JP3447136B2

JP3447136B2 - ポジ型感光性組成物

Info

Publication number: JP3447136B2
Application number: JP03081495A
Authority: JP
Inventors: 為一落合; 泰弘亀山
Original assignee: Shipley Co LLC
Current assignee: Rohm and Haas Electronic Materials LLC
Priority date: 1995-02-20
Filing date: 1995-02-20
Publication date: 2003-09-16
Anticipated expiration: 2018-09-16
Also published as: JPH08220740A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は一般に輻射線に感応する
ポジ型感光性組成物に関するものであり、詳しくはアル
カリ可溶性樹脂、光酸発生剤及び、酸不安定基を有する
特定化合物を含むことを特徴とするポジ型感光性組成物
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積度化は、一般に
言われるように３年間に４倍のスピードで進行し、例え
ばダイナミック・ランダム・アクセス・メモリー（ＤＲ
ＡＭ）を例にとれば、現在では、４Ｍビットの記憶容量
を持つものの本格生産が開始されている。それにともな
い集積回路の生産に不可欠のフォトリソグラフィー技術
に対する要求も年々きびしくなってきている。例えば、
４ＭビットＤＲＡＭの生産には、０．８μｍレベルのリ
ソグラフィー技術が必要とされ、更に高集積度化の進ん
だ１６ＭＤＲＡＭにおいては、０．５μｍレベルのリソ
グラフィー技術が必要とされると予想されている。これ
にともない、レジストの露光に用いられる波長も、水銀
灯のｇ線（４３６ｎｍ）からｉ線（３６５ｎｍ）、さら
にＫｒＦエキシマレーザ光（２４８ｎｍ）へと短波長化
が進んでいる。ところが従来のナフトキノンジアジド系
化合物を感光剤とするポジ型フォトレジストでは、Ｋｒ
Ｆエキシマレーザ光などの遠紫外領域の光に対しては透
過率が非常に低く、低感度かつ低解像力となってしま
う。このような問題を解決する新しいポジ型レジストと
して、酸触媒反応によりアルカリ現像液に対する溶解性
が増大するような化合物と光の作用より酸を生成する光
酸発生剤とからなる化学増幅型ポジ型フォトレジストが
種々提案されている。このような化学増幅型ポジ型フォ
トレジストにおいては、特に高解像力を得るために、酸
触媒反応によりアルカリ現像液に対する溶解性が著しく
増大するような化合物の構造が非常に重要である。例え
ば、特開平４−３７７６０号公報には、かかる化合物と
して、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ化ビスフェノール
Ａを使用することが開示されており、該化合物を含有す
る組成物は、ある程度の解像度を達成しうるが、更に高
解像度を達成し得る組成物が望まれている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】化学増幅型ポジ型フォ
トレジストの解像力を高くするためには、露光により発
生した酸が、フォトレジスト組成物の構成成分に結合す
る酸不安定基に有効に作用し、露光量に対するレジスト
膜のアルカリ溶解性変化を大きくすることが必要であ
る。

【０００４】かかる知見に基づき鋭意検討した結果、光
酸発生剤を含有するポジ型感光性組成物に酸不安定基を
有する特定の構造の化合物を含有する場合には、光酸発
生剤を含有する公知のポジ型フォトレジスト組成物と比
較して、解像力の高い化学増幅型ポジ型フォトレジスト
組成物が得られることを見いだし本発明に至った。即
ち、本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決し、
遠紫外領域の光を用いたハーフミクロンリソグラフィー
に対応できる、高解像力を有する化学増幅型ポジ型フォ
トレジストを提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明の要旨
は、アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤及び、下記構造式
（１）で表される化合物を含むことを特徴とするポジ型
感光性組成物。

【０００６】

【化２】

【０００７】（但し、構造式（１）において、Ｘ₁〜Ｘ
₁₅は独立に水素原子、アルキルオキシカルボニルオキシ
基、水酸基または、アルキル基を表わし、Ｙ₁〜Ｙ₃は
独立に水素原子、アルキルオキシカルボニルオキシ基ま
たは水酸基を表わし、Ｚ₁〜Ｚ ₆は、独立に水素原子ま
たはアルキル基を表わす。但し、Ｘ₁〜Ｘ₁₅およびＹ₁
〜Ｙ₃からなる群から選ばれる少なくとも１個がアルキ
ルオキシカルボニルオキ基であり、かつ少なくとも３個
がアルキルオキシカルボニルオキシ基または水酸基であ
る。）に存する。

