KR20030011480A - 포토레지스트용 박리액 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체소자 및 액정표시소자 등의 제조공정 중 에칭처리, 이온주입 등으로 변성된 포토레지스트에 사용되는 박리액 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 상기 박리액 조성물은 1급 지방족 아민, 2급 지방족 아민, 3급 지방족 아민 및 하이드록실 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기아민 화합물 10 내지 35 중량%, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 부틸카르비톨, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌클리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 양성자성 극성용제 10 내지 80 중량%가 조합되어 이루어지되, 상기 극성용제 중 저독성/친수성 극성용제인 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및/또는 디프로필렌글리콜모네에테르아세테이트는 적어도 5 내지 30 중량%가 항상 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하고, 이러한 조성을 갖는 박리액은 용해성 및 박리성이 우수하고, 금속배선에 대하여 저부식성을 나타내고, 오링 및 배관에 대한 침해성이 적고, 저휘발성/저독성이어서 환경오염 및 작업자에 대한 유독성 문제를 최소화시킬 수 있다.

Description

포토레지스트용 박리액 조성물{STRIPPER COMPOSITION FOR PHOTORESIST}
본 발명은 반도체소자 및 액정표시소자 등의 제조공정 중 에칭처리, 이온주입 등으로 변성된 포토레지스트에 사용되는 박리액 조성물에 관한 것으로, 특히, 용해성 및 박리성이 우수하고, 하부 Al 또는 Cu 등의 금속 배선에 대하여 저부식성을 나타내고, 오링(O-ring) 및 배관재질인 Clean PVC에 대한 침해성이 최소화된 박리액 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 박리액 조성물은 저휘발성/저독성이어서 최근 크게 부각되고 있는 환경오염 및 작업자에 대한 유독성 문제를 최소화시킬 수 있다. 또한 본 발명에 따른 박리액 조성물은 사용온도에서 증발로 인한 손실량이 적으므로 경제적이고 환경 친화적일 뿐 만 아니라, 점도가 낮아 박리 수조에서의 순환성이 우수하며, 표면장력이 낮아 린스공정(IPA & DI Water)시 글라스(glass) 기판에 대한 친화성이 우수하다.
일반적으로 반도체 집적회로 또는 액정표시장치회로는 극히 미세한 구조로 이루어져 있으며, 많은 단계의 공정을 거쳐 제조된다. 이와 같은 미세구조 회로는기판 상에 형성된 산화막 등의 절연막 또는 Al 합금막 등의 도전성 금속막에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 상기 포토레지스트를 노광/현상하여 소정의 패턴을 형성시킨 후, 소정 패턴화된 포토레지스트를 마스크로 사용하여 상기 절연막 또는 도전성 금속막을 에칭함으로써 기판에 상기 포토레지스트의 패턴을 전사시킨다. 마지막으로 상기 포토레지스트 패턴을 박리액을 사용하여 제거하게 된다.
이러한 포토레지스트 패턴을 제거하기 위한 종래의 박리제로는 페놀 및 그 유도체와 알킬벤젠술폰산 및 염화계 유기용제로 조성된 용액이 이용되었으나, 이러한 박리액은 페놀계 화합물과 염소계 유기용제를 함유하고 있기 때문에 독성이 강하고, 하부 금속배선을 부식시키며 폐액처리가 어렵고, 비수용성이므로 박리 후 린스 공정이 복잡하다는 문제점이 있었다.
한편, 종래 사용되는 포토레지스트용 박리액은 유기아민 화합물과 각종 유기용제를 혼합하여 이루어진 것들이 제안되었고, 그 중에서도 유기아민류 중 모노에탄올아민을 주성분으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물이 널리 사용되고 있었다.
