KR20070050373A - 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물 및 이의 사용방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 조성물 총 중량에 대하여, 적어도 하나의 알칼리성 화합물 1 내지 50중량%; 적어도 하나의 디아민 화합물 0.1 내지 20중량%; 및 물 30 내지 98.9중량%를 포함하고, 12 이상의 pH를 갖는 수성 알칼리성 포토레지스트 세정 조성물에 관한 것이다. 사용되기 전에, 본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 실제 프로세스 요구에 따라 가열되거나 또는 희석될 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 유기 용매가 배제되어 있기 때문에, 일반적인 작업 환경에서 안전하게 이용될 수 있다.
포토레지스트, 알칼리성 화합물, 디아민 화합물
Description
본 발명은 반도체 집적회로(semiconductor integrated circuit) 또는 액정 디스플레이(liquid crystal display)의 포토 프로세스(photo process)에서 포토레지스트(photoresist)를 제거하는데 사용될 수 있거나, 또는 포토레지스트 코팅 디바이스(photoresist coating device) 및 디벨로퍼 파이프라인(developer pipeline)으로부터 잔류 포토레지스트를 세정하는데 사용될 수 있는, 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은 특히 액정 디스플레이의 칼라 필터 프로세스에 사용되는 칼라 포토레지스트를 처리하는데 적합하다.
반도체 및 광전자 산업에서, 다른 것들 중 특히 포토 프로세스는 가장 중요한 작업 중 하나이다. 포토 프로세스에 의해 결정되는 라인의 폭, 스테킹 모드, 및 해상도 수준은 이 분야에서의 진화를 유도한다. 광전자 산업과 관련하여, 칼라 포토레지스트는 일반적으로 먼저 포토 프로세스 동안 스핀 코팅(spin coating) 또는 비스핀 코팅(non-spin coating)에 의해 유리 기판 위에 코팅되고, 이후 소프트 베이크(soft bake), 노광 및 현상이 수행될 것이다.
과거에, 상기 산업 분야에서 포토 프로세스용 포토레지스트 세정 액체는 주로 다음의 두가지 용도로 사용되었다: (1) 포토레지스트 박리(photoresist stripping) - 노광 및 현상시, 포토레지스트는 교차 결합 반응 또는 산성화되고, 와이어 패턴(wire pattern)이 현상될 수 있도록 세정되고 제거되어야 한다; 및 (2) 식각 잔류물의 제거 또는 후-회분화 세정 - 플라즈마에 의한 식각 시, 포토레지스트는 회분화되어 기판위에 잔류하며, 세정되어야 한다.
포토 프로세스 이외에, 포토레지스트 세정 액체는 또한 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 잔류 포토레지스트를 세정하는데 사용되었다. 광전자 산업과 관련하여, 소비되는 디벨로퍼의 양은 유리 기판의 크기 증가로 인하여 증가되고 있으나, 이 산업분야에서 통상적으로 사용되는 디벨로퍼는 이들의 비용을 감소시키도록 재사용을 위하여 현상 후 재생될 수 있다. 그러나, 칼라 포토레지스트의 코팅 중에, 일부분의 포토레지스트는 유리 기판 밖으로 튀어나가고 코터(coater)에 남아 있어, 연속 대량 생산 후 포토레지스트 잔류물의 두꺼운 층이 코터의 벽에 축적될 것이다. 또한, 이러한 포토레지스트 잔류물은 디벨로퍼의 재생 시스템을 통해 디벨로퍼 파이프라인 및 배럴 배스(barrel bath)로 도입되며, 이로 인해 건조된 포토레지스트가 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인 도처에 접착되는 현상을 초래한다. 드로핑 오프(dropping off) 후, 포토레지스트 잔류 물은 디벨로퍼 파이프라인에 도입되어 필터 코어(filter core)의 효율에 영향을 줄 것이다. 만일 포토레지스트 잔류물의 드로핑-오프가 필터 코어의 뒷부분에서 일어난다면, 디벨로퍼용 출구 말단의 노즐을 추가로 차단하고, 현상 프로세스에 영향을 주며, 프로세스에서 비정상적인 현상을 초래할 것이다.
과거에 이 산업 분야에서 사용된 포토레지스트 세정용 조성물의 대부분은 작업자 및 환경에 유해한 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 에스테르(PGMEA), 사이클로헥사논, 에틸 락테이트, 메틸 이소부틸 케톤(MIBK), N-메틸 피롤리돈(NMP), 감마-부티로락톤, 및 이들의 혼합물과 같은 유기 용매를 포함한다.
