KR900007797B1 - 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물 - Google Patents

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Description

포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물
제1도, 제2도 및 제3도는 실시예들에서 제조한 감광성 내식막층의 패턴라인(Patterned line)의 단면을 개략 도시한 도면이다.
본 발명은 포지티브-워킹(Positive-Working) 감광성 내식막 조성물에 관한 것이다. 보다 상세하게는, LSI류, VLSI류 등의 반도체-기본장치들의 제조방법에 있어서 감광성 내식막층의 미세 패턴(Pattern)성형용에 적합한 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물에 관한 것이다.
최근, 반도체 기술의 일취월장 발전으로 공업용 컴퓨터, 사무소 자동기기, 개인용 컴퓨터등의 컴퓨터 기기의 수요가 급속히 증가되고 있으며, 이에 부응하여 집적회로등의 반도체장치들의 고집적 밀도 또는 고집적도가 압도적으로 증가추세에 있다. 이를테면, 256킬로비트의 시대가 지나간 후, 밀도 1메가비트 이상의 VLSI류의 시대에 이미 들어가고 있다. VLSI류에 있어서의 이와같은 고 집적밀도에 의해 소위, 마이크론이하 범위의 반도체 웨이퍼상에 있어서의 극히 미세한 가공 기술이 당연히 필수적으로 된다. 이를테면, 미세가공이 전술한 바와같은 극히 고 정밀도에 부합되게 하기 위해서는 감광성 내식막층에 있어서의 고 충실도로 재현할수 있는 최저의 선폭은 256킬로비트 DRAM류의 반도체 IC류의 경우는 약 2μm이고, 1메가비트 DRAM류의 장치의 경우는 약 1.0 내지 1.3μm이며, 4메가비트 DRAM류의 장치의 경우는 약 0.7 내지 0.8μm 이다.
공지된 바와같이, 집적 회로의 제조를 위한 반도체 웨이퍼상의 패턴가공은 감광성 내식막 조성물을 사용하는 사진평판 기술에 의해 수행된다. 포지티브-워킹 조성물과 네거티브-워킹(Negative-Working)조성물의 2종의 감광성 내식막 조성물중에서 패턴폭이 1 내지 2μm인 고 충실도의 재현이 필수적인 미세패턴에 있어서는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물이 광범위하게 사용되고 있다.
종내, 대부분의 포지티브-워킹 감광성 조성물중의 주성분들은 막-형성 성분으로서의 알카리-가용성 노보락 수지와 광분해성 또는 감광성 성분으로서의 혼합물 형태의 퀴논 디아지드 화합물이다. 전형적인 퀴논 디아지드계의 감광성 화합물류로서는 미합중국 특허 제3,402,044호에 기재되어 있는 나프토퀴논 디아지드술폰산과 1개이상의 페놀성 수산기를 갖는 화합물간에 생성되는 술폰산에스테르류와 미합중국 특허 제3, 046,118호, 제3,106,465호 및 제3,148,983호에 기재되어 있는 기타 에스테르류가 있다.
감광성 내식막 조성물중의 막형성 성분으로서 전형적인 것으로서는 알카리-가용성 노모락 수지가 있으며, 또한 미합중국 특허 제3,402,044호에 기재된 페놀-포름알데히드 노보락 수지와 전기화학 및 공업 물리화학, 제48권, 584페이지(1980년)에 기재되어 있는 크레졸 노보락 수지를 비롯한 각종의 노보락 수지들이 제안되어 왔다. 또한 일본국 특허공개 번호 제59-17,112호에는 크레졸 노보락수지의 제조에 사용되는 크레졸에 있어서의 크레졸 이성체들의 비율을 적당히 선택함으로써 막-형성 성분으로서의 크레졸 노보락 수지로 구성되는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물의 감도를 개선시킬수가 있다고 기재되어 있다.
감광성 내식막층의 노광방법에 있어서의 문제점들을 기술하면, 직접 접촉에 의한 노광수단이나 또는 축소투영에 의한 노광수단에 의해서 노광이 행해지고 있다. 전자의 접촉 노광의 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면상에 형성된 감광성 내식막층은 감광성 마스크 패턴을 통해 감광성 내식막층과 직접 접촉하여 광에 노광된다. 이 방법은 여기에 사용된 감광성 내식막 조성물이 패턴 재현의 콘트라스트 및 충실도에 대해서 본질적으로 열세한 경우에도, 이 방법에 의해서 상당히 고 해상도(解傷度)의 패턴을 얻을 수 있으므로 패턴 영상의 콘트라스트의 점에서는 이점을 갖고 있다. 그러나, 전술한 이점과는 반대로, 이 방법은 몇가지의 결점과 문제점을 지니고 있다. 이를테면, 노광시마다 감광성 내식막층과의 직접접촉에 의한 자연적인 결과로서 감광성 마스크가 때때로 기계적으로 훼손받기 때문에 감광성 마스크의 취급시 극단의 주의를 기울여야만되며, 상당량의 경비를 투자해야만 양호한 품질의 감광성 마스크를 유지할수 있을 뿐만 아니라, 감광성 마스크상의 패턴은 재현할 패턴에 관해서 실물크기로 해야만 되기 때문에 전술한 고 정밀도를 갖는 감광성 마스크 패턴은 특히 패턴의 선폭이 마이크론 이하의 범위일 때는 아주 고가로 될수밖에 없는 것이다.
또, 축소투영에 의한 노광방법에 있어서는, 감광성 마스크 패턴상의 패턴 크기를 재현할 감광성 내식막 패턴크기 보다 5 내지 10배로 할수가 있기 때문에 마이크론 이하의 범위내로 패턴하기 위한 고 정밀도의 감광성 미스크를 비교적 저렴한 비용으로 얻을 수 있는 이점은 있으나, 이 방법은 감광성 마스크의 직접 접촉에 의한 노광과 비교해서 노광부와 미노광부 사이의 광의 콘트라스트에 대해서 결점을 지니고 있다.
그러므로, 축소투영에 의한 전술한 방법은 감광성 내식막 조성물이 비교적 낮은 콘트라스트를 갖는 광에 노광할때 본질적으로 높은 감광도를 나타낼 경우에만 고 정밀도를 갖는 패턴의 재현에 적용할 수가 있는 것이다.
또한, VLSI류등의 반도체장치의 제조에 있어서는 감광성 내식막층내에 형성되는 패턴이 1개 또는 동일한 선폭을 갖는 선들로 구성되는 것이 아니고, 여러가지의 선폭을 갖는 선들이 복잡한 모양을 이루어 구성되고 있다. 이같은 사실은 최저 노광이 행해져서 노광된 구역들상의 감광성 내식막층이 선폭에 따라 상당히 좌우되는 현상에 의해 제거될수 있기 때문에 패턴 재현의 품질에 어려운 문제점을 야기시키는 원인으로 된다. 단위원으로서 2.0μm선폭의 패턴에 대한 최저노광량을 취할 경우, 이를테면 1.5μm와 1.0μm선폭들의 패턴에 대한 최저 노광량은 각각 1.2 내지 1.3과 1.5 내지 1.7이다. 그러므로, 특정 선폭을 갖는 선에 최적인 노광량이 동일 패턴에 있어서 각각 보다 적거나 또는 보다 큰 선폭을 갖는 선들에 대해서 너무 적거나 또는 너무 클수가 있어 보다 정교한 선들의 재현이 불충분해지거나 또는 보다 조잡한 선들의 감광성 내식막층이 과도하게 제거되는 요인으로 되기 때문에 패턴 재현의 충실도를 패턴전체 구역에 걸쳐서 최고로 하기는 불가능한 것이다. 또한, 가공중에 있는 반도체 장치의 표면은 완전히 편평하지가 못하고 통상 국부적으로 0.5 내지 1.0μm의 단계적 높이의 차이를 갖기 때문에 이같은 단계적 표면상에 형성된 감광성 내식막층의 두께가 균일하게되는 일이 불가능하여 단계의 상부구역에서는 보다 적어지고 단계의 하부 구역에서는 보다 커지게 된다. 그러므로, 이같은 감광성 내식막층을 광에 노광시킨 다음 현상시키면, 통상 감광성 내식막층내에 재현되는 패턴폭이 두께가 보다 큰 대역보다도 보다 적은 두께를 갖는 감광성 내식막층의 대역에서보다 작아서 패턴 재현의 충실도에 악효과를 미치게 되는 것이다.