예를 들면, MEA 등의 유기아민류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르(EDG), 감마부틸락톤(GBL), DMI, NMP, DMSO 등 하나 이상의 극성 혼합용제류로 이루어진 포지형 포토레지스트 박리액 조성물(일본특허공개번호 평63-231343호); MEA 등의 유기아민 화합물, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, DMAc, NMP, DMSO 등 극성용제류 인산에스테르계 계면활성제로 이루어진 포지형 포토레지스트 박리액 조성물(일본특허공개번호 평4-124668호); 알칸올아민(MEA) 등의 유기아민 화합물, 1,3-디메틸-2-이미다졸(DMI), 1,3-디메틸-테트라하이드로피리미디논 등의 극성용제류로 이루어진 2성분계 포토레지스트 박리액 조성물(미국특허공개번호 제4,770,713호)과 같은 박리액 조성물들이 공지되어 있으며, 이러한 포토레지스트 박리액 조성물들은 포토레지스트 제거 성능에서는 비교적 우수한 특성을 나타내고 있다. 그러나 금속배선에 대한 부식성, 높은 표면장력으로 인한 미립자 잔류, 높은 증발손실에 의한 경제성 저하, 폐액에 의한 환경 오염, 작업자의 안전성, 유독성에서 문제가 되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 포토레지스트용 박리액 조성물에서 제기된 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명은
첫째, 박리성 및 박리시 불순물 미립자가 잔류하지 않도록 용해성이 우수하고,
둘째, 하부 Al 또는 Cu 등의 금속 배선에 대하여 저부식성을 나타내고,
셋째, 오링(O-ring) 및 배관재질인 Clean PVC에 대한 침해성을 최소화시키고,
넷째, 저휘발성/저독성이어서 환경문제를 일으키지 않고, 작업자의 건강을 해칠 위험이 없으며,
다섯째, 사용온도에서 증발로 인한 손실량이 적어서 반복 사용할 때에도 증발에 의한 박리액의 감소량이 적고, 성분함량의 변화가 일정하여 경제적이고 환경친화적일 뿐 만 아니라,
여섯째, 점도가 낮아 박리 수조에서의 순환성이 우수하며, 표면장력이 낮아 린스공정(IPA & DI Water)시 글라스(glass) 기판에 대한 친화성이 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 포토레지스트용 박리액 조성물은 10 내지 35 중량%의 유기아민 화합물과, 10 내지 80 중량%의 양성자성 극성용제가 하나 이상이 조합되어 이루어지되, 상기 극성용제 중 저독성/친수성 극성용제인 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및/또는 디프로필렌글리콜모노메닐에테르아세테이트는 적어도 5 내지 30 중량%가 항상 포함되어 이루어진다.
상기 양성자성 극성용제란 용매분자가 강한 전기음성도를 갖는 원소에 결합된 수소원자를 갖고 있어 수소결합이 쉽게 이루어지도록 하는 용제를 말하고, 비양성자성 극성용제란 양성자성 극성용제와 같은 수소원자를 갖고 있지 않아 비교적 극성이 낮은 용제를 말한다. 유기용제와 극성용제의 조합으로 이루어지는 박리액 조성물에서, 비록 극성용제는 단독으로 첨가되어도 박리액의 효능을 발휘하게 되지만, 더욱 좋은 효과를 얻기 위해서는 극성 용제를 2가지 이상 혼합하여 조성물을 제조하는 것이 바람직하다. 상기 유기용제에서 아민 성분만을 사용할 때에는 박리 성능이 충분히 발현되지 못하므로 극성용제와 일정 비율로 혼합해서 사용하는 것이 바람직하다.
상기 유기아민 화합물은 포토레지스트를 박리시키는 역할을 하는 것으로서, 1급 지방족 아민, 2급 지방족 아민, 3급 지방족 아민, 하이드록실 아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 모노이소프로판올아민(MIPA, CH3CH(OH)CH2NH2) 또는 모노에탄올아민(MEA, HO(CH2)2NH2)을 사용하는 것이 좋으며, 보다 바람직하게는 모노에탄올아민을 사용하는 것이 가장 좋다. 모노에탄올아민을 사용하는 것이 가장 좋은 이유는 그 분자량이 작아 박리공정에서 포토레지스트막에 침투하여 이를 용해 또는 팽윤시키기 용이하기 때문이다.
또한 박리액에 첨가되는 상기 유기아민 화합물은 10 내지 35 중량%가 바람직한데, 이는 10 중량% 미만이면 사진 식각공정에서 변질된 레지스트막을 충분히 박리시킬 수 없으며, 35 중량% 이상이 되면 금속배선에 대한 부식성이 커지는 문제가 발생하기 때문이다.
상기 양성자성 극성용제는 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 부틸카르비톨, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌클리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택된다. 이러한 극성용제는 상기 군에서 선택된 둘 이상의 용제를 조합하여 사용하는 것이 바람직하다.