【０００８】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おいて、アルカリ可溶性樹脂としてはそれ自体アルカリ
可溶性を有し、かつ該樹脂、後述の光酸発生剤及び構造
式（１）で表わされる化合物を含む組成物からなる塗布
膜を露光後、現像した場合に、該塗布膜の露光部がアル
カリ可溶性となり、アルカリ現像液に溶出し、均一なレ
ジスト膜形成能のあるものなら、すべて用いられ得る
が、通常ノボラック樹脂、ポリアクリル酸、ポリビニル
アルコール、ポリビニルフェノール、またはこれらの誘
導体などが用いられる。かかるアルカリ可溶性樹脂の中
でも、アルカリ可溶性付与基の一部が保護基で保護され
ており、露光後、酸の作用によって該保護基が分解し、
アルカリに対する溶解性が増大するアルカリ可溶性樹脂
が好ましい。尚、アルカリ可溶性付与基とは、アルカリ
可溶性樹脂中のフェノール性水酸基、脂肪族アルコール
性水酸基、脂肪族カルボン酸基等であり、保護基とはｉ
−プロピルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカル
ボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等の総炭素数２〜
７のアルキルオキシカルボニル基等が挙げられる。特に
好ましくはポリビニルフェノールおよびその誘導体であ
り、なかでも、フェノール性水酸基の一部が保護基で保
護されたポリビニルフェノール誘導体である。

【０００９】ポリビニルフェノール及びその誘導体とし
ては、具体的には、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒド
ロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−（ｏ−
ヒドロキシフェニル）プロピレン、２−（ｍ−ヒドロキ
シフェニル）プロピレン、２−（ｐ−ヒドロキシフェニ
ル）プロピレンなどの芳香環又はビニル基上に炭素数１
〜４のアルキル基等の置換基を有していてもよいヒドロ
キシスチレン類の単独または２種以上をラジカル重合開
始剤またはカチオン重合開始剤の存在下で重合した樹
脂、または該樹脂中のフェノール性水酸基の一部が保護
基で保護された構造を有する樹脂が用いられる。また、
重合後樹脂の吸光度を下げるために水素添加を行なった
ものを用いてもよい。アルカリ可溶性樹脂の分子量はポ
リスチレン換算値（ＧＰＣ測定）で、１，０００〜１０
０，０００、好ましくは１，５００〜５０，０００のも
のが用いられる。

【００１０】アルカリ可溶性樹脂の分子量が、この範囲
よりも小さいとレジストとしての十分な塗膜が得られ
ず、この範囲よりも大きいと未露光部分のアルカリ現像
液に対する溶解性が小さくなり、レジストのパターンが
得られない。アルカリ可溶性樹脂がポリビニルフェノー
ルまたはその誘導体である場合、保護基で保護されたフ
ェノール性水酸基の割合は９０％以下が好ましく、特に
８０％以下が好ましい。又、保護基としては、アルキル
基が炭素数３〜６の２級又は３級アルキルであるアルキ
ルオキシカルボニル基が好ましい。

【００１１】光酸発生剤としては、露光に用いられる光
によって、酸を発生するものであれば、何でも用いるこ
とができるが、具体的には、たとえば、トリス（トリク
ロロメチル）−ｓ−トリアジン、トリス（トリブロモメ
チル）−ｓ−トリアジン、トリス（ジブロモメチル）−
ｓ−トリアジン、２，４−ビス（トリブロモメチル）−
６−ｐ−メトキシフェニル−ｓ−トリアジンなどのハロ
アルキル基含有ｓ−トリアジン類、１，２，３，４−テ
トラブロモブタン、１，１，２，２−テトラブロモエタ
ン、四臭化炭素、ヨードホルムなどのハロゲン置換パラ
フィン系炭化水素類、ヘキサブロモシクロヘキサン、ヘ
キサクロロシクロヘキサン、ヘキサブロモシクロドデカ
ンなどのハロゲン置換シクロパラフィン系炭化水素、ビ
ス（トリクロロメチル）ベンゼン、ビス（トリブロモメ
チル）ベンゼンなどのハロアルキル基含有ベンゼン誘導
体、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリクロロメ
チルフェニルスルホン等のハロアルキル基含有スルホン
化合物類、２，３−ジブロモスルホランなどのハロゲン
含有スルホラン化合物、トリス（２，３−ジブロモプロ
ピル）イソシアヌレートなどのハロアルキル基含有イソ
シアヌレート類、トリフェニルスルホニウムクロライ
ド、トリフェニルスルホニウムメタンスルホネート、ト
リフェニルスルホニウムトリフルオロメチルスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレー
ト、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホ
ネートなどのスルホニウム塩、ジフェニルヨードニウム
トリフルオロメチルスルホネート、ジフェニルヨードニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウ
ムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘ
キサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムヘ
キサフルオロホスホネートなどのヨードニウム塩、ｐ−
トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンスルホン酸エ
チル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−トルエンス
ルホン酸フェニル、１，２，３−トリ（p−トルエンス
ルホニル）ベンゼン、ｐ−トルエンスルホン酸ベンゾイ
ンエステル、メタンスルホン酸メチル、メタンスルホン
酸エチル、メタンスルホン酸ブチル、１，２，３−トリ
（メタンスルホニル）ベンゼン、メタンスルホン酸フェ
ニル、メタンスルホン酸ベンゾインエステル、トリフル
オロメタンスルホン酸メチル、トリフルオロメタンスル
ホン酸エチル、トリフルオロメタンスルホン酸ブチル、
１，２，３−トリ（トリフルオロメタンスルホニル）ベ
ンゼン、トリフルオロメタンスルホン酸フェニル、トリ
フルオロメタンスルホン酸ベンゾインエステル、などの
スルホン酸エステル類、ジフェニルジスルホンなどのジ
スルホン類、ジ（フェニルスルホニル）ジアゾメタンな
どのスルホンジアジド類、ｏ−ニトロベンジル−ｐ−ト
ルエンスルホネートなどのｏ−ニトロベンジルエステル
類、Ｎ，Ｎ’−ジ（フェニルスルホニル）ヒドラジドな
どのスルホンヒドラジド類などが挙げられる。

【００１２】本発明のポジ型感光性組成物は、前記アル
カリ可溶性樹脂、光酸発生剤と共に、前記構造式（１）
で表わされる化合物を含有することに特徴があるが、構
造式（１）の化合物は酸の作用により分解し該組成物の
アルカリに対する溶解性を増大する機能を有する。構造
式（１）で表される化合物は特に限定されないが、通常
Ｘ₁〜Ｘ₁₅で表わされるアルキル基はＣ₁〜Ｃ₆アルキ
ル基を、Ｚ₁〜Ｚ₆で表わされるアルキル基はＣ₁〜Ｃ
₄アルキル基を表わし、又、アルキルオキシカルボニル
オキシ基を構成するアルキル基は通常Ｃ₁〜Ｃ₆アルキ
ル基である。特に、該構造式（１）において、Ｘ₁〜Ｘ
₅の少なくとも１個がアルキルオキシカルボニルオキシ
基または水酸基であり、かつ、Ｘ₆〜Ｘ₁₀の少なくとも
１個がアルキルオキシカルボニルオキシ基または水酸基
であり、かつ、Ｘ₁₁〜Ｘ₁₅の少なくとも１個がアルキル
オキシカルボニルオキシ基または水酸基であり、かつ、
Ｘ ₁〜Ｘ₁₅の少なくとも１個がアルキルオキシカルボニ
ルオキシ基であることが好ましい。

【００１３】又、Ｙ₁〜Ｙ₃の少なくとも１個が、アル
キルオキシカルボニルオキシ基であるのが好ましく、更
にかかる要件を満たし、かつ、Ｙ₁〜Ｙ₃の少なくとも
２個がアルキルオキシカルボニルオキシ基又は水酸基で
あるのが好ましい。なかでも、該構造式（１）におい
て、アルキルオキシカルボニルオキシ基及び水酸基の合
計数が３個以上１０個以下であり、かつ、アルキルオキ
シカルボニルオキシ基の個数ｍがアルキルオキシカルボ
ニルオキシ基の個数ｍと水酸基の個数ｎとの合計に占め
る割合（ｍ／（ｍ＋ｎ））が０．２以上であるのが好ま
しく、更に０．４以上であるのが好ましい。

【００１４】該構造式（１）で表される化合物中のアル
キルオキシカルボニルオキシ基の数が少ないか、また
は、該構造式（１）で表される化合物中の水酸基の数が
多いと、レジスト膜の未露光部の残膜率が低下し、解像
性が低下する傾向にある。また、該構造式（１）で表さ
れる化合物のアルキルオキシカルボニルオキシ基及び水
酸基の合計数が少ないと、露光部分のレジスト膜の溶解
速度が低下し、未露光部分との溶解速度差が、不十分と
なり解像性が低下する傾向にある。

【００１５】尚、アルキルオキシカルボニルオキシ基の
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピ
ル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブ
チル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎｅｏ
−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などの炭素数１以上６以
下のアルキル基が挙げられるが、なかでも、炭素数３以
上６以下の２級又は３級アルキル基が好ましい。Ｚ₁〜
Ｚ₆は水素原子又はメチル基が好ましい。

【００１６】該構造式（１）で表わされる化合物は、相
当するフェノール化合物の水酸基の全部あるいは一部を
炭酸エステル化して得ることができる。該構造式（１）
の化合物としては、具体的には、たとえば下記に例示の
化合物の水酸基の全部あるいは一部を炭酸エステル化し
た構造の化合物が挙げられる。

【００１７】

【化３】

【００１８】

【化４】

【００１９】

【化５】

【００２０】

【化６】

【００２１】

【化７】

【００２２】

【化８】

【００２３】

【化９】

【００２４】

【化１０】

【００２５】

【化１１】

【００２６】

【化１２】

【００２７】

【化１３】

【００２８】

【化１４】

【００２９】

【化１５】

【００３０】

【化１６】

【００３１】

【化１７】

【００３２】

【化１８】

【００３３】

【化１９】

【００３４】

【化２０】

【００３５】本発明の感光性組成物においては、アルカ
リ可溶性樹脂１００重量部に対して、構造式（１）で表
される化合物１〜７０重量部、好ましくは５〜５０重量
部、光酸発生剤０．００５〜３０重量部、好ましくは
０．０１〜２０重量部の割合で用いられる。構造式
（１）で表される化合物の量がこの範囲よりも少ない
と、露光部と未露光部との間で十分な溶解速度変化が得
られず良好なレジストパターンが得られない。逆にこの
範囲よりも多いと、レジストの塗布特性が悪くなる。光
酸発生剤の量がこの範囲よりも少ないと、感度が非常に
低くなり実用にならない。光酸発生剤の量がこの範囲よ
りも多いと、光酸発生剤によるレジスト膜の透明性の低
下により、レジストパターンが台形になり解像力の低下
を引き起こす。

【００３６】通常アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤及び
上記式（１）の化合物は、これらを適当な溶媒に溶解し
て用いられる。溶媒としては、該光酸発生剤、構造式
（１）で表される化合物、および該樹脂に対して、十分
な溶解度を持ち良好な塗膜性を与える溶媒であれば特に
制限はないが、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、
メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテ
ートなどのセロソルブ系溶媒、ジエチルオキサレート、
ピルビン酸エチル、エチル−２−ヒドロキシブチレー
ト、エチルアセトアセテート、酢酸ブチル、酢酸アミ
ル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチ
ル、３−メトキシプロピオン酸メチルなどのエステル系
溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリ
コールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ
エチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジ
メチルエーテルなどのプロピレングリコール系溶媒、２
−ヘキサノン、シクロヘキサノン、メチルアミルケト
ン、２−ヘプタノンなどのケトン系溶媒、あるいはこれ
らの混合溶媒、あるいはさらに芳香族炭化水素を添加し
たものなどが挙げられる。溶媒の使用割合は、感光性組
成物中の固形分の総量に対して重量比として１〜２０倍
の範囲であることが好ましい。

【００３７】本発明のポジ型感光性組成物を用いて半導
体基板上にレジストパターンを形成する場合には、通
常、上記のような溶媒に溶解した本発明のポジ型感光性
組成物を半導体基板上に塗布し、プリベーク、露光によ
るパターンの転写、露光後加熱（ポストエクスポージャ
ーベイク；ＰＥＢ）、現像の各工程を経てフォトレジス
トとして使用することができる。半導体基板は、通常半
導体製造用基板として使用されているものであり、シリ
コン基板、ガリウムヒ素基板などである。

