KR880013043A - 알칸올 아민을 함유한 고콘트라스트 양화 감광성 내식막 현상액 - Google Patents

알칸올 아민을 함유한 고콘트라스트 양화 감광성 내식막 현상액 Download PDF

Info

Publication number
KR880013043A
KR880013043A KR1019880003914A KR880003914A KR880013043A KR 880013043 A KR880013043 A KR 880013043A KR 1019880003914 A KR1019880003914 A KR 1019880003914A KR 880003914 A KR880003914 A KR 880003914A KR 880013043 A KR880013043 A KR 880013043A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
composition
photoresist
ammonium hydroxide
ethyl
adjuvant
Prior art date
Application number
KR1019880003914A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940007785B1 (ko
Inventor
엠 라자러스 리차드
엘 벨 케네스
엠 바워 칼라
Original Assignee
제럴드 케이 화이트
모르톤 티오콜, 인코오포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/035,413 external-priority patent/US4808513A/en
Application filed by 제럴드 케이 화이트, 모르톤 티오콜, 인코오포레이티드 filed Critical 제럴드 케이 화이트
Publication of KR880013043A publication Critical patent/KR880013043A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940007785B1 publication Critical patent/KR940007785B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C7/00—Multicolour photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents; Photosensitive materials for multicolour processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

알칸올 아민을 함유한 고콘트라스트 양화 감광성 내식막 현상액
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도부터 제6도까지는 각각 현상된 감광성 내식막 라인 2μ(적정 마스크 크기)의 단편 투시 사진이며, 또한 주변기판 및 인접 라인 일부를 나타내고 있다.

Claims (18)