반도체 웨이퍼 표면상에 마이크론 이하의 정교도를 갖는 감광성 내식막층 패턴을 형성시키는 부식 방법에 있어서, 습식방법의 경우 사이드 에칭(Side etching)의 바람직하지 못한 현상의 발생은 어느정도 불가피하기 때문에 부식방법은 때때로 플라즈마의 사용에 의한 사이드 에칭의 발생이 없는 건식방법에 의해 수행된다. 그러나, 이같은 건식의 부식방법에 있어서는 부식마스크로서의 감광성 내식막층 패턴이 플라즈마의 공격을 받아 막두께가 단계적으로 감소되는 요인으로 된다. 따라서, 감광성 내식막층의 패턴라인은 막두께가 건식부식방법에 있어서의 플라즈마의 공격으로 감소되는 때에도 선폭이 영향을 받지 않는 단면을 갖는 조건이 이상적이다.
전술한 문제점들은 각각 감광성 마스크상의 패턴 원형과 감광성 내식막층내에 재현되는 패턴영상간의 불완전한 재현성, 즉 충실도와 관계가 있다. 이들에 대한 이유들로서는 전술한 바와같이 노광구역과 노광되지 않은 구역간의 축소투영에 의한 노광에 있어서의 콘트라스트의 감소, 상이한 선폭들을 갖는 라인패턴들간의 최적 노광량의 차이, 단계적 높이의 차이를 갖고 있는 웨이퍼 표면상의 어느 하나의 단계의 양쪽 측면상에 있어서의 구역간의 감광성 내식막층의 막두께 차이등에 있다.
이들 문제점은 모두가 패턴 재현에 있어서의 고 충실도를 갖으며, 재현된 패턴의 치수상에 노광량의 영향이 없는 감광성 내식막 조성물의 사용에 의해서만 해결될수가 있다. 여기에서 의미하는 재현된 패턴의 치수상에 노광량의 영향이 없는 감광성 내식막 조성물은 하기의 특성들을 가져야만 된다. 즉, 재현된 라인패턴은 노광량 또는 현상 정도와는 관계없이 확대 또는 축소가 일어나지 않고 감광성 마스크 상에 있어서의 패턴 원형의 선을 정확하게 재현하는 선폭을 갖고 있어야만 된다. 감광성 내식막층의 패턴라인은 기질 표면상에 일정한 각을 이룬 쇼울더를 갖고 있는 직사각형의 단면 스탠딩을 갖고 있어야만 되며, 이에 반하여 바람직하지 못한 단면형상들로서는, 일정한 각을 이룬 쇼울더를 갖고 있다 하더라도 감광성 내식막층이 부식플라즈마의 공격에 의해 엷은 스커어트 부위내에서 소실되어 감광성 내식막 패턴의 선폭에 변화를 일으키기 때문에 기질표면상에 후연(後緣)스커어트를 갖고 있는 것들이 있다.
본 발명의 목적은 고 충실도로 패턴원형을 정확히 재현하고 패턴선폭이 노광량에 영향을 받지 않는 감광성 내식막층 패턴을 부여할수 있는, 전술한 문제점들을 갖지 않는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물을 제공하는 것이다.
즉, 본 발명에 의해 제공되는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물은(A)페놀 화합물과 포름알데히드와의 축합생성물인 페놀노보락수지 100중량부, 와(B)주로 나프토퀴논 디아지도술폰산의 에스테르로 구성되는 광중감제 20 내지 60중량부로 구성되며 : 전술한 페놀 혼합물은(a) m-크레졸인 제1의 페놀 화합물 10 내지 45중량%, 바람직하게는 20 내지 40중량%, (b)P-크레졸인 제2의 페놀 화합물 35 내지 88중량%, 바람직하게는 40 내지 60중량%, 및 (C)하기 일반식(I)로 표시되는 치환페놀인 제3의 페놀 화합물 2 내지 30중량%, 바람직하게는 10 내지 25중량%로 구성된다.
R·C6H4·OH (I)
상기 식에서, R은 알킬기, 알케닐기 및 아릴기로 구성되는 군중에서 선택되는 탄소 원자수 2 내지 6개의 1가의 탄화수소기이고 : C6H4는 페닐렌기이다.
진술한 본 발명의 요약 설명으로부터 이해할 수 있는 바와같이, 본 발명의 포지티브-워킹 감광성 내식막조성물의 대부분의 특징은 막-형성 성분으로서 특정의 페놀 화합물들의 3원 혼합물과 포름알데히드와의 축합생성물인 특정의 페놀 노보락 수지를 사용하는데에 있다. 페놀 화합물들의 3원 혼합물은 반드시(a)m-크레졸인 제1의 페놀 화합물10 내지 45중량%, 바람직하게는 20 내지 40중량%, (b)P-크레졸인 제2의 페놀 화합물 35 내지 88중량%, 바람직하게는 40 내지 60중량%, 및 상기 일반식(I)로 표시되는 치환페놀(일반식중 각각의 부호들은 상기에서 정의한 바와같다.)인 제3의 페놀성 화합물 2내지 30중량%, 바람직하게는 10 내지 25중량%로 구성되어야만 한다. 전술한 3종의 페놀 화합물들의 혼합비율이 상기 범위를 벗어나는 페놀 혼합물과 포름알데히드를 축합반응시켜 본 발명에 따른 감광성 내식막 조성물중의 막-형성 성분으로서의 페놀성 노보락 수지를 제조할때, 수지의 제제에 의하여 얻어지는 감광성 내식막 조성물의 성능은 감광성 및(또는) 감광성 내식막층의 패턴라인의 단면 형상의 면에 있어서 만족스럽지 못하게 된다.
제3의 페놀 화합물로서 치환페놀을 나타내는 일반식(I)에 있어서, R은 에틸기, 이소프로필기, 3급 부틸기등의 알킬기 : 비닐기, 알릴기등의 알케닐기 : 및 페닐기 등의 아릴기로 구성되는 군중에서 선택되는 탄소원자수 2 내지 6개의 1가의 탄화수소기를 나타낸다. R로 표시되는 기는 벤젠핵의 수산기에 대하여 어느위치에도 결합될 수가 있으나, R로 표시되는 기는 벤젠핵의 수산기에 대하여 제2위치 또는 제4위치에 결합되는 것이 바람직하다. 제3의 페놀 화합물로서의 적당한 치환페놀들을 예시하면, 2-및 4-에틸페놀류, 2-및 4-3급 부틸페놀류, 2-및 4-알킬페놀류, 2-및 4-이소프로필레놀류, 2-및 4-페닐페놀류등을 열거할수 있다. 이들 치환페놀류는 제3의 페놀화합물로서 단독으로 또는 필요에 따라서 2종 이상을 조합시켜 사용할 수가 있다.
본 발명에 따른 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물중의 성분(A)은 페놀 화합물들의 3원 혼합물과 포름알데히드와의 축합반응에 의해 얻어지는 페놀 노보락 수지이다. 축합 반응에 사용되는 포름알데히드의 원료물질로서는 포르말린등의 수용액이나 또는 파라-포름알데히드등의 중합체도 가능하다.
본 발명에 따른 감광성 내식막 조성물중의 성분(B)은 주로 나프토퀴논 디아지도 술폰산의 에스테르로 구성되는 광중감제이다. 이 화합물은 폴리히드록시벤조페논, 갈산알킬 에스테르등과 같은 1개의 분자중에 페놀성 수산기를 1개 이상 갖고 있는 화합물과 나프토퀴논 디아지도술폰산을 통상의 방법에 따라 에스테르화 반응시켜 반응 생성물로서 용이하게 얻을수가 있다.
