KR20150122955A - 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박리액 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 피라졸리딘계 화합물을 포함하여, 박리 공정에서 금속 배선의 부식을 최소화하고, 레지스트 제거능이 뛰어난 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박리 공정에서 금속배선의 부식을 최소화할 수 있고, 뛰어난 레지스트 제거능을 갖는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
최근 플랫 패널 디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 몰리브덴이나 구리 등의 배선재료가 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다.
구체적으로 금속배선에 대한 상당한 수준의 박리력을 보유하면서도, 알루미늄, 구리, 은 등의 금속에 대한 부식억제력도 요구되고 있다. 레지스트를 제거하는 박리 공정은 높은 온도의 박리액에 의해 이루어지며, 이러한 고온의 박리액에 의해 레지스트 하부에 있는 금속 배선의 부식을 가속화시킬 수 있다는 문제가 있어 이를 방지할 수 있는 레지스트 박리액에 대한 연구가 요구되고 있다.
본 발명은, 상기 종래기술의 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 박리 공정에서 금속배선의 부식을 최소화할 수 있고, 뛰어난 레지스트 제거성을 갖는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
하기 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1의 R1 및 R2는 각각 수소, C1-C10의 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시알킬기, 하이드록시기, 하이드록시알킬기, 아세틸기, 아민기, 아미노알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 뛰어난 레지스트 제거 효과가 있어 레지스트 잔여물을 완전히 제거해 줄 수 있으며, 박리 공정에서 발생하는 금속배선의 부식을 최소화하는 효과를 제공할 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명은
하기 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기 화학식 1의 R1 및 R2는 각각 수소, C1-C10의 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시알킬기, 하이드록시기, 하이드록시알킬기, 아세틸기, 아민기, 아미노알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다.
(A) 화학식 1의
피라졸리딘계
화합물
상기 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물은 레지스트를 쉽게 제거할 수 있도록 하는 역할을 하며, 부식성을 나타내지 않으므로 이를 포함하는 레지스트 박리액 조성물이 우수한 박리성을 나타낼 수 있다. 또한, 구리 또는 알루미늄을 포함하는 금속 배선에 대한 부식성이 적어 상기 금속 배선의 부식을 최소화할 수 있도록 한다.
화학식 1의 피라졸리딘계 화합물은 피라졸리딘, N-메틸 피라졸리딘, 1-에틸 피라졸리딘, 1-옥시다닐 피라졸리딘, 1,2-비스(옥시다닐)피라졸리딘, 2-피라졸리딘-1-일-에탄올, N-페닐 피라졸리딘, 1-아세틸 피라졸리딘 및 1-이소프로필 피라졸리딘 등으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
상기 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물은 레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 30중량%이 포함될 수 있는데, 0.1 중량% 미만이면 박리 능력을 돕는 역할을 충분히 하지 못할 수 있으며, 방식능력 또한 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 30중량%를 초과하면 용매 등의 양이 줄어들어 린스를 위한 역할이나 매수증가 능력에 영향을 미칠 수 있다.
(B) 유기용매
또한 상기 레지스트 박리액 조성물은 추가로 유기 용매를 포함할 수 있다. 이때, 상기 유기용매는 양자성 극성용매 및 비양자성 극성용매를 각각 단독으로 또는 이들의 혼합용매로 사용할 수 있다.
본 발명의 유기용매는, 팽윤되고 용제에 의해 분산된 포토레지스트의 용해 속도를 더욱 더 증가시키고 박리액 세정 후 사용되는 DI 린스 공정에서는 린스력 강화에 도움을 준다. 박리 공정 후 분산된 포토레지스트를 머금은 용매를 DI water로 깨끗하게 린스하는 역할에 도움을 주기 때문에, DI 린스 공정 시간을 단축시킬 수 있고, 잔류되는 이물이 없게 되며, 수율 향상에도 도움을 준다. 또한 금속막질에 나타날 수 있는 문제중 하나로 얼룩에 관련되어 양자성 극성용매가 더해졌을 때 DI 린스 공정에서 깨끗하게 제거시키기 때문에 얼룩에 관련되는 문제를 해결할 수 있다.
본 발명의 유기용매는 양자성 극성용매, 비양자성 극성용매 각각 또는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르 및 테트라하이드로퍼퓨릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
한편, 상기 비양자성 극성 용매는 상기 알카리계 화합물 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 포토레지스트의 분산을 원활하게 하여 Solvation 시키는 역할을 한다. 포토레지스트의 용해에 매우 효과적인 유기 용매로서 빠른 시간 내에 고형화된 포토레지스트에 유기 아민 화합물의 침투를 빠르게 하여 박리 성능을 향상시키는 성분이다. 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다. 상기 수용성 극성용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸설폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 유기용매의 함량은 전체 조성물 총 중량에 대해 70 내지 99.9 중량%를 사용하는 것이 바람직하며, 70 중량% 미만이면 용액내에서 용해된 포토레지스트를 함유하는 능력이 떨어져 매수처리 능력이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 99.9중량%를 초과하면 다른 성분의 함량을 줄어들게 하여, 데미지 및 박리력에 영향을 미치는 문제점이 있다.
본 발명에서 양자성 극성 용매와 비양자성 극성 용매를 혼합 사용하여, 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물을 포함한 3 성분계를 이룰 경우, 양자성 극성 용매와 비양자성 극성용매는 전체 용매 100을 기준으로, 1:99 내지 30:70의 중량비로 포함하는 것이 바람직하다.
(C) 아민
또한 상기 레지스트 박리액 조성물은 추가로 아민을 포함할 수 있다. 상기 아민은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며. 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.
상기 아민은 바람직하게 알칸올 아민, 피페라진류 및 알킬아민류이고, 더욱 바람직하게는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 디글리콜아민, 트리에탄올아민, 모노이소프로판올아민, N-메틸에탄올아민, N-메틸-디에탄올아민, 디메틸에탄올아민, 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)몰포린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, 디에틸아민 및 메틸에틸아민으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상일 수 있다.
상기 아민은 레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.5 내지 20중량%를 사용할 수 있으며, 보다 바람직하게는 1 내지 5중량%로 사용할 수 있다.
(D) 방식제
또한 상기 레지스트 박리액 조성물은 추가로 방식제를 포함할 수 있다. 상기 방식제는 레지스트 박리액 조성물에 포함되어 금속배선의 부식을 방지하는 효과를 낼 수 있다.
상기 방식제는 구체적으로 예를 들어, 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 등의 아졸계 화합물;
1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논 등의 퀴논계 화합물;
마니톨, 자이리톨, 솔비톨 등의 당알콜류;
카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트 및 갈릭산 등의 알킬 갈레이트류; 및
숙시닉 아미드 에스터, 말릭 아미드 에스터, 말레릭 아미드 에스터, 푸마릭아미드 에스터, 옥살릭 아미드 에스터, 말로닉 아미드 에스터, 글루타릭 아미드 에스터, 아세틱 아미드 에스터, 락틱 아미드 에스터, 시트릭 아미드 에스터, 타르타릭 아미드 에스터, 글루콜릭 아미드 에스터, 포믹 아미드 에스터 및 우릭 아미드에스터 등의 유기산 아미드 에스터류 등이 있으며, 상기 화합물들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 방식제는 통상적인 수준으로 사용할 수 있고, 예를 들면 레지스트 박리액 총 중량에 대하여 0.1 내지 5중량%로 사용할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예 및 비교예를 이용하여 더욱 상세하게 설명한다. 그러나 하기 실시예 및 비교예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명의 범위가 하기 실시예 및 비교예에 의해 한정되지 않는다.
<
실시예
1 내지 13 및
비교예
1 내지 3>
하기 표 1에 기재된 성분과 함량을 기준으로 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
| 피라졸리딘계 화합물(A) | 유기용매(B) | 아민류(C) | 방식제(D) | |||||
| 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | 종류 | 함량 | |
| 실시예 1 | a-1 | 5 | NMP | 95 | ||||
| 실시예 2 | a-1 | 10 | NMP | 90 | ||||
| 실시예 3 | a-1 | 5 | NMP | 94 | DGA | 1 | ||
| 실시예 4 | a-1 | 10 | BDG | 90 | ||||
| 실시예 5 | a-1 | 10 | DMSO | 89.5 | BTA | 0.5 | ||
| 실시예 6 | a-1 | 5 | DMSO | 92.5 | DGA | 2 | BTA | 0.5 |
| 실시예 7 | a-2 | 5 | THFA | 95 | ||||
| 실시예 8 | a-2 | 12 | NMP | 88 | ||||
| 실시예 9 | a-2 | 5 | NMF | 92.5 | MIPA | 2 | BTA | 0.5 |
| 실시예 10 | a-2 | 8 | BDG | 91 | BTA | 1 | ||
| 실시예 11 | a-3 | 10 | NMP | 90 | ||||
| 실시예 12 | a-3 | 5 | THFA | 92 | DGA | 3 | ||
| 실시예 13 | a-3 | 14 | BDG | 85 | BTA | 1 | ||
| 비교예 1 | - | - | NMP | 100 | ||||
| 비교예 2 | a-4 | 10 | NMP | 90 | ||||
| 비교예 3 | NMP | 99.5 | BTA | 0.5 | ||||
<피라졸리딘계 화합물(A)>
a-1 : 피라졸리딘
a-2 : N-메틸 피라졸리딘
a-3 : N-페닐 피라졸리딘
a-4 : 피라졸
<용매(B)>
DMSO : 디메틸설폭사이드
NMP : N-메틸피롤리돈
BDG : 부틸 디 글리콜(디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르)
THFA : 테트라하이드로퍼퓨릴 알코올
<아민(C)>
DGA : 디글리콜아민
HEP : 1-(2-히드록시에틸)피페라진
MIPA : 모노이소프로판올아민(Monoisopropanolamine)
<방식제(D)>
BTA : 벤조트리아졸
실험예
1.
레지스트
박리액
조성물의
박리성
평가
상기 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 3의 레지스트 박리액 조성물의 레지스트 박리성을 평가하기 위해 하기의 실험을 진행하였다.
플라즈마 에칭 또는 고온 애싱 후 발생한 변질된 포토레지스트 잔류물 및 폴리머 잔사물이 구리(Cu) 금속 배선 및 절연막에 부착된 시편(크기 20mm X 20mm)을 실험에 사용하였다.
SiO2 절연막에 Cu금속 배선을 갖는 상기 시편을 온도 65℃의 박리액(상기 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 3) 각각에 20분간 침지시켰다. 이후, 박리액으로부터 시편을 꺼내고 초순수로 1분간 린스한 후, 질소 가스를 이용하여 건조시켰다.
이후 주사전자현미경을 이용하여, SiO2 절연막에 Cu 금속 배선을 갖는 기판으로부터 건식 식각 또는 고온 애싱 후 잔류하는 포토레지스트 잔류물 박리성을 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2 에 나타내었다.
[박리성 평가 기준]
◎: 매우 양호
○: 양호
△: 일부 잔류물 존재
X: 잔류물 제거 불가
실험예
2.
레지스트
박리액
조성물의
방식성
평가
상기 실시예 1 내지 13 및 비교예 1 내지 3의 레지스트 박리액 조성물의 방식성을 평가하기 위해 하기의 실험을 진행하였다.
방식성 평가는 상기 실험예 1의 박리성 평가와 동일하게 실시하되, glass 위에 잔류하는 포토레지스트 잔류물 박리성 평가만 금속 배선의 방식성 평가로 전환하여 실시하였다.
주사전자현미경을 이용하여, SiO2 절연막에 Cu 금속 배선을 갖는 기판으로부터 건식 식각 또는 고온 에칭 후 금속 배선의 방식 정도를 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2 에 나타내었다.
[Cu 방식성 평가 기준]
◎: 부식 없음
○: 부식 거의 없음
△: 일부 부식, 표면 거칠기 변화,
X: 에칭 발생
| 박리성 | Cu 방식성 | |
| 실시예 1 | ○ | ○ |
| 실시예 2 | ○ | ○ |
| 실시예 3 | ◎ | ○ |
| 실시예 4 | ◎ | ○ |
| 실시예 5 | ○ | ◎ |
| 실시예 6 | ◎ | ◎ |
| 실시예 7 | ○ | ○ |
| 실시예 8 | ○ | ○ |
| 실시예 9 | ◎ | ◎ |
| 실시예 10 | ○ | ◎ |
| 실시예 11 | ○ | ○ |
| 실시예 12 | ◎ | ○ |
| 실시예 13 | ○ | ◎ |
| 비교예 1 | △ | ○ |
| 비교예 2 | ○ | Ⅹ |
| 비교예 3 | △ | ◎ |
상기 표 2에 나타난 바와 같이, 본원 발명의 레지스트 박리액 조성물인 실시예 1 내지 13의 경우, 박리성이 우수할 뿐 아니라 Cu를 포함하는 금속에 대한 우수한 방식성을 가짐을 확인할 수 있었다. 반면에, 본원의 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물을 포함하지 않는 비교예 1 내지 3의 레지스트 박리액 조성물은 박리성과 방식성 평가 가운데 한 가지 이상에서 부적합한 결과를 나타내었다.
이상에서 상술한 바와 같이, 본 발명에 의해 제공되는 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물은, 우수한 레지스트 박리성 및 금속 방식성을 가진다는 것을 확인할 수 있었다.
Claims (11)
- 하기 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물을 포함하는 레지스트 박리액 조성물.
[화학식 1]
상기 화학식 1의 R1 및 R2는 각각 수소, C1-C10의 알킬기, 시클로알킬기, 알콕시알킬기, 하이드록시기, 하이드록시알킬기, 아세틸기, 아민기, 아미노알킬기, 아릴기 및 아릴알킬기로 구성된 군으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기이다. - 청구항 1에 있어서,
유기 용매를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 2에 있어서,
상기 유기 용매는 양자성 극성용매, 비양자성 극성용매 또는 이들의 혼합용매인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
아민을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
방식제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 3에 있어서,
상기 유기 용매는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매가 1:99 내지 30: 70의 중량비의 혼합 용매인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 3에 있어서,
상기 양자성 극성용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르 및 테트라하이드로퍼퓨릴 알코올로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 3에 있어서,
상기 비양자성 극성용매는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, γ―부티로락톤, 디메틸설폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물 0.1 내지 30중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 2에 있어서,
레지스트 박리액 조성물 총 중량에 대하여 유기용매 70 내지 99.9중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물. - 청구항 1에 있어서,
상기 화학식 1의 피라졸리딘계 화합물은 피라졸리딘, N-메틸 피라졸리딘, 1-에틸 피라졸리딘, 1-옥시다닐 피라졸리딘, 1,2-비스(옥시다닐)피라졸리딘, 2-피라졸리딘-1-일-에탄올, N-페닐 피라졸리딘, 1-아세틸 피라졸리딘 및 1-이소프로필 피라졸리딘으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140049155A KR20150122955A (ko) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 레지스트 박리액 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020140049155A KR20150122955A (ko) | 2014-04-24 | 2014-04-24 | 레지스트 박리액 조성물 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150122955A true KR20150122955A (ko) | 2015-11-03 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20180004609A (ko) * | 2016-07-04 | 2018-01-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물, 이를 사용하여 제조되는 디스플레이 기판의 제조방법 및 이에 따른 디스플레이 기판 |
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