KR970028802A - 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 장치를 형성하는 공정에서 막질의 패턴 형성을 위한 노광 마스크에 관한 것으로, 이를테면 전극부를 위한 패턴의 에지 부분의 폭을 강화하여 적어도 마스크의 그 부분의 크롬막의 손실을 방지하여 칩 불량의 감소 및 마스크 재사용 빈도를 상승시키도록 한 반도체 장치용 노광 마스크 패턴에 관한 것으로 노광 마스크는 투명 기판 및 이 위에 소정 패턴을 갖는 불투과층을 포함하며, 불투과층이 갖는 막질 패턴의 증가된 에지 부분을 갖도록 하여 이 부분에 대응하는 불투과층의 손실이 방지되도록 한 것을 특징으로 한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크의 레이아웃도.
Claims (4)
- 반도체 장치의 막질 패턴 형성을 위한 노광 마스크에 있어서, 상기 노광 마스크는 투명 기판 및 이 위에 소정 패턴을 갖는 불투과층을 포함하며, 상기 불투과층이 갖는 막질 패턴의 증가된 에지 부분을 갖도록 하여 이 부분에 대응하는 불투과층의 손실이 방지되도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 불투과층은 크롬층으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 패턴은 MOS 트랜지스터의 게이트, 소스 전극 접촉부를 포함하며, 상기 증가된 에지 부분은 상기 각각의 전극 접촉부의 에지 패턴 영역에 대응하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 증가된 에지 부분의 폭은 적어도 15㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크.※ 참고사항:최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039399A KR970028802A (ko) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950039399A KR970028802A (ko) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970028802A true KR970028802A (ko) | 1997-06-24 |
Family
ID=66586805
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950039399A KR970028802A (ko) | 1995-11-02 | 1995-11-02 | 반도체 장치의 패턴 형성용 노광 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970028802A (ko) |
-
1995
- 1995-11-02 KR KR1019950039399A patent/KR970028802A/ko not_active Application Discontinuation
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