TWI570235B

TWI570235B - 用於移除光阻的剝離劑組成物以及使用其的光阻剝離方法

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Publication number: TWI570235B
Application number: TW104123477A
Authority: TW
Inventors: 朴泰文; 鄭大哲; 李東勳; 李友覽; 李賢濬; 金周永
Original assignee: Lg 化學股份有限公司
Priority date: 2014-08-20
Filing date: 2015-07-21
Publication date: 2017-02-11
Also published as: KR20160022762A; JP2017530377A; KR101707155B1; CN106062637B; JP6412143B2; TW201610144A; CN106062637A

Description

用於移除光阻的剝離劑組成物以及使用其的光阻剝離方法

【相關申請案之交叉參考】

本申請案主張於2014年8月20日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2014-0108636號及於2015年7月9日在韓國智慧財產局申請之韓國專利申請案第10-2015-0097658號之優先權。

本發明關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物及一種使用其的光阻剝離方法。更具體言之，本發明關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其在剝離製程期間能夠抑制下部金屬膜之腐蝕且有效地移除氧化物，同時具有極佳的剝離與沖洗光阻之能力；及一種使用其的光阻剝離方法。

液晶顯示裝置之微電路或半導體積體電路之製造製程包含以下幾個步驟：在基板上形成多種下部膜，諸如由鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉬或鉬合金製成之導電金屬膜，或絕緣膜，諸如氧化矽膜、氮化矽膜或丙烯醯基絕緣膜；在所述下部膜上均勻塗佈光阻；視情況可使所塗佈之光阻曝光及顯影以形成光阻圖案；且用光阻圖案作為罩幕使下部膜圖案化。

在這些圖案化步驟之後，執行移除下部膜上殘餘光阻之製程。出於此目的，使用一種用於移除光阻之剝離劑組成物。

先前，已熟知且一般使用包含胺化合物、極性質子溶劑、極性非質子溶劑以及類似物之剝離劑組成物。

已知這些剝離劑組成物展現一定程度的移除與剝離光阻之能力。然而，在剝離大量光阻之情況下，這些習知剝離劑組成物隨時間的推移促成胺化合物之分解，因此存在剝離與沖洗能力隨時間的推移降低之問題。

特定言之，視剝離劑組成物之應用時間而定，這些問題在一部分殘餘光阻溶解於剝離劑組成物中時可能進一步加速。

另外，在使用銅金屬膜作為下部膜之情況下，由於剝離製程期間之腐蝕而出現污點及異物，因此在其使用中存在困難。此外，存在無法有效移除銅氧化物之限制。

因此，需要研發一種新剝離劑組成物，其能夠抑制下部金屬膜之腐蝕且有效地移除氧化物，同時隨時間的推移維持極佳的剝離與沖洗能力。

本發明之一目標為提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其能夠在剝離製程期間抑制下部金屬膜之腐蝕且有效地移除氧化物，同時具有極佳的剝離與沖洗光阻之能力。

本發明之另一目標為提供一種使用上文所描述之用於移除光阻圖案之剝離劑組成物的光阻剝離方法。

為了實現上述目標，本發明提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其包含：至少一種胺化合物；醯胺類化合物，其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代；極性有機溶劑；某種三唑類化合物(triazole-based compound)；以及苯并咪唑類化合物(benzimidazole-based compound)。

本發明亦提供一種光阻剝離方法，其包含以下步驟：在其中形成下部膜之基板上形成光阻圖案：用光阻圖案使下部膜圖案化；且使用上述用於移除光阻之剝離劑組成物剝離光阻。

下文中，下文將更詳細描述根據本發明之特定實施例的用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法。

根據一個實施例，本發明提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其包含：至少一種胺化合物；醯胺類化合物，其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代；極性有機溶劑；由式1表示之三唑類化合物；以及由式2表示之苯并咪唑類化合物。

[式1]

此處，R1為氫或具有1至4個碳原子之烷基，R2及R3彼此相同或不同且各自獨立地為具有1至4個碳原子之羥基烷基，及a為1至4之整數，

此處，R4為氫或具有1至4個碳原子之烷基，及b為1至4之整數。

本發明人經由大量實驗證實，當使用上文所描述之用於移除光阻之特定剝離劑組成物時，至少一種胺化合物、醯胺類化合物(其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代)以及極性有機溶劑可隨時間的推移維持極佳剝離能力且有效地移除金屬氧化物，且三唑類化合物及苯并咪唑類化合物可抑制下部金屬膜之腐蝕。

