내지 제 14항중 어느 한 항에 따른 포토레지스트 박리제 조성물을 사용하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 포토레지스트는 무기질 기판상에 형성된 포토레지스트막인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  17. 제 15항에 있어서,
    무기질 기판상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 패턴화하여 상기 무기질 기판상에 마스크를 형성하는 단계;
    상기 패턴화된 레지스트막을 마스크로 이용하면서, 상기 패턴화된 포토레지스트막의 기저막중 마스크처리되지 않은 부분을 에칭하는 단계; 또한
    상기 패턴화된 포토레지스트막을 상기 포토레지스트 박리조성물로 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
  18. 제 15항에 있어서,
    무기질 기판상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 패턴화하여 상기 무기질 기판상에 마스크를 형성하는 단계;
    상기 패턴화된 레지스트막을 마스크로 이용하면서, 상기 패턴화된 포토레지스트막의 기저막중 마스크처리되지 않은 부분을 에칭하는 단계;
    상기 패턴화된 포토레지스트막을 애싱(ashing)하는 단계; 또한
    상기 무기질 기판상에 남은 포토레지스트 잔사를 상기 포토레지스트 박리조성물로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리방법.
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