KR920020260A - 포지티브형 레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- (a) 알칼리 가용성 페놀 수지 100 중량부, (b) 퀴논디아지드 술폰산 에스테르계 감광제 1~100 중량부, (c) 히드록시 화합물의 수산기 (-OH)의 적어도 일부가 술폰산 에스테르화 (-OSO2R), 카르복실산 에스테르화(-OCOR), 및 에테르화(-O-R)로 이루어진 군으로 부터 선택되는 적어도 1종의 변환반응에 의해 변형된 구조의 화합물 1~100 중량부, (식중, R은 알킬기, 치환 알킬기, 알케닐기, 치환 알케닐기, 아릴기, 치환 아릴기, 알리알킬기 또는 치환 아릴알킬기이다.) 및 (d) 상기 조성물 성분을 용해하는데 충분한 용매를 함유함을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 히드록시 화합물이 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 폴리히드록시 화합물인 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제2항에 있어서, 페놀성 수산기를 2개 이상 갖는 폴리히드록시 화합물이 하기 일반식 (I)~(VIII)으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 폴리히드록시 화합물인 포지티브형 레지스트 조성물.일반식(I)[상기 식중, R1~R4는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R5및 R6는 수소, 할로겐 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택되며; R7~R10는 수소 및 C1~C4의 알킬기로부터 각각 독립적으로 선택된다.]일반식(II)[상기 식중, R1~R7는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 치환 알콕시기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R8는 수소 또는 C1~C4의 알킬기이다.]일반식(III)[상기 식중, R1~R6는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R7및 R8는 수소, 할로겐 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택되며; R9~R11는 수소 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택된다.]일반식(IV)[상기 식중, R1~R8는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 치 알콕시기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; A는 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알케닐렌기,치환 알케닐렌기, 아릴렌기 또는 치환 아릴렌기이며; m은 0 또는 1이다.]일반식(IV)[상기 식중, R1~R5는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 하기 일반식(V-1)으로 표시되는 기로 부터 각각 독립적으로 선택되고, 또한 그중의 적어도 하나는 일반식(V-1)으로 표시되는 기이다 ;일반식(V-1)(상기 식중, R7및 R8는 수소, 할로겐, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; n은 0, 1 또는 2이다.)]일반식(VI)[상기 식중, A는 -S-, -O-, -CO-,-COO-, -SO-, -SO2- 또는 -CR7R8- (식중, R7및 R8은 수소, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기 및 페닐기로 부터 각각 독립적으로 선택된다)이고 ; R1~R5는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기, C2~C5의 알케닐기, C1~C6의 알콕시기 및 하기 일반식 (VI-1)으로 표시되는 기로 부터 각각 독립적으로 선택되고, 또한 , 그중의 적어도 하나는 일반식(VI-1)으로 표시되는 기이다 :일반식(VI-1)(식중, R6는 수소, 할로겐 ,C1~C4의 알킬기 또는 C2~C5의 알케닐기 이고; n 0, 1 또는 2이다.)]일반식(VII)[상기 식중, A는 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알케닐렌기 또는 치환 알케닐렌기이고 ; R1~R6는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C1~C4의 알콕시기로 부터 각각 독립적으로 선택된다.]일반식(VIII)[상기 식중, R1~R6는 수소, 할로겐, 수산기, C1~C4의 알킬기 및 C2~C5의 알케닐기로 부터 각각 독립적으로 선택되고; R7및 R8는 수소, 할로겐, 및 C1~C4의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택되며 ; R9~R14는 수소 및 C1~C6의 알킬기로 부터 각각 독립적으로 선택된다.
- 제1항에 있어서, 히드록시 화합물의 수산기가 변환 반응에 의해 변형된 비율이 평균 1~100%인 포지티브형 레지스트 조성물.
- 제1항에 있어서, 화합물(c)이 파장 300~500nm의 자외선에 노출시 알칼리 수용액에 대한 용해성의 변화를 일으키지 않는 것인 포지티브형 레지스트 조성물.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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