CN1947065B - 抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液 - Google Patents

抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液 Download PDF

Info

Publication number
CN1947065B
CN1947065B CN2005800126850A CN200580012685A CN1947065B CN 1947065 B CN1947065 B CN 1947065B CN 2005800126850 A CN2005800126850 A CN 2005800126850A CN 200580012685 A CN200580012685 A CN 200580012685A CN 1947065 B CN1947065 B CN 1947065B
Authority
CN
China
Prior art keywords
treating fluid
fluorine compounds
corrosion
rinse agent
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2005800126850A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1947065A (zh
Inventor
越山淳
胁屋和正
金子文武
宫本敦史
田岛秀和
泽田佳宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Publication of CN1947065A publication Critical patent/CN1947065A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1947065B publication Critical patent/CN1947065B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

提供基于与目前防止图案崩溃的方法完全不同的原理的冲洗处理，不损害需要形成的图案的物性，制造高品质的制品的方法，该方法是对设置于基板上的光致抗蚀剂层实施成像曝光后，进行显影处理形成抗蚀图案的方法，其中，在显影处理后，对抗蚀图案表面上的接触液，进行使接触角降低为40度以下的处理，以及随后的使其上升为70度以上的处理后，进行干燥，形成抗蚀图案的方法。

Description

抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液
技术领域
本发明涉及一种在高长径比(アスペクト比)的细微图案显影时图案不会崩溃(倒れ)的抗蚀图案形成方法以及使用于其的复合冲洗液。
背景技术
近年，半导体器件的小型化、集成化的同时，使用g线、i线这样的紫外光、KrF、ArF以及F2这样的准分子激光、EB、EUV等电子射线等作为该细微加工用光源，以及适合其的光致抗蚀剂组成物，例如化学放大型光致抗蚀剂组成物的开发也随之进展，在该方面的光刻技术上大多的课题已被解决。
此外，以光刻技术形成细微抗蚀图案，特别是形成高长径比的图案时所产生的问题之一是图案崩溃的情况。该图案崩溃是这样一种现象：在基板上形成多个的并列状图案时，邻接的图案彼此互相依靠般接近，有时图案会从基部折损或者剥离。产生这样的图案崩溃时，不能得到所期望的制品，因此引起制品的成品率、可靠性降低。
但是，该图案崩溃的原因已经探明(“日本应用物理期刊(Jpn.Appl.Phys.)”第32卷、1993年、第6059～6064页)，发现在抗蚀图案显影后的冲洗处理中，冲洗液干燥时，由于该冲洗液的表面张力而产生。
所以，抗蚀图案浸渍于冲洗液中时，即在显影后的冲洗处理中，虽然没有产生崩溃图案的力，但在干燥过程中除去冲洗液时，在抗蚀图案之间，基于冲洗液的表面张力的应力发挥作用，产生抗蚀图案崩溃。
因此，理论上使用表面张力小，即接触角大的冲洗液时，由于可以防止图案崩溃，因此，迄今为止，大多尝试在冲洗液中添加使表面张力降低或使接触角变大的化合物，以防止图案崩溃。
提出了以下方案，例如，使用添加了异丙醇的冲洗液(JP6-163391A)；使用异丙醇以及水、或异丙醇和氟化乙烯化合物这样的混合物作为冲洗液，将显影后的抗蚀剂表面与冲洗液的接触角调整为60～120度的范围的方法(JP5-299336A)；使用以下冲洗剂的方法，所述冲洗剂是对使用酚醛清漆树脂或羟基聚苯乙烯树脂作为抗蚀剂材料的母材的抗蚀剂中，添加醇类、酮类或羧酸类，从而使表面张力调整为30～50达因/厘米的范围的冲洗液(JP7-140674A)；在显影液与冲洗液的至少之一中添加氟类界面活性剂的方法(JP7-142349A)；包含采用水的冲洗工序、以及抗蚀剂以浸渍于水中的状态以例如全氟烷基聚醚这样的与水相比比重大、表面张力小的非水混合性液体置换后进行干燥工序的方法(JP7-226358A)；使用含有分子中有氨基、亚氨基或铵基以及碳原子数为1～20的烃基、且分子量为45～10000的含氮化合物的冲洗剂组成物(JP11-295902A)；使用包含氟化羧酸或氟化磺酸或它们的盐的组成物作为显影液的方法(JP2002-323773A)；被显影的基板经冲洗处理后以包含氢化氟醚的有机类处理液处理的方法(JP2003-178943A以及JP2003-178944A)等。
但是，这些冲洗液以及冲洗方法，任何一种都无法完全防止图案崩溃，此外，有可能损害形成的图案的物性，特别是精度，实用上未必令人满意。
发明内容
本发明的目的在于，提供基于与目前防止图案崩溃的方法完全不同的原理的冲洗处理，不损害需要形成的图案的物性，制造高品质的制品的方法以及可以适用于该方法的新的复合冲洗液。
本发明人等对在通过光刻技术形成光致抗蚀图案的方法中，防止显影时图案崩溃的方法反复专心研究的结果发现，在显影处理后，进行使膜表面上的接触角降低为40度以下的工序，以及随后的使膜表面上的接触角提高至70度以上的工序后，进行干燥，由此可不损害光致蚀刻剂本身的物性，并可以防止图案崩溃，根据该见解而完成本发明。
即，本发明提供一种抗蚀图案形成方法和复合冲洗液，所述抗蚀图案形成方法是对设置于基板上的光致抗蚀剂层实施成像曝光后，进行显影处理形成抗蚀图案的方法，其中，在显影处理后，对抗蚀图案表面上的接触液，进行使接触角降低为40度以下的处理，以及随后的使其上升至70度以上的处理后，进行干燥；所述一种复合冲洗液由包含具有含氮原子的单体单元的水溶性树脂溶液的第一处理液，以及包含含水溶性或醇类溶剂可溶性的氟化合物的第二处理液组合而构成。
然后，详细说明本发明的抗蚀图案的形成方法。
本发明的方法，包含在基板上形成光致抗蚀剂层的步骤，作为该基板，可以使用通常作为半导体器件的基板而常用的基板，例如硅、锗以及它们的合金。
设置于该基板上的光致抗蚀剂层的形成，可从以往抗蚀图案的形成所惯用的光致抗蚀剂中任意选择使用，其为正性或负性光致抗蚀剂中任一种皆可。
设置于该基板上的光致抗蚀剂层，通过掩模图案，照射如g线、i线的紫外线、如KrF、ArF以及F2的激光或者如EB以及EUV的电子射线使其成像曝光后，赋予显影处理。作为此时的显影液，可使用一般的如四甲基氢氧化铵水溶液的碱性水溶液。
在本发明中，对于这样显影的抗蚀图案，在其表面未干燥而是湿润状态期间，先使膜表面上的接触角减少为40度以下，优选30度以下。作为可以在该阶段适用的第一处理液，优选使用含氮原子的水溶性树脂的溶液。该含氮原子的水溶性树脂，可以是主干分子链中具有氮原子者，或者也可以是侧链具有氮原子者。作为主干分子链中具有氮原子的水溶性树脂，例如聚乙烯亚胺。此外，作为侧链具有氮原子的水溶性树脂，例如具有氨基或取代氨基的水溶性树脂，特别优选例如吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三唑、吡咯、吡唑、咪唑、噻唑、噁唑、咪唑啉、吡咯烷酮等含有具有含氮杂环基团的单体作为构成单元的树脂。这些树脂，在酸的存在下，环上的电荷不均，产生带正电的原子，具有在该部位与酸残基之间形成络合物的性质。
作为上述水溶性树脂，优选使用含有用通式
Figure GA20186152200580012685001D00031
(式中，R为氢原子或甲基，X为含氮杂环基团)
表示的具有含氮杂环基团的单体单元的水溶性树脂。
作为这样的通式表示的单体，特别优选选自具有乙烯基咪唑基、乙烯基咪唑啉基以及乙烯基吡咯烷酮基的单体中的至少1种。
在本发明的方法中，使用包含作为有效成分的具有含氮原子的单体单元的水溶性树脂的第一处理液，以及通式(II)表示的含有水溶性或醇类溶剂可溶性氟化合物作为有效成分的第二处理液。第一处理液的有效成分，是含有含氮原子的单体单元、以及单独形成水溶性聚合物的单体单元，例如乙烯醇、丙烯酸或甲基丙烯酸以及这些的羟基烷基酯等单体作为构成单元的共聚合物。这些的各个单体单元，可以分别单独包含，也可以包含2种以上的组合。这些共聚合物，例如来自BASF公司销售的产品名“LUVITECVPI55K72W”以及“LUVITEC VPI55K18”。再者，聚乙烯基咪唑啉是由TOSOH公司销售的。
在本发明的方法中使用的水溶性树脂中的含氮原子的单体单元以及单独形成水溶性聚合物的单体单元的比例，以质量比计选择为10∶0至1∶9，优选9∶1至2∶8的范围。若含氮原子的单体单元的比例比该范围少时，对抗蚀剂表面的吸附性能以及与氟化合物的络合物的形成能力变低，所期望的特性，即防止图案崩溃的能力变低。该共聚合物的分子量在500～500000，优选1000～200000的范围内选择。
该含氮原子的水溶性树脂，可依据通常的方法以2种或2种以上的原料单体通过溶液聚合法、悬浮聚合法共聚来制造。
在本发明的方法中，使显影处理后的抗蚀图案接触第一处理液，作为该处理液中的水溶性树脂的浓度，选择0.001～10质量％，优选0.01～3质量％的范围的浓度。在该第一处理液中的处理时间为1～30秒即充分。
通过在该第一处理液中进行处理，由于使抗蚀剂表面与水溶液的接触角降低至40度以下，更为优选30度以下，因此，显影液与水冲洗液的接触良好。并且，在需要时进行的后续的采用水的冲洗处理期间，该接触角是保持为一定的。另外，也可以得到防止显影缺陷(デイフエクト)的附带效果。
在该第一处理液中，可根据期望添加酸而调整为酸性，或添加胺化合物或氢氧化铵调整为pH8以上的碱性。添加这样的化合物可有效防止组成物历时劣化。
这样，通过降低显影后的抗蚀图案表面的接触角，可以得到减少上述缺陷的效果，即提高洗净效率的效果，另外，具体地通过使用上述水溶性树脂作为降低该接触角的方法，可以进一步提高赋予防止再附着的功能并进一步减少再析出类缺陷的效果，以及通过提高与第二处理液中使用的氟化合物的吸附作用，可以进一步提高使接触角上升的效果。
然后，这样，对以第一处理液处理过后的抗蚀图案，依需要采用纯水进行水冲洗处理，随后使膜表面上的接触角上升至70度以上，优选80度以上。在该阶段，使其接触第二处理液，所述第二处理液含有上述具有可与水溶性树脂中含有的氮原子部分形成络合物的官能团的水溶性或醇类溶剂可溶性氟化合物的溶液。作为可与第一处理液中的水溶性树脂中所含的氮原子部分形成络合物的官能团，例如羧酸基、磺酸基、磷酸基等阴离子性基团，其它阴离子性基团也可以。
作为这样的水溶性或醇类溶剂可溶性氟化合物，优选的是，用通式
Rf1-Y                      (II)