상기 조합되는 둘 이상의 극성용제는 부틸카르비톨(Butyl Carbitol, BDG)과디프로필렌모노메틸에테르(DPM) 또는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트를 조합하여 사용하는 것이 보다 바람직하며, 그 조성비는 부틸카르비톨 40 내지 60 중량%, 디프로필렌모노메틸에테르 또는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 5 내지 30 중량%인 것이 가장 효과적이다.
이렇게 조합된 혼합 극성용제는 아민 화합물에 의해 박리된 포토레지스트를 용해시키는 작용을 하며, 부틸카르비톨과 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 모두 부식방지효과를 지니고 있어 아민류에 의한 부식을 방지할 수 있다. 상기 디프로필렌글리콜모노메틸에테르는 표면장력이 낮아 포토레지스트의 제거 효율을 향상시킬 수 있으며, 강한 친수성으로 인해 세정공정 중 포토레지스트의 재부착을 방지할 수 있다.
또한 디프로필렌글리콜모노메틸에테르는 독성면에서 LD50(피부) 10g/kg, LD50(구강) 5,400mg/kg인 수치를 나타내므로, 현재 많이 쓰이고 있는 N-메틸피롤리돈(NMP) LD50(피부) 8g/kg, LD50(구강) 3,914mg/kg; 디메틸포름아미드(DMF) LD50(피부) 4.7g/kg, LD50(구강) 2,800mg/kg와 같은 다른 유기용제와는 달리 환경친화적이고, 독성이 적으므로 작업자에게도 안전하다.
또한 디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP)와 같은 유기용제가 오링(O-ring) 및 배관용 Clean PVC에 대하여 침해성을 가진 반면, 본 발명의 상기 극성용제는 이러한 재질에 대한 침해성이 거의 나타나지 않는다.
이하, 본 발명에 따른 포토레지스트용 박리액 조성물은 다음 실시예를 통하여 보다 명확하게 이해될 수 있다.
〔실시예〕
1. 박리액 조성물의 제조
유기아민 화합물 및 극성 용제의 일정 비율로 이루어진 박리액 조성물을 다음 〈표 1〉과 같이, 실시예 1 내지 8과 같이 제조하고, 비교예 조성물 1 및 2를 제조하였다.
〔 표 1〕각 실시예 및 비교예의 박리액 조성물의 조성 (단위 중량 %)
구 분 MEQ BDG DPM DPMA NMP
실시예 1 10 70 20 - -
〃 2 20 70 10 - -
〃 3 20 60 20 - -
〃 4 30 60 10 - -
〃 5 30 50 20 - -
〃 6 20 40 40 - -
〃 7 10 60 30 - -
〃 8 30 60 - 10 -
비교예 1 30 70 - - -
〃 2 35 40 - 25 25
여기서,MEA : 모노에탄올아민BDG : 부틸카르비톨DPM : 디프로필렌모노글리콜에테르DPMA : 디프로필렌모노글리콜에테르아세테이트NMP : N-메틸피롤리돈
2. 실리콘 웨이퍼(Si Wafer)에 대한 박리액의 박리성능 평가
4 inch 크기의 실리콘 웨이퍼(Si Wafer) 위에 범용적으로 사용되는 포지형포토레지스트를 스핀 코우터(Spin Coater)로 도포시켜 건조시킨 후, 막 두께가 1.5㎛가 되도록 하고 핫 플레이트(Hot Plate) 상에서 110 ℃에서 90초간 소프트 베이킹(Soft Baking)을 한 다음, 150 ℃에서 5분간 하드 베이킹(Hard Baking)을 하였다.
또한, 상기 〈표 1〉의 각 박리액 조성물 온도를 70 ℃로 유지하면서 상기 웨이퍼의 시편을 50mL 바이알(Vial)에 소정시간 침지시킨 후, 이소프로판올아민(IPA)으로 3분간, 초순수 상태로 3분간 세정하여 N2가스로 건조한 다음, 상기 웨이퍼 표면에 포토레지스트의 잔류물이 부착되어 있는지 여부를 육안으로 검사하여 박리성능을 그 결과를 아래 〈표 2〉에 나타냈다. 이때 평가의 정확성을 기하기 위해 각 시편의 침지 테스트는 새로운 박리액으로 교체한 후, 박리액 온도가 70 ℃로 유지될 때까지 기다린 후 테스트하였다.