【００３８】塗布には通常スピンコーターが使用され、
露光には、高圧水銀灯の４３６ｎｍ、３６５ｎｍの光、
低圧水銀灯の２５４ｎｍ、またはエキシマレーザーなど
を光源とする１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、２２２ｎｍ、２
４８ｎｍの光が用いられる。露光の際の光は、単色光で
なくブロードであってもよい。また、位相シフト法によ
る露光も適用可能である。特に低圧水銀灯及びエキシマ
レーザーを光源とする光が好適に用いられる。

【００３９】本発明のポジ型フォトレジスト組成物の現
像液には、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、
アンモニア水などの無機アルカリ類、エチルアミン、ｎ
−プロピルアミンなどの第１級アミン類、ジエチルアミ
ン、ジ−ｎ−プロピルアミンなどの第２級アミン類、ト
リエチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジエチルメチルアミンなどの
第３級アミン類、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムハイ
ドロオキシドなどの第４級アンモニウム塩、もしくはこ
れにアルコール、界面活性剤などを添加したものを使用
することができる。

【００４０】本発明のポジ型フォトレジスト組成物は、
超ＬＳＩの製造のみならず一般のＩＣ製造用、マスク製
造用、画像形成用、液晶画面製造用、カラーフィルター
製造用あるいはオフセット印刷用としても有用である。

【００４１】

【実施例】次に実施例を挙げて本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はその要旨を越えない限り実施例により
何等制約は受けない。

【００４２】合成例１（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
オキシ化ポリビニルフェノールの合成）窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四つ
口フラスコに、ポリビニルフェノール（重量平均分子量
５０００）１２４ｇとアセトン５００ｍｌとを加え、均
一に溶解させたあと、触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルアミ
ノピリジン０．２ｇを加えて、ウオーターバスで４０℃
に加熱した。これに、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ジ−カー
ボネート５０ｇをゆっくり加え、４時間攪拌を続けた。
次いで、この反応溶液を、９ｍｌの３６％濃塩酸を加え
た４．５リットルのイオン交換水に投入して、ポリマー
を回収した。このポリマーをアセトンに再び溶解させ、
これを４．５リットルのイオン交換水に投入して、再沈
によりポリマーを回収した。このポリマーを４リットル
のイオン交換水で４回洗浄したあと、真空乾燥して、１
３０ｇのｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ化ポリビ
ニルフェノールを得た。該化合物のフェノール性水酸基
のｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ化の割合（樹脂
の熱分解による重量減少率より測定）は２２．３％であ
った。

【００４３】合成例２（前記化合物（１３）のｔｅｒｔ
−ブトキシカルボニルオキシ化）窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四ツ
口フラスコに、テトラヒドロフラン４０ｍｌ、前記化合
物（１３）を３．２３ｇ、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
ピリジン０．０２ｇを入れて、均一に溶解させ、ウオー
ターバスで４０℃に加熱した。これに、ジ−ｔｅｒｔ−
ブチル−ジ−カーボネート８．７３ｇをゆっくり加え、
４０℃で４時間攪拌を続けた。次いで、この反応溶液を
６００ｍｌのイオン交換水に投入し、白色の固体を析出
させた。この固体をイオン交換水で３回洗浄し、真空乾
燥して、化合物（１３）のｔｅｒｔ−ブトキシカルボニ
ルオキシ化物７．０６ｇを得た。該化合物のｍ／ｍ＋ｎ
は１であった。

【００４４】合成例３（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
オキシ化ビスフェノール−Ａの合成）窒素導入管、攪拌機、温度計を備えた１リットルの四ツ
口フラスコに、テトラヒドロフラン４００ｍｌ、ビスフ
ェノールＡ４８ｇ、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジ
ン０．１７ｇを入れて、均一に溶解させ、ウオーターバ
スで４０℃に加熱した。これに、ジ−ｔｅｒｔ−ブチル
−ジ−カーボネート１００ｇをゆっくり加え、４時間攪
拌を続けた。次いで、この反応溶液を１リットルのイオ
ン交換水に投入し、白色の固体を析出させた。この固体
をイオン交換水で３回洗浄し、真空乾燥して、７０ｇの
ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ化ビスフェノール
−Ａを得た。