(式中的Rf1为可包含氧原子或氮原子或两者的环状或链状烃中的全部或一部分的氢原子被氟原子取代的基团，Y为羧酸或磺酸残基)表示的氟化合物。
作为该式中的Rf1，优选的是，其氢原子的一部分或全部被氟原子取代的烷基或其一部分或全部被氟原子取代的环烷基或这些基团中的碳原子的至少一个被氧原子或氮原子或两者取代者。
作为用该通式(II)表示的氟化合物，特别优选的是：
用通式
CmF2m+1COOH               (III)
或
CmF2m+1SO3H               (IV)
(式中的m为10～15的整数)
表示的氟化合物。
作为其它优选的水溶性或醇类溶剂可溶性氟化合物为用通式
(CnF2n+1SO2)2NH            (V)
(式中的n为1～5的整数)
Figure GA20186152200580012685001D00051
(式中的x为整数2或3)
或
Figure GA20186152200580012685001D00061
(式中的Rf2为氢原子的至少一部分被氟原子取代的烷基或具有羟基、烷氧基、羧基或氨基的烷基，以及，y和y’为整数2或3)表示的氟化合物。
作为这样的氟化合物的例子，可以举出，例如C10F21COOH、C11F23COOH、C10F21SO3H、C11F23SO3H、(C4F9SO2)2NH、(C3F7SO2)2NH、式
Figure GA20186152200580012685001D00062
表示的化合物、以及式
Figure GA20186152200580012685001D00063
表示的化合物等。
作为可以溶解上述氟化合物的溶剂，可以使用水或水与醇类溶剂的混合物，但由于使用水作为溶剂特别有利，因此在上述的氟化合物中，特别优选容易溶解于水的氟化合物，例如用通式(VIII)或(IX)表示的化合物。
该第二处理液是将上述的水溶性或醇类溶剂可溶性氟化合物以0.001～1.0质量％，优选0.01～0.5质量％的浓度溶解于水或水与醇类溶剂的混合物调制而成。
采用该第二处理液的抗蚀图案的处理通过在刚使用第一处理液进行处理后或用纯水冲洗处理后，使抗蚀图案与第二处理液接触1～30秒而进行。通过该处理，由于可以使抗蚀图案的表面的接触角上升至70度以上，优选80度以上，因此，通过在该状态下旋转干燥，可防止图案崩溃。采用该第二处理液进行处理后，根据期望还可以进行采用纯水的冲洗。
采用第二处理液进行抗蚀图案的处理时，可以根据期望提高第二处理液的温度。水的表面张力在24℃下为72达因/厘米，但是在80℃下降低为62.6达因/厘米，因此，通过提高温度，可以进一步减少图案崩溃。
作为使基板与第一处理液以及第二处理液接触的方法，通常使用搅拌法(パドル法)，但不限于此。
然后，根据附图说明本发明方法的作用机理。图1是示出本发明方法的各冲洗步骤中，在抗蚀图案表面上的各处理液中的树脂以及氟化合物分子的行为的模型图。
即，例如，使表面接触角75度的显影处理过的抗蚀图案接触第一处理液[图1(A)]时，第一处理液中的具有氮原子的水溶性树脂分子，将氮原子露出于外侧而附着于抗蚀图案表面[图1(B)]，其结果是，在该阶段，表面接触角降低为30度。然后，进行采用纯水的冲洗处理后，使该抗蚀图案接触第二处理液[图1(C)]时，第二处理液中的水溶性或碱可溶性氟化合物的官能团与上述氮原子形成络合物[图1(D)]，抗蚀剂表面变成强疏水性，接触角急剧增大，变成105度。
所以，在该阶段进行旋转干燥时，可以不导致图案崩溃而将水除去。
附图说明
图1是示出在本发明方法的各冲洗步骤中，在抗蚀图案表面上的各处理液中的树脂以及氟化合物分子的行为的模型图。
实施方式
下面，通过实施例说明用以实施本发明的最佳实施方式，但本发明不受这些例子的任何限制。
实施例1～24
