KR980003839A - 화학 증폭 포지형 레지스트 재료 - Google Patents

화학 증폭 포지형 레지스트 재료 Download PDF

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Abstract

(A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 화학식(1)로 표시되는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 30,000인 고분자 화합물, (C) 산발생제, (D) 분자내에 ≡C-COOH로 표시되는 기를 갖는 방향족 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
(식 중은 H 또는 메틸기이고,는 -C으로 표시되는 기이며,과는 서로 다른 불안정기고,,는 H 또는내지의 알킬기이고,은내지의 알킬기이거나, 또는과,와또는와은 환을 형성하여도 좋으며, 환을 형성하는 경우,은내지의 알킬렌기를 나타내며, x, y는 0 또는 양수인데, x, y가 동시에 0이 될 수는 없으며, z는 양수이고, x, y, z는 0≤x/(x+y+z)≤0.5, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.4≤z/(x+y+z)≤0.9의 관계를 만족한다.)
본 발명의 레지스트 재료는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료로서 고에너지 선, 특히 KrF 엑시머 레이저 및 X선에 감응하여, 감도, 해상성, 플라즈마에칭 내성이 뛰어나며 질화막 기판상에서의 해밍 현상 및 PED의 개선 효과도 뛰어나다.

Description

화학 증폭 포지형 레지스트 재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (6)

  1. (A) 유기 용제, (B) 베이스 수지로서 화학식(1)로 표시되는 중량 평균 분자량이 3,000 내지 30,000인 고분자 화합물
    (식 중은 수소 원자 또는 메틸기이고,는 하기 화학식(2)
    로 표시되는 기이며,과는 서로 다른 불안정기이며,는 각각 독립하여 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기이고,은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 알킬이거나 또는와,와은 서로 환을 형성하여도 좋으며, 환을 형성하는 경우,은 각각 독립하여 탄소수 1 내지 6의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고, x, y는 각각 0 또는 양수이며, x, y가 동시에 0이 될 수는 없으며, z는 양수이고, x, y, z는 0≤x/(x+y+z)≤0.5, 0≤y/(x+y+z)≤0.5, 0.4≤z/(x+y+z)≤0.9의 관계를 만족한다.)
    (C) 산발생제, (D) 분자내에 ≡C-COOH로 표시되는 기를 갖는 방향족 화합물을 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, (B) 성분의 고분자 화합물이 하기 화학식(3)으로 표시되는 화합물인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
    (식 중및, x, y, z는 상기와 동일한 의미를 나타낸다.)
  3. 제1항 또는 2항에 있어서, (D) 성분의 화합물이 하기 Ⅰ군 및 Ⅱ군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 화합물이 화학 증폭 포지형 레지스트 재료. 하기 화학식(4) 내지 (13)으로 표시되는 화합물의 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부 또는 전부를 --COOH(은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기)에 의해 치환되어 이루어지며, 분자 중의 페놀성 수산기 A와 ≡C-COOH로 표시되는 기 B와의 비율이 B/(A+B)=0.1 내지 1.0인 화합물.
    (식 중,은 수소 원자 또는 메틸기이고,은 각각 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기이고,는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기, 또는 -()r-COOR`기(R`는 수소 원자 또는 --COOH)이고,은 -(-(t=2 내지 10), 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자 또는 황원자이며,은 탄소수 1 내지 10의 알킬렌기, 탄소수 6 내지 10의 아릴렌기, 카르보닐기, 술포닐기, 산소 원자 또는 황 원자이고,는 수소원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 알케닐기, 각각 수산기로 치환된 페닐기 또는 나프틸기이며,은 탄소수 1 내지 10의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기이고,는 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상 또는 분지상의 알킬기 또는 알케닐기, --COOH기이며, s는 0 내지 5의 정수이고, r은 0 또는 1이며, p1, q1, p2, q2, p3, q3, p4, q4는 각각 p1+q1=8, p2+q2=5, p3+q3=4, p4+q4=6을 만족하며, 각 페닐 골격 중에 적어도 1개의 수산기를 갖는 수이고,는 화학식(9)의 화합물을 중량 평균 분자량 1,000 내지 5,000으로 하는 수이며,는 화학식(10)의 화합물을 중량 평균 분자량 1,000 내지 10,000으로 하는 수이다.)
    하기 화학식(14) 내지 (15)로 표시되는 화합물.
    (식 중및 r은 상기와 동일한 의미를 나타내고, p5,q5는 p5≥0, q5≥0이며, p5+q5=5를 만족하는 수이다.)
  4. 제1 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, (B) 성분의 베이스 수지의 분자량 분포가 1.0 내지 1.5의 협분산폴리머인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  5. 제1 내지 4항 중 어느 한 항에 있어서, (E) 성분으로서 염기성 화합물을 배합한 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
  6. 제1 내지 5항 중 어느 한 항에 있어서, (C) 성분의 산발생제가 오늄연인 화학 증폭 포지형 레지스트 재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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