〔 표 2〕실리콘 웨이퍼에 대한 각 박리액의 박리성능 평가
구 분 박리액 침지시간 (sec)
60 70 80 90 100 110 120
실시예 1 × × × △ ◎ ◎ ◎
〃 2 × △ △ ◎ ◎ ◎ ◎
〃 3 × △ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
〃 4 △ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
〃 5 × △ △ ◎ ◎ ◎ ◎
〃 6 × × × × △ △ ◎
〃 7 × × × △ △ ◎ ◎
〃 8 △ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎
비교예 1 × △ △ ◎ ◎ ◎ ◎
〃 2 × × × △ △ ◎ ◎
여기서,◎: 웨이퍼 표면에 포토레지스트 잔류물이 완전 제거된 상태△: 웨이퍼 표면에 포토레지스트 잔류물이 부분적으로 제거된 상태×: 웨이퍼 표면에 포토레지스트 잔류물이 대부분 남아 있는 상태
상기 〈표 2〉에 나타난 바와 같이, 실시예 4와 8의 경우는 비교예 1 및 2 보다도 뛰어난 박리성능을 나타내었으며, 실시예 중에서도 가장 뛰어난 박리성능을 나타내었다.
3. 유리(Glass) 기판에 대한 각 박리액의 박리성능 평가
Al 또는 Mo이 200nm의 두께로 형성된 금속막 위에 범용적으로 사용되는 포지형 포토레지스트가 도포되어 있는 유리기판에 대하여 상기 「2. 실리콘 웨이퍼(Si Wafer)에 대한 박리액의 박리성능 평가」에서 사용한 방법과 동일한 방법으로 평가하였고, 상기 기판 패턴(Pattern) 표면에 포토레지스트의 잔류물이 부착되어 있는지 여부는 SEM(전자현미경, HITACH社, S-4300)을 이용하여 검사하였고, 그 박리성능 평가결과를 아래의 〈표 3〉에 나타내었다.
〔 표 3〕유리기판에 대한 각 박리액의 박리성능 평가
구 분 박리액 침지시간 (sec)
3초 5초 10초
실시예 1 × △ ◎
〃 2 △ ◎ ◎
〃 3 △ ◎ ◎
〃 4 ◎ ◎ ◎
〃 5 × △ ◎
〃 6 × △ △
〃 7 × △ ◎
〃 8 ◎ ◎ ◎
비교예 1 △ ◎ ◎
〃 2 × △ ◎
여기서,◎: 패턴 표면에 포토레지스트 잔류물이 완전 제거된 상태△: 패턴 표면에 포토레지스트 잔류물이 부분적으로 제거된 상태×: 패턴 표면에 포토레지스트 잔류물이 대부분 남아 있는 상태
상기 〈표 3〉에 나타난 바와 같이, 유리기판에 대한 각 박리액의 박리성능 측정은 상기 〈표 2〉의 실리콘 웨이퍼에 대한 각 박리액의 박리성능 측정과 박리되는 시간에서는 차이가 있으나, 결과적으로 박리성능에서는 비슷한 경향을 보임을 확인할 수 있었고, 또한 본 발명에 따른 실시예 4의 경우는 비교예 1 및 2 보다도 뛰어난 박리성능을 나타냄을 알 수 있었다.
4. 금속배선에 대한 각 박리액의 부식성 평가
상기 「3. 유리(Glass) 기판에 대한 각 박리액의 박리성능 평가」에서 사용한 것과 동일한 유리기판에 대하여 상기 「2. 실리콘 웨이퍼(Si Wafer)에 대한 박리액의 박리성능 평가」에서와 동일한 방법으로 부식성을 평가하였고, 상기 금속 배선의 박리액으로 인한 부식여부를 SEM(전자현미경, HITACH社, S-4300)을 이용하여 검사하고 부식정도를 아래의 〈표 4〉에 나타내었다.
