KR970053113A - 폴리머 제거방법 - Google Patents

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KR970053113A
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윤용혁
정의삼
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김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체소자의 제조공정중 폴리실리콘 식각후 폴리실리콘 패턴의 측면에 형성된 폴리머를 제거하는 방법에 관한 것으로, NH4F와 HF의 농도를 감소시킨 NH4F용액과 HF용액을 혼합하여 제조한 BOE용액을 사용하여 폴리머를 제거함으로서 폴리실리콘 하부막의 손실을 최대로 감소시킬 수 있으며, 특히 게이트 폴리실리콘 식각공정에 적용할 경우 게이트산화막의 손실을 방지하여 소자 제조공정에 있어서의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.

Description

폴리머 제거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 폴리실리콘 패터닝공정을 도시한 도면.

Claims (6)

  1. 반도체소자의 제조공정중 폴리실리콘 식각후 폴리실리콘 패턴의 측면에 형성된 폴리머를 제거하는 공정에 있어서, NH4F와 HF의 농도를 감소시킨 NH4F용액과 HF용액을 혼합하여 제조한 BOE용액을 사용하여 상기 폴리머를 제거하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 NH4F와 HF는 H2O에 희석시킨 상태로 사용하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 BOE용액의 제조에 사용되는 NH4F용액에서 NH4F의 농도가 15-20wt%인 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 BOE용액의 제조에 사용되는 HF용액에서 HF의 농도가 0.1wt% 이하인 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 BOE용액에서 NH4F용액과 HF용액의 조성비가 100:1 이상인 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 폴리머 제저시 BOE용액의 온도가 25-35℃로 하는 것을 특징으로 하는 폴리머 제거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950050964A 1995-12-16 1995-12-16 반도체 소자 제조방법 KR100196523B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100554515B1 (ko) * 2003-02-27 2006-03-03 삼성전자주식회사 세정액 및 이를 이용한 기판의 세정방법

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