TWI564679B - 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 151
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 102
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 48
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 25
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 25
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 17
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 claims description 13
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 10
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 7
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 6
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 6
- HEEACTTWORLLPM-UHFFFAOYSA-N 2-(1h-imidazol-5-yl)ethanol Chemical compound OCCC1=CNC=N1 HEEACTTWORLLPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001346 alkyl aryl ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 4
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound CC(O)OCCN JPIGSMKDJQPHJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QZXIXSZVEYUCGM-UHFFFAOYSA-N 2-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(C)(N)O QZXIXSZVEYUCGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 claims description 3
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N ethylmethylamine Chemical compound CCNC LIWAQLJGPBVORC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 claims description 3
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 1-[1-(1-propoxypropan-2-yloxy)propan-2-yloxy]propan-2-ol Chemical compound CCCOCC(C)OCC(C)OCC(C)O JKEHLQXXZMANPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)CO JDSQBDGCMUXRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-propoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCOCCOCCOCCO KCBPVRDDYVJQHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XTDKZSUYCXHXJM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyoxane Chemical compound COC1CCCCO1 XTDKZSUYCXHXJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC=NC(N)=N1 VZXTWGWHSMCWGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940037003 alum Drugs 0.000 claims 1
- DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N decane Chemical class CCCCCCCCC[14CH3] DIOQZVSQGTUSAI-NJFSPNSNSA-N 0.000 claims 1
- 125000004177 diethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 claims 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 206010074268 Reproductive toxicity Diseases 0.000 description 8
- 230000007696 reproductive toxicity Effects 0.000 description 8
- 231100000372 reproductive toxicity Toxicity 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 7