  1. 필수적으로 하기한 성분 A 및 B의 수용액으로 구성되는 퀴논 디아자이드 양화 작용성 감광성 내식막을 노출시켜 선명한 상을 현상하기 위한 조성물:
    A. 상기 조성물이 상기 감광성 내식막을 현상시킬 수 있도록 하기 위해 유효량으로 존재하는 최소한 일종의 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드, 그리고 B. 하기한 구조 Ⅰ및 구조 Ⅱ로 구성된 그룹으로 부터 선택된 구조를 갖는 최소한 일종의 보조제가 상기 감광성 내식막이 현상되는 동안 그 비노출 부분의 모서리상에 불규칙한 기착물의 형성을 감소시키기에 충분한 양으로 존재함.
    상기식에서 n은 0 또는 1, m은 1 또는 2 ; 각각의 R1및 R2는 수소, 메틸 또는 에틸로 부터 개별적으로 선택된 것이며 구조 Ⅰ에서 두개의 R2은 두 모두 에틸이 아님.
  2. 제1항에 있어서, 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드는 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드인 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 조성물이 약 0.7 내지 2.0중량%의 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드를 포함하는 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 조성물이 약 0.8 내지 1.6중량%의 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드를 포함하는 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 조성물이 약 0.9 내지 1.1중량%의 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드를 포함하는 조성물.
  6. 제1항에 있어서 상기 보조제가 모르포린인 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 보보제가 디메틸-3-아미노-1-프로판올인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 테트라알킬 암모늄 하이드록사이드와 상기 보보제의 중량비가 1:9이거나 그 이하인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드와 상기 보조제의 중량 비율이 약 1:12내지 1:38인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드와 상기 보조제의 중량 비율이 약 1:15인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 비이온성 계면 활성제를 약 0 내지 0.05중량%로 필수적으로 함유하는 조성물.
  12. 하기한 A 및 B의 수용액으로 필수적으로 구성된 선명산노출용 퀴논 디아자이드 양화 작용성 감광성 내식막의 현상용 조성물 ; A. 상기 조성물이 감광성 내식막을 현상시킬 수 있을 정도의 충분량으로 존재하는 최소한 일종의 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 B. 하기 구조 Ⅰ및 구조 Ⅱ로 구성된 그룹으로 부터 선택된 구조를 갖는 최소한 일종의 보조제를 상기 조성물의 Cp값을 증가시키기에 충분한 양으로 포함함 :
    상기식에서 n은 0 또는 1 ; m은 1 또는 2 ; 각각의 R1및 R2각각은 수소, 메틸 또는 에틸로 부터 개별적으로 선택된 것이며 구조 Ⅰ에서 두개의 R2은 둘 모두 에틸이 아님.
  13. 하기한 성분 A 및 B의 수용액으로 구성된 선명상 노출용 퀴논 아자이드 양화 작용성 감광성 내식막의 현상용 조성물; A. 상기 조성물이 상기 감광성 내식막을 현상시키기에 충분한 양으로 존재하는 최소한 일종의 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 B; 하기한 구조 Ⅰ및 구조 Ⅱ로 구성된 구조식을 갖는 최소한 일종의 보조제를 상기 조성물의 처리위도를 증가시키기에 충분한 양으로 포함함.
    상기식에서 n은 0 또는 1 ; m은 1 또는 2 ; 각각의 R1및 R2는 수소, 메틸 또는 에틸로 부터 개별적으로 선택된 것이나 구조 Ⅰ에서 두개의 R2는 둘 모두 에틸은 아님.
  14. 디아자이드 양화 반응성 감광성 내식막을 노출시켜 이 내식막의 비 노출 부분 모서리상에 불규칙적인 기착물을 형성시키지 않고 하기한 단계로 현상하는 방법:
    A. 상기 노출 감광성 내식막을 제공하며 ; B. 상기 조성물이 상기 감광성 내식막을 현상 시킬 수 있을 정도의 유효량으로 존재하는, 최소한 일종의 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드와 하기한 구조 Ⅰ및 구조 Ⅱ로 구성된 그룹으로 부터 선택된 구조를 갖는 최소한 일종의 보조제로 구성되며, 상기 일차 알카리와 상기 보조제를 약 1:9이하의 중량비로 포함하는 수용액으로 필수적으로 구성된 현상액 조성물을 제공하며, C. 상기 감광성 내식막의 노출된 부분이 선명해질 때까지 이감광된 내식막을 상기 현상액으로 현상하며 D. 상기 감광성 내식막으로 부터 상기 현상액을 세정함.
    상기식에서 n은 0 또는 1 ; m은 1 또는 2 ; R1및 R2각각은 수소, 메틸 또는 에틸로 부터 개별적으로 선택된 것이며 구조 Ⅰ에서 두개의 R2는 둘 모두 에틸이 아님.
  15. 제14항에 있어서, 상기 단계 C가 함침 현상인 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 단계 C가 분무 현상인 방법.
  17. 퀴논 디아자이드 양화 작용성 감광성 내식막을 노출시켜 최소한 약 1.33의 Cp값을 제공하기 위한 방법으로 하기 단계로 구성되는 선명한 상의 현상 방법.
    A. 상기 노출된 감광성 내식막을 제공하며 ; B. 상기 조성물이 상기 감광성 내식막을 현상 시킬 수 있을 정도의 유효량으로 존재하는 최소한 일종의 테트라 알킬 암모늄 하이드록사이드 및 하기한 구조 Ⅰ및 구조 Ⅱ로 구성된 그룹으로 부터 선택된 구조를 갖는 최소한 일종의 보조제로 구성되며, 상기 테트라 알킬 암모늄 하이드록 사이드와 상기 보조제의 약 중량바른 1:9이하로 포함하는 수용액으로 구성된 현상액 조성물을 제공하며, C. 상기 감광성 내식막의 노출 부분이 선명해질 때까지 상기 현상액으로 상기 감광성 내식막을 현상하며, D. 상기 감광성 내식막으로 부터 상기 현상액을 세정함.
    상기식에서 n은 0 또는 1; m은 1 또는 2 ; R1및 R2각각은 수소, 메틸 또는 에틸로 부터 개별적으로 선택된 것이며 구조 Ⅰ에서 두개의 R2는 둘 모두 에틸이 아님.
  18. 제17항에 있어서, 상기 Cp값은 상기 노출된 감광성 내식막 두께가 1.3μ±0.1μ일때 최소한 약 1.33이며 ; 상기 감광성 내식막을 노출시키기 위해 사용되는 노출에너지는 220 내지 260mj/Cm2이며 ; 상기 감광성 내식막의 연성 베이킹 온도는 115℃ 내지 120℃이고 : 상기 현상액의 온도는 150℃±1℃이며 : 상기 감광성 내식막을 노출시키기 위해 사용된 기구는 상기 감광성 내식막의 상부 표면 ±1℃상에 촛점을 둔 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019880003914A 1987-04-06 1988-04-06 알칸올아민을 함유한 고콘트라스트 양화 작용성 감광성 내식막 현상액 KR940007785B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US035,413 1987-04-06
US035413 1987-04-06
US07/035,413 US4808513A (en) 1987-04-06 1987-04-06 Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine
US16063988A 1988-03-10 1988-03-10
US160639 1988-03-10
US160,639 1988-03-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880013043A true KR880013043A (ko) 1988-11-29
KR940007785B1 KR940007785B1 (ko) 1994-08-25

Family

ID=26712093

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880003914A KR940007785B1 (ko) 1987-04-06 1988-04-06 알칸올아민을 함유한 고콘트라스트 양화 작용성 감광성 내식막 현상액

Country Status (6)

Country Link
EP (1) EP0286272B1 (ko)
JP (1) JPS6419345A (ko)
KR (1) KR940007785B1 (ko)
AU (1) AU606667B2 (ko)
DE (1) DE3886971T2 (ko)
DK (1) DK183888A (ko)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4997748A (en) * 1988-08-26 1991-03-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Developer solution for positive-working resist composition
JPH02151866A (ja) * 1988-11-21 1990-06-11 Macdermid Inc フォトレジスト現像液
DE58908699D1 (de) * 1989-03-20 1995-01-12 Siemens Ag Verfahren zum Erzeugen einer Photoresiststruktur.
DE3941394A1 (de) * 1989-12-15 1991-06-20 Basf Ag Waessrige entwicklerloesung und verfahren zum entwickeln von photoresisten
US5998102A (en) * 1997-10-06 1999-12-07 Agfa Corporation Etch inhibitors in developer for lithographic printing plates
WO1999053381A1 (en) * 1998-04-15 1999-10-21 Etec Systems, Inc. Photoresist developer and method of development
US20050260528A1 (en) * 2004-05-22 2005-11-24 Hynix Semiconductor Inc. Liquid composition for immersion lithography and lithography method using the same

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56122130A (en) * 1980-02-28 1981-09-25 Sharp Corp Method for forming pattern of thin film transistor
JPS57114141A (en) * 1981-01-06 1982-07-15 San Ei Chem Ind Ltd Increasing method for developing power of developer for positive type photosensitive resin
JPS59182444A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フオトレジストの改良現像液
US4710449A (en) * 1986-01-29 1987-12-01 Petrarch Systems, Inc. High contrast low metal ion positive photoresist developing method using aqueous base solutions with surfactants
JPH0638159B2 (ja) * 1986-07-18 1994-05-18 東京応化工業株式会社 ポジ型ホトレジスト用現像液

Also Published As

Publication number Publication date
EP0286272B1 (en) 1994-01-12
EP0286272A3 (en) 1989-03-22
DK183888A (da) 1988-10-07
DE3886971T2 (de) 1994-05-19
AU1386888A (en) 1988-10-06
KR940007785B1 (ko) 1994-08-25
JPS6419345A (en) 1989-01-23
DK183888D0 (da) 1988-04-05
EP0286272A2 (en) 1988-10-12
AU606667B2 (en) 1991-02-14
DE3886971D1 (de) 1994-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0186184B1 (en) Positive resist developer and method of developing positive resist
KR900005850B1 (ko) 포지티브형(型) 포토레지스트 조성물용(用) 현상액
US7467632B2 (en) Method for forming a photoresist pattern
US3669660A (en) Lithographic plate developing composition and process of use thereof
KR20020002877A (ko) 광산 발생제와 함께 광 라디칼 발생제(ｐｒｇ)를 포함하는포토레지스트 조성물
JP3426055B2 (ja) フォトレジスト層用の現像剤
KR100295541B1 (ko) 감광성조성물및패턴형성방법
US4351895A (en) Deletion fluid for positive printing plates
KR880013043A (ko) 알칸올 아민을 함유한 고콘트라스트 양화 감광성 내식막 현상액
TW353159B (en) Method of developing positive photoresist and compositions therefor
JPS5875152A (ja) ポジチブ写真平版製品の改良現像剤
KR900003676A (ko) 포지티브 작용 포토레지스트용 현상수용액
JPS63202742A (ja) 有機溶剤不含の現像剤組成物及び写真素子を処理する方法
US3620736A (en) Photofabrication system using developed negative and positive images in combination with negative-working and positive-working photoresist compositions to produce resists on opposite sides of a workpiece
US3099209A (en) Process of treating residual positive silver halide images with organic sulfur to render said images oleophilic
JPS5650330A (en) Photosensitive lithographic plate and its plate making method
JP3447136B2 (ja) ポジ型感光性組成物
US3385701A (en) Lithographic offset master and method
JPH09265177A (ja) フォトレジスト組成物
US3592647A (en) Process for improving planographic offset printing plates
JP3837279B2 (ja) フォトレジストパターン形成方法及び半導体素子の製造方法
US2969014A (en) Photochemical stencil and method for manufacture
US5094934A (en) Method of developing a high contrast, positive photoresist using a developer containing alkanolamine
KR20050050367A (ko) 포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법
GB1293722A (en) Photoresist process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040714

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee