KR920020260A - 포지티브형 레지스트 조성물 - Google Patents

포지티브형 레지스트 조성물 Download PDF

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KR920020260A
KR920020260A KR1019920007031A KR920007031A KR920020260A KR 920020260 A KR920020260 A KR 920020260A KR 1019920007031 A KR1019920007031 A KR 1019920007031A KR 920007031 A KR920007031 A KR 920007031A KR 920020260 A KR920020260 A KR 920020260A
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halogen
alkyl
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쇼지 가와따
도시아끼 후지이
데뚜료 구스노끼
모또후미 가시와기
히로시 야기
가즈꼬 고이또
시냐 이께다
Original Assignee
다끼자와 다께시
닛뽕제온 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
    • G—PHYSICS
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    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

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  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

포지티브형 레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. (a) 알칼리 가용성 페놀 수지 100 중량부, (b) 퀴논디아지드 술폰산 에스테르계 감광제 1~100 중량부, (c) 히드록시 화합물의 수산기 (-OH)의 적어도 일부가 술폰산 에스테르화 (-OSO2R), 카르복실산 에스테르화(-OCOR), 및 에테르화(-O-R)로 이루어진 군으로 부터 선택되는 적어도 1종의 변환반응에 의해 변형된 구조의 화합물 1~100 중량부, (식중, R은 알킬기, 치환 알킬기, 알케닐기, 치환 알케닐기, 아릴기, 치환 아릴기, 알리알킬기 또는 치환 아릴알킬기이다.) 및 (d) 상기 조성물 성분을 용해하는데 충분한 용매를 함유함을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 히드록시 화합물이 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 폴리히드록시 화합물인 포지티브형 레지스트 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 폴리히드록시 화합물이 하기 일반식 (I)~(VIII)으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 폴리히드록시 화합물인 포지티브형 레지스트 조성물.
    일반식(I)
    [상기 식중, R1~R4는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R5및 R6는 수소, 할로겐 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택되며; R7~R10는 수소 및 C1~C4의 알킬기로부터 각각 독립적으로 선택된다.]
    일반식(II)
    [상기 식중, R1~R7는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 치환 알콕시기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R8는 수소 또는 C1~C4의 알킬기이다.]
    일반식(III)
    [상기 식중, R1~R6는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R7및 R8는 수소, 할로겐 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택되며; R9~R11는 수소 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택된다.]
    일반식(IV)
    [상기 식중, R1~R8는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 치 알콕시기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; A는 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알케닐렌기,치환 알케닐렌기, 아릴렌기 또는 치환 아릴렌기이며; m은 0 또는 1이다.]
    일반식(IV)
    [상기 식중, R1~R5는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 하기 일반식(V-1)으로 표시되는 기로 부터 각각 독립적으로 선택되고, 또한 그중의 적어도 하나는 일반식(V-1)으로 표시되는 기이다 ;
    일반식(V-1)
    (상기 식중, R7및 R8는 수소, 할로겐, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; n은 0, 1 또는 2이다.)]
    일반식(VI)
    [상기 식중, A는 -S-, -O-, -CO-,-COO-, -SO-, -SO2- 또는 -CR7R8- (식중, R7및 R8은 수소, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기 및 페닐기로 부터 각각 독립적으로 선택된다)이고 ; R1~R5는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 하기 일반식 (VI-1)으로 표시되는 기로 부터 각각 독립적으로 선택되고, 또한 , 그중의 적어도 하나는 일반식(VI-1)으로 표시되는 기이다 :
    일반식(VI-1)
    (식중, R6는 수소, 할로겐 ,C1~C4의 알킬기 또는 C2~C5의 알케닐기 이고; n 0, 1 또는 2이다.)]
    일반식(VII)
    [상기 식중, A는 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 치환 알케닐렌기이고 ; R1~R6는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C1~C4의 알콕시기로 부터 각각 독립적으로 선택된다.]
    일반식(VIII)
    [상기 식중, R1~R6는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R7및 R8는 수소, 할로겐, 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택되며 ; R9~R14는 수소 및 C1~C6의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택된다.
  4. 제1항에 있어서, 히드록시 화합물의 수산기가 변환 반응에 의해 변형된 비율이 평균 1~100%인 포지티브형 레지스트 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 화합물(c)이 파장 300~500nm의 자외선에 노출시 알칼리 수용액에 대한 용해성의 변화를 일으키지 않는 것인 포지티브형 레지스트 조성물.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920007031A 1991-04-26 1992-04-25 포지티브형 레지스트 조성물 KR920020260A (ko)

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JP91-124719 1991-04-26
JP12471991 1991-04-26
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JP91-254589 1991-09-05

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