JP4564489B2 - レジストパターン形成方法及びリンス液セット - Google Patents
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Description
本発明方法には、基板上にホトレジスト層を形成させる工程が含まれるが、この基板としては、通常半導体デバイスの基板として慣用されているもの、例えば、ケイ素、ゲルマニウム及びそれらの合金を用いることができる。
Rf1−Y (II)
(式中のRf1は、酸素原子又は窒素原子或いはその両方を含んでいてもよい環状又は鎖状炭化水素中の全部又は一部の水素原子がフッ素原子により置換された基であり、Yはカルボン酸又はスルホン酸残基である)
で表わされるフッ素化合物である。
CmF2m+1COOH (III)
又は
CmF2m+1SO3H (IV)
(式中のmは10〜15の整数である)、
で表されるフッ素化合物である。
(CnF2n+1SO2)2NH (V)
(式中のnは1〜5の整数である)、
又は
で表わされるフッ素化合物である。
シリコンウェーハ上に反射防止膜剤[ブリューワ(Brewer)社製、製品名「ARC29A」]を塗布し、215℃にて60秒間加熱処理して、膜厚77nmの反射防止膜を形成した。この反射防止膜上にポジ型レジスト(東京応化工業社製、製品名「TARF−P6111」)を塗布し、膜厚460nmのホトレジスト膜を形成した。
このリンス処理は、下記表1及び表2に示した第一処理液を500回転で3秒間滴下することによって行った。次いで、純水による20秒間のリンスを行い、その後、表1及び表2に示した第二処理液を500回転で3秒間滴下した。
実施例1と同様にして現像処理を行ったのち、第一リンス処理を行わない接触角60°のレジストパターン表面を第二リンス液EF−N331又はPFMO3で処理したところ、接触角はいずれも62°であり、ほとんど変化は認められなかった。
シリコンウェーハ上に反射防止膜剤(ブリューワ社製、製品名「ARC29A」)を塗布し、215℃にて60秒間加熱処理して、膜厚77nmの反射防止膜を形成した。
この反射防止膜上にポジ型レジスト(東京応化工業製、製品名「TARF−P6111」)を塗布し、膜厚460nmのホトレジスト膜を形成した。
このホトレジスト膜が形成された基板に対して、ArFエキシマステッパー(ニコン社製、製品名「NSR−S302A」)を用いて、波長193nmの露光光をもって露光処理をおこない、ついで130℃にて90秒加熱処理した。
このリンス処理は、表3に示した第一処理液を500回転で3秒間滴下することによって行った。ついで、純水による20秒間のリンスを行い、その後、表3に示した第二処理液を500回転で3秒間滴下した。
上記の実施例25ないし27において、本発明リンス処理を行わず、純水によるリンスのみを行った以外は、全く同様の操作をおこないパターン形成をおこなった。得られたパターンをSEMにて観察したところ、パターン倒れが発生していた。
Claims (11)
- 基板上に設けたホトレジスト層に像形成露光を施したのち、現像処理してレジストパターンを形成する方法において、現像処理後、レジストパターン表面上の水に対する接触角を40度以下に低下させる処理及び続いて70度以上に上昇させる処理を行ったのち、乾燥することを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 接触角を40度以下に低下させる処理と70度以上に上昇させる処理のいずれかの処理後に純水によるリンス処理を行う請求項1記載のレジストパターン形成方法。
- 基板上に設けたホトレジスト層に像形成露光を施したのち、現像処理してレジストパターンを形成する方法において、現像処理後、レジストパターン表面が乾燥しない間に、先ず窒素原子をもつ水溶性樹脂の溶液に接触させ、次いでこの水溶性樹脂とコンプレックスを形成する官能基をもつ水溶性又はアルコール系溶剤可溶性のフッ素化合物の溶液と接触させたのち、乾燥することを特徴とするレジストパターン形成方法。
- 窒素原子をもつ水溶性樹脂が含窒素複素環基をもつ水溶性樹脂である請求項3記載のレジストパターン形成方法。
- 第一処理液中の含窒素複素環基をもつ単量体単位が、ビニルイミダゾール単位、ビニルイミダゾリン単位及びビニルピロリドン単位から選ばれる少なくとも1種の単量体単位である請求項5記載のリンス液セット。
- 第二処理液中の水溶性又はアルコール系溶剤可溶性のフッ素化合物が、一般式
Rf1−Y
(式中のRf1は、酸素原子又は窒素原子或いはその両方を含んでいてもよい環状又は鎖状炭化水素中の全部又は一部の水素原子がフッ素原子により置換された基であり、Yはカルボン酸又はスルホン酸残基である)、
(CnF2n+1SO2)2NH
(式中のnは1〜5の整数である)、
又は
で表わされるフッ素化合物である請求項5又は6記載のリンス液セット。 - 一般式Rf1−Yで表されるフッ素化合物が一般式
CmF2m+1COOH
又は
CmF2m+1SO3H
(式中のmは10〜15の整数である)
で表されるフッ素化合物である請求項7記載のリンス液セット。 - 第二処理液中のフッ素化合物濃度が1質量%を超えない請求項5ないし10のいずれかに記載のリンス液セット。
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