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 4
- ABMDIECEEGFXNC-UHFFFAOYSA-N n-ethylpropanamide Chemical compound CCNC(=O)CC ABMDIECEEGFXNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 3
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 3
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 3
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 description 2
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N n-butylhexane Natural products CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003880 polar aprotic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000001850 reproductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- IFZHGQSUNAKKSN-UHFFFAOYSA-N 1,1-diethylhydrazine Chemical compound CCN(N)CC IFZHGQSUNAKKSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JECYNCQXXKQDJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylhexan-2-yloxymethyl)oxirane Chemical class CCCCC(C)(C)OCC1CO1 JECYNCQXXKQDJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N C[CH]O Chemical group C[CH]O GAWIXWVDTYZWAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXCTXHIPBXGWRY-UHFFFAOYSA-N NN.C=CC.C=CC Chemical compound NN.C=CC.C=CC KXCTXHIPBXGWRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007853 buffer solution Substances 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- SFZULDYEOVSIKM-UHFFFAOYSA-N chembl321317 Chemical class C1=CC(C(=N)NO)=CC=C1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)C(=N)NO)O1 SFZULDYEOVSIKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 208000032839 leukemia Diseases 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylacetamide Chemical compound CCN(CC)C(C)=O AJFDBNQQDYLMJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKOQQFDCCBKROY-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylpropanamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)CC YKOQQFDCCBKROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000003586 protic polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 231100000155 toxicity by organ Toxicity 0.000 description 1
- 230000007675 toxicity by organ Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- C11D3/26—Organic compounds containing nitrogen
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- C11D3/00—Other compounding ingredients of detergent compositions covered in group C11D1/00
- C11D3/16—Organic compounds
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Description
【相關申請案之交叉參考】
本申請案主張2014年8月20日提申的韓國專利申請案第10-2014-0108634號之優先權,其揭示內容以全文引用的方式併入本文中。
本發明是關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法。
