CN109445256A - 新型光刻胶去胶液 - Google Patents

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杜冰
方磊
刘伟
梁豹
张兵
赵建龙
向文胜
朱坤
陆兰
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

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Abstract

本发明属于晶圆制造技术领域，涉及一种新型光刻胶去胶液，其配方包括：1‑5wt％醇类、10‑30wt％有机醇胺、0.1‑5wt％季铵碱、60‑80wt％醇醚类有机溶剂以及补足余量的去离子水，所述醇醚类有机溶剂包括乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚中的一种。本发明的新型光刻胶去胶液不仅对光刻胶去胶有良好的选择性，而且相同体积的去胶液处理量更大且稳定。

Description

新型光刻胶去胶液
技术领域
本发明涉及晶圆制造技术领域，特别涉及一种新型光刻胶去胶液。
背景技术
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种不导电的光敏材料，它通过受到光照后特性会发生改变的原理将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。显影过后未固化的光刻胶需要用去胶液洗掉，暴露出底材再进行相应的蚀刻。
对去胶液来说，最重要的是对攻击材料的选择性，也就是说去胶液应该高效去除光刻胶，但不能对金属、硅、氧化硅、钝化等各种底材有明显的腐蚀作用。
本公司申请过一种光刻胶去胶液(专利号：CN 201710753705.4)能够较快地去除光刻胶，然而实际应用中发现承载量偏小，而且比较不稳定。本发明就是在此基础上改进配方来解决以上问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种新型光刻胶去胶液，能够在保证去胶效果的基础上增加处理量。
本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种新型光刻胶去胶液，其配方包括：1-5wt％醇类、10-30wt％有机醇胺、0.1-5wt％季铵碱、60-80wt％醇醚类有机溶剂以及补足余量的去离子水，所述醇醚类有机溶剂包括乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚中的一种。
具体的，所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺的一种。
具体的，所述醇类为一元醇、二元醇或三元醇。
具体的，所述配方还包括0.01-5wt％的还原剂，所述还原剂为水合联氨、羟胺或羟胺盐中的一种。
具体的，所述配方还包括0.01-1wt％阻蚀剂的阻蚀剂，所述阻蚀剂为唑类阻蚀剂、氨基酸类阻蚀剂或硫脲类阻蚀剂中的一种。
采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：
本发明的新型光刻胶去胶液不仅对光刻胶去胶有良好的选择性，而且相同体积的去胶液处理量更大且稳定。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
一种新型光刻胶去胶液，其配方包括：1-5wt％醇类、10-30wt％有机醇胺、0.1-5wt％季铵碱、60-80wt％醇醚类有机溶剂以及补足余量的去离子水，所述醇醚类有机溶剂包括乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚中的一种。
还原剂和阻蚀剂用来抑制新型光刻胶去胶液对底材的腐蚀作用，在必要的时候添加。
实施例1～9：
按照表1的配方在无尘实验室中，按配比依次加入醇类、有机醇胺、季铵碱(选择性地加入还原剂)、去离子水、醇醚类有机溶剂(选择性地加入阻蚀剂)，搅拌均匀即可。
表1：
单位：wt％
注：表1内总配比不到100wt％的部分以去离子水补足。
以CN 201710753705.4的光刻胶去胶液作为对照例，同实施例1～9制得的新型光刻胶去胶液进行对比。
检测方法为：
①定量称取70kg去胶液置于去胶槽中，分批将12寸晶圆测试片置于去胶槽中去胶处理，每批去胶时间为15min。直到出现去胶不彻底的情况，换槽重复两次，统计处理片数；
②晶圆测试片腐蚀时间为60min。腐蚀速率由四探针电阻率测量仪(4-pointprobe)检测，或是由椭偏仪(ellipsometer)检测，或是目测。
结果如下：
表2：
从表2所示的测试结果可以看出，本发明的新型光刻胶去胶液对铜、钝化层、氧化硅等各种底材的腐蚀效率同样很低。配方改进后处理量超过330片，且更加稳定。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种新型光刻胶去胶液，其特征在于配方包括：1-5wt％醇类、10-30wt％有机醇胺、0.1-5wt％季铵碱、60-80wt％醇醚类有机溶剂以及补足余量的去离子水，所述醇醚类有机溶剂包括乙二醇单丁醚、乙二醇单甲醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单丁醚中的一种。
2.根据权利要求1所述的新型光刻胶去胶液，其特征在于：所述有机醇胺为单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺的一种。
3.根据权利要求1所述的新型光刻胶去胶液，其特征在于：所述醇类为一元醇、二元醇或三元醇。
4.根据权利要求1所述的新型光刻胶去胶液，其特征在于：所述配方还包括0.01-5wt％的还原剂，所述还原剂为水合联氨、羟胺或羟胺盐中的一种。
5.根据权利要求1所述的新型光刻胶去胶液，其特征在于：所述配方还包括0.01-1wt％阻蚀剂的阻蚀剂，所述阻蚀剂为唑类阻蚀剂、氨基酸类阻蚀剂或硫脲类阻蚀剂中的一种。
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