CN107589637A - 一种含氟铝线清洗液 - Google Patents

Abstract

本发明属于晶圆制造技术领域，涉及一种含氟铝线清洗液，其配方包括：0.01‑3wt％氟化物，0.1‑5wt％有机醇胺，50‑75wt％有机溶剂以及余量的去离子水，所述有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N‑二甲基甲酰胺、N,N‑二甲基乙酰胺、N‑甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3‑二甲基‑2‑咪唑啉酮、3‑甲基‑3‑甲氧基‑1‑丁醇中的一种。本发明的含氟铝线清洗液在无温控的条件下，能很好的去除光刻胶残渣，并且对底材的攻击较小，稳定性好，使用寿命长，能满足客户的要求。

Description

一种含氟铝线清洗液

技术领域

本发明涉及晶圆制造技术领域，特别涉及一种去光刻胶残渣效果好且对底材的攻击较小的含氟铝线清洗液。

背景技术

在现代的IC制造工艺中，金属配线通路和切口在干法刻蚀后的反应生成物需要利用氟系药液进行湿法清洗。在0.35μm以下线宽的铝线生产中，药液对铝线的微蚀刻作用难以忽略，会导致半导体关键部分不稳定。

目前，在半导体晶圆制造领域，铝线清洗液一般在较高工艺温度(50-75℃)下工作，并且存在清洗效果弱或对底材攻击较大的问题。

本发明就是为了提供一种新的清洗液来解决以上问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种去光刻胶残渣效果好且对底材的攻击较小的含氟铝线清洗液。

本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种含氟铝线清洗液，其配方包括：0.01-3wt％氟化物，0.1-5wt％有机醇胺，50-75wt％有机溶剂以及余量的去离子水，所述有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺，N,N-二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮，碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇中的一种。

具体的，所述氟化物为氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、氟化氢铵、氟硅酸、氟化钠中的一种或多种。

具体的，所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺的一种或多种。

采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：

本发明的含氟铝线清洗液在无温控的条件下，能很好的去除光刻胶残渣，并且对底材的攻击较小，稳定性好，使用寿命长，能满足客户的要求。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。

一种含氟铝线清洗液，其配方包括：0.01-3wt％氟化物，0.1-5wt％有机醇胺，50-75wt％有机溶剂以及余量的去离子水，所述有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇中的一种。

实施例1～9：

按照表1的配方依次加入去离子水、氟化物、有机醇胺和有机溶剂，搅拌混匀，得到含氟铝线清洗液。

表1：

注：表1内总配比不到100wt％的部分均为去离子水。

以现有市面上买到的不含氟铝线清洗液作为对照例，同实施例1～9制得的含氟铝线清洗液进行对比。对照例需要加热到75℃时对实验品做处理，实施例只需要常温对实验品处理。

检测方法为：

①实验品清洗时间为:含光刻胶残渣的铝线测试片15min,含光刻胶残渣的通孔测试片10min。实验品的清洗表面由扫描电子显微镜(SEM)检测；

②底材测试片腐蚀时间为30min。底材腐蚀速率由四探针电阻率测量仪(4-pointprobe)检测，或由椭偏仪(ellipsometer)检测。

结果如下：

表2：

从表2所示的测试结果可以看出，本发明的含氟铝线清洗液在无温控的条件下，能很好的去除光刻胶残渣，并且对底材的攻击较小，稳定性好，使用寿命长，能满足客户的要求。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (3)

1.一种含氟铝线清洗液，其特征在于配方包括：0.01-3wt％氟化物，0.1-5wt％有机醇胺，50-75wt％有机溶剂以及余量的去离子水，所述有机溶剂为二甲亚砜、环丁砜、二甲基砜、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、碳酸丙二酯、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮、3-甲基-3-甲氧基-1-丁醇中的一种。

2.根据权利要求1所述的含氟铝线清洗液，其特征在于：所述氟化物为氢氟酸、氟化铵、四甲基氟化铵、氟化氢铵、氟硅酸、氟化钠中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的含氟铝线清洗液，其特征在于：所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺的一种或多种。