更特定言之,本發明是關於一種用於移除光阻之剝離劑組成物,其即使不包含展示生殖毒性之溶劑,亦能夠對光阻展現極佳剝離及沖洗能力且能夠使其物理特性隨時間推移之降低達最小;且關於使用其的光阻剝離方法。
液晶顯示裝置之微電路或半導體積體電路之製造方法包括以下若干步驟:在基板上形成多種下層膜,諸如由鋁、鋁合金、銅、銅合金、鉬或鉬合金製成之導電金屬膜,或絕緣膜,諸如氧化矽膜、氮化矽膜或丙烯醯基絕緣膜;在此類下層膜上均勻塗佈光阻;視情況使經塗佈之光阻曝光及顯影以形成光阻圖案;及用光阻圖案作為遮罩將下層膜圖案化。
在這些圖案化步驟之後,執行移除下層膜上殘留光阻之方法。出於此目的,使用用於移除光阻之剝離劑組成物。
此前,已熟知包含胺化合物、極性質子性溶劑及極性非質子性溶劑及類似物之剝離劑組成物。其中,廣泛使用包含N-甲基甲醯胺(NMF)作為極性非質子性溶劑之剝離劑組成物。
這些包含NMF之剝離劑組成物已知展現極佳光阻剝離能力。然而,此類NMF為1B(GHS標準)類材料,其展示生殖毒性且其使用逐漸受限。
由於此原因,已進行各種嘗試來開發在不使用NMF下展示極佳剝離及沖洗能力的剝離劑組成物,但迄今為止此類展示足夠剝離及沖洗能力之剝離劑組成物尚未適當開發出。
此外,包含NMF之習知剝離劑組成物促使胺化合物隨時間推移分解,因此存在之問題為剝離及沖洗能力隨時間推移降低。
詳言之,視剝離劑組成物之塗覆時間而定,在殘留光阻之一部分溶解於剝離劑組成物中時可進一步促成這些問題。
鑒於這些情況,為隨時間推移維持極佳剝離及沖洗能力,先前技術中採用於剝離劑組成物中併入過量胺化合物的方法。然而,在此情形下,所述方法之經濟性及效率可大大降低,且由於併入過量胺化合物而可發生環境及程序性問題。
因此,需要開發一種新穎剝離劑組成物,其能夠在不包含展示生殖毒性之溶劑的同時隨時間推移維持極佳剝離及沖洗能力。
本發明之一目的為提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物,其即使不包含展示生殖毒性之溶劑,亦能夠對光阻展現極佳剝離及沖洗能力且能夠使其物理特性隨時間推移之降低達最小。
本發明之另一目的為提供一種使用上述剝離劑組成物移除光阻之光阻剝離方法。
為達成這些目的及由下文之描述將變得顯而易見的其他目的,本發明提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物,其包括:重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物;重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物;環狀胺化合物;醯胺類化合物,其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代;以及極性有機溶劑,其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的重量比為1:1至1:10。
本發明亦提供一種光阻剝離方法,其包括以下步驟:於形成下層膜之基板上形成光阻圖案;用光阻圖案圖案化下層膜;以及使用上述用於移除光阻之剝離劑組成物剝離光阻圖案。
在下文中,更詳細地描述用於移除光阻之剝離劑組成物及根據本發明之特定實施例使用其的光阻剝離方法。
如本文所用之術語「鏈狀」為一種化學結構,其中碳原子由鏈形式組成,包含直鏈形式與分支鏈形式,且指相比於環狀結構之化學結構。
根據本發明之一個實施例,可提供一種用於移除光阻之剝離劑組成物,其包括:重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物;重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物;環狀胺化合物;醯胺類化合物,其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代;以及極性有機溶劑,其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物之重量比為1:1至1:10。
本發明者經由多個實驗發現,在使用如下用於移除光阻之剝離劑組成物時,所述剝離劑組成物包括:重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物;重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物;環狀胺化合物;醯胺類化合物,其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代;以及極性有機溶劑,其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物之重量比為1:1至1:10,胺化合物在極性有機溶劑中之溶解性改良,且用於移除光阻之剝離劑組成物有效浸於殘留光阻圖案之下層膜上,因此對光阻具有極佳剝離及沖洗能力。已基於此發現完成本發明。
特定言之,用於移除光阻之剝離劑組成物可包含重量平均分子量不大於90公克/莫耳或重量平均分子量為50公克/莫耳至80公克/莫耳之鏈狀胺化合物。
重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物在分子中含有相對較少量之直鏈或分支鏈,因此可在分子中維持高極性。
因此,可提高於極性溶劑中之溶解性,且用於移除光阻之剝離劑組成物可有效浸於下層膜上且維持特定時間或大於特定時間,因此改良光阻之沖洗能力。
重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物可包含1-胺基異丙醇(AIP)、單甲醇胺、單乙醇胺、2-甲基胺基乙醇(MMEA)、3-胺基丙醇(AP)、N-甲基乙胺(N-MEA)或其中兩種或超過兩種之混合物。
以光阻組成物之總重量計,可含有0.5重量%至20重量%、或0.7重量%至15%重量、或1重量%至10重量%之量的重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物。
若以組成物之總重量計,重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量小於0.5重量%,則用於移除光阻之剝離劑組成物之沖洗能力可降低。
此外,若以組成物之總重量計,重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量超過20重量%,則此可導致含銅下層膜腐蝕且可能需要使用大量腐蝕抑制劑來抑制腐蝕。
在此情形下,由於使用大量腐蝕抑制劑,大量腐蝕抑制劑可吸收且殘留於下層膜之表面上,因此降低含銅下層膜及其類似膜之電特徵。
用於移除光阻之剝離劑組成物可包含重量平均分子量大於95公克/莫耳或重量平均分子量為100公克/莫耳至150公克/莫耳之鏈狀胺化合物。
重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物可適當移除下層膜(例如含銅膜)上之天然氧化物,同時具有光阻剝離能力,從而進一步改良與含銅膜及其上部之絕緣膜(例如氮化矽膜及其類似膜)的黏著力。
重量平均分子量大於95 g/mol之鏈狀胺化合物可包含(2-胺基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、胺基乙基乙醇胺(AEEA)、甲基二乙醇胺(MDEA)、二伸乙基三胺(DETA)、二乙醇胺(DEA)、二乙基胺基乙醇(DEEA)、三乙醇胺(TEA)、三伸乙基四胺(TETA)或其兩種或超過兩種之混合物。
以組成物之總重量計,可含有0.1重量%至10重量%或0.2重量%至8%重量之量的重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物。
若以組成物之總重量計,重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量小於0.1重量%,則用於移除光阻之剝離劑組成物之沖洗能力可降低。
此外,若以組成物之總重量計,重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量超過10重量%,則此可導致下層膜(例如含銅下層膜)腐蝕,因此可能需要使用大量腐蝕抑制劑來抑制腐蝕。
在此情況下,由於使用大量腐蝕抑制劑,大量腐蝕抑制劑可吸收且殘留於下層膜之表面上,因此降低含銅下層膜及其類似膜之電特徵。
重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的重量比可為1:1至1:10、或1:2至1:8、或1:4至1:7。
若重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的重量比小於1:1,則重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量相對增加,從而降低用於移除光阻之剝離劑組成物的沖洗能力。
此外,若重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的重量比超過1:10,則重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的含量相對增加,從而降低用於移除光阻之剝離劑組成物的沖洗能力。
另一方面,用於移除光阻之剝離劑組成物可包括環狀胺化合物。
環狀胺化合物可展現極佳光阻剝離能力且其可溶解且移除光阻。
環狀胺化合物可包含咪唑基-4-乙醇(IME、LGA)、胺基乙基哌嗪(AEP)、羥基乙基哌嗪(HEP)或其中兩種或超過兩種之混合物。
以組成物之總重量計,可含有0.1重量%至10重量%、或0.2重量%至8重量%、或0.2重量%至2重量%之量的環狀胺化合物。
若以組成物之總重量計,環狀胺化合物之含量小於0.1重量%,則可降低用於移除光阻之剝離劑組成物的剝離能力。
此外,若環狀胺化合物之含量超過10重量%,則由於包含過量環狀胺化合物,所述方法之經濟性及效率可降低。
詳言之,鏈狀胺化合物與環狀胺化合物之重量比可為1:5至1:20或1:6至1:15。
鏈狀胺化合物可指重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物的總和(以重量計)。
用於移除光阻之剝離劑組成物可包括醯胺類化合物,其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代。
具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代的醯胺類化合物可順利地溶解胺化合物,且亦使得用於移除光阻之剝離劑組成物能夠有效浸於下層膜上,因此改良上述剝離劑組成物之剝離及沖洗能力。
特定言之,具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代的醯胺類化合物可包含乙基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物。
乙基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物可具有下式11之結構: [式11]其中R1
為氫、甲基、乙基或丙基,R2
及R3
各獨立地為氫或具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基,且R2
及R3
中之至少一者為乙基。
本文所用之具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基的實例可包含(但不限於)甲基、乙基、丙基、丁基、異丁基、戊基以及其類似基團。
更特定言之,本文所用之乙基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物的實例可包含(但不限於)N,N'-二乙基甲醯胺(DCA)及其類似物。
