KR970004190A - 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 - Google Patents

반도체 레이저 다이오드의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 레이저 다이오드의 제조방법에 관한 것으로서, 제1도전형의 화합물 반도체기판상에 동일한 도전형의 제1클레드층과 진성 활성층과 제2도전형의 제2클레드층을 성장시키고, 상기 제2클레드층상에 스트라이프 형상을 절연막 패턴으로된 식각마스크를 형성한 후, 반도체기판이 삽입되는 홈을 구비하는 홀더의 홈에 반도체기판을 삽입하고, 상기의 홀더를 식각용액에 담구어 상기 제2클레드층에서 제1클레드층까지를 순차적으로 메사식각한 후, 제1 및 제2전류차단층을 성장시켜 PBH-LD를 형성하였으므로, 메사식각 공정시 반도체기판의 위치에 따른 식각 정도가 균일하여 소자의 동작특성이나 재현성이 향상되고, 반도체기판의 손실이 방지되어 공정수율이 향상되며, 감광막 도포나 플라즈마 에슁 공정등이 생략되어 제조단가를 절감할 수 있다.

Description

반도체 레이저 다이오드의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 메사식각 공정시 사용되는 웨이퍼 홀더의 사시도, 제4도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 매사식각 공정을 설명하기 위한 개략도, 제5도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 매사식각 후의 레이아웃도.

Claims (15)

  1. 제1도전형의 화합물 반도체 기판상에 제1도전형의 화합물 반도체로된 제1클레드층을 형성하는 공정과, 상기 제1클레드층상에 상기 제1클레드층과는 다른 조성의 진성화합물 반도체로된 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층상에 상기 제1클레드층과 같은 조성의 제2도전형 화합물 반도체로된 제2클레드층을 형성하는 공정과, 상기 제2클레드층상에 절연막 패턴으로된 식각마스크를 형성하는 공정과, 상기 구조의 반도체기판이 삽입되는 홈을 구비하는 홀더의 홈에 반도체기판을 삽입하고, 상기 홀더를 식각용액 수조에 담구어 상기 식가마스크에 의해 노출되어 있는 제1클레드층에서 제1클레드층까지를 순차적으로 메사식각하는 공정과, 상기 메사식각되어진 제1클레드층에서 제2클레드층 패턴까지의 측벽에 제2도전형의 화합물 반도체로된 제1전류차단층을 형성하는 공정과, 상기 제1전류차단층상에 제1도전형의 화합물 반도체로된 제2전류 차단층을 형성하는 공정을 구비하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2도전형이 서로 반대도전형이며, 각각이 N 또는 P형인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판이 N+형 InP 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2클레드층과 제1 및 제2전류차단층을 InP로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1클레드층을 1~1.5㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 활성층은 i-InGaAsP나 다중양자우물(multi quantum well)로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 활성층을 0.05~0.4㎛ 정도 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2클레드층을 0.1~0.5㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2클레드층과 활성층 그리고 제1 및 제2전류차단층을 MOCVD나 LPE 방법으로 성장하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 식각마스크를 산화막 또는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  11. 제1항에 있어서, 상기 식각마스크를 직사각 스트라이프 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 식각마스크를 2~4㎛ 폭 및 0.1~0.3㎛ 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 홀더를 반도체기판 보다 크고, 30×30(±10)㎟ 크기의 유리판이나 테프론판으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 홈을 반도페기판이 삽입되는 정도의 크기로서, 15×15(±5)㎟면적 및 300~400㎛ 깊이로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
  15. 제1항에 있어서, 상기 식각용액을 HBr:H2O2:H2O:HCl 혼합용액인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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