KR970072093A - 반도체장치의 콘택홀 형성방법 - Google Patents
반도체장치의 콘택홀 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체장치의 콘택홀 형성방법에 관해 개시한다. 본 발명에 의한 콘택홀 형성방법은 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 일정두께의 제1절연막과 제2절연막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 제2절연막 전면에 상기 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 영역을 한정하는 마스크패턴을 형성하는 단계 및 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 하고 일정비를 갖는 CF4와 CHF3가스를 식각 에천터로 하여 상기 제2 및 제1절연막을 순차적으로 식각하는 단계를 포함한다.
본 발명에 의한 콘택홀 형성방법은 콘택홀의 크기를 게이트전극의 보호막 두께 (제1절연막)를 조절하여 결정하고 식각에천터의 혼합비율을 조절하여 최적의 식각선택비로 콘택홀을 형성한다. 따라서 게이트 전극이나 비트라인과 충분한 절연 마진을 확보하면서 기능적으로 완전한 미세콘택홀을 형성할 수 있으므로 고집적화에 알맞는 콘택홀을 제공할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명에 의한 콘택홀 형성방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
Claims (4)
- 기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 트랜지스터를 포함하는 기판 전면에 일정두께의 제1절연막과 제2절연막을 순차적으로 형성하는 단계, 상기 제2절연막 전면에 상기 트랜지스터의 소오스 또는 드레인 영역을 한정하는 마스크패턴을 형성하는 단계 및 상기 마스크 패턴을 식각마스크로 하고 일정비를 갖는 CF4와 CHF3가스를 식각에천터로 하여 상기 제2 및 제1절연막을 순차적으로 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1절연막은 게이트전극의 보호막으로써 HTO로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2절연막은 충간절연막으로써 BPSG로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 에천터의 일정비를 0.5 : 1~2 : 1로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 콘택홀 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960012524A KR970072093A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960012524A KR970072093A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970072093A true KR970072093A (ko) | 1997-11-07 |
Family
ID=66216980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960012524A KR970072093A (ko) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 반도체장치의 콘택홀 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970072093A (ko) |
-
1996
- 1996-04-24 KR KR1019960012524A patent/KR970072093A/ko not_active Application Discontinuation
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