不同於習知甲基甲醯胺(NMF)或二甲基乙醯胺(DMAC)及其類似物,上述N,N'-二乙基甲醯胺(DCA)不會實質上展現生殖或生物學毒性,亦不實質上誘導胺化合物隨時間降解,因此根據上述一個實施例之剝離劑組成物可長時間維持極佳剝離及沖洗能力。舉例而言,本文可使用之N,N'-二乙基甲醯胺包含二乙基甲醯胺、二乙基乙醯胺、二乙基丙醯胺以及其類似物。
為供參考,在甲基甲醯胺(NMF)、二甲基甲醯胺(DMF)及二甲基乙醯胺(DMAC)之情形下,其在顯示器或裝置方法中之使用由於生殖或生物學毒性相關問題而受限。詳言之,DMF為展示生殖毒性及特定靶器官毒性之物質且經確定其與白血病有關,因此其使用受限。
相比之下,上述N,N'-二乙基甲醯胺(DCA)可獲得極佳物理特性,諸如剝離劑組成物之極佳剝離能力,而不展現此類生殖及生物學毒性。
以組成物之總重量計,可含有10重量%至85重量%或15重量%至70重量%之量的具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代的醯胺類化合物。
視含量範圍而定,可保證用於移除光阻之剝離劑組成物之極佳剝離能力且可隨時間推移長時間維持其剝離及沖洗能力。
詳言之,具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物與胺化合物之重量比可為1:2至1:20或1:3至1:12。
胺化合物是指環狀胺化合物與鏈狀胺化合物之總和(以重量計),其包含重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物;重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物;以及環狀胺化合物。
另一方面,用於移除光阻之剝離劑組成物可包括極性有機溶劑。
上述極性有機溶劑可使得用於移除光阻之剝離劑組成物更好地浸於下層膜上,因此輔助用於移除光阻之剝離劑組成物的剝離能力,且此外其可改良用於移除光阻之剝離劑組成物有效移除下層膜(諸如含銅膜)上之污點的沖洗能力。
極性有機溶劑可包含烷二醇單烷基醚、吡咯啶酮、碸、亞碸或其中兩種或超過兩種之混合物。
更特定言之,烷二醇單烷基醚可包含二乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚、三丙二醇單丁醚或其中兩種或超過兩種之混合物。
另外,考慮到用於移除光阻之剝離劑組成物之極佳潤濕能力及因此而改良的剝離及沖洗能力,本文所用之烷二醇單烷基醚可包含二乙二醇單甲醚(MDG)、二乙二醇單乙醚(EDG)或二乙二醇單丁醚(BDG)以及其類似物。
本文所用之吡咯啶酮之實例可包含(但不特定限於)N-甲基吡咯啶酮、吡咯啶酮、N-乙基吡咯啶酮以及其類似物。
本文所用之碸之實例可包含(但不特定限於)環丁碸。
本文所用之亞碸之實例可包含(但不特定為)二甲亞碸(DMSO)、二乙亞碸、二丙亞碸以及其類似物。
此外,以組成物之總重量計,可含有10重量%至85重量%、或40重量%至78重量%、或50重量%至77重量%之量的極性有機溶劑。
當極性有機溶劑滿足上述含量範圍時,可保證用於移除光阻之剝離劑組成物之極佳剝離能力,且可隨時間推移長時間維持剝離及沖洗能力。
另一方面,用於移除光阻之剝離劑組成物可更包括腐蝕抑制劑。
上述腐蝕抑制劑可抑制使用用於移除光阻之剝離劑組成物移除光阻圖案後含金屬下層膜(諸如含銅膜)之腐蝕。
作為腐蝕抑制劑,可使用三唑類化合物、四唑類化合物以及其類似物。三唑類化合物可包含由以下式1或式2表示之化合物: [式1]
其中R9為氫或具有1至4個碳原子之烷基;R10及R11彼此相同或不同且各獨立地為具有1至4個碳原子之羥基烷基,且a為1至4之整數,
其中R12為氫或具有1至4個碳原子之烷基,且b為1至4之整數。
本文所用之此類腐蝕抑制劑之實例可包含(但不特定限於)三唑類化合物,諸如式1化合物,其中R9為甲基,R10及R11各為羥基乙基且a為1,或式2化合物,其中R12為甲基且b為1;四唑類化合物,諸如5-胺基四唑,或可使用其水合物以及其類似物。
藉由使用上述腐蝕抑制劑,可極好地維持剝離劑組成物之剝離能力,同時有效抑制含金屬下層膜之腐蝕。
另外,以組成物之總重量計,可含有0.01重量%至0.5重量%、或0.05重量%至0.3重量%、或0.1重量%至0.2重量%之量的腐蝕抑制劑。
若以組成物之總重量計,腐蝕抑制劑之含量小於0.01重量%,則其可能難以有效抑制下層膜之腐蝕。
此外,若以組成物之總重量計,腐蝕抑制劑之含量超過0.5重量%,則大量腐蝕抑制劑可吸收且殘留於下層膜上,因此降低含銅下層膜及其類似膜之電特徵。
另一方面,用於移除光阻之剝離劑組成物可更包括矽類非離子型界面活性劑。
由於矽類非離子型界面活性劑包含胺化合物及其類似物,故其即使在具有強鹼性之剝離劑組成物中,亦可穩定維持而不會引起化學變化、變性或降解。此外,矽類非離子型界面活性劑可展現與上述非質子性極性溶劑或質子性有機溶劑及其類似物之極佳相容性。
因此,可使矽類非離子型界面活性劑與其他組分充分混合,因此其可降低剝離劑組成物之表面張力且使得剝離劑組成物可對待移除之光阻及其下層膜展現極佳潮濕及潤濕能力。
因此,根據本發明之一個實施例之含有矽類非離子型界面活性劑的剝離劑組成物可對下層膜展現極佳光阻剝離能力及極佳沖洗能力。因此,即使在處理剝離劑組成物後,污點或外來物質亦不會實質上存在亦不會殘留於下層膜上,因此可有效移除污點或外來物質。
此外,儘管添加極少量矽類非離子型界面活性劑,但其可展現上述作用且使因其變性或降解所致的副產物之出現達最小。
上述矽類非離子型界面活性劑可包括聚矽氧烷類聚合物。
更特定言之,本文所用之聚矽氧烷類聚合物之實例可包含經聚醚改質之丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質之矽氧烷、經聚醚改質之聚二甲基矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、經芳烷基改質之聚甲基烷基矽氧烷、經聚醚改質之羥基官能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質之二甲基聚矽氧烷、經改質之丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷或其中兩種或超過兩種之混合物以及其類似物。