根據本發明之一個實施例之用於移除光阻之剝離劑組成物將具體描述如下。

用於移除光阻之剝離劑組成物可包含由式1表示之三唑類化合物及由式2表示之苯并咪唑類化合物。

此處，R4為氫或具有1至4個碳原子之烷基，及b為1至4之整數。

上文所描述之三唑類化合物及苯并咪唑類化合物可在使用如上文所描述之用於移除光阻之剝離劑組成物移除光阻圖案後抑制含金屬下部膜(諸如含銅膜)之腐蝕。

本文中所使用之三唑類化合物之實例可包含(但不受特定限於)式1之化合物，其中R1為甲基，R2及R3中之每一者為羥乙基，且a為1。

此外，本文中所使用之苯并咪唑類化合物之實例可包含 (但不受特定限於)式2之化合物，其中R4為氫且b為1。

以組成物之總重量計，可含有0.1重量%至10重量%、0.15重量%至5重量%、0.2重量%至2重量%或0.25重量%至0.5重量%的量的三唑類化合物。

以組成物之總重量計，若三唑類化合物之含量小於0.1重量%，則可能難以在下部膜上有效地抑制腐蝕。

此外，以組成物之總重量計，若三唑類化合物之含量大於10重量%，則大量腐蝕抑制劑可能被吸收且殘留於下部膜上，因此降低含銅下部膜及類似膜之電特性。

以組成物之總重量計，可含有0.1重量%至10重量%、0.15重量%至5重量%、0.17重量%至2重量%、0.18重量%至0.5重量%或0.19重量%至0.25重量%的量的苯并咪唑類化合物。

以組成物之總重量計，若苯并咪唑類化合物之含量小於0.1重量%，則可能難以在下部膜上有效地抑制腐蝕。

此外，以組成物之總重量計，若苯并咪唑類化合物之含量大於10重量%，則大量腐蝕抑制劑可能被吸收且殘留於下部膜上，因此降低含銅下部膜及類似膜之電特性。

三唑類化合物與苯并咪唑類化合物之間的重量比可為0.5：1至5：1，1：1至3：1或1：2至2：1。

由於三唑類化合物及苯并咪唑類化合物具有上文所提及之特定重量比，因此可使所述用於移除光阻之剝離劑組成物之在下部金屬膜上防止腐蝕的能力最大化。

另外，用於移除光阻之剝離劑組成物可包含至少一種胺化合物。

上述胺組分為展現剝離能力且可用以溶解光阻並將其移除之成分。

以組成物之總重量計，可含有約0.1重量%至10重量%、0.5重量%至7重量%、1重量%至5重量%或2重量%至4.6重量%的量的上述至少一種胺化合物。

視胺化合物之含量範圍而定，根據本發明之一個實施例之剝離劑組成物由於過量的胺可展現極佳剝離能力，防止製程之經濟性及效率降低，且進一步減少廢液及類似物之產生。

若含有過量胺化合物，則此可導致下部膜(例如，含銅下部膜)之腐蝕，因此可能必需使用大量腐蝕抑制劑以抑制腐蝕。

在此情況下，由於大量腐蝕抑制劑，大量腐蝕抑制劑可被吸收且殘留於下部膜之表面上，因此降低含銅下部膜及類似膜之電特性。

具體言之，至少一種胺化合物可包含重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物以及環胺化合物(cylic amine compound)。

重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物可展現剝離光阻之能力且亦充分移除下部膜(例如，含銅膜)上之天然氧化物膜，因此進一步改良含銅膜與其上之絕緣膜(例如，氮化矽膜)之間的黏著力。

重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物可包含(2-胺基乙氧基)-1-乙醇((2-aminoethoxy)-1-ethanol；AEE)、胺基乙基乙醇胺(aminoethyl ethanol amine；AEEA)、甲基二乙醇胺(methyl diethanolamine；MDEA)、二伸乙三胺(diethylene triamine；DETA)、二乙醇胺(diethanolamine；DEA)、二乙胺基乙醇(diethylaminoethanol；DEEA)、三乙醇胺(triethanolamine；TEA)、三伸乙基四胺(triethylene tetraamine；TETA)或其兩者或超過兩者之混合物。