페놀성 수산기를 갖는 전술한 화합물의 예로서는 전술한 갈산알킬 에스테르, 테트라히드록시벤조페논등의 폴리히드록시벤조페논류외에 트리히드록시벤젠류, 트리히드록시벤젠 모노에테르류, 2,2',4,4'-테트라히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페 닐프로판, 4,4'-디히드록시디페닐술폰,2,2'-디히드록시-1,1-디나프틸메탄, 2-히드록시플루오렌, 2-히드록시페난트렌, 폴리히드록시안트라퀴논류, 푸르푸로갈린 및 그유도체, 페닐 2,4,6-트리히드록시벤조산의 에스테르류등을 열거할수 있다.
본 발명에 따른 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물은 막-형성성분인 페놀 노보락 수지 100중량부에 대하여 광중감제인 전술한 나프토퀴논 디아지도술폰산에스테르 20 내지 60중량부로 구성시켜야만 된다. 광증감제의 함량이 60중량부를 초과할 경우에는 감광성 내식막 조성물은 감광성이 현저하게 감소되며, 광증감제의 함량이 너무 적을 경우에는 감광성 내식막층 패턴내의 선의 단면형상에 악효과를 미치게 된다.
본 발명에 따른 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물을 통상 전술한 페놀 노보락수지와 나프토퀴논 디아지도 술폰산에스테르를 적당한 유기용매중에 용해시켜 제조한 용액의 형태로 사용한다. 본 목적에 적합한 유기용매를 예시하면, 아세톤, 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 이소아밀케톤등의 케톤류 : 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노알킬에테르 및 그의 아세테이트류, 에틸렌글리콜모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 또는 디 에틸렌글리콜 모노아세테이트의 모노메틸에테르, 모노에틸에테르, 모노프로필에테르, 모노부틸에테르, 모노페닐에테르등의 다가알콜류 및 그의 유도체 : 디옥산과 같은 환상 에테르류 : 및 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸등의 에스테르류를 열거할수 있다. 이들 유기용매는 단독으로 사용하여도 좋으며, 또 필요에 따라 2종 이상 혼합하여 사용하여도 좋다.
본 발명에 따른 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물에는 경우에 따라서 필수성분들과 상용성이 있는 각종의 공지된 첨가제들, 예를들면 보조수지, 가소제, 안정제 또는 현상한 상을 보다 일층 가시적으로 하기위한 착색제등의 관용되고 있는 것을 첨가함유시킬수 있다.
본 발명에 따른 감광성 내식막 조성물을 사용하여 감광성 내식막층 패턴을 형성시키는 방법으로서는 종래의 모든 방법을 사용하여도 좋다. 예를들면, 반도체 실리콘 웨이퍼와 같은 지지체의 표면상에 본 발명의 감광성 내식막 조성물을 유기 용액의 형태로 스피너(Spinner)등과 같은 적당한 도공기로서 도포한 다음 건조하여 균일한 감광성 내식막층을 형성시킨다. 다음에, 축소투영기 또는 적당한 장치등을 사용하여 목적하는 패턴을 갖는 감광성 마스크에 의해 노광시킨다. 다음에 이것을 현상액, 이를테면 2 내지 5중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드와 콜린의 수용액을 사용하여 현상하면 노광결과로서 감광성 내식막 조성물의 형상액내 용해성이 증가한 영역에서 감광성 내식막층이 선택적으로 제거되어 감광성 마스크상에 고 충실도로 재현된 축소 패턴을 얻을수가 있다. 이렇게 재현된 패턴은 마이크론 이하의 범위를 갖는 선폭의 최고 미세도로서 치수가 정확한 감광성 마스크를 아주 정확하게 재현하는 이점을 지니고 있다. 따라서 본 발명의 감광성내막식 조성물을 VLSI류등의 고 정밀 반도체장치의 제조에 유익하게 사용할수가 있다.
하기에, 실시예 및 비교예를 열거하여 본 발명의 포지티브-워킹 감광성 내막식 조성물에 대하여 보다 상세하게 설명한다.