【００４５】実施例１合成例１で得られた樹脂１．０ｇ、構造式（１）で表さ
れる化合物として、合成例２で得られたｔｅｒｔ−ブト
キシカルボニルオキシ化物０．４３ｇ、光酸発生剤とし
て、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンス
ルホネート０．０７ｇ、およびプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート４．６ｇを混合し、レジス
ト感光液を調製した。この感光液を０．２μｍのメンブ
レンフィルターでろ過した後シリコン基板上にスピンコ
ートし、ホットプレート上で１２０℃、９０秒間ベーク
し、膜厚０．７５μｍのレジスト膜とした。このシリコ
ン基板上のレジスト膜をニコン社製ＫｒＦエキシマレー
ザ縮小投影露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１２ｍ
Ｊ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した後、ホットプレー
ト上で８０℃、９０秒間ベークした。この後、このレジ
スト膜をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３
８重量％水溶液で１分間現像した。現像後に得られたレ
ジストパターンを走査電子顕微鏡で観察することにより
解像力を評価した。その結果、０．２６μｍのライン
アンドスペースが良好な形状で解像されていた。

【００４６】比較例１合成例１で得られた樹脂１．０ｇ、光の作用によって発
生した酸により反応しアルカリ可溶性となる化合物とし
て、合成例３で得られたｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル
オキシ化ビスフェノール−Ａ０．４３ｇ、光酸発生剤と
して、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタン
スルホネート０．０７ｇおよびプロピレングリコールモ
ノメチルエーテルアセテート４．６ｇを混合し、レジス
ト感光液とした。この感光液をシリコン基板上にスピン
コートし、ホットプレート上で１２０℃、９０秒間ベー
クし、膜厚０．７５μｍのレジスト膜とした。このシリ
コン基板上のレジスト膜をニコン製ＫｒＦエキシマレー
ザ縮小投影露光装置（ＮＡ＝０．４２）を用い、１０ｍ
Ｊ／ｃｍ２のエネルギー量で露光した後、ホットプレー
ト上で８０℃、９０秒間ベークした。この後、このレジ
スト膜をテトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３
８重量％水溶液で１分間現像した。この現像後に得られ
たレジストパターンを走査電子顕微鏡で観察することに
より解像力を評価した。その結果、０．３６μｍのライ
ンアンドスペースまでしか良好な形状で解像せず、
これより小さいパターンは残膜率が著しく低くなってい
た。

【００４７】

【発明の効果】本発明のポジ型感光性組成物は、高解像
力であり、極めて有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者落合為一神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者亀山泰弘神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (56)参考文献特開平７−244378（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 7/004 - 7/18

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】アルカリ可溶性樹脂、光酸発生剤及び、
下記構造式（１）で表される化合物を含むことを特徴と
するポジ型感光性組成物。【化１】（但し、構造式（１）において、Ｘ₁〜Ｘ₁₅は独立に水
素原子、アルキルオキシカルボニルオキシ基、水酸基ま
たは、アルキル基を表わし、Ｙ₁〜Ｙ₃は独立に水素原
子、アルキルオキシカルボニルオキシ基または水酸基を
表わし、Ｚ₁〜Ｚ ₆は、独立に水素原子またはアルキル
基を表わす。但し、Ｘ₁〜Ｘ₁₅およびＹ₁〜Ｙ₃からな
る群から選ばれる少なくとも１個がアルキルオキシカル
ボニルオキ基であり、かつ少なくとも３個がアルキルオ
キシカルボニルオキシ基または水酸基である。）
【請求項２】該構造式（１）において、Ｘ₁〜Ｘ₅の
少なくとも１個がアルキルオキシカルボニルオキシ基ま
たは水酸基であり、かつ、Ｘ₆〜Ｘ₁₀の少なくとも１個
がアルキルオキシカルボニルオキシ基または水酸基であ
り、かつ、Ｘ ₁₁〜Ｘ₁₅の少なくとも１個がアルキルオキ
シカルボニルオキシ基または水酸基であり、かつ、Ｘ₁
〜Ｘ₁₅の少なくとも１個がアルキルオキシカルボニルオ
キシ基であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型
感光性組成物。
【請求項３】該構造式（１）において、Ｙ₁〜Ｙ₃の
少なくとも１個がアルキルオキシカルボニルオキシ基で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型感
光性組成物。
【請求項４】Ｙ₁〜Ｙ₃の少なくとも２個がアルキル
オキシカルボニルオキシ基または水酸基であることを特
徴とする請求項３に記載のポジ型感光性組成物。