在硅晶片上涂布防反射膜剂[Brewer公司制，制品名“ARC29A”]，在215℃下进行60秒的加热处理，形成膜厚77nm的防反射膜。在该防反射膜上涂布正性抗蚀剂(东京应化工业株式会社制，制品名“TARF-P6111”)，形成膜厚460nm的光致抗蚀剂膜。
对该形成光致抗蚀剂膜的基板，使用ArF准分子步进曝光装置(尼康公司制，制品名“NSR-S302A”)，以波长193nm的曝光光源，进行曝光处理，随后在130℃下进行90秒的加热处理。
然后，使用2.38％四甲基氢氧化铵水溶液，在23℃下进行60秒的显影处理，再进行冲洗处理。
该冲洗处理是通过在500rpm下滴加3秒下述表1以及表2所示的第一处理液进行。然后，以纯水进行20秒的冲洗后，在500rpm下滴加3秒下述表1以及表2所示的第二处理液。
使用接触角计(协和界面科学制，制品名“CA-X150”)测定各冲洗处理液后的抗蚀图案表面上的水的接触角。得到的结果示于表1、表2以及表3。
此外，表1以及表2中的“VP/VI”表示乙烯基吡咯烷酮以及乙烯基咪唑的共聚合物[()内表示质量比]，“TMAH”表示三甲基氢氧化铵水溶液，“ROB07802”表示CH3N+(C2H4OH)3OH-(日本乳化剂公司制)，“ROB07803”表示(CH3)2N+(C2H4OH)2OH-(日本乳化剂公司制)，“EF-N331”表示(C3F7SO2)2NH(JEMCO公司制)，“PFMO3”表示上述通式(IX)的化合物(JEMCO公司制)，“IPA”表示异丙醇。实施例1～24中的第一冲洗处理液以及除实施例22～24外的第二处理液，分别为各有效成分的0.1质量％水溶液以及0.005质量％水溶液。实施例22～24的第二处理液为混合溶剂中的有效成分为0.005质量％。()内表示质量比。
表1
Figure GA20186152200580012685001D00081
Figure GA20186152200580012685001D00091
表2
Figure GA20186152200580012685001D00092
比较例1、2
与实施例1同样地进行显影处理后，将不进行第一冲洗处理的接触角为60度的抗蚀图案表面用第二冲洗液EF-N331或PFMO3处理，任一者的接触角皆为62度，得知几乎没有变化。
实施例25～27
在硅晶片上涂布防反射膜剂[Brewer公司制，制品名“ARC29A”]，在215℃下进行60秒的加热处理，形成膜厚77nm的防反射膜。
在该防反射膜上涂布正性抗蚀剂(东京应化工业株式会社制，制品名“TARF-P6111”)，形成膜厚460nm的光致抗蚀剂膜。
对该形成了光致抗蚀剂膜的基板，使用ArF准分子步进曝光装置(尼康公司制，制品名“NSR-S302A”)，以波长193nm的曝光光源，进行曝光处理，随后在130℃下进行90秒的加热处理。
然后，使用2.38％的四甲基氢氧化铵水溶液，在25℃下进行60秒的显影处理，再进行冲洗处理。
该冲洗处理是通过在500rpm下滴加3秒下述表3所示的第一处理液进行。然后，以纯水进行20秒的冲洗后，在500rpm下滴加3秒下述表3所示的第二处理液。
实施例25～27中的第一处理液在0.1％的VP/VI水溶液中含有添加物而制成。另外，第二处理液是溶剂中的有效成分为0.005质量％者。()内表示质量比。
用SEM观察将通过上述处理所得的线和间隔(ライン·アンド·スペ一ス)(110nm/150nm)图案时，没有观察到该部分的图案崩溃。而且，该图案的长径比约为4.18。
表3
比较例3
在上述实施例25至27中，除不进行本发明的冲洗处理，只进行纯水的冲洗以外，进行完全相同的操作形成图案。得到的图案以SEM观察时，产生图案崩溃。
工业实用性
根据本发明，即使将所谓30～100nm的细微的线和间隔的抗蚀图案，特别是所谓3以上的高长径比的非常容易导致图案崩溃的抗蚀图案显影的情况下，图案也不会崩溃且不会损害抗蚀图案的特性地形成图案。所以，本发明在各种LSI、ULSI等的制造中是有用的。

Claims (13)

1.一种抗蚀图案形成方法，该方法是对设置于基板上的光致抗蚀剂层实施成像曝光后，进行显影处理形成抗蚀图案的方法，其中，在显影处理后，在抗蚀图案表面未干燥期间，首先使其接触包含氮原子的水溶性树脂的溶液，使抗蚀图案表面上的接触液的接触角降低为40度以下，然后接触包含与该水溶性树脂形成络合物的官能团的水溶性或醇类溶剂可溶性的氟化合物的溶液，使上述接触角上升至70度以上，再进行干燥。
2.权利要求1所述的抗蚀图案形成方法，其中，包含氮原子的水溶性树脂是含有含氮杂环基团的水溶性树脂。
3.一种复合冲洗液，该复合冲洗液由第一处理液以及第二处理液组合而构成，其中，该第一处理液包括水溶性树脂溶液，所述水溶性树脂溶液包含用通式
化学式1
表示的具有含氮杂环基团的单体单元，式中，R为氢原子或甲基，X为含氮杂环基团；该第二处理液包括含有水溶性或醇类溶剂可溶性的氟化合物的溶液，所述氟化合物具有可与水溶性树脂中含有的氮原子部分形成络合物的官能团，
第一处理液中的水溶性树脂浓度不超过10质量％，
并且，首先使用第一处理液进行处理，该第一处理液使得抗蚀图案表面上的接触液的接触角降低为40度以下，然后，采用第二处理液进行处理，该第二处理液使上述接触角上升至70度以上。
4.权利要求3所述的复合冲洗液，其中，第一处理液中的具有含氮杂环基团的单体单元是选自乙烯基咪唑单元、乙烯基咪唑啉单元以及乙烯基吡咯烷酮单元中的至少1种的单体单元。
5.权利要求3或4所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的水溶性或醇类溶剂可溶性的氟化合物是通式
Rf1-Y
表示的氟化合物，式中的Rf1为可包含氧原子或氮原子或两者的环状或链状烃中的全部或一部分的氢原子被氟原子取代的基团，Y为羧酸或磺酸残基；或
(CnF2n+1SO2)2NH
表示的氟化合物，式中的n为1～5的整数；或者是
化学式2
Figure FFW00000042928600021
表示的氟化合物，式中的x为整数2或3；或
化学式3
Figure FFW00000042928600022
表示的氟化合物，式中的Rf2为氢原子的至少一部分被氟原子取代的烷基或具有羟基、烷氧基、羧基、氨基的烷基，并且，y和y’为整数2或3。
6.权利要求5所述的复合冲洗液，其中，用通式Rf1-Y表示的氟化合物是用通式
CmF2m+1COOH
或
CmF2m+1SO3H
表示的氟化合物，式中的m为10～15的整数。
7.权利要求5所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物是
化学式4
Figure FFW00000042928600023
8.权利要求5所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物是
化学式5
9.权利要求3或4所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物浓度不超过1质量％。
10.权利要求5所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物浓度不超过1质量％。
11.权利要求6所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物浓度不超过1质量％。
12.权利要求7所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物浓度不超过1质量％。
13.权利要求8所述的复合冲洗液，其中，第二处理液中的氟化合物浓度不超过1质量％。
CN2005800126850A 2004-04-23 2005-04-20 抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液 Expired - Fee Related CN1947065B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP129097/2004 2004-04-23
JP2004129097 2004-04-23
PCT/JP2005/007505 WO2005103832A1 (ja) 2004-04-23 2005-04-20 レジストパターン形成方法及び複合リンス液