〔 표 4〕금속배선(Mo/Al)에 대한 각 박리액의 부식성 평가
구 분 박리액 침지시간 (sec)
60분 120분 300분
실시예 1 ◎ ◎ ◎
〃 2 ◎ ◎ ◎
〃 3 ◎ ◎ ◎
〃 4 ◎ ◎ ◎
〃 5 ◎ ◎ ◎
〃 6 ◎ ◎ ◎
〃 7 ◎ ◎ ◎
〃 8 ◎ ◎ ◎
비교예 1 ◎ ◎ ◎
〃 2 ◎ ◎ ×
여기서,◎: 박리액으로 인한 금속배선 표면의 부식이 없는 매끈한 상태×: 박리액으로 인한 금속배선 표면의 부식으로 매끄럽지 못한 상태
상기 〈표 4〉에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 포트레지스트용 박리액 조성물(실시예 1 내지 8)은 부식방지효과가 있는 부틸카르비톨과 부식성을 지니지 않은 디프로필렌글리콜모노에테르 및 디프로필렌글리콜모노에테르아세테이트로 인하여 하부 금속배선에 대하여 거의 부식이 나타나지 않는 것을 알 수 있었다. 그러나, 비교예 2의 경우는 3시간 이후에 하부 금속배선을 부식시키는 것을 확인할 수 있었다. 이는 반도체 소자에서 금속배선의 불량으로 인하여 생산성을 저하시키는 원인이 된다. 따라서 본 발명에 따른 박리액 조성물에서는 이와 같은 생산성의 저하를 감소시킬 수 있다.
5. 각 박리액의 증발 손실량 평가
50mL 용량의 삼각플라스크에 각 박리액 40g을 넣고 70 ℃의 오븐(oven)에서 각 박리액에 대하여 0, 3, 6, 24, 48, 72시간 간격으로 박리액의 증발 손실량을 측정하고 그 결과를 〈표 5〉에 나타냈다. 하기 〈표 5〉에서 증발로 인한 각 박리액의 무게감소량은 초기 0시간의 박리액에 대한 무게 백분율로 환산한 결과이다.
〔 표 5〕각 박리액의 부식성 평가
구 분 증발시간에 따른 각 박리액의 증발 손실량 (중량%)
0시간 3시간 6시간 24시간 48시간 72시간
실시예 1 0 0.04 0.05 0.27 0.84 1.90
〃 2 0 0.02 0.04 0.22 0.73 1.57
〃 3 0 0.04 0.05 0.24 0.80 1.72
〃 4 0 0.07 0.11 1.28 3.27 5.66
〃 5 0 0.02 0.03 0.29 0.96 3.06
6. 증발손실에 따른 각 박리액 성분의 함량 변화 평가
상기 「5. 각 박리액의 증발 손실량 평가」에서와 동일한 방법으로 박리액의 증발손실에 따른 각 박리액 성분의 함량변화를 측정하고, 그 결과를 〈표 6〉에 나타내었다. 〈표 6〉의 결과는 가스크로마토그라피(시마쯔社, GC-17AAF)로 컬럼 오븐 온도 200 ℃에서 분석하였으며, 이를 백분율(%)로 환산한 결과이다.
〔 표 6〕증발손실에 따른 각 박리액 성분의 함량변화 평가
구 분 증발시간에 따른 각 박리액 성분의 함량변화(농도%)
성 분 0시간 3시간 6시간 24시간 72시간
실시예 4 MEA 30.0 29.9 29.8 29.0 28.3
BDG 60.0 60.1 60.2 61.1 61.9
DPM 10.0 10.0 10.0 9.9 9.8
비교예 1 MEA 30.0 30.1 29.9 28.7 25.8
BDG 70.0 69.9 70.1 71.3 74.2
비교예 2 MEA 35.0 34.9 34.8 33.7 32.6
BDG 40.0 40.0 40.2 41.8 42.5
NMP 25.0 25.1 25.0 24.5 24.9
상기 〈표 5〉와 〈표 6〉에 나타낸 바와 같이, 실시예 2 내지 4의 박리액 조성물은 비교예 1 및 2에 비하여 증발에 의한 무게손실이 매우 적음을 알 수 있다. 이는 본 발명의 각 실시예에 따른 상기 박리액 조성물을 사용할 경우, 반도체 제조공정 중의 박리 공정에서 박리액의 교환주기가 길어지고, 배기 덕트 및 필터의 손상이 감소하게 되어 공정의 경제성을 높일 수 있음을 의미한다.
또한 증발손실에 따른 성분 변화에서도 실시예 4의 경우 비교예 1 및 2에 비하여 더 낮게 나타남을 확인할 수 있었는데, 이는 포토레지스트에 대한 박리액의 박리성능을 일정하게 장시간 동안 유지할 수 있음을 나타내는 것이다.
7. Clean PVC에 대한 각 박리액의 침해성 평가
50mL 용량의 바이알(Vial)에 박리액 40g을 넣고 Clean PVC관 5g을 실온(27 내지 30 ℃)에서 7일 동안 침지시킨 후, 상기 바이알로부터 꺼내어 IPA로 1분간 세정한 다음, 초순수로 3분간 세정하고 N2가스로 건조시켜 상기 Clean PVC관 내부 표면에 대하여 박리액에 의한 침해여부를 SEM(전자현미경, HITACH社, S-4300)을 이용하여 검사한 결과를 아래의 〈표 7〉에 나타냈다.
8. 오링(재질 perfluoro)에 대한 각 박리액의 재질 침해성 평가
50mL 용량의 바이알(Vial)에 각 박리액 30g을 넣고, 오링(O-ring) 1/2을 70 ℃에서 5일 동안 침지시킨 후, 상기 바이알로부터 꺼내어 IPA로 1분간 세정한 다음, 초순수로 3분간 세정하여 N2가스로 건조한 후, 상기 오링 표면의 각 박리액으로 인한 침해여부를 SEM(전자현미경, HITACH社, S-4300)을 이용하여 검사하고, 침해성 정도를 평가한 결과를 아래의 〈표 7〉에 나타내었다. 한편, 측정시 박리액에 침지된 부분은 '영역 1'로 표시하고, 퓸(fume)에 의해 영향을 받는 부분은 '영역 2'로 표시하여 각각의 침해 여부를 나타내었다.
〔 표 7〕Clean PVC 및 오링에 대한 각 박리액의 재질 침해성 평가
구 분 침해성 여부
Clean PVC관 오링(재질: perfluoro)
실시예 4 ◎ ◎
실시예 8 ◎ ◎
비교예 1 ◎ △
비교예 2 × * ×
여기서,◎ : 각 실험 재질 내부 표면에 각 박리액에 의한 침해가없어 매끈한 상태△ : 각 실험 재질 내부 표면이 각 박리액에 의한 침해로 부분적으로 이루어진 상태× : 각 실험 재질 내부 표면이 각 박리액에 의한 침해로 녹아나온 상태× * : 비교예 2와 관련한 Clean PVC 침해성 평가 결과는1일 후부터 침해성이 관찰되었다
상기 〈표 7〉에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예 4 및 8에 따른 박리액의 경우, 배기 덕트에 쓰이는 Clean PVC관과 박리액의 이송배관에 사용되는 오링(O-ring, 재질은 perfluoro)에 대한 화학적 침해성이 나타내지 않았으나, 비교예 1 및 2의 경우는 그렇지 못했다. 즉, 본 발명에 따른 실시예 4 및 8의 박리액을 사용할 때에는 이송 또는 배기 장치에 대하여 화학적으로 안정할 뿐만 아니라 작업성 면에서 효율적임을 의미하는 것이다.
이상에서 설명한 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트용 박리액 조성물에 의하여 본 발명은 한정되지 않는다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 포토레지스트용 박리액 조성물은 첫째, 박리성 및 박리시 불순물 미립자가 잔류하지 않도록 용해성이 우수하고,
둘째, 하부 Al 또는 Cu 등의 금속 배선에 대하여 저부식성을 나타내고,
셋째, 오링(O-ring) 및 배관재질인 Clean PVC에 대한 침해성을 최소화시키고,
넷째, 저휘발성/저독성이어서 환경문제를 일으키지 않고, 작업자의 건강을 해칠 위험이 없으며,
다섯째, 사용온도에서 증발로 인한 손실량이 적어서 반복 사용할 때에도 증발에 의한 박리액의 감소량이 적고, 성분함량의 변화가 일정하여 경제적이고 환경 친화적일 뿐 만 아니라,
여섯째, 점도가 낮아 박리 수조에서의 순환성이 우수하며, 표면장력이 낮아 린스공정(IPA & DI Water)시 글라스(glass) 기판에 대한 친화성이 우수하다.

Claims (3)

1급 지방족 아민, 2급 지방족 아민, 3급 지방족 아민 및 하이드록실 아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는 유기아민 화합물 10 내지 35 중량%와, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 부틸카르비톨, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디프로필렌클리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜모노에틸에테르, 트리에틸렌글리콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 양성자성 극성용제 10 내지 80 중량%가 조합되어 이루어지되, 상기 극성용제 중 저독성/친수성 극성용제인 디프로필렌글리콜모노메틸에테르 및/또는 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트는 적어도 5 내지 30 중량%가 항상 포함되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 선택되는 하나 이상의 양성자성 극성용제는
부틸카르비톨 40 내지 60 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 유기아민 화합물은
모노이소프로판올아민 또는 모노에탄올아민인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
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