KR930001324A - 레지스트 조성물 - Google Patents

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KR930001324A
KR930001324A KR1019920010288A KR920010288A KR930001324A KR 930001324 A KR930001324 A KR 930001324A KR 1019920010288 A KR1019920010288 A KR 1019920010288A KR 920010288 A KR920010288 A KR 920010288A KR 930001324 A KR930001324 A KR 930001324A
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다끼자와 다께시
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Abstract

내용 없음

Description

레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. (a) 알칼리 가용성 페놀수지 100중량부: (b) 하기 일반식 (1)∼(16)으로 표시되는 할로겐 함유 방향족화합물로 이루어진 군에서 선택되고 활성 광선의 조사에 의해 산을 생성하는 적어도 1종의 화합물 0.2∼50중량부:
    일반식(1):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2및 R3은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기, 치환알콕시기, 니트로기 및 아미노기로부터 선택된다.];
    일반식(2):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R6은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택된다.];
    일반식 (3):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R6은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택된다. ];
    일반식(4):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R6은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되며,
    (단, R7및 R8은 각각 독립적으로 수소원자, 알킬기, 시클로알킬기 및 알케닐기로 부터 선택된다).]:
    일반식 (5):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R9는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되며, R10은 수소원자 또는 알킬기이다.]]:
    일반식(6):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되며, R9∼R12는 각각 독립적으로 수소원자 및, 알킬기에서 선택된다];
    일반식 (7):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R9는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히도록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되고, R10및 R11은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자 및 알킬기로 부터 선택되며, R12∼R14는 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로 부터 선택된다.]
    일반식 (8):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다), R2∼R9는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되며, R10및 R11은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자 및 알킬기로부티 선택되고, R12∼R17는 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로부터 선택된다].
    일반식 (9):
    [식중, R1은 할로겐화 알콕시기이고(단, 할로겐원자는 염소 및 브롬원자에서 선택된다). R2∼R12는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환 알킬기, 알콕시기 및 치환 알콕시기로부터 선택되며, R13및 R14는 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로부터 선택되고, A는 단일결합 또는 알킬렌기, 치환알킬렌기, 알케닐렌기, 치환알켈닐렌기, 아릴렌기 또는 치환아릴렌기이다.]
    일반식(10):
    [식중, R1∼R6은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이며, R7∼R10은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로 부터 선택된다.]
    일반식 (11):
    [식중, R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이며, R9∼R12은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로부터 선택된다.]
    일반식(12):
    [식중, R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이고, R9∼R14는 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로 부터 선택된다]:
    일반식(13):
    [식중, R1∼R8은 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로 부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이고, R9∼R10은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로 부터 선택되며, A는 단일결합, 또는 알킬렌기, 치환알킬렌기, 알케닐렌기, 치환알케닐렌기, 아닐렌기, 또는 치환아릴렌기이다.]:
    일반식(14):
    [식중, R1∼R4는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로 부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이고, R5∼R8은 각각 독립적으르 수소원자 및 알킬기로 부터 선택되며, B는 산소원자 또는 단일결합이다.]:
    일반식 (15):
    [식중, R1∼R4는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이고, R5∼R7은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로 부터 선택되며, B는 산소원자 또는 단일결합이다.]:
    일반식(16):
    [식중, R1∼R4는 각각 적으로 수소원자, 할로겐원자, 히드록실기, 알킬기, 치환알킬기, 알콕시기 및 치환알콕시기로 부터 선택되나, 단 이들중 적어도 하나는 할로겐원자이고, R5∼R6은 각각 독립적으로 수소원자 및 알킬기로 부터 선택되며, B는 산소원자 또는 단일결합이다.] (c) 화합물(b)로부터 생성된 산의 존재하에서 알칼리 가용성 페놀수지를 가교하는 화합물 0.01∼50중량부, 및 (d) 상기 조성물 성분을 용해시키는데 충분한 양의 용매의 혼합물을 함유하는 레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 페놀수지가 수소첨가 알칼리 가용성 페놀수지인 레지스트 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 일반식(10)∼(16)으로 표시되는 할로겐함유 방향족 화합물의 방향족 탄소원자에 결합한 할로겐원자가 염소원자 또는 브롬원자인 레지스트 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 산의 존재하에서 가교하는 화합물 (c)가 적어도 하나의 C-O-R기(R은 수소원자 또는 알킬기이다) 또는 에폭시기를 갖는 화합물인 레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 반도체 소자의 미세가공용 네가티브형 레지스트로서 적절한 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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