예를 들면, 미국특허 제 6,440,326호에는, 테트라메틸암모늄 수산화물, 수용성 아민, 알킬피롤리돈, 및 당 또는 당 알코올을 포함하며, 상기 사용된 알킬피롤리돈은 N-메틸피롤리돈(NMP)이고 이들의 함량이 10-90중량%인 포토레지스트 제거용 조성물이 개시되어 있다.
미국특허 제 6,638,694호에는, 알코올 아민, 0.01-100중량%의 아민, 5-80중량%의 수용성 유기 용매, 5-60중량%의 물(실시예에 예시된 물의 함량은 30% 보다 전부 낮다), 및 1-35중량%의 부식 억제제를 포함하는 포토레지스트 잔류물용 세정제가 개시되어 있다.
이 산업 분야의 당업자는 작업자 및 환경에 유해한 유기 용매를 사용하지 않은 포토레지스트 세정제의 연구와 개발에 전념하여 왔다.
미국특허 제 6,635,118호에는, 알칼리 금속 수산화물 또는 테트라알킬 암모늄 수산화물, 알코올 아민, 비이온성 또는 양쪽성 계면활성제, 및 다염기성 유기산 또는 다염기성 유기산의 염을 포함하며, 포토레지스트, 폴리이미드, 및 폴리아민산과 같은 중합체 잔류물을 제거하기 위한 수성 세정 액체가 개시되어 있다.
미국특허 제 6,245,155에는, 2 내지 6의 pH를 갖고 있고, 물, 아민 또는 테트라알킬암모늄 수산화물 및 산성 하이드록실아민을 포함하는 산성 포토레지스트 세정 조성물을 사용하는 것에 의해 포토레지스트 잔류물을 제거하는 세정 방법이 개시되어 있다. 포토레지스트 세정 조성물은 오존 물 장치와 함께 사용되어야 한다.
미국특허 제 5,599,444호 및 미국특허 제 5,531,889호에는, 인쇄 배선기판(printed wireboard, PWB)으로부터 포토레지스트 입자를 제거하기 위한 장치 및 세정 방법이 개시되어 있다. 사용된 포토레지스트 세정용 조성물은 주로 일반식 (RkN)nCqRm의 유기아민(organoamine), 일반식 [NyR'w]+[A]-의 이온성 질소 화합물, 알칼리 금속 또는 알칼리토류 금속 수산화물을 포함한다. 이 명세서에 따르면, 상기 유기아민은 바람직하게는 알코올 아민 화합물이다.
이 산업 분야에서는, 단순한 조성을 가지고 있고 작업자 및 환경에 유해한 유기 용매가 배제되어 있으며, 반도체 집적회로 또는 액정 디스플레이의 포토 프로세스에 사용되는 포토레지스트를 위한 또는 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인 상의 포토레지스트 잔류물을 위한 뛰어난 해결 가능성을 갖는, 수성 포토레지스트 세정용 조성물에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명의 주 목적은, 조성물 총 중량에 대하여, 적어도 하나의 알칼리성 화합물 1 내지 50중량%; 적어도 하나의 디아민 화합물 0.1 내지 20중량%; 및 물 30 내지 98.9중량%를 포함하고, 12 이상의 pH를 갖는 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은, 칼라 포토레지스트 필름을 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정 조성물과 접촉시키는 것에 의해 유리 기판으로부터 칼라 포토레지스트 필름을 제거하는 단계를 포함하는, 액정 디스플레이용 칼라 필터를 제조하기 위한 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인을 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물과 접촉시키는 것에 의해 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 칼라 포토레지스트 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는, 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 칼라 포토레지스트 잔류물을 세정하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은, 조성물 총 중량에 대하여, 적어도 하나의 알칼리성 화합물 1 내지 50중량%; 적어도 하나의 디아민 화합물 0.1 내지 20중량%; 및 물 30 내지 98.9중량%를 포함하고, 12 이상, 바람직하 게는 13 이상의 pH를 갖는다.