以組成物之總重量計,可含有0.0005重量%至0.1重量%、或0.001重量%至0.09重量%、或0.001重量%至0.01重量%之量的矽類非離子型界面活性劑。
當以組成物之總重量計,矽類非離子型界面活性劑之含量小於0.0005重量%時,因添加界面活性劑而可能無法完全達成改良剝離劑組成物之剝離及沖洗能力的作用。
此外,若以組成物之總重量計,矽類非離子型界面活性劑之含量超過0.1重量%,則在使用剝離劑組成物之剝離方法期間,可在高壓下產生氣泡,因此使污點存在於下層膜上或使設備感測器發生故障。
必要時,用於移除光阻之剝離劑組成物可更包括習知添加劑。添加劑之特定類型及量不受特定限制。
此外,用於移除光阻之剝離劑組成物可根據混合上述組分之通用方法來製備。對製備用於移除光阻之剝離劑組成物之特定方法無特定限制。
用於移除光阻之光阻剝離劑組成物即使在不使用生殖毒性物質(諸如NMF及DMAC)下,亦可展現極佳剝離及沖洗能力。此外,其可隨時間維持極佳剝離能力,因此可用於移除下層上之殘留光阻圖案。
同時,根據本發明之另一實施例,可提供包括以下步驟之光阻剝離方法:於形成有下層膜之基板上形成光阻圖案;用光阻圖案圖案化下層膜;以及根據上述一個實施例使用用於移除光阻之剝離劑組成物剝離光阻。
關於用於移除光阻之剝離劑組成物的描述包含關於上述一個實施例之詳細描述。
光阻剝離方法可包括以下步驟:經由光微影法於上面形成欲圖案化下層膜之基板上形成光阻圖案;用光阻圖案作為遮罩圖案化下層膜;以及藉由使用上述剝離劑組成物剝離光阻。
在光阻剝離方法中,形成光阻圖案及圖案化下層膜之步驟可使用習知裝置之製造方法,且其特定製造方法不受特定限制。
同時,藉由使用用於移除光阻之剝離劑組成物剝離光阻之步驟的實例不受特定限制,但例如可使用如下步驟:將用於移除光阻之剝離劑組成物塗覆於殘留光阻圖案之基板且用鹼緩衝溶液對其進行洗滌,繼而用超純水洗滌且乾燥。
由於上述剝離劑組成物展現極佳剝離能力以及有效移除下層膜上之污點的沖洗能力及移除天然氧化物膜之能力,故其可令人滿意地維持下層膜之表面狀態,同時有效移除下層膜上殘留之光阻膜。
因此,可在經圖案化下層上適當執行後續步驟以形成裝置。
根據本發明,可提供用於移除光阻之剝離劑組成物,其即使不包含展示生殖毒性之溶劑,亦能夠對光阻展現極佳剝離及沖洗能力且能夠使物理特性隨時間之降低達最小;以及使用其的光阻剝離方法。
在下文中,將參考以下實例詳細說明本發明。然而,這些實例僅為說明本發明之概念,且本發明概念之範疇不限於此。< 實例 1 至實例 4 、比較實例 1 及比較實例 2 :用於移除光阻之剝離劑組成物之製備
>
根據下表1中所示之組成物,混合各組分以製備實例1至實例4及比較實例1及比較實例2之用於移除光阻的剝離劑組成物。
下表1中概括因此製備之用於移除光阻之剝離劑組成物的特定組成比。 【表1】 用於移除光阻之剝離劑組成物的組成比
*LGA:咪唑基-4-乙醇(IME) *AEE:(2-胺基乙氧基)-1-乙醇 *AIP:(1-胺基)-異丙醇 *DMAC:二甲基乙醯胺 *NMF:N-甲基甲醯胺 *DCA:二乙基甲醯胺 *BDG:二乙二醇單丁醚 *EDG:二乙二醇單乙醚 *MDG:二乙二醇單甲醚 *界面活性劑:經聚醚改質之聚二甲基矽氧烷< 實驗實例:量測實例及比較實例中所獲得之用於移除光阻之剝離劑組成物的物理特性 >
藉由以下方法量測實例及比較例中所獲得之用於移除光阻之剝離劑組成物的物理特性,且結果展示於下表中。1. 剝離能力 1-1. 評估剝離劑新液體之剝離能力
首先,將3.5毫升光阻組成物(商標:JC-800)逐滴添加於100毫米×100毫米玻璃基板上,且在旋塗設備中以400轉/分鐘之速度塗佈光阻組成物10秒。
此類玻璃基板配備有熱板且在140℃之溫度下硬烤12分鐘以形成光阻。
在室溫下空氣冷卻上面形成有光阻之玻璃基板,且隨後切成30毫米×30毫米尺寸以製備用於評估剝離劑新液體之剝離能力的樣品。
製備500公克實例及比較實例中所獲得之剝離劑組成物。用溫度升高至50℃之狀態的剝離劑組成物處理玻璃基板上之光阻。
量測完全剝離且移除光阻所需之時間以評估剝離劑新液體之剝離能力。
此時,藉由用紫外光輻射玻璃基板而觀察光阻是否殘留來確定光阻剝離之完成。
在上述方法中,評估實例1及實例2以及比較實例1及比較實例2之剝離劑組成物的新液體剝離能力且結果展示於下表2中。 【表2】 用於移除光阻之剝離劑組成物之新液體剝離能力
如上表2中所示,可確定實例1及實例2之剝離劑組成物,即使不包含生殖毒性物質NMF或DMAC,亦展現等效於含有NMF及DMAC之比較實例1之剝離劑組成物或含有NMF之比較實例2之剝離劑組成物的光阻剝離能力(快速剝離時間)。1-2. 隨時間推移之剝離能力
以與實驗實例1-1相同之方式製備用於評估剝離能力之樣品。製備500公克實例及比較實例中所獲得之剝離劑組成物。在溫度升高至50℃之狀態下,將光阻組成物以相對於整個組成物1重量%之量溶解。
加熱剝離劑組成物48小時以使其在苛刻條件下隨時間推移產生變化。
以與實驗實例1-1相同之方式評估此類剝離劑組成物隨時間推移之剝離能力。
藉由上述方法評估實例及比較實例中所獲得之剝離劑組成物隨時間推移之剝離能力,且結果展示於下表3中。 【表3】 用於移除光阻之剝離劑組成物隨時間推移之剝離能力
如上表3中所示,可確定實例1及實例2之剝離劑組成物,即使不包含生殖毒性物質NMF或DMAC,亦展現等效於或大於含有NMF及DMAC之比較實例1之剝離劑組成物或含有NMF之比較實例2之剝離劑組成物的光阻剝離能力(快速剝離時間)。2. 胺含量變化
製備實例1以及比較實例1及比較實例2之剝離劑組成物。之後,在儲存在50℃之溫度下10天時,分析胺(AIP、AEE、LGA)含量隨時間推移之變化且藉由氣相層析根據各儲存日期評估,且結果展示於下表4中。 【表4】 用於移除光阻之剝離劑組成物隨時間推移之胺含量變化
如表4中所示,可確定即使實例1之剝離劑組成物在苛刻條件下長時間儲存,其胺含量隨時間推移之減少量亦不大。
相比之下,可確定比較實例1及比較實例2之組成物的胺含量隨時間推移大大減少。