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1947065A CN1947065A (zh) 2007-04-11
CN1947065B true CN1947065B (zh) 2011-03-30

Family

ID=35197137

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005800126850A Expired - Fee Related CN1947065B (zh) 2004-04-23 2005-04-20 抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7811748B2 (zh)
EP (1) EP1752826A4 (zh)
JP (1) JP4564489B2 (zh)
KR (1) KR100858594B1 (zh)
CN (1) CN1947065B (zh)
TW (1) TWI291717B (zh)
WO (1) WO2005103832A1 (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7846637B2 (en) * 2004-04-27 2010-12-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Material for forming resist protective film for use in liquid immersion lithography process and method for forming resist pattern using the protective film
JP4368267B2 (ja) * 2004-07-30 2009-11-18 東京応化工業株式会社 レジスト保護膜形成用材料、およびこれを用いたレジストパターン形成方法
EP1804124A1 (en) * 2004-09-01 2007-07-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution composition for lithography and method for resist pattern formation
JP2009042582A (ja) * 2007-08-10 2009-02-26 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
JP5018388B2 (ja) * 2007-10-11 2012-09-05 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5537859B2 (ja) * 2009-07-31 2014-07-02 富士フイルム株式会社 化学増幅型レジスト組成物によるパターン形成用の処理液及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP5437763B2 (ja) * 2009-10-02 2014-03-12 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法及び基板処理方法
KR101993360B1 (ko) 2012-08-08 2019-06-26 삼성전자주식회사 포토 리소그래피용 린스액
KR101617169B1 (ko) * 2015-07-17 2016-05-03 영창케미칼 주식회사 포토리소그래피용 세정액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴의 형성방법
EP3472671A1 (en) * 2016-06-20 2019-04-24 AZ Electronic Materials Luxembourg S.à.r.l. A rinse composition, a method for forming resist patterns and a method for making semiconductor devices
KR20240035567A (ko) * 2021-07-15 2024-03-15 메르크 파텐트 게엠베하 전자 디바이스 제조용 수용액, 레지스트 패턴의 제조방법 및 디바이스의 제조방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5326672A (en) * 1992-04-23 1994-07-05 Sortec Corporation Resist patterns and method of forming resist patterns
US6451510B1 (en) * 2001-02-21 2002-09-17 International Business Machines Corporation Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist
CN1474962A (zh) * 2000-11-15 2004-02-11 克拉瑞特国际有限公司 形成图形的方法和在其中使用的处理剂

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4387222A (en) * 1981-01-30 1983-06-07 Minnesota Mining And Manufacturing Company Cyclic perfluoroaliphaticdisulfonimides
JP2587158B2 (ja) * 1991-10-21 1997-03-05 工業技術院長 モノヒドリル化ペルフルオロ第３級アミンの製造方法
JPH06163391A (ja) 1992-05-13 1994-06-10 Soltec:Kk レジストパターン形成方法
JPH06105683B2 (ja) 1992-04-23 1994-12-21 株式会社ソルテック レジストパターン形成方法
JPH07140674A (ja) 1993-06-17 1995-06-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> レジストリンス液、及びレジスト現像処理法
JPH07142349A (ja) * 1993-11-16 1995-06-02 Mitsubishi Electric Corp 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
JP3394310B2 (ja) 1994-02-10 2003-04-07 株式会社日立製作所 パターン形成方法
JPH07335519A (ja) * 1994-06-03 1995-12-22 Hitachi Ltd パタン形成方法
JP4027494B2 (ja) * 1998-04-07 2007-12-26 花王株式会社 リンス剤組成物
JP4200553B2 (ja) * 1998-08-28 2008-12-24 コニカミノルタホールディングス株式会社 インクジェット方式によるカラーフィルターの作製方法及びカラーフィルター
US6352818B1 (en) * 1999-09-01 2002-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist development method employing multiple photoresist developer rinse
JP2003178944A (ja) 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP2003178943A (ja) 2001-12-10 2003-06-27 Tokyo Electron Ltd 現像処理方法及び現像処理装置
JP4500987B2 (ja) * 2002-03-13 2010-07-14 独立行政法人産業技術総合研究所 フッ素系カルボン酸及びその塩の使用方法
CN1947067B (zh) * 2004-04-23 2012-05-30 东京应化工业株式会社 光刻用冲洗液
JP2006011054A (ja) * 2004-06-25 2006-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd リンス液及びこれを用いたレジストパターン形成方法
EP1804124A1 (en) * 2004-09-01 2007-07-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developing solution composition for lithography and method for resist pattern formation

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5326672A (en) * 1992-04-23 1994-07-05 Sortec Corporation Resist patterns and method of forming resist patterns
CN1474962A (zh) * 2000-11-15 2004-02-11 克拉瑞特国际有限公司 形成图形的方法和在其中使用的处理剂
US6451510B1 (en) * 2001-02-21 2002-09-17 International Business Machines Corporation Developer/rinse formulation to prevent image collapse in resist

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP特开2000-75123A 2000.03.14
JP特开平7-142349A 1995.06.02
JP特开平7-226358A 1995.08.22
同上.

Also Published As

Publication number Publication date
US7811748B2 (en) 2010-10-12
KR20070004113A (ko) 2007-01-05
TW200608157A (en) 2006-03-01
TWI291717B (en) 2007-12-21
US20070218399A1 (en) 2007-09-20
EP1752826A1 (en) 2007-02-14
CN1947065A (zh) 2007-04-11
KR100858594B1 (ko) 2008-09-17
JP4564489B2 (ja) 2010-10-20
JPWO2005103832A1 (ja) 2008-03-13
WO2005103832A1 (ja) 2005-11-03
EP1752826A4 (en) 2009-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1947065B (zh) 抗蚀图案的形成方法及复合冲洗液
CN1947066B (zh) 光刻用冲洗液
TWI313710B (en) Process solutions containing surfactants
TWI408728B (zh) 對於沈積於基板上光阻及／或抗反射犧牲材料進行後蝕刻移除之組成物及方法
TWI288777B (en) Detergent composition
KR101226533B1 (ko) 포토레지스트 잔류물 및 폴리머 잔류물 제거 조성물
TW200306348A (en) PH buffered compositions useful for cleaning residue from semiconductor substrates
US6379875B2 (en) Stripper pretreatment
WO1999015609A1 (en) Aqueous rinsing composition
KR100434491B1 (ko) 레지스트 또는 식각 부산물 제거용 조성물 및 이를 이용한레지스트 제거 방법
JP2002323773A (ja) フォトレジスト・パターンの形成方法
JP2013533631A (ja) エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤
WO2006025292A1 (ja) リソグラフィー用現像液組成物とレジストパターン形成方法
JP2002113431A (ja) 洗浄方法
CN102591160B (zh) 光刻用冲洗液
KR20100056458A (ko) 미세 패턴 형성 방법 및 피복막 형성용 재료
KR101459725B1 (ko) 포스트-에칭 포토레지스트 에칭 중합체 및 잔류물을 제거하기 위한 스트리퍼 조성물
US20050287478A1 (en) Wash composition with polymeric surfactant
KR100468714B1 (ko) 레지스트 제거용 조성물 및 이를 이용한 레지스트 제거 방법
KR102572758B1 (ko) 포토레지스트 세정액 조성물
JP4167257B2 (ja) 残留物除去用組成物
KR100745891B1 (ko) 포토레지스트 세정액 조성물
JP2005048189A (ja) 残留物除去用組成物
KR20020054887A (ko) 레지스트 제거용 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20110330

Termination date: 20200420

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee