JP3224610B2 - ポジ型ホトレジスト組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規なポジ型ホトレジス
ト組成物、さらに詳しくは、高解像度を有するととも
に、矩形の断面形状、感度及びデフォーカス特性に優れ
る上、定在波効果の抑制されたポジ型ホトレジスト組成
物に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの製造における集
積度は急速に高まり、超ＬＳＩなどの製造においては、
サブミクロン、ハーフミクロンの超微細パターンの加工
精度が要求されるようになってきている。そのため、使
用するポジ型ホトレジスト組成物に対して、高解像度を
有するとともに、矩形の断面形状、感度、デフォーカス
特性に優れることが要望されている。さらに、今日の光
リソグラフィーを利用した超ＬＳＩの製造においては、
前記レジスト特性の他に、定在波効果の抑制されたレジ
ストの開発が望まれている。

【０００３】膜内多重反射効果、バルク効果及び定在波
効果の抑制を目的として、ヒドロキシベンゾフェノンの
エステル化率を高めたホトレジストを用いるレジストパ
ターンの形成方法が提案されている（特開平２−９７１
号公報）。しかしながら、このポジ型ホトレジストで
は、膜内多重反射効果、バルク効果及び定在波効果の抑
制はある程度達成されるものの十分なものではない。さ
らに、解像度、断面形状、残膜率、デフォーカス特性に
ついては、ベンゾフェノン系の化合物を用いたポジ型ホ
トレジストでは、十分に満足しうるものは得られていな
い。

【０００４】一方、ポジ型ホトレジストの感光性成分と
して、没食子酸エステルとナフトキノンジアジドスルホ
ン酸とのエステル化物を用いたものが知られているが
（特公昭５４−２０３３０号公報、特公平１−４９９３
３号公報）、これらのポジ型ホトレジストでは、ある程
度感度、解像度及び寸法精度に優れるレジストパターン
が得られるものの、今日の半導体製造に要求される超微
細パターンに対応するような高感度、高解像度のレジス
トパターンは得ることができない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、高解像度を有するとともに、矩形断面形
状、感度及びデフォーカス特性に優れる上、定在波効果
の抑制されたポジ型ホトレジスト組成物を提供すること
を目的としてなされたものである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の好
ましい性質を有するポジ型ホトレジスト組成物を開発す
べく鋭意研究を重ねた結果、感光性成分として２種の特
定の化合物の組合せを用いることにより、上記の特性を
有するポジ型ホトレジスト組成物が得られることを見出
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。

【０００７】すなわち、本発明は、（Ａ）アルカリ可溶
性樹脂と（Ｂ）感光性成分とを含有して成るポジ型ホト
レジスト組成物において、該（Ｂ）成分の感光性成分と
して、（イ）没食子酸ドデシルエステルの水酸基の水素
原子がナフトキノン‐（１，２）‐ジアジド‐（２）‐
４（又は５）‐スルホニル基で置換された化合物と、
（ロ）一般式

【化２】 （式中のＤは少なくとも１個がナフトキノン‐（１，
２）‐ジアジド‐（２）‐４（又は５）‐スルホニル基
で、残りは水素原子であり、ｋ、ｍ及びｎは０又は１〜
３の整数である）で表わされる化合物の中から選ばれた
少なくとも１種との組合せを用いたことを特徴とするポ
ジ型ホトレジスト組成物を提供するものである。

【０００８】本発明のポジ型レジスト組成物において使
用されるアルカリ可溶性樹脂としては、例えばノボラッ
ク樹脂、アクリル樹脂、スチレンとアクリル酸との共重
合体、ヒドロキシスチレンの重合体、ポリビニルフェノ
ール、ポリ‐α‐メチルビニルフェノールなどが挙げら
れるが、これらの中でノボラック樹脂が好適である。こ
のノボラック樹脂については特に制限はなく、従来ポジ
型レジスト組成物において被膜形成用物質として慣用さ
れているもの、例えばフェノール、クレゾール、キシレ
ノールなどの芳香族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒ
ドなどのアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させ
たものなどが用いられる。このノボラック樹脂として
は、低分子量領域をカットした重量平均分子量が２００
０〜２００００、好ましくは５０００〜１５０００の範
囲のものが好ましい。

【０００９】本発明組成物においては、（Ｂ）成分の感
光性成分として、（イ）没食子酸ドデシルエステルの水
酸基の水素原子がナフトキノン‐（１，２）‐ジアジド
‐（２）‐４（又は５）‐スルホニル基で置換された化
合物と、（ロ）成分の一般式（Ｉ）で表わされる化合物
の中から選ばれた少なくとも１種とを組み合わせたもの
を用いることが必要である。

【００１０】前記の（イ）成分は、例えば、没酸子酸ド
デシルエステルに、ナフトキノン‐（１，２）‐ジアジ
ド‐（２）‐４（又は５）‐スルホニルハライドを縮合
反応させ、完全エステル化又は部分エステル化すること
によって製造することができる。この縮合反応は、通常
不溶性溶媒、例えばジオキサン中、トリエタノールアミ
ン、炭酸アルカリ又は炭酸水素アルカリのような塩基性
縮合剤の存在下、没食子酸ドデシルエステル１モルに対
し、ナフトキノン‐（１，２）‐ジアジド‐（２）‐ス
ルホニルハライド２〜３モル、好ましくは２．２〜２．
８モルを縮合させることにより行われる。

【００１１】一方、前記（ロ）成分の一般式（Ｉ）で表
わされる化合物は、例えば一般式

【化３】 （式中のｋ、ｍ及びｎは前記と同じ意味をもつ）で表わ
されるトリス（ヒドロキシフェニル）メタン類に、ナフ
トキノン‐（１，２）‐ジアジド‐（２）‐４（又は
５）‐スルホニルハライドを縮合反応させ、完全エステ
ル化又は部分エステル化することによって製造すること
ができる。この縮合反応は、通常不活性溶媒、例えばジ
オキサン中、トリエタノールアミン、炭酸アルカリ又は
炭酸水素アルカリのような塩基性縮合剤の存在下、該ト
リス（ヒドロキシフェニル）メタン類１モルに対し、ナ
フトキノン‐（１，２）‐ジアジド‐（２）‐スルホニ
ルハライド２〜３モル、好ましくは２．５〜２．９モル
を縮合させることにより行われる。

【００１２】前記一般式（ＩＩ）で表わされる化合物の
例としては、トリス（４‐ヒドロキシフェニル）メタ
ン、ビス（４‐ヒドロキシフェニル）‐３‐ヒドロキシ
フェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２‐メチルフ
ェニル）‐３‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐
ヒドロキシ‐２‐メチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフ
ェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメチ
ルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス
（４‐ヒドロキシ‐２，５‐ジメチルフェニル）‐３‐
ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐
２，５‐ジメチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニル
メタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェ
ニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒ
ドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニル）‐３‐ヒドロキ
シフェニルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジ
メチルフェニル）‐４‐ヒドロキシフェニルメタン、ビ
ス（４‐ヒドロキシ‐２，３，５‐トリメチルフェニ
ル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン、ビス（４‐ヒド
ロキシフェニル）‐４‐ヒドロキシ‐３‐メチルフェニ
ルメタン、ビス（４‐ヒドロキシ‐２‐メチルフェニ
ル）‐４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニルメタ
ンなどが挙げられるが、これらの中で特にビス（４‐ヒ
ドロキシ‐２，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキ
シフェニルメタンが好適である。

【００１３】本発明組成物における該（Ｂ）成分の感光
性成分としては、前記（イ）成分の没食子酸ドデシルエ
ステルの水酸基の水素原子がナフトキノン‐（１，２）
‐ジアジド‐（２）‐４（又は５）‐スルホニル基で置
換された化合物と、（ロ）成分の一般式（Ｉ）で表わさ
れる化合物とを、好ましくは重量比２：８ないし８：２
の割合で組み合わせて用いることが必要である。この割
合が前記範囲を逸脱すると本発明の効果が十分に発揮さ
れない。

【００１４】また、前記（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹
脂と（Ｂ）成分の感光性成分との配合割合は、通常、重
量比で１：２ないし２０：１、好ましくは１：１ないし
６：１の範囲内で選ばれる。これよりも感光性成分の使
用量が少なくなるとパターンに忠実な画像が得られず、
転写性も低下するし、またこれよりも感光性成分の使用
量が多くなると形成されるレジスト膜の均質性が低下
し、解像性も劣化する。

【００１５】本発明組成物においては、感度をさらに高
めるために、必要に応じ、感光性成分の前記エステル化
物に、１‐［１‐（４‐ヒドロキシフェニル）イソプロ
ピル］‐４‐［１，１‐ビス（４‐ヒドロキシフェニ
ル）エチル］ベンゼン、没食子酸エステル、あるいは前
記一般式（ＩＩ）で表わされるトリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタン類を単独又は組み合わせて用いることがで
きる。これらの併用される化合物は、増感効果に優れ、
高感度でかつ露光量に対する寸法変化量の少ない実用的
なホトレジスト組成物を与えることができる。

【００１６】さらに、本発明の目的をそこなわない範囲
で、所望に応じ、その他の増感剤、例えばメルカプトオ
キサゾール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプト
オキサゾリン、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾオ
キサゾリン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミ
ダゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトピリ
ミジン、イミダゾロン及びこれらの誘導体などを併用す
ることができる。

【００１７】さらに、本発明組成物においては、解像
性、残膜率を向上させるための補助剤として、例えば特
開平５−２０４１４５号公報に記載されたイソシアヌレ
ート系化合物を配合することもできる。このイソシアヌ
レート系化合物としては、例えば１，３，５‐トリス
（４‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐３‐ヒドロキシ‐２，６‐ジ
メチルベンジル）イソシアヌレート、１，３，５‐トリ
ス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐３‐ヒドロキシ‐２，６‐
ジエチルベンジル）イソシアヌレート、１，３，５‐ト
リス（３，５‐ジ‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐４‐ヒドロキシ
ベンジル）イソシアヌレートなどを挙げることができ
る。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。

【００１８】本発明組成物は、前記のアルカリ可溶性樹
脂と感光性成分とを適当な溶剤に溶解して溶液の形で用
いるのが好ましい。

【００１９】このような溶剤の例としては、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソア
ミルケトンなどのケトン類；エチレングリコール、エチ
レングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール
又はジエチレングリコールモノアセテートのモノメチル
エーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテ
ル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなど
の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのよう
な環式エーテル類；及び乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチルなどのエステル類を挙げることがで
きる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上混合し
て用いてもよい。

【００２０】本発明組成物には、さらに必要に応じて相
溶性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良
するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像し
た像をより一層可視的にするための着色料などの慣用さ
れているものを添加含有させることができる。

【００２１】本発明組成物の好適な使用方法について１
例を示すと、まずシリコンウエハーのような支持体上
に、アルカリ可溶性樹脂と感光性成分とを前記したよう
な適当な溶剤に溶かした溶液をスピンナーなどで塗布
し、乾燥して感光層を形成させ、次いで紫外線を発光す
る光源、例えば低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀
灯、アーク灯、キセノンランプなどを用い、所要のマス
クパターンを介して露光するか、あるいは電子線を走査
しながら照射する。次にこれを現像液、例えば１〜１０
重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の
ような弱アルカリ水溶液に浸せきすると、露光部は溶解
除去されてマスクパターンに忠実な画像を得ることがで
きる。

【００２２】

【発明の効果】本発明によると、感光性成分として特定
の化合物２種を組み合わせたものを用いることにより、
高解像度を有するとともに、矩形の断面形状、感度及び
デフォーカス特性に優れる上、定在波効果の抑制された
ポジ型ホトレジスト組成物を得ることができる。

【００２３】

【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
する。なお、感光性組成物の諸物性は次のようにして求
めた。 （１）感度 試料をスピンナーを用いてシリコンウエハー上に塗布
し、ホットプレートで１１０℃、９０秒間乾燥して膜厚
１．０５μｍのレジスト膜を得た。この膜に縮小投影露
光装置ＮＳＲ‐１７５５ｉ７Ａ（ニコン社製、ＮＡ＝
０．５０）を用いて、０．１秒から０．０２秒間隔で露
光したのち、２．３８ｗｔ％テトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液で１分間現像し、８０秒間水洗して
乾燥したとき、パターニングのために要する縮小露光時
間を感度としてミリ秒（ｍｓ）単位で測定した。

【００２４】（２）断面形状 ０．４０μｍ幅のレジストパターンの断面形状をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真により観察し、側面がほぼ垂
直に切り立ち、定在波の効果が抑制されているものを◎
とし、ややテーパ状になっているが、定在波の効果が抑
制されているものを○とし、また側面が波状になり、定
在波の効果が現れているものを×とした。

【００２５】（３）デフォーカス特性 （イ） 露光マージン Ｅｏｐ（０．４０μｍのラインアンドスペースパターン
が１対１に形成されるに要する最小露光時間）をＥｔｈ
（現像後の露光部の膜厚が０となる露光時間）で割った
値（Ｅｏｐ／Ｅｔｈ）を露光マージンとした。この値が
大きいほど、露光マージンが広く好ましい。 （ロ）デフォーカスマージン 縮小投影露光装置ＮＳＲ‐１７５５ｉ７Ａ（ニコン社
製、ＮＡ＝０．５０）を用いて上記Ｅｏｐを基準焦点と
し、その点からの焦点を適宜上下にずらした場合のＳＥ
Ｍ写真の観察を行った。そのＳＥＭ写真より０．４μｍ
の矩形のレジストパターンが得られる焦点ずれの最大値
（μｍ）をデフォーカスマージンとした。０．４以上
０．７以下を×とし、０．８以上１．１以下を○とし、
１．２以上を◎として表わした。

【００２６】（４）解像度 最適露光時間で露光した際に解像される最小のレジスト
パターンの寸法を測定した。

【００２７】実施例１ ｍ‐クレゾールとｐ‐クレゾールとを重量比で４０：６
０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラ
ック樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカット
して重量平均分子量１１０００のクレゾールノボラック
樹脂を得た。

【００２８】次に、このようにして得たクレゾールノボ
ラック樹脂１００重量部、没食子酸ドデシルエステル１
モルとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニ
ルクロライド２．５モルとのエステル化反応生成物１０
重量部、ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェ
ニル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタン１モルとナフト
キノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロライド
２．７５モルとのエステル化反応生成物２０重量部、増
感剤として、１‐［１‐（４‐ヒドロキシフェニル）イ
ソプロピル］‐４‐［１，１‐ビス（４‐ヒドロキシフ
ェニル）エチル］ベンゼン２０重量部及び１，３，５‐
トリス（４‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐３‐ヒドロキシ‐２，
６‐ジメチルベンジル）イソシアヌレート１．８重量部
をエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート３
５０重量部に溶解したのち、このものを孔径０．２μｍ
のメンブランフィルターを用いてろ過し、感光性組成物
を調製した。このものについての感度、断面形状、露光
マージン、デフォーカスマージン及び解像度の物性を表
１に示す。

【００２９】実施例２ ｍ‐クレゾールとｐ‐クレゾールとを重量比で６０：４
０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラ
ック樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域をカット
して重量平均分子量１００００のクレゾールノボラック
樹脂を得た。

【００３０】次に、このようにして得たクレゾールノボ
ラック樹脂１００重量部、没食子酸ドデシルエステル１
モルとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニ
ルクロライド３．０モルとのエステル化反応生成物（以
下ＰＡＣ１と称す）２１重量部、ビス（４‐ヒドロキシ
‐３，５‐ジメチルフェニル）‐２‐ヒドロキシフェニ
ルメタン１モルとナフトキノン‐１，２‐ジアジド‐５
‐スルホニルクロライド３．０モルとのエステル化反応
生成物（以下ＰＡＣ２と称す）９重量部、増感剤とし
て、１‐［１‐（４‐ヒドロキシフェニル）イソプロピ
ル］‐４‐［１，１‐ビス（４‐ヒドロキシフェニル）
エチル］ベンゼン２０重量部及び１，３，５‐トリス
（４‐ｔｅｒｔ‐ブチル‐３‐ヒドロキシ‐２，６‐ジ
メチルベンジル）イソシアヌレート１．８重量部をエチ
レングリコールモノエチルエーテルアセテート３５０重
量部に溶解したのち、このものを孔径０．２μｍのメン
ブランフィルターを用いてろ過し、感光性組成物を調製
した。このものについての感度、断面形状、露光マージ
ン、デフォーカスマージン及び解像度の物性を表１に示
す。

【００３１】実施例３ 実施例２において、感光性成分であるＰＡＣ１の量を９
重量部、ＰＡＣ２の量を２１重量部とした以外は、実施
例２と同様にして感光性組成物を調製し、その物性を求
めた。結果を表１に示す。

【００３２】比較例１ 実施例２において、感光性成分としてＰＡＣ１のみを使
用し、その量を３０重量部とした以外は、実施例２と同
様な操作により、感光性組成物を調製し、その物性を求
めた。結果を表１に示す。

【００３３】比較例２ 実施例２において、感光性成分としてＰＡＣ２のみを使
用し、その量を３０重量部とした以外は、実施例２と同
様の操作により、感光性組成物を調製し、その物性を求
めた。結果を表１に示す。

【００３４】比較例３ 実施例２において、感光性成分として２，３，４‐トリ
ヒドロキシベンゾフェノン１モルとナフトキノン‐１，
２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロライド３．０モルと
のエステル化反応生成物（以下ＰＡＣ３と称す）のみを
使用し、その量を３０重量部とした以外は、実施例２と
同様の操作により、感光性組成物を調製し、その物性を
求めた。結果を表１に示す。

【００３５】実施例４ ｍ‐クレゾールとｐ‐クレゾールとを重量比で４０：６
０の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラ
ック樹脂に対して分別処理を施し、低分子領域カットし
て重量平均分子量５０００のクレゾールノボラック樹脂
を得た。次に、このようにして得たクレゾールノボラッ
ク樹脂１００重量部、ＰＡＣ１を２１重量部、ＰＡＣ２
を９重量部とした以外は、実施例２と同様にして感光性
組成物を調製した。このものの物性を表１に示す。

【００３６】実施例５ 実施例４において、感光性成分であるＰＡＣ１を９重量
部、ＰＡＣ２を２１重量部とした以外は、実施例２と同
様にして感光性組成物を調製し、その物性を求めた。結
果を表１に示す。

【００３７】比較例４ 実施例４において、感光性成分としてＰＡＣ１のみを使
用し、その量を３０重量部とした以外は、実施例４と同
様の操作により、感光性組成物を調製し、その物性を求
めた。結果を表１に示す。

【００３８】比較例５ 実施例４において、感光性成分としてＰＡＣ２のみを使
用し、その量を３０重量部とした以外は、実施例４と同
様の操作により、感光性組成物を調製し、その物性を求
めた。結果を表１に示す。

【００３９】比較例６ 実施例４において、感光性成分としてＰＡＣ３のみを使
用し、その量を３０重量部とした以外は、実施例４と同
様の操作により、感光性組成物を調製し、その物性を求
めた。結果を表１に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】（注）ｍ／ｐ比：ｍ‐クレゾールとｐ‐ク
レゾールの比 ＊１：没食子酸ドデシルエステルとナフトキノン‐１，
２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロライドとのエステル
化物 ＊２：ビス（４‐ヒドロキシ‐３，５‐ジメチルフェニ
ル）‐２‐ヒドロキシフェニルメタンとナフトキノン‐
１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロライドとのエス
テル化物 ＊３：２，３，４‐トリヒドロキシベンゾフェノンとナ
フトキノン‐１，２‐ジアジド‐５‐スルホニルクロラ
イドとのエステル化物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳竹 信生 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 小原 秀克 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東京応化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−158856（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−29242（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−161449（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−165053（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−293050（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−284454（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−301847（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−311774（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−311775（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−111531（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂と（Ｂ）感光
   性成分とを含有して成るポジ型ホトレジスト組成物にお
   いて、該（Ｂ）成分の感光性成分として、（イ）没食子
   酸ドデシルエステルの水酸基の水素原子がナフトキノン
   ‐（１，２）‐ジアジド‐（２）‐４（又は５）‐スル
   ホニル基で置換された化合物と、（ロ）一般式 【化１】 （式中のＤは少なくとも１個がナフトキノン‐（１，
   ２）‐ジアジド‐（２）‐４（又は５）‐スルホニル基
   で、残りは水素原子であり、ｋ、ｍ及びｎは０又は１〜
   ３の整数である）で表わされる化合物の中から選ばれた
   少なくとも１種との組合せを用いたことを特徴とするポ
   ジ型ホトレジスト組成物。
2. 【請求項２】 感光性成分において、（イ）成分と
   （ロ）成分との配合割合が、重量比で２：８ないし８：
   ２である請求項１記載のポジ型ホトレジスト組成物。