JP4837467B2 - レジスト親水化処理液組成物およびその処理方法 - Google Patents
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Description
また、本発明は、ポジ型レジストの現像時にレジスト表面を親水性化することにより、水洗乾燥時に、レジストと水との間に働く界面張力を緩和し、レジストパターンの倒壊を防止するポジ型レジスト現像液を提供することにある。
さらに、本発明は、水溶性カチオン型高分子の構成単位が1級から4級の窒素原子を含む、前記ポジ型レジスト親水化処理液組成物に関する。
また、本発明は、水溶性カチオン型高分子が、ポリジアリルジメチルアンモニウムヒドロキシドを含む重合体または共重合体、またはジメチルアミノエチルアクリレートメチルクロライドとアクリルアミドの共重合体である、前記ポジ型レジスト親水化処理液組成物に関する。
さらに、本発明は、第四級水酸化アンモニウムまたは有機アミンを含む、前記ポジ型レジスト親水化処理液組成物に関する。
さらに、本発明は、アルカリ性の水溶液が、(1)ポジ型レジストの現像液に水溶性カチオン型高分子を加えたもの、(2)水溶性カチオン型高分子水溶液を陰イオン交換樹脂で処理したものにポジ型レジストの現像液を加えたもの、のいずれかである、前記ポジ型レジスト親水化処理液組成物。
さらに、本発明は、電子材料基板の表面保護膜としてポジ型レジストを塗布し、該基板の周縁部を研磨してなる半導体デバイスの製造において、前記ポジ型レジスト親水化処理液組成物を、前記ポジ型レジスト表面に対して60秒未満の処理時間で処理し、親水化させてなる、ポジ型レジスト表面処理方法に関する。
また、本発明の現像液は、レジストの現像と同時にレジスト表面を親水性化し、乾燥時のレジストパターンの倒壊を防止するものである。
具体的には、本発明に用いられる水溶性カチオン型高分子とは、水に溶けた際、解離して陽イオンとなる高分子であり、本発明の効果が得られるのであればいずれのものを用いることができるが、たとえば、その構成単位が、1級、2級、3級および4級窒素原子を含む水溶性高分子である。たとえば、構造式Iで表される繰り返し単位を含むことを特徴とするポリアミジンの塩酸塩やジメチルアミノエチルアクリレートメチルクロライド4級化物とアクリルアミドとの共重合体(構造式II)、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド(構造式III)およびその共重合体などがある。
定着する方法は液性を上述のようにアルカリ性にすることである。ほとんどの物質はアルカリ側で−に帯電する。一方、カチオン型高分子化合物は水溶液中で解離し、+のイオンとなっているため−に帯電した物質表面に吸着し表面を被覆するため親水性化できる。
アルカリ性にする方法としては、ポジ型フォトレジストの現像液として用いられる、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)などの第四級水酸化アンモニウムや有機アミンの水溶液と組み合わせて用いるか、水溶性カチオン型高分子化合物を陰イオン交換樹脂で処理し、塩化物を水酸化物に変える方法および水溶性カチオン型高分子化合物を陰イオン交換樹脂で処理したものに第四級水酸化アンモニウムまたは有機アミンを加えるなどがある。現像液として用いる場合には、ポジ型レジストの現像液に水溶性カチオン型高分子を加えて用いる方法、水溶性カチオン型高分子水溶液を陰イオン交換樹脂で処理したものにポジ型レジストの現像液を加えて用いる方法などがあり、とくに水酸化アンモニウムの水溶液にカチオン型高分子化合物を加える方法が好ましく、半導体基板の周縁部の研磨を行う製造工程に用いる場合には、よりレジストへのダメージが少ない、イオン交換処理したカチオン型高分子化合物の水溶液が好ましい。
水酸化第四級アンモニウムやアミンと水溶性カチオン型高分子を組み合わせる場合、たとえば現像液として用いる場合には、水酸化第四級アンモニウムやアミンは現像液として適切な濃度、一般的には1〜10質量%が好ましく、水溶性カチオン型高分子は前述の通り、0.1〜2質量%が最適である。ウェハ周辺部の研磨などに用いる場合には、水溶性カチオン高分子単独でも、水酸化第四級アンモニウムやアミンと組み合わせる場合でも、レジスト表面をマイナスに帯電させ、かつレジストにダメージを与えないように処理液のpHは11〜13が好ましい。この場合、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)などの水酸化第四級アンモニウムやアミンの添加量は、0.1〜2.5質量%が好ましく、さらに0.5〜1.0質量%が好ましい。
表1に示す処理液を調製し、ポジ型レジスト膜(東京応化工業(株)製OFPR−800 膜厚約15000Å)を成膜し、シリコンウェハーを試験片として、室温で該処理液中に10秒間無撹拌浸漬し、その後超純水で3分間の流水リンスを行った。リンス後に試験片を引き上げ、レジスト表面の濡れ性を目視により観察した。また処理前後の膜厚減少量を光学干渉式膜厚計により測定し、レジストへのダメージを評価した。結果を表1に示す。TMAHが1.1質量%のみ、水溶性カチオン型高分子(塩酸塩)の水溶液ではレジスト表面は親水化されないが、実施例1に示すようなTMAH1.1質量%と水溶性カチオン型高分子(塩酸塩)の組み合わせや実施例2〜4のような陰イオン交換樹脂により処理した水溶性カチオン型高分子(水酸化物)の水溶液では親水性を示した。また同等の親水化効果が得られたTMAH2.2質量%条件(比較例2)に比べてレジスト膜厚減少量が少なく、レジストへのダメージを軽減しつつ親水性を付与することが可能である。また比較例3、4に示す水溶性高分子を用いた処理液および比較例7に示す従来の処理液では、親水化されなかった。
また、現像時にレジスト表面を親水性化することにより、水洗乾燥時に、レジストと水との間に働く界面張力を緩和し、レジストパターンの倒壊を防止するため現像液としても用いることができる。
Claims (8)
- 水溶性カチオン型高分子を含有するアルカリ性の水溶液である、ポジ型レジスト親水化処理液組成物。
- 水溶性カチオン型高分子の構成単位が1級から4級の窒素原子を含む、請求項1に記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物。
- 水溶性カチオン型高分子が、ポリジアリルジメチルアンモニウムヒドロキシドを含む重合体または共重合体、またはジメチルアミノエチルアクリレートメチルクロライドとアクリルアミドの共重合体である、請求項1または2に記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物。
- 第四級水酸化アンモニウムまたは有機アミンを含む、請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物。
- アルカリ性の水溶液が、(1)第四級水酸化アンモニウムまたは有機アミンの水溶液に水溶性カチオン型高分子を加えたもの、(2)水溶性カチオン型高分子水溶液を陰イオン交換樹脂で処理したもの、(3)水溶性カチオン型高分子水溶液を陰イオン交換樹脂で処理したものに第四級水酸化アンモニウムまたは有機アミンを加えたもの、のいずれかである、請求項1〜4のいずれかに記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物。
- アルカリ性の水溶液が、(1)ポジ型レジストの現像液に水溶性カチオン型高分子を加えたもの、(2)水溶性カチオン型高分子水溶液を陰イオン交換樹脂で処理したものにポジ型レジストの現像液を加えたもの、のいずれかである、請求項1〜5のいずれかに記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物。
- ポジ型レジストを用いた半導体デバイスの製造において、請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物をポジ型レジスト表面に対して処理し、該表面を親水化させてなる、レジスト表面処理方法。
- 電子材料基板の表面保護膜としてポジ型レジストを塗布し、該基板の周縁部を研磨してなる半導体デバイスの製造において、請求項1〜6のいずれかに記載のポジ型レジスト親水化処理液組成物を、前記ポジ型レジスト表面に対して60秒未満の処理時間で処理し、親水化させてなる、ポジ型レジスト表面処理方法。
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