JPS636548A - ポジ型フオトレジストの現像前処理剤及び現像処理方法 - Google Patents
ポジ型フオトレジストの現像前処理剤及び現像処理方法Info
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- JPS636548A JPS636548A JP14942186A JP14942186A JPS636548A JP S636548 A JPS636548 A JP S636548A JP 14942186 A JP14942186 A JP 14942186A JP 14942186 A JP14942186 A JP 14942186A JP S636548 A JPS636548 A JP S636548A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/18—Diazo-type processes, e.g. thermal development, or agents therefor
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は１．１′？’、；型フォトレジストの現像前処
理剤゛に関するものであシ、さらに、該現像前処理剤で
処理した後現像処理を行う、＋？ポジ型フォトレジスト
現像処理方法に関する。
理剤゛に関するものであシ、さらに、該現像前処理剤で
処理した後現像処理を行う、＋？ポジ型フォトレジスト
現像処理方法に関する。
本発明の現像前処理剤は、特に、半導体装置製造の微細
加工プロセスにおけるポジ型フォトレジストの現像前処
理剤として有用である。
加工プロセスにおけるポジ型フォトレジストの現像前処
理剤として有用である。
近来、半導体素子の高集積化と共に微細・ぐターンの形
成に用いられるレジスト材料も、その主流がネガ型フォ
トレジストから、よシ解像力の優れた。１′？シ型フオ
トレジストへと移行して来ている。
成に用いられるレジスト材料も、その主流がネガ型フォ
トレジストから、よシ解像力の優れた。１′？シ型フオ
トレジストへと移行して来ている。
ポリ型フォトレジストに対する要望としては、１）高感
度であること ２）未露光部の膜減シが少ないこと（高コントラスト） ３）耐熱性の良いこと ４）基板への接着性の良いこと ５）高解像度であること 等、があげられ、通常は、高コントラストのものが解像
力に優れている。
度であること ２）未露光部の膜減シが少ないこと（高コントラスト） ３）耐熱性の良いこと ４）基板への接着性の良いこと ５）高解像度であること 等、があげられ、通常は、高コントラストのものが解像
力に優れている。
ポジ型フォトレジストの現状をみると、その未露光部は
、現像時、現像液に溶解し、通常、数百オングストロー
ムから千数百オンダストロ−ム程度の膜減シを生ずる。
、現像時、現像液に溶解し、通常、数百オングストロー
ムから千数百オンダストロ−ム程度の膜減シを生ずる。
したがって、この未露光部の膜減りをできるだけ抑える
ための技術手段の出現が特に要望されている。未露光部
の膜減シが解像力を低下させる原因のひとつと考えられ
、１μｍ以下の解像力が要求されるＩＭｂｉｔメモリー
以上の高集積度の半導体素子の製造へのポジ型フォトレ
ジストの適用を困難にしていることから見て、この要望
は切実なものである。
ための技術手段の出現が特に要望されている。未露光部
の膜減シが解像力を低下させる原因のひとつと考えられ
、１μｍ以下の解像力が要求されるＩＭｂｉｔメモリー
以上の高集積度の半導体素子の製造へのポジ型フォトレ
ジストの適用を困難にしていることから見て、この要望
は切実なものである。
−方、ポジ型フォトレジストより解像力の優れたレジス
ト材料としては電子線レジスト、Ｘ線レジスト等がある
が、価格、スループット等の問題があり、その使用は限
られている。そこで１．＋？ポジ型フォトレジスト欠点
である未露光部の膜減シを抑え、コントラストを向上さ
せることは解決されるべき技術的課題の一つとされてい
た。
ト材料としては電子線レジスト、Ｘ線レジスト等がある
が、価格、スループット等の問題があり、その使用は限
られている。そこで１．＋？ポジ型フォトレジスト欠点
である未露光部の膜減シを抑え、コントラストを向上さ
せることは解決されるべき技術的課題の一つとされてい
た。
本発明者は、前記の技術的課題につき種々研究を行った
結果、本発明により、ポジ型フォトレジストの現像時の
未露光部の膜減りを抑え、コントラストを向上させるこ
とに成功した。
結果、本発明により、ポジ型フォトレジストの現像時の
未露光部の膜減りを抑え、コントラストを向上させるこ
とに成功した。
すなわち、前記の技術的課題は、本発明による。＋？ポ
ジ型フォトレジスト現像前処理剤により解決され、また
、その処理剤を用いて現像前処理を行った後４）型フォ
トレジストを現像することからなる現像処理方法によシ
解決される。
ジ型フォトレジスト現像前処理剤により解決され、また
、その処理剤を用いて現像前処理を行った後４）型フォ
トレジストを現像することからなる現像処理方法によシ
