KR970030665A - 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법이 개시된다. 본 발명은 금속배선을 형성할 때 콘택부위에서 실리콘 성분이 금속배선으로 확산되는 것을 방지하기 위해 형성되는 베리어 금속층이 잘못 형성될 경우, 이를 H2SO4/H2O2혼합용액으로 베리어 금속층을 산화시키고, 산화된 부분을 묽은 HF용액으로 제거하고, 다시 베리어 금속층을 형성한다. 이러한 공정은 베리어 금속층이 양호하게 형성될 때까지 반복 실시된다. 따라서 본 발명은 베리어 금속층이 손상될 경우에도 해당 웨이퍼를 폐기시키지 않고 사용하므로 경제적 손실을 방지할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1a 내지 1d도는 본 발명에 의한 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.
Claims (3)
- 접합영역이 형성된 실리콘 기판상에 층간 절연막이 형성되고, 상기 층간 절연막의 일부분이 식각되어 상기 접합영역이 노출된 콘택홀이 형성되고, 상기 콘택홀을 포함한 상기 층간 절연막의 전체상부에 형성되는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법에 있어서, 상기 베리어 금속층이 잘못 형성되어 제거할 경우, 상기 베리어 금속층을 산화시킨 후, 이 산화된 부분을 제거하는 단계와, 상기 콘택홀을 포함한 상기 층간 절연막의 전체상부에 Ti/TiN막으로 된 새로운 베리어 금속층을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 산화 단계는 110 내지 150℃온도에서 4:1 비율의 H2SO4/H2O2혼합용액에 15 내지 25분 동안 침전시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법.
- 제 1항에 있어서, 산화된 상기 베리어 금속층은 묽은 HF용액에서 20 내지 60초 동안 식각공정을 실시함에 의해 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042782A KR970030665A (ko) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042782A KR970030665A (ko) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030665A true KR970030665A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66588478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042782A KR970030665A (ko) | 1995-11-22 | 1995-11-22 | 반도체 소자의 베리어 금속층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030665A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100390997B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 배선 형성 방법 |
| KR100458297B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
-
1995
- 1995-11-22 KR KR1019950042782A patent/KR970030665A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100458297B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2005-02-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| KR100390997B1 (ko) * | 2001-06-28 | 2003-07-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 배선 형성 방법 |
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