실시예 1
m-크레졸 40중량%, P-크레졸 50중량% 및 2-에틸페놀 10중량%로 구성되는 페놀 화합물들의 3원 혼합물을 옥살산 촉매의 존재하에 포르말린과 축합반응시켜 통상의 방법에 의해 페놀 노보락 수지를 제조한다. 얻어진 페몰노보락 수지 100중량부와 나프토퀴논-1,2-디아지도-5-술폰산의 2,3,4-트리히드록시 벤조페논 에스테르 30중량부를 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트 390중량부에 용해시킨 다음 공경(孔
Figure kpo00002
) 0.2μm의 박막필터로 여과하여 용액상태의 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물을 조제한다.
이같이 조제한 감광성 내식막 용액을 레지스트 코우터(resist coater)(일본국 Tazmo 회사제품, TR-4000형)를 사용하여 직경 4인치의 실리콘 웨이퍼상에 두께 1 3.㎛로 균일하게 도포한 다음, 건조하고 110℃에서 90초간 열판상에서 예비 가열건조한다. 다음에, 감광성 내식막 피복층이 피복된 실리콘 웨이퍼를 축소투영노광장치(일본국 GCA사제품, DSW-4800형 Wafer Stepper)상에서 테스트 차아트 포우트마스크(testchart photo mask)(일본국 대일본인쇄사 제품)에의해 자외선 노광시킨 다음, 현상용액으로서 테트라메틸암모늄히드록사이드 2.38중량%의 수용액을 사용하여 23℃에서 30초간 현상한다.
1.0㎛폭의 노광부위상의 라인패턴을 완전 제거하는데 소요되는 최단의 노광시간은 1000ms이다. 이같이 얻어지는 감광성 내식막층의 패턴라인은 첨부도면 제1도에 개략 도시한 바와같이 기관(1)상에 측면이 수직으로 직립된 양호한 단면형상을 갖는다.
실시예 2 내지 5와 비교예 1 내지 4
포름알데히드와의 축합반응을 위한 페놀 혼합물중의 m-크레졸 및 p-크레졸과 혼합시키는 제3의 페놀화합물을 각각 4-3급 부킬페놀, 4-페닐페놀, 2-알릴페놀 및 4-이소프로필페놀로하고, m-크레졸과 p크레졸 및 제3의 페놀 화합물의 혼합비율을 하기표에 기재한 것으로 한 것을 제외하고는 실시예1에서와 같이 행하여 실시예 2 내지 5에서 사용하는 페놀 노보락 수지를 각각 제조한다. 제3의 페놀 화합물은 사용하지 않고 하기표에 기재한 혼합비율로서 m-크레졸과 p-크레졸만으로 구성되는 페놀 혼합물로부터 비교예 1내지 4에서 사용하는 노보락 수지를 각각 제조한다.
페놀 노보락수지 100중량부와 하기에 기재하는 광증감제 I, II, Ⅲ 또는 IV(표에 기재한 함량)를 에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세트이트 390중량부에 용해시켜 실시예들 및 비교예들에 있어서의 감광성 내식막 조성물들을 조제한다.
광증감제 I : 2,3,4-트리히드록시벤조페논 1.0몰과 나프토튀논-1,2-디아지도 -5-술포닐클로라이드 1.6몰의 에스테르화 생성물
광증감제 II : 2,4,6-트리히드록시벤조페논 1.0몰과 나프토퀴논 -1,2-디아지도-5-술포닐클로라이드 1.8몰의 에스테르화 생성물
광증감제 III : 2,3,4-트리히드록시 벤조페논 1.0몰과 나프토퀴논-1,2-디아지도-5-술포닐클로라이드 2.0몰의 에스테르화 생성물
광증감제 IV : 2,3,4,4
Figure kpo00003
-테트라히드록시 벤조페논 1.0몰과 니프토퀴논-1,2-디아지도-5-술포닐클로라이드 2.2몰의 에스테르화 생성물
각각의 감광성 내식막 조성물에 대하여 광감도 테스트, 즉 1μm선폭의 라인-앤드-스페이스(line-and-space)패턴의 정확하게 재현될수 있는 최단의 노광시간 시험을 행하고, 이들 결과를 하기표에 ms로 나타낸다. 하기 표에는 또한 제1도, 제2도 및 제3도에 도시한 지지체상의 패턴라인들이 단면형상에 상응하는 부호 a, b 및 c로 표시한 패턴라인들의 단면형상이 기재되어 있다.
