KR970022558A - 포토마스크의 패턴 노광방법 - Google Patents

포토마스크의 패턴 노광방법 Download PDF

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KR970022558A
KR970022558A KR1019950034197A KR19950034197A KR970022558A KR 970022558 A KR970022558 A KR 970022558A KR 1019950034197 A KR1019950034197 A KR 1019950034197A KR 19950034197 A KR19950034197 A KR 19950034197A KR 970022558 A KR970022558 A KR 970022558A
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KR
South Korea
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exposure
photomask
pattern
exposure method
pattern exposure
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Application number
KR1019950034197A
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English (en)
Inventor
유승우
권우석
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 노광빔이 크기를 조절하여 중첩노광함으로써, 빠른 시간에 패턴을 형성할 수 있는 포토마스크의 패턴 노광방법에 관한 것으로서, 그 방법은 노광하는 빔의 직경을 인접한 빔과의 중심점간의 거리보다 크게하여 중첩시켜 노광하는 공정을 포함한다. 본 발명에 의한 포토마스크의 패턴 노광방법은 종래 MPP노광방법의 장점을 모두 가지면서도 노광시간에 손실이 없어 생산성이 높아 양산에 적용할 수 있으며, 더 높은 도우즈를 얻을 수 있다.

Description

포토마스크의 패턴 노광방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 노광방법에 의한 노광패턴을 보여주는 도면.

Claims (3)

  1. 포토마스크의 패턴 노광방법에 있어서, 노광하는 빔의 직경을 인접한 빔과의 중심점간의 거리보다 크게하여 중첩시켜 노광하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 패턴 노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빔의 직경은 인접한 빔과의 중심점간의 거리에 비해 두배의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 패턴 노광방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 노광패턴은 컨택패턴인 것을 특징으로 하는 포토마스크의 패턴 노광방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950034197A 1995-10-06 1995-10-06 포토마스크의 패턴 노광방법 KR970022558A (ko)

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