본 발명에서 사용된 알칼리성 화합물은 무기 염기 또는 유기 염기이고, 상기 무기 염기는 바람직하게는 수산화 나트륨 또는 수산화 칼륨 또는 이들의 혼합물과 같은 알칼리 금속 수산화 화합물로부터 선택되며, 상기 유기 염기는 바람직하게는 하기 화학식 1의 4차 암모늄 수산화 화합물로부터 선택된다:
상기에서 R1, R2, R3, 및 R4는 동일하거나 다를 수 있고, 각각은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 알킬 또는 하이드록시알킬이다. 보다 바람직하게는, 상기 유기 염기는 테트라메틸 암모늄 수산화물이다.
본 발명에서 사용된 알칼리성 화합물의 함량은, 조성물 총 중량에 대하여 1 내지 50중량%, 바람직하게는 10 내지 50중량%, 보다 바람직하게는 20 내지 50중량%의 범위이다.
본 발명에서 사용된 디아민 화합물은, 바람직하게는 에틸렌 디아민, 프로필 렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 펜타메틸렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민, 페닐렌 디아민, 디에틸렌 디아민, 트리에틸렌 디아민, 및 테트라에틸렌 디아민, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이중 에틸렌 디아민, 디에틸렌 디아민 및 이들의 혼합물이 보다 바람직하다. 본 발명에서 사용된 디아민 화합물의 함량은, 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 20중량%, 바람직하게는 1 내지 10중량%, 보다 바람직하게는 1 내지 5중량%의 범위이다.
본 발명에서 사용된 물은 바람직하게는 탈이온수이고, 이의 함량은 조성물 총 중량에 대하여 30 내지 98.9중량%, 바람직하게는 40 내지 89중량%, 보다 바람직하게는 45 내지 79중량%의 범위이다.
세정용 조성물의 표면 장력이 40mN/m 이하가 되도록 본 발명의 세정용 조성물은 선택적으로 적어도 하나의 계면활성제를 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 3중량% 포함할 수 있다. 상기 계면활성제를 첨가하는 것에 의하여, 상기 세정 조성물의 젖음성(wetting property)이 증가할 수 있고, 이의 표면 장력은 감소하여 포토레지스트 박리 효과를 향상시킬 수 있다. 본 발명에 적절한 계면활성제는 특별한 제한 없이, 음이온성, 양이온성, 또는 비이온성 계면활성제일 수 있다.
본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은, 반도체 집적회로 또는 액정 디스플레이의 포토 프로세스에서 사용된 포토레지스트, 또는 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인내 포토레지스트 잔류물에 대한 뛰어난 해결 가능성을 갖고 있다. 따라서, 포토레지스트를 제거하기 위한 포토 프로세스에 사용될 수 있고, 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 포토레지스트 잔류물을 세정하는데 사용될 수 있다.
바람직한 태양에 따르면, 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은 액정 디스플레이의 칼라 필터용으로 사용된 칼라 포토레지스트를 처리하는데 특히 적합하다.
따라서, 본 발명은 칼라 포토레지스트 필름을 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물과 접촉시키는 것에 의해 유리 기판 상의 칼라 포토레지스트 필름을 제거하는 단계를 포함하는, 액정 디스플레이용 칼라 필터를 제조하기 위한 방법을 추가로 제공한다.
본 발명은 또한 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인을 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물과 접촉시키는 것에 의해 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 칼라 포토레지스트 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는, 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 칼라 포토레지스트 잔류물을 세정하는 방법을 제공한다.
본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은 정상 온도에서 직접 사용될 수 있고, 또는 실제 프로세스 필요에 따라 초순수 물로 희석된 후 사용될 수 있다. 또한, 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은 작업자 및 환경에 유해한 유기 용매가 배제되어 있기 때문에, 일반적인 작업 환경에서 안전하게 이용될 수 있다. 프로세스 필요성으로 인하여 용해 효과를 향상시키도록 온도를 증가할 때조차, 실험자는 가열로부터 초래되는 어떠한 가능한 유해성에 대하여 걱정할 필요가 없다. 또한, 제조 과정에서 발생하는 폐수는, 유기 용매에 대 한 추가적인 폐수 처리를 수행할 필요없이, pH 값을 중성화시키고 이후 일반적으로 사용되는 폐수 처리를 이용하는 것에 의해 간단하게 처리될 수 있다.
하기 실시예는 본 발명을 추가적으로 예시할 것이며 본 발명의 범위를 제한하려는 것은 아니다. 당업자에 의해 용이하게 수행될 수 있는 임의의 변경 및 변화는 본 발명의 범위 내에서 모두 예상된다.
<실시예 1>
작업 방법
하기 표에 나타낸 바와 같은 조성을 갖는 세정 액체 조성물 각 50ml 및 0.06g의 포토레지스트 중합체를 실온에서 혼합하였다. 포토레지스트 중합체를 1㎟이하로 용해시키기 위해 필요한 시간을 관찰하였다.
관찰 결과
표 1의 결과는, 알카리성 화합물 만을 첨가하였을 때는 단시간 내에 칼라 포토레지스트 중합체를 1㎟ 이하로 효과적으로 용해시킬 수 없음을 보여준다.
| 세정 액체 조성물, 50ml | 포토레지스트 용해 시간 | ||||
| 퍼센트 | 레드 포토레지스트 | 그린 포토레지스트 | 블루 포토레지스트 | ||
| 조성물 1 | 수산화 칼륨 | 20% | 314분 | 300분, 완전하게 용해되지 않음 | 132분 |
| 조성물 2 | 수산화 칼륨 | 20% | 120분, 완전하게 용해되지 않음 | 109분 | 40분 |
| 수산화 나트륨 | 3% | ||||
표 2의 결과는, 알칼리성 화합물 이외에 계면활성제(BYK-Chemie GmbH, Germany; BYK-380N)의 첨가가 칼라 포토레지스트 중합체의 용해 시간을 추가적으로 감소시킬 수 있지만, 필요한 포토레지스트 용해 시간은 여전히 너무 길다는 것을 보여준다. 이는 계면활성제를 첨가하는 목적이 용해 효과를 향상시키는 것에 있기 보다, 표면 장력을 감소시키고 젖음성을 증가시켜서 파이프라인 벽으로부터 포토레지스트 박리의 효과를 증가시키는 것에 있기 때문이다. 표 2 및 표 3의 비교로부터, 칼라 포토레지스트의 용해 시간은 디아민 화합물이 조성물에 추가적으로 첨가될 때만 상당하게 감소될 수 있음을 확인할 수 있다.
| 세정 액체 조성물, 50ml | 포토레지스트 용해 시간 | ||||
| 퍼센트 | 레드 포토레지스트 | 그린 포토레지스트 | 블루 포토레지스트 | ||
| 조성물 3 | 수산화 칼륨 | 20% | 120분 | 180분 | 45분 |
| 수산화 나트륨 | 2% | ||||
| BYK-380N | 2% | ||||
| 세정 액체 조성물, 50ml | 포토레지스트 용해 시간 | ||||
| 퍼센트 | 레드 포토레지스트 | 그린 포토레지스트 | 블루 포토레지스트 | ||
| 조성물 4 | 수산화 칼륨 | 20% | 55분 | 15분 | 23분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||
| 에틸렌 디아민 | 5% | ||||
| BYK-380N | 2% | ||||
| 조성물 5 | 수산화 칼륨 | 30% | 60분 | 19분 | 29분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||
| 디에틸렌 디아민 | 2% | ||||
| BYK-380N | 2% | ||||
| 조성물 6 | 수산화 칼륨 | 40% | 31분 | 21분 | 24분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||
| 에틸렌 디아민 | 2% | ||||
| BYK-380N | 0.4% | ||||
<실시예 2>
작업 방법
하기 표에 나타낸 바와 같은 조성을 갖는 세정 액체 조성물을 상이한 희석비율로 탈이온수로 희석하였다. 다른 희석 비를 갖는 각 세정 액체 조성물 50ml 및 0.06g의 포토레지스트 중합체를 35℃에서 혼합하였다. 포토레지스트 중합체를 1㎟ 이하로 용해시키기 위해 필요한 시간을 관찰하였다.