解決される。
本発明者らはポジ型フォトレジストを露光シた後、第４
級アンモニウム型の陽イオン界面活性剤を含有せしめた
塩基性水溶液に浸漬し、次いで、通常の現像液で現像を
行うと、感度等の他の特性に影響を及ぼすことなく、ポ
ジ型フォトレジストの未露光部の膜減ｊを抑え得ること
を見出した。
級アンモニウム型の陽イオン界面活性剤を含有せしめた
塩基性水溶液に浸漬し、次いで、通常の現像液で現像を
行うと、感度等の他の特性に影響を及ぼすことなく、ポ
ジ型フォトレジストの未露光部の膜減ｊを抑え得ること
を見出した。
したがって、本発明は、第４級アンモニウム型陽イオン
界面活性剤を含有せしめた塩基性水溶液からなる。１′
？ジ型フオトレジストの現像前処理剤を提供するもので
ある。
界面活性剤を含有せしめた塩基性水溶液からなる。１′
？ジ型フオトレジストの現像前処理剤を提供するもので
ある。
本発明は、また、ポジ型フォトレジスＩｆ現像する前に
、上記の現像前処理剤で処理し、次いで現像することを
特徴とする。＋？ポジ型フォトレジスト現像処理方法を
提供するものである。
、上記の現像前処理剤で処理し、次いで現像することを
特徴とする。＋？ポジ型フォトレジスト現像処理方法を
提供するものである。
ここで言うポジ型フォトレジストとは、感光剤トシて、
０−キノンジアジド化合物、ペースレジンとしてノボラ
ック樹脂あるいはｐ−ヒドロキシポリスチレン等のアル
カリ可溶性ポリマーを用いたレジストであ−る。
０−キノンジアジド化合物、ペースレジンとしてノボラ
ック樹脂あるいはｐ−ヒドロキシポリスチレン等のアル
カリ可溶性ポリマーを用いたレジストであ−る。
本発明を以下に詳細に説明する。
本発明における上記の第４級アンモニウム型陽イオン界
面活性剤としては、下記−般式（Ｉ）〜■で示される化
合物があげられる。
面活性剤としては、下記−般式（Ｉ）〜■で示される化
合物があげられる。
具体的な化合物を例示すると一般式（１）のものとして
はドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサ
デシルトリメチルアンモニウムクロライＰ等があり、−
般式（川のものとしてはテトラデシルジメチルベンジル
アンモニウムクロライド、ヘキサデシルジメチルベンジ
ルアンモニウムクロライド等があり、−般式（２）のも
のとしてはドデシルピリジニウムクロライド、ヘキサデ
シルピリジニウムクロライド等があり、−般式（５）の
ものとしては、テトラデシルジメチル（３−１リメトキ
シシリルプロビル）アンモニウムクロライド、オクタデ
シルジメチル（３−トリメトキシシリルプロピル）アン
モニウムクロライド等がある。
はドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ヘキサ
デシルトリメチルアンモニウムクロライＰ等があり、−
般式（川のものとしてはテトラデシルジメチルベンジル
アンモニウムクロライド、ヘキサデシルジメチルベンジ
ルアンモニウムクロライド等があり、−般式（２）のも
のとしてはドデシルピリジニウムクロライド、ヘキサデ
シルピリジニウムクロライド等があり、−般式（５）の
ものとしては、テトラデシルジメチル（３−１リメトキ
シシリルプロビル）アンモニウムクロライド、オクタデ
シルジメチル（３−トリメトキシシリルプロピル）アン
モニウムクロライド等がある。
使用する上記の陽イオン界面活性剤の濃度はＩ Ｘ １
０−’〜ｌＸｌ０−２モル／１１特に好ましくは、Ｉ
Ｘ ｌｏ−５〜５ Ｘ １０−” モル／ ｔテある。
０−’〜ｌＸｌ０−２モル／１１特に好ましくは、Ｉ
Ｘ ｌｏ−５〜５ Ｘ １０−” モル／ ｔテある。
上記の陽イオン界面活性剤を含有せしめた水溶液を塩基
性に調整するために使用する塩基性物質としては、半導
体製造用に用いる場合を考慮すると、その場合は、金属
イオンを含有しないものが好ましく、したがって有機塩
基例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ト
リメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウム等の第４級
アンモニウム水酸化が使用される。その使用濃度は、適
用するレジストにもよるが、水酸化テトラメチルアンモ
ニウムでは０．１〜１．０重ｉ１％水酸化トリメチル（
ヒドロキシエチル）アンモニウムでは０．１〜２．５重
量％程度で用いることが好ましい。
性に調整するために使用する塩基性物質としては、半導
体製造用に用いる場合を考慮すると、その場合は、金属
イオンを含有しないものが好ましく、したがって有機塩
基例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化ト
リメチル（ヒドロキシエチル）アンモニウム等の第４級
アンモニウム水酸化が使用される。その使用濃度は、適
用するレジストにもよるが、水酸化テトラメチルアンモ
ニウムでは０．１〜１．０重ｉ１％水酸化トリメチル（
ヒドロキシエチル）アンモニウムでは０．１〜２．５重
量％程度で用いることが好ましい。
