KR950012906A - 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 - Google Patents
반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR950012906A KR950012906A KR1019930022308A KR930022308A KR950012906A KR 950012906 A KR950012906 A KR 950012906A KR 1019930022308 A KR1019930022308 A KR 1019930022308A KR 930022308 A KR930022308 A KR 930022308A KR 950012906 A KR950012906 A KR 950012906A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- insulating layer
- mask pattern
- ridge
- refractive index
- Prior art date
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법이 개시되어 있다. 반도체 기판상에 제1클래드층, 레이저 발진층, 제2클래드층 및 콘택층을 순차적으로 결정성장시킨다. 상기 콘택층중 양단상에는 약한 굴절률 도파부위를 한증하는 제1절연층을 선택적으로 형성하고, 중앙 부위에는 릿지를 한정하는 마스크 패턴층을 형성한다. 이어서, 제1절연층 및 마스크 패턴층을 마스크로 사용하면서 상기 콘택층 및 상기 제2클래드층을 선택적으로 식각하여 릿지 및 약한 굴절률 도파부위를 형성한 후 전면상에 제2절연층을 형성한다. 그런 다음, 상기 마스크 패턴층 및 그 상부에 형성되어 있는 제2절연층을 제거한다. 이와 같은 방법으로 제조되는 반도체 레이저 다이오드는 공정상 까다로움이 제거되기 때문에, 생산성이 증대되고 소자의 신뢰도가 개선되는 잇점을 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 단면도이다.
제3A도 내지 제3E도는 본 발명에 따른 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위하여 공정순서에 나타나는 중간 구조물들을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
Claims (6)
- 반도체 기판; 상기 기판상에 형성되어 있는 제1클래드층; 상기 제1클래드층상에 형성되어 있는 레이저 발진층; 상기 레이저 발진층상에 형성되어 있으며, 중앙에 릿지가 형성되어 있고 양단에 약한 굴절률 도파부위가 형성되어 있는 제2클래드층; 상기 릿지 및 상기 약한 굴절률 도파부위상에 형성되어 있는 콘택층; 및 상기 콘택층 및 상기 제2클래드층으로 이루어진 표면상에 형성되어 있으며, 상기 릿지의 윗표면 전체를 노출시키는 개구부를 갖는 절연층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드.
- 반도체 기판상에 제1클래드층, 레이저 발진층, 제2클래드층 및 콘택층을 순차적으로 결정성장시키는 공정; 상기 콘택층의 양단상에 약한 굴절률 도파 부위를 한정하는 제1절연층을 선택적으로 형성하는 공정; 상기 콘택층의 중앙 부위에 릿지를 한정하는 마스크 패턴층을 형성하는 공정; 상기 제1절연층 및 상기 마스크 패턴층을 마스크로 사용하면서 상기 콘택층 및 상기 제2클래드층을 선택적으로 식각하여 릿지 및 약한 굴절률 도파부위를 형성하는 공정; 상기 결과물의 전면상에 제2절연층을 형성하는 공정; 및 상기 마스크 패턴층 및 그 상부에 형성되어 있는 제2절연층을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제1절연층은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(Si3N4) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 제2절연층은 산화실리콘(SiO2), 질화실리콘(Si3N4) 및 산화알루미늄(Al2O3)으로 구성된 군에서 선택된 어느 하나를 물리적 증착(pnysical vapor deposition;PVD)법을 이용하여 증착시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 레이저 발진층을 성장시키는 공정은 하부광도파층, 활성층, 상부 광도파층을 순차적으로 성장시키는 공정인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 마스크 패턴층을 형성하는 공정은 포토리소그래피 공정을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022308A KR950012906A (ko) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930022308A KR950012906A (ko) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950012906A true KR950012906A (ko) | 1995-05-17 |
Family
ID=66825191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930022308A KR950012906A (ko) | 1993-10-26 | 1993-10-26 | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950012906A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674844B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2007-01-26 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
-
1993
- 1993-10-26 KR KR1019930022308A patent/KR950012906A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100674844B1 (ko) * | 2005-03-15 | 2007-01-26 | 삼성전기주식회사 | 반도체 레이저 다이오드의 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6946238B2 (en) | Process for fabrication of optical waveguides | |
| EP0604407B1 (en) | Photonic-integrated-circuit fabrication process | |
| WO2000025156A1 (en) | Manufacture of a silicon waveguide structure | |
| KR950007174A (ko) | 반도체광집적회로 및 그 제조방법 | |
| US6108480A (en) | Optical device with a groove accurately formed | |
| KR20040015118A (ko) | 광도파관 크로싱 및 그 제조방법 | |
| US6197608B1 (en) | Mask for area forming selective grating and selective area growth and method for fabricating semiconductor device by utilizing the same | |
| US6309904B1 (en) | Method of fabricating an optical integrated circuit | |
| KR950012906A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| US5540345A (en) | Process of producing diffraction grating | |
| JP3047049B2 (ja) | 埋込み構造半導体レーザの製造方法 | |
| KR100289145B1 (ko) | Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ 코팅을 이용해 매몰 헤테로구조체의 레이저 다이오드를 제조하는 방법 | |
| KR100771599B1 (ko) | 질화물 반도체 박막의 성장 방법 | |
| KR100425588B1 (ko) | 광집적 회로의 제조방법 | |
| US5824453A (en) | Fabricating method of GaAs substrate having V-shaped grooves | |
| KR950012902A (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| JPH0621039A (ja) | 薄膜テーパー形状の形成方法 | |
| KR100340111B1 (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
| KR19980050572A (ko) | 회절격자 커플러 제조방법 | |
| KR100198426B1 (ko) | 반도체소자의 테이퍼형 광도파로 제작방법 | |
| KR19990012248A (ko) | 광도파로 소자의 제작방법 | |
| KR19980054509A (ko) | 반도체 장치 제조 방법 | |
| KR930003474A (ko) | 반도체 레이저의 제조방법 | |
| KR950010206A (ko) | 레이저 다이오드의 제조방법 | |
| KR20030056569A (ko) | 평면형 광도파로 제작 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |