JPS60125841A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS60125841A JPS60125841A JP23402083A JP23402083A JPS60125841A JP S60125841 A JPS60125841 A JP S60125841A JP 23402083 A JP23402083 A JP 23402083A JP 23402083 A JP23402083 A JP 23402083A JP S60125841 A JPS60125841 A JP S60125841A
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- JP
- Japan
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- dissolving
- resist
- alkali
- soluble
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般に輻射線に感応するポジ型フオ現在では集
積度子方以上のいわゆる超ＬＳＩの時代に移行しつつあ
９３８ｍルールさらには２μｍルールの設計の時代とな
ってｂる。それに伴いフォトリソグラフィー技術に対す
る要求も年々厳しくなってきてｂる。このフォトリソグ
ラフィー技術において、従来使用されてきたレジストは
その大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤ビス
アジド化合物を添加して得られるネガ型レジストである
。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤によシ解
像力に限度があり、３μｍの解像力を得ることはむずか
しい。
積度子方以上のいわゆる超ＬＳＩの時代に移行しつつあ
９３８ｍルールさらには２μｍルールの設計の時代とな
ってｂる。それに伴いフォトリソグラフィー技術に対す
る要求も年々厳しくなってきてｂる。このフォトリソグ
ラフィー技術において、従来使用されてきたレジストは
その大部分が、環化ポリイソプレンゴムに光架橋剤ビス
アジド化合物を添加して得られるネガ型レジストである
。しかしこのタイプのレジストは現像時の膨潤によシ解
像力に限度があり、３μｍの解像力を得ることはむずか
しい。
上記要求に応えることが出来るのはポジ型レジストであ
る。ポジ型レジスト組成物はアルカム リ溶解性のフェノール系ホルナアルデヒドノボラック樹
脂を、感光性物質、一般には置換されたナフトキノンジ
アジドとともに含むものである。ナフトキノンジアジド
は照射時に下式のように紫外線を吸収し、カルベンを経
てケテンを生じ、系中に存在する水分と反応してインデ
ンカルボン酸とな＃）、これが現像液のアルカリ水溶液
に溶解する現像を応用している。
る。ポジ型レジスト組成物はアルカム リ溶解性のフェノール系ホルナアルデヒドノボラック樹
脂を、感光性物質、一般には置換されたナフトキノンジ
アジドとともに含むものである。ナフトキノンジアジド
は照射時に下式のように紫外線を吸収し、カルベンを経
てケテンを生じ、系中に存在する水分と反応してインデ
ンカルボン酸とな＃）、これが現像液のアルカリ水溶液
に溶解する現像を応用している。
且
このようにポジ型レジストは、現像液としてアルカリ水
溶液を用いるためネガ型の場合と異なりレジストが膨潤
せず、従って解像力を高めることが可能なのである。
溶液を用いるためネガ型の場合と異なりレジストが膨潤
せず、従って解像力を高めることが可能なのである。
このようにポジ型の７オトレジストは高解像力を特徴と
するレジストであるが、半面感度。
するレジストであるが、半面感度。
接着力などの面ではネガ型のフォトレジストに比して劣
っているとｂわれてｂる。このうち接着性に関しては基
板の前処理などの操作で改良出来るのに対して感度面で
の対策がたち遅れていた。
っているとｂわれてｂる。このうち接着性に関しては基
板の前処理などの操作で改良出来るのに対して感度面で
の対策がたち遅れていた。
さらに最近のリソグラフィープロセスにおいては１％Ａ
像力を向上させるために光の強度の小山 さい単色光を用いて縮り投影を行い、一枚のウェーハー
を何回にも分割して露光するプロセスが導入され、さら
には集積度の向上に伴す描くべき図形もますます核雑化
し、従って無光の回数も増加してｂるとめったように全
体のプロセスの中にしめる露光時間の割合が増加しつつ
ある。従ってレジストの感度を向上させることは機械を
使用する工程のスループットの向上を行うためコストパ
フォーマンスへの寄与もきわめて太きｂｏこのような事
情でポジ型レジストの特徴である高解像度を維持したま
ま感度面を改良したポジ型レジストの出現が切望されて
いたのである。
像力を向上させるために光の強度の小山 さい単色光を用いて縮り投影を行い、一枚のウェーハー
を何回にも分割して露光するプロセスが導入され、さら
には集積度の向上に伴す描くべき図形もますます核雑化
し、従って無光の回数も増加してｂるとめったように全
体のプロセスの中にしめる露光時間の割合が増加しつつ
ある。従ってレジストの感度を向上させることは機械を
使用する工程のスループットの向上を行うためコストパ
フォーマンスへの寄与もきわめて太きｂｏこのような事
情でポジ型レジストの特徴である高解像度を維持したま
ま感度面を改良したポジ型レジストの出現が切望されて
いたのである。
本発明者らは、＊定の０−キノンジアジド系感光剤と特
定のアルカリ可溶性樹脂、即ち、、２゜ｊ、Ｑ −）リ
ヒドロキシベンゾフェノンの７，２−ナフトキノンジア
ジド−！−スルホン酸のニスて得られるアルカリ可溶性
クレゾールノボラック樹脂とを組合せて成る組成物が上
記要望を満足することを見い出し、先に提案した（ｆｉ
−願昭３７−／！１０θ３！号）。
定のアルカリ可溶性樹脂、即ち、、２゜ｊ、Ｑ −）リ
ヒドロキシベンゾフェノンの７，２−ナフトキノンジア
ジド−！−スルホン酸のニスて得られるアルカリ可溶性
クレゾールノボラック樹脂とを組合せて成る組成物が上
記要望を満足することを見い出し、先に提案した（ｆｉ
−願昭３７−／！１０θ３！号）。
ところで、従来、上記各成分はメチルセロソルブ、エチ
ルセロソルブ、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等の溶剤
に溶解され、スピンナー咎によりシリコンウェーッ・−
等の基板上に塗布される。
ルセロソルブ、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド等の溶剤
に溶解され、スピンナー咎によりシリコンウェーッ・−
等の基板上に塗布される。
しかしながら、その際、形成される塗膜表面に放射線状
の縞が発生し、即ち、所謂ストライエーションが発生し
、フォトレジストの直線性或いはパターンの再現性が悪
くなるとめう問題がおる。
の縞が発生し、即ち、所謂ストライエーションが発生し
、フォトレジストの直線性或いはパターンの再現性が悪
くなるとめう問題がおる。
そこで１本発明者らは、前述の０−キノンジアジド系感
光剤とアルカリ可溶性クレゾールノボラック樹脂との組
合せから成る組成物において、上記問題のないポジ型フ
ォトレジスト組成物を提供すべく鋭意検討した結果、主
溶剤としてエチルセロソルブアセテートを使用し、且つ
。
光剤とアルカリ可溶性クレゾールノボラック樹脂との組
合せから成る組成物において、上記問題のないポジ型フ
ォトレジスト組成物を提供すべく鋭意検討した結果、主
溶剤としてエチルセロソルブアセテートを使用し、且つ
。
少量の界面活性剤を併用することにより所期の目的が達
成されることを見込出し１本発明を完成するに到った。
成されることを見込出し１本発明を完成するに到った。
即ち１本発明の要旨は、 （ａ） ２，３．４１−）リ
ヒドロキシベンゾフェノンの／１．２−ナフトキノンジ
アジド−！−スルホン酸のエステル。
ヒドロキシベンゾフェノンの／１．２−ナフトキノンジ
アジド−！−スルホン酸のエステル。
（ｂ）メタクレゾールとパラクレゾールの混合物をホル
ムアルデヒドと縮合することによって得られるアルカリ
可溶性クレゾールノボラック樹脂、および（Ｑ）フッ素
糸界面活性剤をエチルセロソルブアセテートを主成分と
する溶剤に溶解して成るポジ型フォートレジスト組成物
に存する。
ムアルデヒドと縮合することによって得られるアルカリ
可溶性クレゾールノボラック樹脂、および（Ｑ）フッ素
糸界面活性剤をエチルセロソルブアセテートを主成分と
する溶剤に溶解して成るポジ型フォートレジスト組成物
に存する。
以下１本発明を駅明するに１本発明において０−キノン
ジアジド系感光剤としてけ一、ｊ、（ｊ −トリヒドロ
キシベンゾフェノンの／、コーナフトキノンジアジドー
！−スルホン酸のエステルを使用する。
ジアジド系感光剤としてけ一、ｊ、（ｊ −トリヒドロ
キシベンゾフェノンの／、コーナフトキノンジアジドー
！−スルホン酸のエステルを使用する。
かかる感光剤と組合せるアルカリ可溶性クレゾールノボ
ラック樹脂は、メタクレゾールとパラクレゾールの混合
物をホルムアルデヒドと縮合して得られる重合体である
。
ラック樹脂は、メタクレゾールとパラクレゾールの混合
物をホルムアルデヒドと縮合して得られる重合体である
。
特ニ、！！重ｉ％！’−を重量％ 〜ｊ ｒｉｌｉ量チ
：３２重量％の割合のメタクレゾールとバラクレゾール
との混合物をホルムアルデヒドと縮合させたものが好ま
し込。
：３２重量％の割合のメタクレゾールとバラクレゾール
との混合物をホルムアルデヒドと縮合させたものが好ま
し込。
分子量は、あまり小さいと７オトレジスト膜全体の現像
液に対する溶解度が減少し、従って低残膜率のレジスト
しか得られず使用に劇えない。またガラス転移点（Ｔｇ
）が低下し耐熱性が低下する。またあまり分子量が高く
なると感度の低下がみられる。そこで、通常、重量平均
分子量で矛、０００〜／ 、ｊ、０００の範囲のものが
使用される。更に重量平均分子量と数平均分子量の比（
ＭＷ／ＭＮ）が夕〜／コであると好適である。
液に対する溶解度が減少し、従って低残膜率のレジスト
しか得られず使用に劇えない。またガラス転移点（Ｔｇ
）が低下し耐熱性が低下する。またあまり分子量が高く
なると感度の低下がみられる。そこで、通常、重量平均
分子量で矛、０００〜／ 、ｊ、０００の範囲のものが
使用される。更に重量平均分子量と数平均分子量の比（
ＭＷ／ＭＮ）が夕〜／コであると好適である。
このようなノボラック樹脂は上記の所定量のパラクレゾ
ールとメタクレゾールの混合物とホルムアルデヒド（ホ
ルマリン）を修酸、塩酸。
ールとメタクレゾールの混合物とホルムアルデヒド（ホ
ルマリン）を修酸、塩酸。
リン酸などを触媒とし、所定温度で所定時間反応させた
後、減圧下さらに加熱して水分及び未反応のモノマーを
追出す公知の方法によって容易に合成することが出来る
。
後、減圧下さらに加熱して水分及び未反応のモノマーを
追出す公知の方法によって容易に合成することが出来る
。
該ノボラック樹脂の分子量はゲルパーミュレーションク
ロマトグラフィーを用し、ポリスチレン換算値をもって
分子量とした。
ロマトグラフィーを用し、ポリスチレン換算値をもって
分子量とした。
該感光物は実質的にコ、３．グートリヒドロキシベンゾ
フェノンの３つの水酸基がすべてエステル化されたもの
が望ましい。詳しく述べれは３分子のエステル化が進ん
たものの全体にしめる割合が９！チ以上のもの、好まし
くは９７％以上のものが使用される。エステル化率がこ
れ以下であると見かけの感度は上昇するものの残膜率の
低下をきたしてしまう。このような感光剤は−２，３，
４７−）ジヒドロキシベンゾンエフ２２３倍モルの／、
２−ナフトキノンジアジド−ｊ−スルホニルクロライド
を塩基の存在下ジオキサン。
フェノンの３つの水酸基がすべてエステル化されたもの
が望ましい。詳しく述べれは３分子のエステル化が進ん
たものの全体にしめる割合が９！チ以上のもの、好まし
くは９７％以上のものが使用される。エステル化率がこ
れ以下であると見かけの感度は上昇するものの残膜率の
低下をきたしてしまう。このような感光剤は−２，３，
４７−）ジヒドロキシベンゾンエフ２２３倍モルの／、
２−ナフトキノンジアジド−ｊ−スルホニルクロライド
を塩基の存在下ジオキサン。
七日ソルブ、アセトン等の溶媒中で反応させる公知の方
法によって容易に合成することが可能である。エステル
化率は液体クロマトグラフィーによ如定量した。
法によって容易に合成することが可能である。エステル
化率は液体クロマトグラフィーによ如定量した。
感光剤はノボラック樹脂１００Ｎ−１７ｊｒ部に対して
７０〜３０重量部好ましくけ７２〜２ｊ重量部を混合し
て用いられる。
７０〜３０重量部好ましくけ７２〜２ｊ重量部を混合し
て用いられる。
フッ素系界面活性剤としては側鎖又は主鎖にフルオロア
ルキル基を有する重合体、例えば。
ルキル基を有する重合体、例えば。
フルオロアルキルアクリレート、フルオロアルキルメタ
アクリレート婢の単独重合体又はこれらとスチレン等の
重合性化合物との共重合体。
アクリレート婢の単独重合体又はこれらとスチレン等の
重合性化合物との共重合体。
或いは、フッ化エチレンとメチルアクタリレートとの共
重合体等が挙げられる。
重合体等が挙げられる。
具体的には、市販されて層るフッ素系界面活性剤として
、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ Ｍｉｎｌｎｇ Ｍａｎｕｆａｃ
ｔｕｒｉｎｇ（ミネソタ・マイニング・マニュファクチ
ュアク”（商品名）Ｆ−／７／、同？−／７！、旭硝子
＠製”アサヒガード″（商品名）ＡＧ−７／θ等が誉げ
られる。
、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ Ｍｉｎｌｎｇ Ｍａｎｕｆａｃ
ｔｕｒｉｎｇ（ミネソタ・マイニング・マニュファクチ
ュアク”（商品名）Ｆ−／７／、同？−／７！、旭硝子
＠製”アサヒガード″（商品名）ＡＧ−７／θ等が誉げ
られる。
こｈら界面活性剤の使用量は広範囲にわたって使用可能
であるが、過剰にするとめ・えってレジスト表面を不均
一にする。好ましい使用量は組成物中、１０ｐｐｍ〜！
Ｏθｐｐｍである。
であるが、過剰にするとめ・えってレジスト表面を不均
一にする。好ましい使用量は組成物中、１０ｐｐｍ〜！
Ｏθｐｐｍである。
上記各成分をエチルセロソルブアセテートを主成分とす
る溶剤に溶解して塗布液を形成する。
る溶剤に溶解して塗布液を形成する。
通常は、エチルセロソルブアセテートを単独で使用する
が、使用溶剤中、ｙｏ重量％以下のブチルアセテート、
キシレン、ジメチルホルムアミド、エチルベンゼン等の
他の溶剤を併用してもよ因。
が、使用溶剤中、ｙｏ重量％以下のブチルアセテート、
キシレン、ジメチルホルムアミド、エチルベンゼン等の
他の溶剤を併用してもよ因。
かぐして得られる塗布液を公知の方法２例えは、ヌピン
ナー塗布等によシ塗布すれば、ストライエーションの発
生のなり良好な塗膜を形成することができる。
ナー塗布等によシ塗布すれば、ストライエーションの発
生のなり良好な塗膜を形成することができる。
次いで、力・力・る塗膜に所定のパ夛−ンを露光し、現
像することによって良好なレジスト表面は、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無
機アルカリ類。
像することによって良好なレジスト表面は、水酸化ナト
リウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナト
リウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無
機アルカリ類。
エチルアｉン、ｎ−プロピルアミンなどの第一アミン類
、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二ア
ミン類、トリエチルアミン。
、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二ア
ミン類、トリエチルアミン。
メチルジエチルアミン等の第三アミン類、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムノ１イドロキシオキサイドなどの
第四級アミン叫の水溶液、もしくはこれにアルコール、
界面活性剤々どを添加したものを使用することが出来る
。
アンモニウムハイドロオキサイド、トリメチルヒドロキ
シエチルアンモニウムノ１イドロキシオキサイドなどの
第四級アミン叫の水溶液、もしくはこれにアルコール、
界面活性剤々どを添加したものを使用することが出来る
。
本発明のポジ型感光性樹脂組成物は超ＬＳＩ用のみなら
ず一般の工０製造用さらにはマスク作製用、あるいはオ
フセット印刷用としても有用である。
ず一般の工０製造用さらにはマスク作製用、あるいはオ