かくして調製した現像前処理液により、ポジ型フォトレ
ジストを現像前に処理するが、この処理液のレジストに
対する濡れ性を向上させるためＫ、これに、非イオン界
面活性剤を加えてもよい。上記の処理剤による処理時間
は、通常は、１０〜６０秒が好ましい。
ジストを現像前に処理するが、この処理液のレジストに
対する濡れ性を向上させるためＫ、これに、非イオン界
面活性剤を加えてもよい。上記の処理剤による処理時間
は、通常は、１０〜６０秒が好ましい。
上記の処理は、通常、処理剤中にレジスト塗布した基板
を浸漬することやあるいは、処理剤をレジスト塗布した
基板のレジスト面上に、スプレー、シャワーすることに
より行う。
を浸漬することやあるいは、処理剤をレジスト塗布した
基板のレジスト面上に、スプレー、シャワーすることに
より行う。
本発明の現像前処理剤で処理したポジ型フォトレジスト
においては未露光部の膜減りを、従来よりも著しく減少
させ、高コントラストのポジ型フォトレジストの／Ｑタ
ーンを得ることができる。
においては未露光部の膜減りを、従来よりも著しく減少
させ、高コントラストのポジ型フォトレジストの／Ｑタ
ーンを得ることができる。
以下に本発明の実施例を比較例とともに示す。
比較例１
シリコンウェハにポジ型フオトレジス） ０ＦＰＲ−８
００（東京応化層）を膜厚１．５μｍでスピンコードし
、（イ）℃、１０分オーブン中でＲ−キングを行った。
００（東京応化層）を膜厚１．５μｍでスピンコードし
、（イ）℃、１０分オーブン中でＲ−キングを行った。
次にマスクアライナ−ＰＬＡ−５０１Ｆ’ （キャノン
製）で露光を４秒間行い、ＴＭＫ −１２（関東化学製
ポジ型フォトレジスト用現像液）で５℃、３０秒現像を
行った。この時の未露光部の膜減りを測定したところ、
１６００Ｘであった。
製）で露光を４秒間行い、ＴＭＫ −１２（関東化学製
ポジ型フォトレジスト用現像液）で５℃、３０秒現像を
行った。この時の未露光部の膜減りを測定したところ、
１６００Ｘであった。
比較例２
比較例１と同様に露光した試料をヘキサデシルトリメチ
ルアンモニウムクロライｐ ２．５ Ｘｌ０−’モル／
ｌの水溶液中に５℃、加秒間浸漬した。
ルアンモニウムクロライｐ ２．５ Ｘｌ０−’モル／
ｌの水溶液中に５℃、加秒間浸漬した。
次にＴＭＫ −１２で比較例１と同一条件で現像を行っ
た。この時の未露光部の膜減りを測定したところ１６０
０Ｘであった。
た。この時の未露光部の膜減りを測定したところ１６０
０Ｘであった。
実施例１
比較例と同様に露光した試料を下記のとおりの組成の処
理剤Ａ中に２５’Ｃ，３０秒浸漬した。次いで、ＴＭＫ
−１２で比較例と同一条件で現像を行った。同様に未
露光部の膜減りを測定したところ１００Ａであった。
理剤Ａ中に２５’Ｃ，３０秒浸漬した。次いで、ＴＭＫ
−１２で比較例と同一条件で現像を行った。同様に未
露光部の膜減りを測定したところ１００Ａであった。
処理剤Ａ
水酸化トリメチル（ヒドロキシ
エチル）アンモニウム ２．０重ｉ％テトラ
デシルジメチル（３−ト の水溶液（ｐＨ１３，２） 実施例２ 実施例１の処理剤Ａを用い浸漬時間を１０秒とした他は
実施例１と同様に行ない未露光部の膜減シ量を測定した
。その結果を表に示す。
デシルジメチル（３−ト の水溶液（ｐＨ１３，２） 実施例２ 実施例１の処理剤Ａを用い浸漬時間を１０秒とした他は
実施例１と同様に行ない未露光部の膜減シ量を測定した
。その結果を表に示す。
実施例３
実施例１の処理剤Ａを用い浸漬時間をω秒とした他は実
施例１と同様に行ない未露光部の膜減り量を測定した。
施例１と同様に行ない未露光部の膜減り量を測定した。
その結果を表に示す。
実施例４
実施例１の処理剤Ａの代りに処理剤Ｂを用いた他は実施
例１と同様に操作を行ない、未露光部の膜減り量を測定
した。その結果を表に示す。
例１と同様に操作を行ない、未露光部の膜減り量を測定
した。その結果を表に示す。
処理剤Ｂ
水酸化テトラメチルアンモニウム １．０重ｆ［％ヘ
キサデシルトリメチルアンモ ニウムクロライド ２．５Ｘ１０−’モ
ル／ｌの水溶液（＋）ｆ（１３，３） 実施例５ 実施例１の処理剤Ａの代わシに処理剤Ｃを用いた他は、
実施例１と同様にして操作を行ない未露光部の膜減シ量
を測定した。その結果を表に示す。
キサデシルトリメチルアンモ ニウムクロライド ２．５Ｘ１０−’モ
ル／ｌの水溶液（＋）ｆ（１３，３） 実施例５ 実施例１の処理剤Ａの代わシに処理剤Ｃを用いた他は、
実施例１と同様にして操作を行ない未露光部の膜減シ量
を測定した。その結果を表に示す。
処理剤Ｃ
水酸化テトラメチルアンモニウム １．０重ＪＬ％の
水溶液（ＰＨ１３，３） 実施例６ 実施例１の処理剤Ａの代りに処理剤りを用いた他は実施
例１と同様にして操作を行い未露光部の膜減シを調べた
。その結果を表に示す。
水溶液（ＰＨ１３，３） 実施例６ 実施例１の処理剤Ａの代りに処理剤りを用いた他は実施
例１と同様にして操作を行い未露光部の膜減シを調べた
。その結果を表に示す。
処理剤り
水酸化テトラメチルアンモニウム １．０重量％の水
溶液（ｐＨ＋３．３） 試験例 塩基性水溶液の声と未露光部の膜減りについて、以下の