由這些結果,可確定實例1之剝離劑組成物中所含的溶劑(諸如DEF)不會實質上誘導胺降解,而比較實例之組成物中所含的溶劑(諸如NMF或DMAC)誘導胺降解,因此隨時間推移降低剝離劑組成物之剝離能力。3. 評估沖洗能力
加熱500公克實例3及實例4以及比較實例1及比較實例2之剝離劑組成物至50℃之溫度,且使用上面形成下表5之膜的玻璃基板。用剝離劑組成物處理玻璃基板。
隨後,移除玻璃基板上之液體,於其上逐滴添加數滴超純水且保持50秒。
再次用超純水洗滌基板,且用光學顯微鏡觀察玻璃基板上之污點及外來物質,以在以下標準下評估沖洗能力。 OK:未觀察到玻璃基板上之污點或外來物質;以及 NG:觀察到玻璃基板上之污點或外來物質。
在上述方法中,評估實例3及實例4以及比較實例1及比較實例2之剝離劑組成物隨時間推移之沖洗能力且結果展示於下表5中。
這些結果藉由在不同條件下分別評估隨時間推移之沖洗能力來展示。 【表5】 用於移除光阻之剝離劑組成物的沖洗能力
如上表5中所示,可確定實例4之剝離劑組成物即使在各種膜條件下,長時間表現且維持極佳沖洗能力。
相比之下,可確定比較實例1及比較實例2之剝離劑組成物在玻璃基板上所形成之膜中展現的沖洗能力降低。
由這些結果,可確定實例4之剝離劑組成物中所含之溶劑(諸如DEF)表現且維持極佳沖洗能力。
另外,可確定實例3之剝離劑組成物即使在延長加熱光阻組成物之苛刻條件下,考慮外觀隨時間推移之變化時,亦長時間表現且維持極佳沖洗能力。
由這些結果,可確定由於實例3之剝離劑組成物中所含之界面活性劑,沖洗能力大大改良。
無。
無。
無。
Claims (17)
- 一種用於移除光阻之剝離劑組成物,其包括:重量平均分子量大於95公克/莫耳之鏈狀胺化合物;重量平均分子量不大於90公克/莫耳之鏈狀胺化合物;環狀胺化合物;醯胺類化合物,其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代;以及極性有機溶劑, 其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物與重量平均分子量不大於90公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物之重量比為1:1至1:10。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其包括0.1重量%至10重量%之重量平均分子量大於95公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物;0.5重量%至20重量%之重量平均分子量不大於90公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物;0.1重量%至10重量%所述環狀胺化合物;10重量%至85重量%所述醯胺類化合物,其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代;以及10重量%至85重量%所述極性有機溶劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中重量平均分子量大於95公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物包含由以下所組成之族群中選出的一或多種化合物:(2-胺基乙氧基)-1-乙醇、胺基乙基乙醇胺、甲基二乙醇胺、二伸乙基三胺、二乙醇胺、二乙基胺基乙醇、三乙醇胺以及三伸乙基四胺。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中重量平均分子量不大於90公克/莫耳之所述鏈狀胺化合物包含由以下所組成之族群中選出的一或多種化合物:1-胺基異丙醇、單甲醇胺、單乙醇胺、2-甲基胺基乙醇、3-胺基丙醇以及N-甲基乙胺。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中所述環狀胺化合物包含由以下所組成之族群中選出的一或多種化合物:咪唑基-4-乙醇、胺基乙基哌嗪以及羥基乙基哌嗪。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中具有1-5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基經氮單取代或二取代之所述醯胺類化合物包含乙基經氮單取代或二取代之醯胺類化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中所述極性有機溶劑包含由以下所組成之族群中選出的一或多者:烷二醇單烷基醚、吡咯啶酮、碸以及亞碸。
- 如申請專利範圍第7項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中所述烷二醇單烷基醚包含由以下所組成之族群中選出的一或多者:二乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚以及三丙二醇單丁醚。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物,其更包括腐蝕抑制劑。
- 如申請專利範圍第9項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物,其中所述腐蝕抑制劑包含三唑類化合物或四唑類化合物。
- 如申請專利範圍第10項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物,其中所述三唑類化合物包含由以下式1或式2表示之化合物:
- 如申請專利範圍第9項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中以所述剝離劑組成物之總重量計,以0.01重量%至0.5重量%之量包含所述腐蝕抑制劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物,其更包括矽類非離子型界面活性劑。
- 如申請專利範圍第13項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中所述矽類非離子型界面活性劑包含聚矽氧烷類聚合物。
- 如申請專利範圍第14項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中所述聚矽氧烷類聚合物包含由以下所組成之族群中選出的一或多者:經聚醚改質之丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質之矽氧烷、經聚醚改質之聚二甲基矽氧烷、聚乙基烷基矽氧烷、經芳烷基改質之聚甲基烷基矽氧烷、經聚醚改質之羥基官能性聚二甲基矽氧烷、經聚醚改質之二甲基聚矽氧烷以及經改質之丙烯酸官能性聚二甲基矽氧烷。
- 如申請專利範圍第13項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物, 其中以所述剝離劑組成物之總重量計,以0.0005重量%至0.1重量%之量包含所述矽類非離子型界面活性劑。
- 一種剝離光阻的方法,其包括以下步驟:於形成有下層膜之基板上形成光阻圖案;用所述光阻圖案圖案化所述下層膜;以及使用如申請專利範圍第1項所述之用於移除光阻之剝離劑組成物剝離所述光阻圖案。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140108634A KR101586453B1 (ko) | 2014-08-20 | 2014-08-20 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201610613A TW201610613A (zh) | 2016-03-16 |
TWI564679B true TWI564679B (zh) | 2017-01-01 |
Family
ID=55308707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW104126957A TWI564679B (zh) | 2014-08-20 | 2015-08-19 | 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9983481B2 (zh) |
JP (1) | JP6497668B2 (zh) |
KR (1) | KR101586453B1 (zh) |
CN (1) | CN105556392B (zh) |
TW (1) | TWI564679B (zh) |
WO (1) | WO2016028057A1 (zh) |
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WO2018058341A1 (en) | 2016-09-28 | 2018-04-05 | Dow Global Technologies Llc | Sulfoxide/glycol ether based solvents for use in the electronics industry |
EP3649513A4 (en) * | 2017-07-06 | 2021-03-31 | Dow Global Technologies LLC | AMIDE COMBINATIONS FOR CLEANING AND STRIPPING ELECTRONIC COMPONENTS |
KR20220150134A (ko) * | 2021-05-03 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 포토레지스트 박리 조성물과 이를 이용하는 반도체 소자 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
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- 2014-08-20 KR KR1020140108634A patent/KR101586453B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-08-18 US US15/318,539 patent/US9983481B2/en active Active
- 2015-08-18 CN CN201580000649.6A patent/CN105556392B/zh active Active
- 2015-08-18 JP JP2016574240A patent/JP6497668B2/ja active Active
- 2015-08-18 WO PCT/KR2015/008608 patent/WO2016028057A1/ko active Application Filing
- 2015-08-19 TW TW104126957A patent/TWI564679B/zh active
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---|---|
US9983481B2 (en) | 2018-05-29 |
CN105556392B (zh) | 2019-09-06 |
JP2017527838A (ja) | 2017-09-21 |
WO2016028057A1 (ko) | 2016-02-25 |
JP6497668B2 (ja) | 2019-04-10 |
US20170115573A1 (en) | 2017-04-27 |
KR101586453B1 (ko) | 2016-01-21 |
TW201610613A (zh) | 2016-03-16 |
CN105556392A (zh) | 2016-05-04 |
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