フセット印刷用としても有用である。
次に具体例をあげて本発明をさらに詳しく駅明する。
合成例／
ｍ−クレゾール７．２θ２（／、７１モル）、ｐ−クレ
ゾール？θｙ （ｏ、２ダモル）、３７チホルマリン／
、ｚｏｔ（ｙ、ｔｙ−♂そル）及びシュウ酸三水物、ｚ
３ｔを９／〜り弘℃で撹拌し々がら一時間反応させる。
ゾール？θｙ （ｏ、２ダモル）、３７チホルマリン／
、ｚｏｔ（ｙ、ｔｙ−♂そル）及びシュウ酸三水物、ｚ
３ｔを９／〜り弘℃で撹拌し々がら一時間反応させる。
その後室温まで冷却し、／！ｌｌｌｌＨｇまで減圧にし
て再び徐々に加熱して水分及び残存モノマーを追出した
。最終的には／？♂℃まで加熱し時間はコ時間要した。
て再び徐々に加熱して水分及び残存モノマーを追出した
。最終的には／？♂℃まで加熱し時間はコ時間要した。
残った樹脂をステンレスのバットに流し込み冷却した。
収量７２０ｇ。
ゲルパーミュレーションクロマトグラフイーでポリスチ
レン換算の重重平均分子−・πＷをめると２，２００で
あった。
レン換算の重重平均分子−・πＷをめると２，２００で
あった。
合成例コ
、２．ｊ、ｇ −）リヒドロキシベンゾンエノン２．Ｏ
ｆ （Ｊ”、７ ｍｍｏｌｅ）、／、２−ナフトキノン
ジアジド−ｊ−スルホン酸クロリド７、Ｏｆ （，２，
ｉｎ＋ｒｎｏｌｅ）をジオキサン６７ｍ１に溶解しかく
けんしながらトリエチルアミン３８．２２を加え／時間
、２！〜、２７℃で反応をつづける。水／θθ−を加え
反応物を析出させ戸別する。洗液がｐＨ７になるまで水
で洗浄を〈シ返し、最後に／θθ―のエタノール中で懸
洗しＦ別後乾燥した。収量２．７Ｆ（り６チ）。液体ク
ロマトグラフィーで分析した結果、トリエステル化した
ものの含有量はり♂、／ｑ６であった。
ｆ （Ｊ”、７ ｍｍｏｌｅ）、／、２−ナフトキノン
ジアジド−ｊ−スルホン酸クロリド７、Ｏｆ （，２，
ｉｎ＋ｒｎｏｌｅ）をジオキサン６７ｍ１に溶解しかく
けんしながらトリエチルアミン３８．２２を加え／時間
、２！〜、２７℃で反応をつづける。水／θθ−を加え
反応物を析出させ戸別する。洗液がｐＨ７になるまで水
で洗浄を〈シ返し、最後に／θθ―のエタノール中で懸
洗しＦ別後乾燥した。収量２．７Ｆ（り６チ）。液体ク
ロマトグラフィーで分析した結果、トリエステル化した
ものの含有量はり♂、／ｑ６であった。
実り例／〜グ
合成例コで合成した２、３，４ｔ −）リヒド四キシベ
ンゾフェノンの／、７Ｉ−ナフトキノン−ｊ−スルホン
酸のトリエステル！２１合成例／で合成したクレゾール
ノボラック樹脂３θｆをエチルセロソルブアセテートｔ
Ｆ９に溶解した。これにＦ１ｕｏｒａｄ ｚ Ｆ ０−
４ｔ３０を夫々、２６ ｐｐｍ 。
ンゾフェノンの／、７Ｉ−ナフトキノン−ｊ−スルホン
酸のトリエステル！２１合成例／で合成したクレゾール
ノボラック樹脂３θｆをエチルセロソルブアセテートｔ
Ｆ９に溶解した。これにＦ１ｕｏｒａｄ ｚ Ｆ ０−
４ｔ３０を夫々、２６ ｐｐｍ 。
！θｐｐｍ、／ ００ ｐｐｍ及び、ｔ ｏ ｏ ｐｐ
ｍとなるように添加した。
ｍとなるように添加した。
こうして調製した感光液をスピンナーを用いてグインチ
シリコーンウエノ・−上に塗布し、２０℃で３０分間プ
リベークした後、払膜表面上のストライエーションの有
無全顕微鏡観察（５１０倍）により調べたところ、いず
れもストライエーションの発生は認められなかった。
シリコーンウエノ・−上に塗布し、２０℃で３０分間プ
リベークした後、払膜表面上のストライエーションの有
無全顕微鏡観察（５１０倍）により調べたところ、いず
れもストライエーションの発生は認められなかった。
また、フッ素系界面活性剤の添加によるフォトレジスト
の感度、解像力、およびシリコーンウェハーとの密着性
の低下は認められ々かった。
の感度、解像力、およびシリコーンウェハーとの密着性
の低下は認められ々かった。
比較例／
実施例７において、Ｆ１ｕｏｒａａ ” Ｆ ０−４ｔ
ｊ Ｏを添加しないほがは同様にして感光液を調製し、
シリコーンウエノ翫−上に塗布してストライニー出 願
人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − （ほか７名） 手続補正書（自発） 昭和１年７２月２１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ［２−２）Ｖ、７λイジ λ 発明の名称 ポジ型フォトレジスト組成物３ 補正
をする者 事件との関係 出願人 （！ｉｑｔ、）三菱化成工業株式会社 ｑ代理人〒１００ 東京都千代田区丸の内二丁目に＠ユ号 三菱化成工業株式会社内 （ほか ７名） Ｓ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄する。
ｊ Ｏを添加しないほがは同様にして感光液を調製し、
シリコーンウエノ翫−上に塗布してストライニー出 願
人 三菱化成工業株式会社 代 理 人 弁理士 長谷用 − （ほか７名） 手続補正書（自発） 昭和１年７２月２１日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 ［２−２）Ｖ、７λイジ λ 発明の名称 ポジ型フォトレジスト組成物３ 補正
をする者 事件との関係 出願人 （！ｉｑｔ、）三菱化成工業株式会社 ｑ代理人〒１００ 東京都千代田区丸の内二丁目に＠ユ号 三菱化成工業株式会社内 （ほか ７名） Ｓ 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄する。
「試験例／及び試験例２（参考例）
実施例２ （５０ｐｐｍ ）及び比較例／（Ｏｐｐｍ）
と同様の感光液を同様にしてアルミ蒸着シリコンウェー
ハー上に塗布し、９０℃で３０分間プリベークして試料
を作成した。
と同様の感光液を同様にしてアルミ蒸着シリコンウェー
ハー上に塗布し、９０℃で３０分間プリベークして試料
を作成した。
マ
得られた試料にミカサ■製” ｆスクアライナー″’Ｍ
Ａ−１０を用いて所定パターンを露光した。次いで、現
像液（東京応化工業■製、ＮＭＤ−、、？）で、２５℃
、７分間現像後、水で７分間リンスし、レジストを形成
した。
Ａ−１０を用いて所定パターンを露光した。次いで、現
像液（東京応化工業■製、ＮＭＤ−、、？）で、２５℃
、７分間現像後、水で７分間リンスし、レジストを形成
した。
次いで、プラズマサーモ社製のプラズマエツチング装置
を使用し、左３係テトラフルオロメタンとり７％水素の
混合ガスにより、３０μの圧力で７３℃、’１０分間、
Ｒ工Ｅ（リアクティブ イオン エツチング）モードで
ドライエツチングした。
を使用し、左３係テトラフルオロメタンとり７％水素の
混合ガスにより、３０μの圧力で７３℃、’１０分間、
Ｒ工Ｅ（リアクティブ イオン エツチング）モードで
ドライエツチングした。
その結果、実施例コの感光液を使用して形成したレジス
トのエツチング速度はｇＯχ／ｍｉｎであるのに対し、
比較例／の感光液を使用して形成したレジストのそれは
／ｑ ７ Ａ ／ｍｔｎであった。即ち、フッ素系界面
活性剤の添加により、約７ｇ倍耐ドライエツチング性が
向上していることが判った。」 以 上
トのエツチング速度はｇＯχ／ｍｉｎであるのに対し、
比較例／の感光液を使用して形成したレジストのそれは
／ｑ ７ Ａ ／ｍｔｎであった。即ち、フッ素系界面
活性剤の添加により、約７ｇ倍耐ドライエツチング性が
向上していることが判った。」 以 上
Claims (1)
- （１） （ａ）２＊３＋”−トリヒドロキシベンゾフェ
ノンの７．コーナフトキノンジアジド＝！−スルホン酸
のエステル。 （ｂ）メタクレゾールとパラクレゾールの混合物をホル
ムアルデヒドと縮合することによって得られるアルカリ
司溶性クレゾールノボラック樹脂、および（０）フッ素
糸界面活性剤をエチルセロソルブアセテートを主成分と
する溶剤に８％して成るポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23402083A JPS60125841A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23402083A JPS60125841A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125841A true JPS60125841A (ja) | 1985-07-05 |
Family
ID=16964298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23402083A Pending JPS60125841A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125841A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236657A (ja) * | 1985-08-10 | 1987-02-17 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 半導体微細加工用レジスト組成物 |
| JPS62124557A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性組成物及び感光性平版印刷版材料 |
| JPH03185448A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| KR100573243B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2006-04-24 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액정소자 제조용 포지티브형 포토레지스트 도포액 및그것을 사용한 기재 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740249A (en) * | 1980-06-14 | 1982-03-05 | Hoechst Ag | Photographic copying material and method of coating photosensitive copying layer on support |
| JPS5817112A (ja) * | 1981-06-22 | 1983-02-01 | フイリツプ・エイ・ハント・ケミカル・コ−ポレイシヨン | ポジ型ノボラツクホトレジスト組成物及びその調製物 |
| JPS58105143A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Kanto Kagaku Kk | ポジ型フオトレジスト組成物 |
| JPS58182633A (ja) * | 1982-04-19 | 1983-10-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ポジ型画像の形成方法 |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23402083A patent/JPS60125841A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5740249A (en) * | 1980-06-14 | 1982-03-05 | Hoechst Ag | Photographic copying material and method of coating photosensitive copying layer on support |
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| JPS62124557A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光性組成物及び感光性平版印刷版材料 |
| JPH03185448A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| KR100573243B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2006-04-24 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 액정소자 제조용 포지티브형 포토레지스트 도포액 및그것을 사용한 기재 |
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