관찰 결과
(1) 표 4의 결과는, 희석 후 본 발명에 따른 세정용 조성물이 여전히 레드 포토레지스트 중합체에 대한 뛰어난 용해 효과를 갖고 있음을 보여준다.
| 레드 포토레지스트 | 포토레지스트 용해 시간 | ||||
| 35℃에서 혼합 | 다른 희석 비를 갖는 세정 액체 조성물, 50ml | ||||
| 퍼센트 | 희석되지 않은 액체 | 1배 희석 | 4배 희석 | ||
| 조성물 7 | 수산화 칼륨 | 40% | 27분 | 60분 | 210분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||
| 에틸렌 디아민 | 2% | ||||
| BYK-380N | 0.4% | ||||
(2) 표 5의 결과는, 희석 후 본 발명에 따른 세정 조성물이 여전히 그린 포토레지스트 중합체에 대한 뛰어난 용해 효과를 갖고 있음을 보여준다.
| 그린 포토레지스트 | 포토레지스트 용해 시간 | ||||
| 35℃에서 혼합 | 다른 희석 비를 갖는 세정 액체 조성물, 50ml | ||||
| 퍼센트 | 희석되지 않은 액체 | 1배 희석 | 4배 희석 | ||
| 조성물 8 | 수산화 칼륨 | 40% | 13분 | 31분 | 85분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||
| 에틸렌 디아민 | 2% | ||||
| BYK-380N | 0.4% | ||||
(3) 표 6의 결과는, 희석 후 본 발명에 따른 세정 조성물이 여전히 블루 포토레지스트 중합체에 대한 뛰어난 용해 효과를 갖고 있음을 보여준다.
| 블루 포토레지스트 | 포토레지스트 용해 시간 | ||||
| 35℃에서 혼합 | 다른 희석 비를 갖는 세정 액체 조성물, 50ml | ||||
| 퍼센트 | 희석되지 않은 액체 | 1배 희석 | 4배 희석 | ||
| 조성물 9 | 수산화 칼륨 | 40% | 13분 | 31분 | 85분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||
| 에틸렌 디아민 | 2% | ||||
| BYK-380N | 0.4% | ||||
<
실시예
3>
작업 방법
하기 표에 나타낸 바와 같은 조성을 갖는 세정 액체 조성물을 1.3배 희석하였다. 각각의 희석된 세정 액체 조성물 50ml 및 0.06g의 포토레지스트 중합체를 다른 온도에서 각각 혼합하였다. 포토레지스트 중합체를 1㎟ 이하로 용해시키기 위해 요구되는 시간을 관찰하였다.
관찰 결과
표 7의 결과는, 포토레지스트에 대한 본 발명의 세정 조성물의 해결 가능성은 작업 온도를 증가시키는 것에 의해 상당하게 향상될 수 있음을 보여준다.
| 레드 포토레지스트 | 포토레지스트 용해 시간 | ||||||
| 1.3배 희석된 세정 액체 조성물 | 다른 작업 온도 | ||||||
| 퍼센트 | 실온 | 35℃ | 45℃ | 55℃ | 65℃ | ||
| 조성물 10 | 수산화 칼륨 | 40% | 220분 | 80분 | 40분 | 25분 | 15분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||||
| 에틸렌 디아민 | 2% | ||||||
| BYK-380N | 0.4% | ||||||
| 그린 포토레지스트 | 포토레지스트 용해 시간 | ||||||
| 1.3배 희석된 세정 액체 조성물 | 다른 수행 온도 | ||||||
| 퍼센트 | 실온 | 35℃ | 45℃ | 55℃ | 65℃ | ||
| 조성물 11 | 수산화 칼륨 | 40% | 180분 | 35분 | 25분 | 15분 | 10분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | ||||||
| 에틸렌 디아민 | 2% | ||||||
| BYK-380N | 0.4% | ||||||
<
실시예
4>
작업 방법
하기 표에 나타낸 바와 같은 조성을 갖는 세정 액체 조성물 각 50ml 및 0.06g의 포토레지스트 중합체를 실온에서 혼합하였다. 포토레지스트 중합체를 1㎟ 이하로 용해시키기 위해 요구되는 시간을 관찰하였다.
관찰 결과
표 8의 결과는, 포토레지스트에 대한 세정 조성물의 해결가능성은 종래 기술에 개시된 알코올 아민 화합물(즉, 에탄올아민 또는 디에탄올아민) 대신에 디아민 화합물(디에틸렌 디아민)을 사용하는 것에 의해 상당하게 향상될 수 있음을 보여준다.
| 세정 액체 조성물, 50ml | 포토레지스트 용해 시간 | |||
| 퍼센트 | 레드 포토레지스트 | 그린 포토레지스트 | ||
| 조성물 12 | 수산화 칼륨 | 20% | 89분 | 40분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | |||
| 디에탄올아민 | 2% | |||
| 조성물 13 | 수산화 칼륨 | 20% | 106분 | 53분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | |||
| 에탄올아민 | 2% | |||
| 조성물 14 | 수산화 칼륨 | 20% | 100분 | 44분 |
| 수산화 나트륨 | 4% | |||
| 디에탄올아민 | 2% | |||
본 발명의 포토레지스트 세정 조성물은 사용되기 전에 실제 프로세스 요구에 따라 가열되거나 또는 희석될 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 유기 용매가 배제되어 있기 때문에, 일반적인 작업 환경에서 안전하게 이용될 수 있다. 본 발명의 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물은 특히 액정 디스플레이의 칼라 필터 프로세스에 사용되는 칼라 포토레지스트를 처리하는데 적합하다.
Claims (13)
- 조성물 총 중량에 대하여,(a) 적어도 하나의 알칼리성 화합물 1 내지 50중량%;(b) 적어도 하나의 디아민 화합물 0.1 내지 20중량%; 및(c) 물 30 내지 98.9중량%를 포함하고 12 이상의 pH를 갖는, 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 알칼리성 화합물은 무기 염기 또는 유기 염기인조성물.
- 제 2 항에 있어서,상기 무기 염기는 알칼리 금속 수산화 화합물이고, 상기 유기 염기는 하기 화학식 1의 4차 암모늄 수산화 화합물이며,[화학식 1]
상기 R1, R2, R3, 및 R4는 동일하거나 다르고, 각각은 독립적으로 1 내지 6개의 탄소원자를 갖는 알킬 또는 하이드록시알킬인조성물. - 제 3 항에 있어서,상기 알칼리 금속 수산화 화합물은 수산화 나트륨 또는 수산화 칼륨이고, 상기 4차 암모늄 수산화 화합물은 테트라메틸 암모늄 수산화물인조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 디아민 화합물은 에틸렌 디아민, 프로필렌 디아민, 테트라메틸렌 디아민, 펜타메틸렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민, 페닐렌 디아민, 디에틸렌 디아민, 트 리에틸렌 디아민, 및 테트라에틸렌 디아민으로 이루어진 군으로부터 선택되는조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 알칼리성 화합물의 함량은 10 내지 50중량% 범위이고, 상기 디아민 화합물의 함량은 1 내지 10중량% 범위이며, 물의 함량은 40 내지 89중량% 범위인조성물.
- 제 6 항에 있어서,상기 알칼리성 화합물의 함량은 20 내지 50중량% 범위이고, 상기 디아민 화합물의 함량은 1 내지 5중량% 범위이며, 물의 함량은 45 내지 79중량% 범위인조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 세정용 조성물의 표면 장력이 40mN/m 이하가 될 수 있도록 적어도 하나의 계면활성제를 조성물 총 중량에 대하여 0.01 내지 3중량% 더 포함하는조성물.
- 제 8 항에 있어서,상기 계면활성제는 음이온성, 양이온성 또는 비이온성 계면활성제인조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 조성물은 13 이상의 pH를 갖는조성물.
- 제 1 항에 있어서,상기 포토레지스트는 액정 디스플레이의 칼라 필터용으로 사용되는 칼라 포토레지스트인조성물.
- 칼라 포토레지스트 필름을 제 1 항에 따른 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물과 접촉시키는 것에 의해 유리 기판 상의 칼라 포토레지스트 필름을 제거하는 단계를 포함하는, 액정 디스플레이용 칼라 필터의 제조 방법.
- 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인을 제 1 항에 따른 수성 알칼리성 포토레지스트 세정용 조성물과 접촉시키는 것에 의해 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 칼라 포토레지스트 잔류물을 제거하는 단계를 포함하는, 칼라 포토레지스트 코팅 디바이스 및 디벨로퍼 파이프라인으로부터 칼라 포토레지스트 잔류물의 세정 방법.
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Cited By (2)
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Families Citing this family (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101482154B1 (ko) * | 2007-06-06 | 2015-01-13 | 간토 가가꾸 가부시키가이샤 | 기판의 세정 또는 에칭을 위한 알칼리성 수용액 조성물 |
| KR100900341B1 (ko) * | 2007-08-21 | 2009-06-02 | (주)켐넥스 | 액정 표시 패널 세정제 |
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| JP2007183577A (ja) | 2007-07-19 |
| TW200719098A (en) | 2007-05-16 |
| JP5015553B2 (ja) | 2012-08-29 |
| TWI295751B (en) | 2008-04-11 |
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