JP6488507B2 - フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 - Google Patents
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Description
R2およびR3は、それぞれ水素または前記炭素数1〜5の直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基であり、R2およびR3のうちの少なくとも1つは、エチル基である。
R10およびR11は、互いに同一または異なり、炭素数1〜4のヒドロキシアルキル基であり、
aは、1〜4の整数であり、
bは、1〜4の整数である。
下記表1の組成により、各成分を混合して、実施例1〜3、比較例1〜4によるフォトレジスト除去用ストリッパー組成物をそれぞれ製造した。前記製造されたフォトレジスト除去用ストリッパー組成物の具体的な組成は、下記表1に記載された通りである。
前記実施例および比較例で得られたストリッパー組成物の物性を下記の方法で測定し、その結果を表に示した。
1−1.非水系フォトレジスト除去用ストリッパー組成物
まず、100mmx100mmのガラス基板にフォトレジスト組成物(商品名:JC−800)3.5mlを滴下し、スピンコーティング装置にて400rpmの速度下で10秒間フォトレジスト組成物を塗布した。このようなガラス基板をホットプレートに装着し、140℃の温度で12分間ハードベークして、フォトレジストを形成した。
前記実施例2〜3、比較例2〜3で得られた水系ストリッパー組成物を40℃に昇温させた状態で処理する点を除いて、上述した非水系フォトレジスト除去用ストリッパー組成物の新液剥離力の測定方法と同様の方法で新液剥離力を測定して、下記表3に示した。
2−1.光学顕微鏡によるリンス力評価
実施例1〜3、比較例1〜3のストリッパー組成物500gを50℃の温度に昇温し、下記表4の膜が形成されたガラス基板を用いて該ガラス基板を前記ストリッパー組成物で処理した。以降、前記ガラス基板を液切し、超純水を数滴滴下し、50秒間待機した。超純水で再度洗浄し、ガラス基板上のシミおよび異物を光学顕微鏡で観察して、次の基準下でリンス力を評価した。
OK:ガラス基板上のシミまたは異物が観察されない;
NG:ガラス基板上のシミまたは異物が観察される。
実施例1〜3、比較例1〜4のストリッパー組成物100gを1000mlマスシリンダに入れて、5barの圧力で空気を20秒間吹き込んだ。そして、前記ストリッパー組成物内に生成された泡が消滅するのにかかる時間を測定して、下記表5に示した。
3.水拡散性
Claims (18)
- 1種以上のアミン化合物;
非プロトン性極性有機溶媒および水からなる群より選択された1種以上の溶媒;
プロトン性極性有機溶媒;および
20℃で、25mPa・s〜250mPa・sの動力学粘度を有し、ポリエーテル系官能基が導入されたポリジメチルシロキサン繰り返し単位を20モル%〜70モル%含むポリエーテル変性ポリジメチルシロキサン;を含む、フォトレジスト除去用ストリッパー組成物。 - 前記ポリエーテル系官能基は、炭素数1〜5のアルキレンオキシド繰り返し単位を含むポリアルキレンオキシドを含む、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンは、20℃、1気圧で1.03g/cm3以上の密度を有する、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記ポリエーテル変性ポリジメチルシロキサンは、ポリエーテル系官能基が導入されたポリジメチルシロキサン繰り返し単位20モル%〜70モル%;および残量のポリジメチルシロキサン繰り返し単位;を含む、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記ポリエーテル系官能基が導入されたポリジメチルシロキサン繰り返し単位および前記ポリジメチルシロキサン繰り返し単位のモル比が1:0.1〜1:5である、請求項5に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記1種以上のアミン化合物は、鎖状アミン化合物または環状アミン化合物を含む、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記鎖状アミン化合物は、(2−アミノエトキシ)−1−エタノール、アミノエチルエタノールアミン、モノメタノールアミン、モノエタノールアミン、N−メチルエチルアミン、1−アミノイソプロパノール、メチルジメチルアミン、ジエチレントリアミン、2−メチルアミノエタノール、3−アミノプロパノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルアミノエタノール、およびトリエチレンテトラアミンからなる群より選択された1種以上を含む、請求項7に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記環状アミン化合物は、1−イミダゾリジンエタノール、アミノエチルピペラジン、およびヒドロキシエチルピペラジンからなる群より選択された1種以上を含む、請求項7に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記非プロトン性極性有機溶媒は、炭素数1〜5の直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基が窒素に1〜2置換されたアミド系化合物、スルホン、およびスルホキシドからなる群より選択された1種以上の溶媒を含む、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記炭素数1〜5の直鎖もしくは分枝鎖のアルキル基が窒素に1〜2置換されたアミド系化合物は、エチル基が窒素に1〜2置換されたアミド系化合物を含む、請求項10に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記プロトン性極性有機溶媒は、アルキレングリコールまたはアルキレングリコールモノアルキルエーテルを含む、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記アルキレングリコールまたはアルキレングリコールモノアルキルエーテルは、ビス(2−ヒドロキシエチル)エーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノプロピルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテル、およびトリプロピレングリコールモノブチルエーテルからなる群より選択された1種以上を含む、請求項12に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 腐食防止剤をさらに含む、請求項1に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記腐食防止剤は、トリアゾール系化合物またはテトラゾール系化合物を含む、請求項14に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 前記腐食防止剤は、全体組成物に対して、0.01重量%〜0.5重量%含まれる、請求項14に記載のフォトレジスト除去用ストリッパー組成物。
- 下部膜が形成された基板上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを形成した後、当該フォトレジストパターンをマスクとして下部膜をパターニングする段階と、
請求項1に記載のストリッパー組成物を用いてフォトレジストを剥離する段階とを含む、フォトレジストの剥離方法。
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