[표]
Figure kpo00004
실시예 6
실시예 1에 있어서 테스트 차아트 포우토 마스크 대신에 1.25㎛ 및 2.0μm폭을 갖는 라인-앤드-스페이스 패턴의 테스트 차아트 레티클(test chart reticle)을 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1에서와 동일한 실험절차를 행한다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼상의 감광성 내식막층의 패턴이 테스트 차아트 레티클상에 고충실도로서 패턴이 정확히 재현된다.
비교예 5
비교예 1에 있어서, 테스트 차아트 포우트 마스크 대신에 실시예 6에서 사용한 것과 동일한 테스트 차아트 레티클을 사용하고 노광시간의 길이를 450ms로 한것을 제외하고는 동일한 실험절차를 행한다. 그 결과, 실리콘 웨이퍼상에 1.25μm선폭의 라인-앤드-스페이스 패턴이 재현될수 있음에 반하여 2.0㎛선폭의 라인-앤드-스페이스패턴은 1.6μm폭의 라인패턴과 2.4μm폭의 스페이스 패턴으로 구성되어 단지 불완전하게 재현된다.

Claims (5)

  1. (A)페놀 혼합물과 포름알데히드와의 축합생성물인 페놀노보락 수지 100중량부 : 와(B)주로 나프토퀴논디아지도술폰산의 에스테르로 구성되는 광증감제 20 내지 60중량부로 구성되며 : 전술한 페놀 혼합물은(a)m-크레졸인 제1의 페놀 화합물10 내지 45중량%, (b)p-크레졸인 제2의 페놀 화합물 35 내지 88중량% 및 (c)하기 일반식(I)로 표시되는 치환페놀인 제3의 페놀화합물 2 내지 30중량%로 구성됨을 특징으로 하는 포지티브-워킹(Positive-Working)감광성 내식막 조성물
    R·C6H4·OH…( I )
    상기식에서, R은 알킬기, 알케닐기 및 아릴기로 구성되는 군중에서 선택되는 탄소원자수 2 내지 6개의 1가의 탄화수소기이고 : C6H4는 페닐렌기이다.
  2. 제1항에 있어서, 페놀 혼합물이 제1의 페놀화합물 20 내지 40중량%, 제2의 페놀화합물 40 내지 60중량% 제3의 페놀화합물 10내지 25중량%로 구성됨을 특징으로 하는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 제3의 페놀화합물이 2-및 4-에틸페놀류, 2-및 4-3급부틸페놀류, 2-및 4-알릴페놀류, 2-및 4-페닐페놀류, 및 2-및 4-이소프로필페놀류로 구성되는 군중에서 선택됨을 특징으로 하는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 나프토퀴논 디아지도 술폰산의 에스테르가 나프토퀴논 디아지도 술폰산과 1분자중에 페놀성 수산기를 1개이상 갖는 화합물과의 에스테르임을 특징으로하는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물.
  5. 제4항에 있어서, 1분자중에 페놀성 수산기를 1개이상 갖는 화합물이 갈산알킬류, 폴리히드록시벤조페논류, 트리히드록시벤젠류, 트리히드록시벤젠모노에테르류, 2,2', 4,4'-테트라히드록시디페닐메탄, 4,4'-디히드록시디페닐프로판, 4,4'-디히드록시디페닐술폰, 2,2'-디히드록시-1,1-디나프틸메탄, 2-히드록시플루오렌, 2-히드록시페난트렌, 폴리히드록시안트라퀴논류, 푸르푸로갈린 및 페닐 2,4,6-트리히드록시벤조산으로 구성되는 군중에서 선택됨을 특징으로는 포지티브-워킹 감광성 내식막 조성물.
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