TW201413402A - 光阻劑剝離液組成物 - Google Patents

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Abstract

一種光阻劑剝離液組成物，包含有具有優秀剝離能力的N,N-二甲基丙醯胺溶劑，其可替代以往常用於習用光阻劑剝離液組成物中之對人體有害的N-甲基吡咯烷酮(NMP)等溶劑類。

Description

光阻劑剝離液組成物
本發明有關一種使用環狀胺類化合物、極性溶劑以及非極性溶劑之雙組分以上的光阻劑剝離液組成物。
光阻劑(photo-resist)是光罩蝕刻製程中不可缺少的物質，而光罩蝕刻製程是用於製造積體電路(Integrated circuit，IC)、大型積體電路(large scale integration,LSI)、超大型積體電路(very large scale integration，VLSI)等半導體裝置和液晶顯示裝置(Liquid crystal display,LCD)、以及電漿顯示裝置(plasma display device,PDP)等圖像顯示裝置的常用製程之一。
光罩蝕刻製程(photo-lithography processing)結束之後，光阻劑在高溫下被剝離溶液去除，在光阻劑被去除的同時，下層金屬膜會被剝離溶液腐蝕。因此，需要一種具有出色的光阻劑去除效果，又能夠將金屬膜的腐蝕降至最低的方法。
習用之一般光阻劑剝離液組成物以胺類化合物、溶劑為基礎，或者進一步加入防腐劑等添加劑。
例如，習用光阻劑剝離液組成物包含單乙醇胺等鏈狀胺類化合物、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、二甲基亞碸(DMSO)等非質子溶劑 及/或乙二醇類質子溶劑。
亦即，習用光阻劑剝離液組成物係使用N-甲基甲醯胺(NMF,N-methylformamide)、N-甲基吡咯烷酮(NMP,N-methylpyrrolidone)等非質子溶劑作為主要溶劑，此種溶劑雖然具有剝離能力出色的優點，但是也具有對環境或者人體有害的缺點。而且，若使用以往的非質子極性溶劑，雖能使光阻劑(PR)易於溶解，但是存在有水洗時光阻劑(PR)重新析出的問題。
因此，需要開發出一種溶劑來替代存在諸多問題的上述非質子極性溶劑。
本發明之目的在於提供一種光阻劑剝離液組成物，包含有可取代以往用於習用光阻劑剝離液組成物中之非質子溶劑的溶劑，從而降低對環境和人體的危害，且本發明之光阻劑剝離液組成物具有出色的剝離及清洗能力以及優秀的防腐能力。
本發明提供一種光阻劑剝離液組成物，包含：10至85重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺(N,N-Dimethyl Propionamide)、1至30重量百分比(wt%)的環狀胺類化合物、10至85重量百分比(wt%)的質子極性溶劑、以及0至50重量百分比(wt%)的超純水。
而且，優選地，本發明的光阻劑剝離液組成物，包含：10至65重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺、1至15重量百分比(wt%)的環狀胺類化合物、10至68重量百分比(wt%)的質子極性溶劑、以及20至40重量百分比(wt%)的超純水。
下面，詳細說明本發明。
本發明有關一種光阻劑剝離液組成物，更具體而言，有關一種使用胺類化合物、極性溶劑以及非極性溶劑之雙組分以上的光阻劑剝離液組成物。
尤其，本發明提供一種使用N,N-二甲基丙醯胺來取代用於習用光阻劑剝離液組成物中之N-甲基甲醯胺(NMF)、N-甲基吡咯烷酮(NMP)等溶劑的光阻劑剝離液組成物。本發明的光阻劑剝離液組成物即使不使用往常慣用之N-甲基吡咯烷酮(NMP)等非質子溶劑，也可提供出色的剝離效果。而且，本發明的優點在於提供一種可降低對環境和人體的危害，並且清洗能力優秀且在清洗製程中不會出現光阻(PR)析出問題，也不會發生金屬腐蝕的光阻劑剝離液組成物。
因此，在本發明中可用N,N-二甲基丙醯胺來取代前述之非質子溶劑。
根據本發明的一具體實施例，提供一種光阻劑剝離液組成物，包含：10至85重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺、1至30重量百分比(wt%)的環狀胺類化合物、10至85重量百分比(wt%)的質子極性溶劑、及0至50重量百分比(wt%)的超純水。
更優選地，本發明提供一種光阻劑剝離液組成物，包含：10至65重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺、1至15重量百分比(wt%)的環狀胺類化合物、10至68重量百分比(wt%)的質子極性溶劑、及20至40重量百分比(wt%)的超純水。
另外，在本發明中，相對於剝離液組成物總重量，N,N- 二甲基丙醯胺的含量若低於10重量百分比(wt%)，就會降低光阻劑去除性能，若超過85重量百分比(wt%)，就會降低剝離液的清洗能力。
所述質子極性溶劑可使用選自由乙二醇(ethylene glycol)、二乙二醇(diethylene glycol)、三乙二醇(triethylene glycol)、四乙二醇(tetraethylene glycol)、乙二醇甲醚(ethylene glycol methyl ether)、乙二醇乙醚(ethylene glycol ethyl ether)、乙二醇丁醚(ethylene glycol butyl ether)、二乙二醇甲醚(diethylene glycol methyl ether)、二乙二醇乙醚(diethylene glycol ethyl ether)、二乙二醇丁醚(diethylene glycol butyl ether)、三乙二醇甲醚(triethylene glycol methyl ether)、三乙二醇乙醚(triethylene glycol ethyl ether)、三乙二醇丁醚(triethylene glycol butyl ether)、及二乙二醇二甲醚(diethylene glycol dimethyl ether)所組成之群組中的一種以上化合物。而且，相對於剝離液組成物總重量，所述質子極性溶劑的含量若低於10重量百分比(wt%)，就會降低剝離液的清洗能力，若超過85重量百分比(wt%)，就會降低光阻劑去除性能。
所述環狀胺類化合物可使用選自由1-(2-羥乙基)哌嗪(HEP)、1-(2-氨乙基)哌嗪、1-(2-羥乙基)甲基哌嗪、N-(3-氨丙基)嗎啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、1-氨基-4-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪、及1-苯基哌嗪所組成之群組中的一種以上化合物。相對於剝離液組成物總重量，所述環狀胺類化合物的含量若低於1重量百分比(wt%)，就會降低光阻劑剝離能力，若超過30重量百分比(wt%)，就會發生下層金屬的腐蝕。
所述超純水可使用透過本領域中所熟知的方法獲得的 一般的超純水。而且，本發明的剝離液組成物可為水性或者非水性組成物，因此根據需要，可適當加入上述範圍內的超純水。
而且，根據本發明，以該光阻劑剝離液組成物總量100重量份為基準，該光阻劑剝離液組成物還可以包含0.01至10重量份的防腐劑。
所述防腐劑可使用選自具有C1至C12烷基的沒食子酸烷基酯類(alkyl gallate)化合物；巰基苯咪唑(mercaptobenzimidazole)、甲巰基咪唑(mercapto methyl imidazole)等巰基(mercapto)類化合物；以及甲基苯駢三氮唑(tolyltriazole)、苯駢三氮唑(benzotriazole)、及羧基苯駢三氮唑(carboxylic benzotriazole)等三唑類(triazole)化合物中的一種以上化合物。
在本發明中，最優選的光阻劑剝離液組成物可包含10至65重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺、1至15重量百分比(wt%)的1-(2-羥乙基)哌嗪、10至68重量百分比(wt%)的二乙二醇甲醚、及20至40重量百分比(wt%)的超純水。
由於本發明的光阻劑剝離液組成物具有可取代習用光阻劑剝離液組成物慣用之主溶劑N-甲基甲醯胺(NMF,N-methylformamide)、N-甲基吡咯烷酮(NMP,N-methylpyrrolidone)、及本領域所熟知的其他非質子溶劑，所以不會引起環境問題，還可減少對人體的有害性。
此外，本發明的光阻劑剝離液組成物透過常規方法混合製成之後，用於半導體製程的光罩蝕刻製程中，可提高光阻劑剝離性 能。
例如，對於液晶顯示元件的製程，在剝離及去除光阻劑圖案膜的製程中使用本發明的光阻劑剝離液組成物，可除去正型光阻劑或者負型光阻劑圖案。
根據本發明，光阻劑剝離液組成物使用對人體無害的N,N-二甲基丙醯胺，從而產生可取代以往常用於光阻劑剝離液組成物的N-甲基甲醯胺(NMF,N-methylformamide)，N-甲基吡咯烷酮(NMP,N-methylpyrrolidone)、二甲基亞碸(DMSO)等一般非質子極性溶劑的效果。因此，本發明具有對環境或者人體危害小的效果。而且，與習用光阻劑剝離液組成物相比，本發明的光阻劑剝離液組成物具有同等以上的光阻劑剝離效果及防腐效果，因此還能夠適當地降低成本。
為了有助於理解本發明，下面對優選實施例進行說明，下述實施例只是本發明的示例而已，本發明的保護範圍並不局限於下述實施例。
[實施例及比較例]
以如下表1的組成和含量製備實施例1-5及比較例1-6的光阻劑剝離液組成物(單位：重量百分比(wt%))。
[實驗例]
為了對所述實施例1-5及比較例1-6中製備的剝離液組成物進行性能評價，利用以下製程實施剝離測試和金屬腐蝕測試。
1.製造試片(檢測剝離能力的試片)
在玻璃基板的整個表面上，塗覆厚度1微米的習用光阻劑(DONGJIN SEMICHEM供售，產品型號DTFR N200)之後，使其在約150℃左右的溫度下硬化而製成試片。
2.剝離能力測試
將所製備之實施例及比較例的各剝離液組成物放入噴射裝置中，並加熱到50℃。然後，朝所述製備的試片噴射所述剝離液組成物，噴射時間為1分鐘左右，接著用超純水清洗，並用氮氣進行乾燥。透過肉眼觀察及顯微鏡來檢測是否剝離，並將其結果顯示於表2中。
<剝離能力檢測基準：X(光阻劑未被剝離)，△(部分光阻劑被剝離，但未溶解)，O(光阻劑完全被剝離)>
經由上表2的結果可知，對於本發明之使用N,N-二甲基丙醯胺(DMPA)的實施例1-5，與習用光阻劑剝離液組成物相比，儘管不使用對人體有害的N-甲基甲醯胺(NMF)或者N-甲基吡咯烷酮(NMP) 溶劑，本發明之光阻劑剝離液組成物也顯示出同等以上的優秀的光阻劑剝離效果。
此外，由於使用非質子極性溶劑之比較例1至5的習用光阻劑剝離液組成物使光阻劑(PR)易於溶解，從而具有優秀的剝離能力。但是，卻存在水洗時光阻劑重新析出的問題。因此，比較例1至5存在清洗能力降低的問題。
3.下層金屬腐蝕測試
將所製備的實施例及比較例的各剝離液組成物放入噴射裝置中，並加熱到50℃。然後，對經蝕刻的金屬膜進行噴射，噴射時間為兩分鐘左右後，接著用超純水清洗，並用氮氣進行乾燥。利用掃描式電子顯微鏡(SEM)進行觀察，檢測金屬是否腐蝕，並將其結果顯示於表3中。
<金屬腐蝕檢測基準：O(未發生金屬腐蝕)，X(發生金屬腐蝕)>
由上表3可知，實施例1至5的光阻劑剝離液組成物不會發生金屬腐蝕情況。
另外，比較例1至5雖然沒有發生金屬腐蝕，但是在光阻劑(PR)剝離後的水洗製程中會析出光阻劑(PR)。而比較例6因使用鏈狀胺類化合物而出現金屬腐蝕情況。

Claims (6)

  1. 一種光阻劑剝離液組成物，包含有：10至85重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺、1至30重量百分比(wt%)的環狀胺類化合物、10至85重量百分比(wt%)的質子極性溶劑、以及0至50重量百分比(wt%)的超純水。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的光阻劑剝離液組成物，包含有：10至65重量百分比(wt%)的該N,N-二甲基丙醯胺、1至15重量百分比(wt%)之該環狀胺類化合物、10至68重量百分比(wt%)之該質子極性溶劑、以及20至40重量百分比(wt%)之該超純水。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的光阻劑剝離液組成物，其中，該質子極性溶劑為選自由乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、四乙二醇、乙二醇甲醚、乙二醇乙醚、乙二醇丁醚、二乙二醇甲醚、二乙二醇乙醚、二乙二醇丁醚、三乙二醇甲醚、三乙二醇乙醚、三乙二醇丁醚、以及二乙二醇二甲醚所組成之群組中的至少一種化合物。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的光阻劑剝離液組成物，其中，該環狀胺類化合物為選自由1-(2-羥乙基)哌嗪、1-(2-氨乙基)哌嗪、1-(2-羥乙基)甲基哌嗪、N-(3-氨丙基)嗎啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、1-氨基-4-甲基哌嗪、1-芐基哌嗪、以及1-苯基哌嗪所組成之群組中的至少一種化合物。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的光阻劑剝離液組成物，包含有10至65重量百分比(wt%)的N,N-二甲基丙醯胺、1至15重量百分比(wt%)的 1-(2-羥乙基)哌嗪、10至68重量百分比(wt%)的二乙二醇甲醚、及20至40重量百分比(wt%)的超純水。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的光阻劑剝離液組成物，其中，以該光阻劑剝離液組成物總量100重量份為基準，該光阻劑剝離液組成物還包含有0.01至10重量份的防腐劑。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564679B (zh) * 2014-08-20 2017-01-01 Lg 化學股份有限公司 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法
EP3519895A4 (en) * 2016-09-28 2020-06-17 Dow Global Technologies Llc SOLVENTS FOR THE ELECTRONICS INDUSTRY
TWI723097B (zh) * 2015-12-14 2021-04-01 南韓商三星顯示器有限公司 光阻剝離劑組合物

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102119438B1 (ko) * 2013-10-30 2020-06-08 삼성디스플레이 주식회사 박리액 및 이를 이용한 표시 장치의 제조방법
KR20170107162A (ko) * 2016-03-15 2017-09-25 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물
WO2018058341A1 (en) * 2016-09-28 2018-04-05 Dow Global Technologies Llc Sulfoxide/glycol ether based solvents for use in the electronics industry
CN108424818A (zh) * 2017-02-14 2018-08-21 东友精细化工有限公司 掩模清洗液组合物
CN109254507A (zh) * 2018-10-19 2019-01-22 苏州恒康新材料有限公司 光致抗蚀剂剥离剂及光致抗蚀剂剥离方法
JP7121355B2 (ja) 2019-11-20 2022-08-18 日産化学株式会社 洗浄剤組成物及び洗浄方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101392629B1 (ko) * 2007-10-11 2014-05-07 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법
KR20090072546A (ko) * 2007-12-28 2009-07-02 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 어레이 기판의제조 방법
TW201039074A (en) * 2009-04-16 2010-11-01 Basf Se Organic photoresist stripper composition
CN101866118A (zh) * 2009-04-16 2010-10-20 巴斯夫公司 有机光阻去除剂组合物
US9081291B2 (en) * 2009-08-11 2015-07-14 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Resist stripping solution composition, and method for stripping resist by using same
KR101805195B1 (ko) * 2010-12-21 2017-12-06 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI564679B (zh) * 2014-08-20 2017-01-01 Lg 化學股份有限公司 用於移除光阻的剝離劑組成物及使用其的光阻剝離方法
TWI723097B (zh) * 2015-12-14 2021-04-01 南韓商三星顯示器有限公司 光阻剝離劑組合物
EP3519895A4 (en) * 2016-09-28 2020-06-17 Dow Global Technologies Llc SOLVENTS FOR THE ELECTRONICS INDUSTRY
US10866518B2 (en) 2016-09-28 2020-12-15 Dow Global Technologies Llc Solvents for use in the electronics industry

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Publication number Publication date
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