以組成物之總重量計，可含有0.1重量%至10重量%或0.2重量%至8重量%的量的重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物。

以組成物之總重量計，若重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量小於0.1重量%，則可能降低用於移除光阻之剝離劑組成物之剝離能力。

另外，以組成物之總重量計，若重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量大於10重量%，則此可能導致含銅下部膜之腐蝕且可能必需使用大量腐蝕抑制劑以抑制腐蝕。

在此情況下，由於使用大量腐蝕抑制劑，大量腐蝕抑制劑可能被吸收且殘留於下部膜之表面上，因此降低含銅下部膜及類似膜之電特性。

同時，環胺化合物可展現極佳的剝離光阻之能力且亦溶解光阻，從而將其移除。

本文中所使用之環胺化合物之實例可包含(但不受特定限於)咪唑基-4-乙醇(imidazolyl-4-ethanol；IME)、羥乙基哌嗪(hydroxyethyl piperazine；HEP)以及類似物。

以組成物之總重量計，可含有0.1重量%至10重量%或0.2重量%至8重量%的量的上述環胺化合物。

以組成物之總重量計，若環胺化合物之含量小於0.1重量%，則可能降低用於移除光阻之剝離劑組成物之剝離能力。

此外，以組成物之總重量計，若環胺化合物之含量大於10重量%，則可能因包含過量環胺化合物而降低方法之經濟性及效率。

重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與環胺化合物之間的重量比可為1：2至1：10，1：2.5至1：5或1：3至1：4。

由於重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物及環胺化合物滿足上文所描述之特定重量比，因此可使用於移除光阻之剝離劑組成物之剝離能力最大化。

此外，用於移除光阻之上述剝離劑組成物可包含醯胺類化合物，其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代。

上述其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物可有利地溶解胺化合物，且亦使用於移除光阻的剝離劑組成物能夠浸沒於下部膜，因此改良上述剝離劑組成物之剝離與沖洗能力。

具體言之，其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物可包含其中甲基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物。

其中甲基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物可具有下式11之結構。

此處，R₁₁為氫、甲基、乙基或丙基，R₁₂及R₁₃各自獨立地為氫或具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基，且R₁₂及R₁₃中之至少一者為甲基。

本文中所使用之具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基的實例可包含(但不限於)甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、戊基以及類似基團。

本文中所使用之其中甲基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物之實例可包含(但不受特定限於)式11之化合物，其中R₁₂為甲基，且R₁₁及R₁₃中之每一者為氫。

以組成物之總重量計，可含有10重量%至80重量%、15重量%至70重量%或25重量%至60重量%的量的其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代的醯胺類化合物。

視含量範圍而定，可保證用於移除光阻之剝離劑組成物之極佳剝離能力，且隨時間的流逝可維持其剝離與沖洗能力較長時間段。

此外，用於移除光阻之剝離劑組成物可包含極性有機溶劑。

上述極性有機溶劑可允許用於移除光阻之剝離劑組成物更好地浸沒於下部膜，因此輔助用於移除光阻之剝離劑組成物的剝離能力，且此外其可改良用於移除光阻之剝離劑組成物有效移除下部膜(諸如含銅膜)上之污點的沖洗能力。

極性有機溶劑可包含伸烷基二醇單烷基醚(alkylene glycol monoalkyl ether)、吡咯啶酮(pyrrolidone)、碸(sulfone)、亞碸(sulfoxide)或其兩者或超過兩者之混合物。

更具體言之，伸烷基二醇單烷基醚可包含二乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚、三丙二醇單丁醚或其兩者或大於兩者之混合物。

另外，考慮到用於移除光阻之剝離劑組成物之極佳潤濕能力及因此而改良的剝離與沖洗能力，所使用的伸烷基二醇單烷基醚可包含二乙二醇單甲醚(MDG)、二乙二醇單乙醚(EDG)、二乙二醇單丁醚(BDG)以及類似物。

本文中所使用之吡咯啶酮之實例可包含(但不受特定限於)N-甲基吡咯啶酮、吡咯啶酮、N-乙基-吡咯啶酮等等。

本文中所使用之碸之實例可包含(但不受特定限於)環丁碸(sulfolane)。

本文中所使用之亞碸之實例可包含(但不特定為)二甲亞碸(DMSO)、二乙亞碸、二丙亞碸等等。

此外，以組成物之總重量計，可含有10重量%至80重量%，20重量%至78重量%或40重量%至70重量%的量的極性有機溶劑。

當極性有機溶劑滿足上文所描述之含量範圍時，可保證用於移除光阻之剝離劑組成物之極佳剝離能力，且隨時間的推移可在較長時間段期間維持剝離與沖洗能力。

另外，用於移除光阻之剝離劑組成物可更包含矽酮類非離子界面活性劑。

由於矽酮類非離子界面活性劑包含胺化合物等，因此其可經穩定維持而不在具有強鹼度之剝離劑組成物中引起化學變化、變性或甚至分解。另外，矽酮類非離子界面活性劑可展現與上文所描述之非質子極性溶劑或質子有機溶劑以及類似物之極佳相容性。

因此，使矽酮類非離子界面活性劑與另一組分良好混合，且因此其可降低剝離劑組成物之表面張力且使剝離劑組成物能夠展現對待移除之光阻及其下部膜之極佳潮濕及潤濕能力。

因此，根據本發明之一個實施例之含矽酮類非離子界面活性劑的剝離劑組成物可展現極佳光阻剝離能力以及極佳沖洗下部膜的能力。因此，甚至在處理剝離劑組成物之後，污點或異質物質實質上不出現或殘留於下部膜，且亦可有效移除所述污點或異物。

另外，雖然添加極少量矽酮類非離子界面活性劑，但其可展現上文所描述之作用且可使因其變性或分解所致的副產物之出現最小化。

具體言之，矽酮類非離子界面活性劑可包含聚矽氧烷類聚合物。

更具體言之，所使用之聚矽氧烷類聚合物之實例可包含(但不受特定限於)經聚醚改質的丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷(polyether-modified acrylic functional polydimethylsiloxane)、經聚醚改質的矽氧烷(polyether-modified siloxane)、經聚醚改質的聚二甲基矽氧烷(polyether-modified polydimethyl siloxane)、聚乙基烷基矽氧烷(polyethylalkyl siloxane)、經芳烷基改質的聚甲基烷基矽氧烷(aralkyl-modified polymethylalkyl siloxane)、經聚醚改質的羥基官能性聚二甲基矽氧烷(polyether-modified hydroxy functional polydimethyl siloxane)、經聚醚改質的二甲基聚矽氧烷(polyether-modified dimethylpolysiloxane)、經改質的丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷(modified acrylic functional polydimethylsiloxane)或其兩者或大於兩者之混合物等。

以組成物之總重量計，可含有0.0005重量%至0.1重量%、0.001重量%至0.09重量%或0.001重量%至0.01重量%的量的矽酮類非離子界面活性劑。

以組成物之總重量計，當矽酮類非離子界面活性劑之含量小於0.0005重量%時，因添加界面活性劑而可能無法完全達成改良剝離劑組成物之剝離與沖洗能力之作用。

另外，以組成物之總重量計，若矽酮類非離子界面活性劑之含量大於0.1重量%，則在使用剝離劑組成物之剝離製程期間，在高壓下可能產生氣泡，因此引起污點出現於下部膜上或引起設備感測器故障。

必要時，用於移除光阻之剝離劑組成物可更包含習知添加劑。添加劑之特定類型及量不受特定限制。

此外，用於移除光阻之剝離劑組成物可根據混合上文所描述之組分之通用方法來製備。對產生用於移除光阻之剝離劑組成物之特定方法無特定限制。

同時，根據本發明之另一實施例，可提供包含以下步驟之剝離光阻之方法：在其中形成下部膜之基板上形成光阻圖案；用光阻圖案使下部膜圖案化；且使用上述一個實施例之用於移除光阻之剝離劑組成物剝離光阻圖案。

與用於移除光阻之剝離劑組成物相關的描述包含與上述實施例相關的詳細描述。

光阻剝離方法可包含以下步驟：經由光微影法在形成待圖案化之下部膜之基板上形成光阻圖案；用光阻圖案作為罩幕使下部膜圖案化；且藉由使用上文所描述之剝離劑組成物剝離光阻圖案。

在光阻剝離方法中，形成光阻圖案及使下部膜圖案化之步驟可使用習知裝置之製造製程，且用於這一製造製程之特定產生方法不受特定限制。

同時，藉由使用用於移除光阻之剝離劑組成物剝離光阻圖案之步驟實例不受特定限制。舉例而言，可使用將用於移除光阻之剝離劑組成物應用於其中保持光阻圖案之基板上及經過藉由鹼性緩衝溶液沖洗，之後由超純水沖洗以及乾燥的步驟。

由於上文所描述之剝離劑組成物展現極佳剝離能力以及有效移除下部膜上之污點的沖洗能力及移除天然氧化物膜之能力，因此其可令人滿意地維持下部膜之表面狀態，同時有效移除下部膜上殘餘之光阻膜。

因此，可在經圖案化的下部層上適當執行後續步驟以形成裝置。

根據本發明，可提供能夠在剝離製程期間抑制下部金屬膜之腐蝕且有效地移除氧化物、同時具有極佳的剝離與沖洗光阻能力之用於移除光阻的剝離劑組成物，及一種使用其的剝離光阻方法。

下文中，將參考以下實例詳細解釋本發明。然而，這些實例僅為說明本發明概念，且本發明概念之範疇不受其限。

<實例1至實例5：製備用於移除光阻之剝離劑組成物>

根據下表1中展示之組成，混合組分中之每一者以製備實例1至實例5之用於移除光阻之剝離劑組成物。

下表1中概括由此製備之用於移除光阻之剝離劑組成物的特定組成比。

<比較例1至比較例7：製備用於移除光阻之剝離劑組成物>

根據下表2中展示之組成，混合組分中之每一者以製備比較例1至比較例7之用於移除光阻之剝離劑組成物。

下表2中概括由此製備之用於移除光阻之剝離劑組成物的特定組成比。

* MEA：甲基乙胺

* HEP：羥乙基哌嗪

* AEEA：胺基乙基乙醇胺

* NMF：N-二甲基甲醯胺

* BDG：二乙二醇單丁醚

* EDG：二乙二醇單乙醚

* MDG：二乙二醇單甲醚

*第1腐蝕抑制劑：[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基)]亞胺基]雙乙醇

*第2腐蝕抑制劑：苯并咪唑

*界面活性劑：經聚醚改質的聚二甲基矽氧烷

<實驗實例：量測在實例及比較例中獲得之用於移除光阻之剝離劑組成物的物理特性>

藉由以下方法量測在實例及比較例中獲得之用於移除光阻之剝離劑組成物的物理特性，且結果展示於下表中。

1.剝離能力 1-1.評估剝離劑新液體之剝離能力

首先，將3.5毫升光阻組成物(商標：JC-800)逐滴添加於100毫米×100毫米玻璃基板上，且以400rpm之速度藉由旋塗設備塗佈光阻組成物10秒。

所述玻璃基板裝備有加熱板且在150℃或140℃之溫度下硬烤20分鐘以形成光阻。

在室溫下空氣冷卻其上形成光阻之玻璃基板，且隨後切成30微米×30微米尺寸以製備用於評估新剝離劑液體之剝離能力的樣本。

製備在實例1至實例5及比較例1、比較例2、比較例3以及比較例7中獲得之500公克剝離劑組成物。用處於其中溫度升高至50℃之狀態的剝離劑組成物處理玻璃基板上之光阻。

量測完全剝離且移除光阻消耗之時間以評估剝離劑新液體之剝離能力。

此時，藉由觀察在玻璃基板上放射紫外光後光阻是否殘留來證實光阻之剝離能力。

在上述方法中，評估實例1至實例5及比較例1、比較例2、比較例3以及比較例7之剝離劑組成物的新液體剝離能力，且結果展示於下表3中。

如上表3中所展示，已證實實例1至實例5剝離劑組成物展現等於或大於以下者的光阻剝離能力(快速剝離時間)：不含N-甲基甲醯胺(N-methylformamide；NMF)之比較例1及比較例2剝離劑組成物、不含二乙二醇單丁醚(BDG)之比較例3剝離劑組成物以及僅含一種類型的胺之比較例7剝離劑組成物。

自這些結果，可證實以上實例之剝離劑組成物由於包含兩類型的胺、N-甲基甲醯胺(NMF)及二乙二醇單丁醚(BDG)而表現且維持極佳剝離能力。

1-2.隨時間推移的剝離能力

以與實驗實例1-1相同之方式製備用於評估剝離能力之樣本。製備在實例1至實例5及比較例1、比較例2、比較例3以及比較例7中獲得之500公克剝離劑組成物。使光阻組成物以相對於整個組成物3重量%之量、於其中溫度升高至50℃之狀態溶解。

加熱剝離劑組成物48小時以使其在苛刻條件下隨時間的推移產生變化。

以與實驗實例1-1相同之方式評估實例1至實例5及比較例1、比較例2、比較例3以及比較例7剝離劑組成物之隨時間推移的剝離能力。結果展示於下表4中。

如上表4中所展示，實例1至實例5剝離劑組成物展現等於或大於以下者的光阻剝離能力(快速剝離時間)：不含N-甲基甲醯胺(NMF)之比較例1及比較例2剝離劑組成物、不含二乙二醇單丁醚(BDG)之比較例3剝離劑組成物以及僅含一種類型的胺之比較例7剝離劑組成物。

2.評估沖洗能力

將實例1及比較例5之500公克剝離劑組成物加熱至50℃之溫度。使用其上形成包含銅的薄膜的玻璃基板，用剝離劑組成物處理玻璃基板。

隨後，玻璃基板經液體移除且將幾滴超純水逐滴添加其上且保持50秒。

再次用超純水洗滌基板，且用光學顯微鏡觀察玻璃基板上之污點及異物，從而在以下標準下評估沖洗能力。

OK：未觀察到玻璃基板上之污點或異物；及NG：在玻璃基板上觀察到玻璃基板上之污點或異物。

在如上文所描述之方法中，評估實例1及比較例5剝離劑組成物隨時間推移之沖洗能力且結果展示於下表5中。

這些結果藉由分別評估在不同條件下隨時間推移的沖洗能力來展示。

如上表5中所展示，考慮到隨時間推移之外觀變化，已證實即使在延長加熱光阻組成物之苛刻條件下，由於實例1剝離劑組成物包含界面活性劑，因此其表現且維持沖洗能力較長時間。

相比而言，已證實由於比較例5之剝離劑組成物不包含界面活性劑，因此其展現玻璃基板上形成之膜之沖洗能力降低。

自這些結果，可證實實例之剝離劑組成物中含有的界面活性劑表現且維持極佳沖洗能力。

3.評估氧化銅之移除效率

將實例2及比較例3以及比較例6之500公克剝離劑組成物加熱至50℃之溫度，使銅(Cu)金屬浸沒於剝離劑組成物中1分鐘，且隨後用超純水洗滌1分鐘。

使用X射線光電子光譜法(XPS)量測經洗滌的銅金屬中氧元素與銅元素之比率以評估氧化銅之移除效率。結果展示於下表6中。

如上表6中所展示，已證實，與不含(2-胺基乙氧基)-1-乙醇(AEE)之比較例3及比較例6剝離劑組成物相比，實例2剝離劑組成物展現增加的氧化銅移除效率。

根據這些結果，已證實實例之剝離劑組成物中含有的(2-胺基乙氧基)-1-乙醇(AEE)具有極佳的移除銅導線之氧化物膜之能力。

4.評估腐蝕性 4-1.評估銅(Cu)金屬之腐蝕性

將3.5毫升光阻組成物(商標：JC-800)逐滴添加至其上形成含銅薄膜之100毫米×100毫米玻璃基板上。以400rpm之速度在旋塗設備中塗佈光阻組成物10秒。

在室溫下空氣冷卻其上形成光阻之玻璃基板，且隨後切成30毫米×30毫米尺寸以製備用於評估之樣本。

將實例3及比較例4中獲得之500公克剝離劑組成物加熱至50℃之溫度。在50℃溫度下，將用於評估腐蝕性之樣本浸沒於剝離劑組成物中10分鐘，且隨後用超純水洗滌。

經由SEM量測經洗滌樣本之表面腐蝕以評估銅金屬之腐蝕性，且結果展示於下表7中。

如上表7中所展示，已證實，由於實例3之剝離劑組成物包含兩種類型的腐蝕抑制劑(第一抑制劑及第二抑制劑)，因此與含一種類型腐蝕抑制劑(第二抑制劑)之比較例4剝離劑組成物相比，其展現降低的銅金屬腐蝕性。

根據這些結果，可證實實例之剝離劑組成物中含有的兩種類型腐蝕抑制劑(第一抑制劑及第二抑制劑)展現極佳的防止銅金屬腐蝕之能力。

4-2.評估鉬(Mo)之腐蝕性

除形成含鉬薄膜而非含銅薄膜之外，以與實驗實例1-1相同之方式製備用於評估腐蝕性之樣本。

將實例4及比較例6之500公克剝離劑組成物加熱至50℃之溫度，且在50℃溫度下，將用於評估腐蝕性之樣本浸沒於剝離劑組成物中10分鐘，且隨後用超純水洗滌。

經由SEM評估經洗滌樣本之表面腐蝕，且結果展示於下表8中。

如上表8中所展示，已證實，由於實例4之剝離劑組成物包含兩種類型腐蝕抑制劑(第一次抑制劑及第二抑制劑)，因此與含一種類型腐蝕抑制劑(第一抑制劑)之比較例6剝離劑組成物相比，其展現降低的鉬金屬腐蝕性。

根據這些結果，可證實實例之剝離劑組成物中含有的兩種類型腐蝕抑制劑(第一抑制劑及第二抑制劑)展現極佳的防止鉬金屬腐蝕之能力。

Claims

一種用於移除光阻之剝離劑組成物，其包括：至少一種胺化合物；醯胺類化合物，其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代；極性有機溶劑；由式1表示之三唑類化合物；以及由式2表示之苯并咪唑類化合物，其中所述三唑類化合物與所述苯并咪唑類化合物之間的重量比在1：1至3：1範圍內：其中，R1為氫或具有1至4個碳原子之烷基，R2與R3彼此相同或不同且各自獨立地為具有1至4個碳原子之羥基烷基，且a為1至4之整數，其中R4為氫或具有1至4個碳原子之烷基，且b為1至4之整數。
如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中所述至少一種胺化合物包括重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物以及環胺化合物。
如申請專利範圍第2項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物與所述環胺化合物之間的重量比為1：2至1：10。
如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中所述其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代之所述醯胺類化合物包含其中甲基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物。
如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中所述極性有機溶劑包含由伸烷基二醇單烷基醚、吡咯啶酮、碸以及亞碸所構成的族群中選出之一個或多個。
如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其包括：以所述剝離劑組成物之總重量計，0.1重量%至10重量%的所述至少一種胺化合物；10重量%至80重量%的其中具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代之所述醯胺類化合物；10重量%至80重量%的所述極性有機溶劑；0.1重量%至10重量%的所述三唑類化合物；以及0.1重量%至10重量%的所述苯并咪唑類化合物。
如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其更包括矽酮類非離子界面活性劑。
如申請專利範圍第7項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中所述矽酮類非離子界面活性劑包括聚矽氧烷類聚合物。
如申請專利範圍第8項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中所述聚矽氧烷類聚合物包含由以下各者所構成的族群中選出之一個或多個：經聚醚改質的丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質的矽氧烷、經聚醚改質的聚二甲基矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、經芳烷基改質的聚甲基烷基矽氧烷、經聚醚改質的羥基官能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質的二甲基聚矽氧烷以及經改質的丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷。
如申請專利範圍第7項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物，其中以所述剝離劑組成物之總重量計，所述矽酮類非離子界面活性劑以0.0005重量%至0.1重量%之量含於其中。
一種光阻剝離方法，其包括以下步驟：在其中形成下部膜之基板上形成光阻圖案；用所述光阻圖案使所述下部膜圖案化；且使用如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物剝離所述光阻圖案。