如き試験を行った。下記の各ｐＨの水溶液を調製し、そ
れにヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライｐ２
．５Ｘ１０−’モル／ ｔ ｔ 添加し、５℃、Ｉ秒間
浸漬後’ｒＭＫ−１２ｆ２５°Ｃ，３０秒現像を行った
。この時の未露光部の膜減シを測定した結果を次に示す
。
溶液（ｐＨ＋３．３） 試験例 塩基性水溶液の声と未露光部の膜減りについて、以下の
如き試験を行った。下記の各ｐＨの水溶液を調製し、そ
れにヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライｐ２
．５Ｘ１０−’モル／ ｔ ｔ 添加し、５℃、Ｉ秒間
浸漬後’ｒＭＫ−１２ｆ２５°Ｃ，３０秒現像を行った
。この時の未露光部の膜減シを測定した結果を次に示す
。
−未露光部膜減り
７ １６００Ａ
この試験例の結果においては、ｐＨ１０以下では効果は
なく、少なくともｐＨ１０以上で好ましい結果が得られ
、特に、ｐＨ１２以上では最も好ましい結果が、得られ
ている。
なく、少なくともｐＨ１０以上で好ましい結果が得られ
、特に、ｐＨ１２以上では最も好ましい結果が、得られ
ている。
Claims (2)
- （１）第４級アンモニウム型陽イオン界面活性剤を含有
せしめた塩基性水溶液からなるポジ型フォトレジストの
現像前処理剤。 - （２）ポジ型フォトレジストを、現像する前に、第４級
アンモニウム型陽イオン界面活性剤を含有せしめた塩基
性水溶液からなる処理剤で処理し、次いで現像すること
を特徴とするポジ型フォトレジストの現像処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14942186A JPS636548A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ポジ型フオトレジストの現像前処理剤及び現像処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14942186A JPS636548A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ポジ型フオトレジストの現像前処理剤及び現像処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS636548A true JPS636548A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15474742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14942186A Pending JPS636548A (ja) | 1986-06-27 | 1986-06-27 | ポジ型フオトレジストの現像前処理剤及び現像処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS636548A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472127B1 (en) | 1999-07-12 | 2002-10-29 | Nec Corporation | Method of forming a photoresist pattern |
| WO2008018580A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition liquide de traitement de résine photosensible positive et développeur liquide |
-
1986
- 1986-06-27 JP JP14942186A patent/JPS636548A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6472127B1 (en) | 1999-07-12 | 2002-10-29 | Nec Corporation | Method of forming a photoresist pattern |
| WO2008018580A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Composition liquide de traitement de résine photosensible positive et développeur liquide |
| US8323880B2 (en) | 2006-08-10 | 2012-12-04 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Positive resist processing liquid composition and liquid developer |
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