JPH09266350A - 半導体レーザの製造方法 - Google Patents
半導体レーザの製造方法Info
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- JPH09266350A JPH09266350A JP7392396A JP7392396A JPH09266350A JP H09266350 A JPH09266350 A JP H09266350A JP 7392396 A JP7392396 A JP 7392396A JP 7392396 A JP7392396 A JP 7392396A JP H09266350 A JPH09266350 A JP H09266350A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面発光形レーザの生産性を向上させることを
目的とする。 【解決手段】 メサ７を形成したｐ形ＤＢＲ６上に、酸
化シリコンからなる応力制御パタン８を形成する。この
応力制御パタン８は、被酸化層６ａに形成する電流狭窄
領域の形状にほぼ等しくする。この後、水蒸気中で４３
０℃に加熱することで、メサ７の側面の露出部より被酸
化層６ａを選択的に酸化する。
目的とする。 【解決手段】 メサ７を形成したｐ形ＤＢＲ６上に、酸
化シリコンからなる応力制御パタン８を形成する。この
応力制御パタン８は、被酸化層６ａに形成する電流狭窄
領域の形状にほぼ等しくする。この後、水蒸気中で４３
０℃に加熱することで、メサ７の側面の露出部より被酸
化層６ａを選択的に酸化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体レーザの
製造方法に関し、特に選択酸化を用いて作製する半導体
レーザの製造方法に関する。
製造方法に関し、特に選択酸化を用いて作製する半導体
レーザの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】面発光型レーザは、基板に対して垂直な
方向に光を出射するレーザであり（文献１：特開平７−
２４０５０６号公報）、従来より光インタコネクション
等の光源として用いられている。この面発光形レーザで
は、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓよりなる分布ブラッグ
反射膜（ＤＢＲ：distributed Bragg reflector ）によ
り共振器を構成し、その共振器の間の注入電流が流れる
領域を挾むように高抵抗な領域を設け、これにより電流
狭窄をおこなうようにしていた。そして、この高抵抗な
領域を、イオン注入により形成するようにしていた。
方向に光を出射するレーザであり（文献１：特開平７−
２４０５０６号公報）、従来より光インタコネクション
等の光源として用いられている。この面発光形レーザで
は、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＡｓよりなる分布ブラッグ
反射膜（ＤＢＲ：distributed Bragg reflector ）によ
り共振器を構成し、その共振器の間の注入電流が流れる
領域を挾むように高抵抗な領域を設け、これにより電流
狭窄をおこなうようにしていた。そして、この高抵抗な
領域を、イオン注入により形成するようにしていた。
【０００３】これに対し、文献２（K.D.Choquette,R.P.
Schneider,Jr.,K.L.Lers and K.M.Geib,"Low threshold
voltage vertical-cavity lasers fabricated by sele
ctive oxidation",ELECTRONICS LETTERS 24th November
1994 Vol.30,pp2043-2044）に示されるように、構成材
料中のＡｌＧａＡｓの酸化を用いて、電流狭窄のための
高抵抗な領域を形成する方法もある。この方法により、
低閾値，高効率の優れた特性を有するレーザが作製され
ている。この高抵抗領域（電流狭窄層）の作製には、高
温での水蒸気によるＡｌＧａＡｓの酸化が用いられ、さ
らにＡｌ組成比が０から１へ増えるに従い酸化の速度が
増していくことを利用して、活性層直近の１層のみを酸
化する方法がとられている。
Schneider,Jr.,K.L.Lers and K.M.Geib,"Low threshold
voltage vertical-cavity lasers fabricated by sele
ctive oxidation",ELECTRONICS LETTERS 24th November
1994 Vol.30,pp2043-2044）に示されるように、構成材
料中のＡｌＧａＡｓの酸化を用いて、電流狭窄のための
高抵抗な領域を形成する方法もある。この方法により、
低閾値，高効率の優れた特性を有するレーザが作製され
ている。この高抵抗領域（電流狭窄層）の作製には、高
温での水蒸気によるＡｌＧａＡｓの酸化が用いられ、さ
らにＡｌ組成比が０から１へ増えるに従い酸化の速度が
増していくことを利用して、活性層直近の１層のみを酸
化する方法がとられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は以上のように構
成されていたので、電流狭窄のための高抵抗な領域の形
成において、酸化の速度が不均一で、かつ再現性に欠け
るという問題があった。例えば、上記文献２の例では、
１０５μｍの巾の凸部領域に形成したＡｌＧａＡｓの層
の、露出している端部から酸化をおこなって高抵抗層を
形成し、４．５×８μｍの電流注入域（未酸化の領域）
を残すようにしている。ここで、このときの酸化速度
は、規格化した値で０．０７〜０．３の幅、すなわち４
倍程度ばらついている。従って、作製される電流注入域
も大きくばらつく。電流密度と光出力はほぼ比例の関係
があるので、これは非常に大きな特性ばらつきにあた
る。工業化を考えた場合、この特性ばらつきは致命的で
ある。
成されていたので、電流狭窄のための高抵抗な領域の形
成において、酸化の速度が不均一で、かつ再現性に欠け
るという問題があった。例えば、上記文献２の例では、
１０５μｍの巾の凸部領域に形成したＡｌＧａＡｓの層
の、露出している端部から酸化をおこなって高抵抗層を
形成し、４．５×８μｍの電流注入域（未酸化の領域）
を残すようにしている。ここで、このときの酸化速度
は、規格化した値で０．０７〜０．３の幅、すなわち４
倍程度ばらついている。従って、作製される電流注入域
も大きくばらつく。電流密度と光出力はほぼ比例の関係
があるので、これは非常に大きな特性ばらつきにあた
る。工業化を考えた場合、この特性ばらつきは致命的で
ある。
【０００５】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたものであり、面発光形レーザの生産性
を向上させることを目的とする。
るためになされたものであり、面発光形レーザの生産性
を向上させることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明の半導体レーザ
の製造方法は、被酸化層に応力を加えた状態で、被酸化
層をその端部より所定時間熱酸化して高抵抗領域を形成
する工程とを備えるようにした。被酸化層をその端部よ
り酸化することで形成される高抵抗領域は、加えられた
応力により限定される。
の製造方法は、被酸化層に応力を加えた状態で、被酸化
層をその端部より所定時間熱酸化して高抵抗領域を形成
する工程とを備えるようにした。被酸化層をその端部よ
り酸化することで形成される高抵抗領域は、加えられた
応力により限定される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を参照して説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の第１の実施の形態にお
ける半導体レーザの製造方法を説明するための断面図で
ある。同図（ａ）において、１はｎ形のＧａＡｓからな
る基板、２はｎ形の不純物が１×１０18ｃｍ-3導入され
たＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるｎ形ＤＢＲ、３はＡ
ｌＧａＡｓからなるクラッド層、４はＩｎＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓからなり量子井戸となるＩｎＧａＡｓ層が４
層形成された多重量子井戸構造の活性層、５はＡｌＧａ
Ａｓからなるクラッド層、６はｐ形の不純物が１×１０
18ｃｍ-3導入されたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるｐ
形ＤＢＲ、６ａはクラッド層５直上に形成されｐ形ＤＢ
Ｒ６を構成する他よりＡｌ組成比の大きいＡｌＧａＡｓ
からなる被酸化層である。
を参照して説明する。 実施の形態１．図１は、本発明の第１の実施の形態にお
ける半導体レーザの製造方法を説明するための断面図で
ある。同図（ａ）において、１はｎ形のＧａＡｓからな
る基板、２はｎ形の不純物が１×１０18ｃｍ-3導入され
たＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるｎ形ＤＢＲ、３はＡ
ｌＧａＡｓからなるクラッド層、４はＩｎＧａＡｓ／Ａ
ｌＧａＡｓからなり量子井戸となるＩｎＧａＡｓ層が４
層形成された多重量子井戸構造の活性層、５はＡｌＧａ
Ａｓからなるクラッド層、６はｐ形の不純物が１×１０
18ｃｍ-3導入されたＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓからなるｐ
形ＤＢＲ、６ａはクラッド層５直上に形成されｐ形ＤＢ
Ｒ６を構成する他よりＡｌ組成比の大きいＡｌＧａＡｓ
からなる被酸化層である。
【０００８】以下、この発明の製造方法について説明す
る。基板１上に上述した各層を形成した後、まず、図１
（ｂ）に示すように、所定の大きさのメサ７を被酸化層
６ａ側面が露出するまで形成する。次いで、図１（ｃ）
に示すように、メサ７を形成したｐ形ＤＢＲ６上に、酸
化シリコンからなる応力制御パタン８を形成する。この
応力制御パタン８は、被酸化層６ａに形成する電流狭窄
領域の形状にほぼ等しくする。
る。基板１上に上述した各層を形成した後、まず、図１
（ｂ）に示すように、所定の大きさのメサ７を被酸化層
６ａ側面が露出するまで形成する。次いで、図１（ｃ）
に示すように、メサ７を形成したｐ形ＤＢＲ６上に、酸
化シリコンからなる応力制御パタン８を形成する。この
応力制御パタン８は、被酸化層６ａに形成する電流狭窄
領域の形状にほぼ等しくする。
【０００９】以下、この酸化シリコンからなる応力制御
パタン８の形成方法を説明する。まず、例えば、常圧化
学気相堆積法（Chemical Vapor Deposit:CVD）により、
ｐ形ＤＢＲ６上に酸化シリコンを成膜する。ついで、こ
の酸化シリコン膜を光学露光法によりパターニングした
レジストパターンをマスクに選択エッチングする。この
エッチングは、ドライエッチング、あるいはウェットエ
ッチングによりおこなう。
パタン８の形成方法を説明する。まず、例えば、常圧化
学気相堆積法（Chemical Vapor Deposit:CVD）により、
ｐ形ＤＢＲ６上に酸化シリコンを成膜する。ついで、こ
の酸化シリコン膜を光学露光法によりパターニングした
レジストパターンをマスクに選択エッチングする。この
エッチングは、ドライエッチング、あるいはウェットエ
ッチングによりおこなう。
【００１０】形成する応力制御パタン８の膜厚として
は、厚い方が大きな応力が得られるが、成膜速度や応力
が大きすぎることによる下層への欠陥の導入を考慮する
と、０．８μｍ程度が妥当と考えられる。また材料とし
ては、酸化シリコン以外にも、窒化シリコン等の誘電
体，Ｃｒ，Ｎｉ等の金属も考えられる。金属の場合に
は、酸化時の高温で下層のｐ形ＤＢＲ６などと合金化し
てしまわないことが使用できる条件である。
は、厚い方が大きな応力が得られるが、成膜速度や応力
が大きすぎることによる下層への欠陥の導入を考慮する
と、０．８μｍ程度が妥当と考えられる。また材料とし
ては、酸化シリコン以外にも、窒化シリコン等の誘電
体，Ｃｒ，Ｎｉ等の金属も考えられる。金属の場合に
は、酸化時の高温で下層のｐ形ＤＢＲ６などと合金化し
てしまわないことが使用できる条件である。
【００１１】以上示したように応力制御パタン８を形成
した後、水蒸気中で４３０℃に加熱することで、メサ７
の側面の露出部より被酸化層６ａを選択的に酸化する。
他のＡｌＧａＡｓからなる層よりもＡｌ組成比を高くし
てあるので、この被酸化層６ａが選択的に酸化されてい
く。酸化の速度はＡｌ組成に大きく依存し、ＡｌxＧａ
1-xＡｓにおいて、ｘ＝０．９８ではｘ＝１の場合の
０．２倍となる。従って、例えば、被酸化層６ａをｘ＝
１としたＡｌxＧａ1-xＡｓを用い、他の層では、ｘ＝
０．９としたＡｌxＧａ1-xＡｓを用いるようにすればよ
い。
した後、水蒸気中で４３０℃に加熱することで、メサ７
の側面の露出部より被酸化層６ａを選択的に酸化する。
他のＡｌＧａＡｓからなる層よりもＡｌ組成比を高くし
てあるので、この被酸化層６ａが選択的に酸化されてい
く。酸化の速度はＡｌ組成に大きく依存し、ＡｌxＧａ
1-xＡｓにおいて、ｘ＝０．９８ではｘ＝１の場合の
０．２倍となる。従って、例えば、被酸化層６ａをｘ＝
１としたＡｌxＧａ1-xＡｓを用い、他の層では、ｘ＝
０．９としたＡｌxＧａ1-xＡｓを用いるようにすればよ
い。
【００１２】この酸化現象は、拡散フロント（前線）を
有する拡散現象と同様に、内部での酸素の濃度勾配と酸
化による体積変化に起因する内部応力に支配される。一
方、応力制御パタン８は他のｐ形ＤＢＲ６など他の層と
膨張係数が異なるため、４００℃において図中矢印線で
示す方向の応力を発生する。この応力が、被酸化層６ａ
の端部からの酸化における酸化フロントの進行を抑制す
る。このため、被酸化層６ａの酸化フロントの進行は、
図２の特性図に示すように、応力制御パタン８の直下で
遅くなる。その結果、応力制御パタン８に近い形状の電
流注入領域を形成することが可能となる。すなわち、応
力制御パタン８が無い時に比べ均一な酸化が行われ、そ
の結果、最終的に作製されたレーザの特性均一性も向上
する。
有する拡散現象と同様に、内部での酸素の濃度勾配と酸
化による体積変化に起因する内部応力に支配される。一
方、応力制御パタン８は他のｐ形ＤＢＲ６など他の層と
膨張係数が異なるため、４００℃において図中矢印線で
示す方向の応力を発生する。この応力が、被酸化層６ａ
の端部からの酸化における酸化フロントの進行を抑制す
る。このため、被酸化層６ａの酸化フロントの進行は、
図２の特性図に示すように、応力制御パタン８の直下で
遅くなる。その結果、応力制御パタン８に近い形状の電
流注入領域を形成することが可能となる。すなわち、応
力制御パタン８が無い時に比べ均一な酸化が行われ、そ
の結果、最終的に作製されたレーザの特性均一性も向上
する。
【００１３】次に上述した酸化フロントの進行について
詳細に説明する。この選択酸化現象に関してはまだ解明
されていない点が多いが、はっきりとした酸化フロント
を有することや、体積変化を伴うことなどから、ポリマ
ー中へのアルコールの拡散等で知られるケース（ｃａｓ
ｅ）ＩＩ拡散と類似な点が多い。この場合、拡散は、濃
度勾配の項と体積変化に起因する内部応力「∂ｃ／∂ｔ
＝（Ｄ・∂ｃ／∂ｘ−ｖｃ）」の項の２つの要素に支配
され、拡散フロントは時間に比例して進行することが知
られている。なお、上式において、ｃは拡散濃度、Ｄは
拡散係数、ｖは応力、ｘは拡散距離、ｔは時間である。
詳細に説明する。この選択酸化現象に関してはまだ解明
されていない点が多いが、はっきりとした酸化フロント
を有することや、体積変化を伴うことなどから、ポリマ
ー中へのアルコールの拡散等で知られるケース（ｃａｓ
ｅ）ＩＩ拡散と類似な点が多い。この場合、拡散は、濃
度勾配の項と体積変化に起因する内部応力「∂ｃ／∂ｔ
＝（Ｄ・∂ｃ／∂ｘ−ｖｃ）」の項の２つの要素に支配
され、拡散フロントは時間に比例して進行することが知
られている。なお、上式において、ｃは拡散濃度、Ｄは
拡散係数、ｖは応力、ｘは拡散距離、ｔは時間である。
【００１４】ここで、図１に示したように、応力制御パ
タン８が存在すると、この応力制御パタン８とｐ形ＤＢ
Ｒ６との膨張係数の違いにより、応力制御パタン８の直
下のｐ形ＤＢＲ６内部に応力が発生する。このため、上
式に新たに逆向きの応力項が加わり「∂ｃ／∂ｔ＝｛Ｄ
・∂ｃ／∂ｘ−（ｖ−ｖ’）ｃ｝」となる。それに伴い
被酸化層６ａの酸化フロントの進行は、図２に示すよう
に、応力制御パタン８の直下で遅くなる。すなわち、処
理条件としては選択酸化の速度を遅くすることなく、応
力制御パタン８直下では自動的に酸化速度が遅くなる。
タン８が存在すると、この応力制御パタン８とｐ形ＤＢ
Ｒ６との膨張係数の違いにより、応力制御パタン８の直
下のｐ形ＤＢＲ６内部に応力が発生する。このため、上
式に新たに逆向きの応力項が加わり「∂ｃ／∂ｔ＝｛Ｄ
・∂ｃ／∂ｘ−（ｖ−ｖ’）ｃ｝」となる。それに伴い
被酸化層６ａの酸化フロントの進行は、図２に示すよう
に、応力制御パタン８の直下で遅くなる。すなわち、処
理条件としては選択酸化の速度を遅くすることなく、応
力制御パタン８直下では自動的に酸化速度が遅くなる。
【００１５】以上のことにより、所定の時間だけ酸化を
おこなうようにすることで、酸化フロントの進行位置を
均一性良くまた再現性良く停止できる。そして、このと
き、被酸化層６ａの未酸化領域を応力制御パタン８とほ
ぼ同形状に形成することが可能となる。そして、この被
酸化層６ａの未酸化領域が電流注入領域となり、酸化領
域が高抵抗領域となり電流狭窄として機能する。
おこなうようにすることで、酸化フロントの進行位置を
均一性良くまた再現性良く停止できる。そして、このと
き、被酸化層６ａの未酸化領域を応力制御パタン８とほ
ぼ同形状に形成することが可能となる。そして、この被
酸化層６ａの未酸化領域が電流注入領域となり、酸化領
域が高抵抗領域となり電流狭窄として機能する。
【００１６】実施の形態２．ところで、上記実施の形態
１では、被酸化層６ａ領域に応力を発生させるために、
応力制御パタン８を形成するようにしたが、これに限る
ものではない。図３に示すように、メサ９を形成して被
酸化層６ａ領域に応力を発生させるようにしても良い。
図３において、メサ９は、メサ７を形成した後、ｐ形Ｄ
ＢＲ６の被酸化層６ａ上の部分に、被酸化層６ａに形成
する電流狭窄領域の形状にその平面形状をほぼ等しく形
成する。なお、他の符号は図１と同様である。
１では、被酸化層６ａ領域に応力を発生させるために、
応力制御パタン８を形成するようにしたが、これに限る
ものではない。図３に示すように、メサ９を形成して被
酸化層６ａ領域に応力を発生させるようにしても良い。
図３において、メサ９は、メサ７を形成した後、ｐ形Ｄ
ＢＲ６の被酸化層６ａ上の部分に、被酸化層６ａに形成
する電流狭窄領域の形状にその平面形状をほぼ等しく形
成する。なお、他の符号は図１と同様である。
【００１７】このように、メサ９を形成した以外の周囲
の部分では、被酸化層６ａの選択酸化のときに、応力が
緩和され小さくなる。これに対してメサ９直下のｐ形Ｄ
ＢＲ６では図中矢印線で示す応力が増すので、被酸化層
６ａの酸化フロントの進行が遅くなる。結果として、上
記実施の形態１と同様に、メサ９の平面形状に近い未酸
化領域を得ることが可能となる。このように、形成する
メサ９の平面形状と未酸化領域の形状が近い場合、電流
狭窄と光の閉じこめ領域がほぼ一致するので高い発光効
率が得られる。
の部分では、被酸化層６ａの選択酸化のときに、応力が
緩和され小さくなる。これに対してメサ９直下のｐ形Ｄ
ＢＲ６では図中矢印線で示す応力が増すので、被酸化層
６ａの酸化フロントの進行が遅くなる。結果として、上
記実施の形態１と同様に、メサ９の平面形状に近い未酸
化領域を得ることが可能となる。このように、形成する
メサ９の平面形状と未酸化領域の形状が近い場合、電流
狭窄と光の閉じこめ領域がほぼ一致するので高い発光効
率が得られる。
【００１８】実施の形態３．次に、本発明の第３の実施
の形態について説明する。この実施の形態３では、図４
に示すように、基板１裏面に孔１０を形成するようにし
たものである。同図において、孔１０は、被酸化層６ａ
に形成する電流狭窄領域にその位置を合わせ、またその
平面形状をその領域にほぼ等しく形成する。なお、他の
符号は図１と同様である。このことにより、被酸化層６
ａの選択酸化の際に、孔１０による基板１下方からの反
りの応力が酸化フロントに加わる。結果として、上記実
施の形態１と同様に、孔１０の形状に近い未酸化領域を
得ることが可能となる。
の形態について説明する。この実施の形態３では、図４
に示すように、基板１裏面に孔１０を形成するようにし
たものである。同図において、孔１０は、被酸化層６ａ
に形成する電流狭窄領域にその位置を合わせ、またその
平面形状をその領域にほぼ等しく形成する。なお、他の
符号は図１と同様である。このことにより、被酸化層６
ａの選択酸化の際に、孔１０による基板１下方からの反
りの応力が酸化フロントに加わる。結果として、上記実
施の形態１と同様に、孔１０の形状に近い未酸化領域を
得ることが可能となる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明では、被
酸化層に応力を加えた状態で、被酸化層をその端部より
所定時間熱酸化して高抵抗領域を形成する工程を備える
ようにした。この結果、被酸化層をその端部より酸化す
ることで形成される高抵抗領域は、加えられた応力によ
り限定される。この結果、その高抵抗領域が均一性良く
また再現性良く形成され、結果として、面発光形レーザ
の生産性を向上させるという効果を奏する。
酸化層に応力を加えた状態で、被酸化層をその端部より
所定時間熱酸化して高抵抗領域を形成する工程を備える
ようにした。この結果、被酸化層をその端部より酸化す
ることで形成される高抵抗領域は、加えられた応力によ
り限定される。この結果、その高抵抗領域が均一性良く
また再現性良く形成され、結果として、面発光形レーザ
の生産性を向上させるという効果を奏する。
【図１】 本発明の第１の実施の形態における半導体レ
ーザの製造方法を説明するための断面図である。
ーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図２】 酸化フロントの進行を示す特性図である。
【図３】 本発明の第２の実施の形態における半導体レ
ーザの製造方法を説明するための断面図である。
ーザの製造方法を説明するための断面図である。
【図４】 本発明の第３の実施の形態における半導体レ
ーザの製造方法を説明するための断面図である。
ーザの製造方法を説明するための断面図である。
１…基板、２…ｎ形ＤＢＲ、３，５…クラッド層、４…
活性層、６…ｐ形ＤＢＲ、６ａ…被酸化層、７…メサ、
８…応力制御パタン。
活性層、６…ｐ形ＤＢＲ、６ａ…被酸化層、７…メサ、
８…応力制御パタン。
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体からなる基板上に形成され
た化合物半導体多層構造の第１導電形を有する第１の分
布ブラッグ反射膜および第２導電形を有する第２の分布
ブラッグ反射膜と、前記第１および第２の分布ブラッグ
反射膜に挟まれて形成された活性層と、前記活性層へ注
入する電流路を狭窄するように形成された高抵抗領域と
を備え、被酸化層を酸化することで前記高抵抗領域を形
成した半導体レーザの製造方法において、 前記被酸化層に応力を加えた状態で、前記被酸化層をそ
の端部より所定時間熱酸化して前記高抵抗領域を形成す
る工程を備えたことを特徴とする半導体レーザの製造方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体レーザの製造方法
において、 前記第１の分布ブラッグ反射膜上にこれとは膨張係数が
異なる所定形状のパタンを形成した後、前記被酸化層を
その端部より所定時間熱酸化して前記高抵抗領域を形成
することを特徴とする半導体レーザの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体レーザの製造方法
において、 前記第１の分布ブラッグ反射膜を加工して所定形状のメ
サを形成した後、前記被酸化層をその端部より所定時間
熱酸化して前記高抵抗領域を形成することを特徴とする
半導体レーザの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体レーザの製造方法
において、 前記基板の前記第１および第２の分布ブラッグ反射膜が
形成された下の領域の所定位置に所定形状の孔を形成し
た後、前記被酸化層をその端部より所定時間熱酸化して
前記高抵抗領域を形成することを特徴とする半導体レー
ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7392396A JP2891164B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7392396A JP2891164B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266350A true JPH09266350A (ja) | 1997-10-07 |
| JP2891164B2 JP2891164B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=13532165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7392396A Expired - Lifetime JP2891164B2 (ja) | 1996-03-28 | 1996-03-28 | 半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2891164B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6678307B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor surface light-emitting device |
| JP2004128482A (ja) * | 2002-08-06 | 2004-04-22 | Ricoh Co Ltd | 面発光半導体レーザ装置および光伝送モジュールおよび光伝送システム |
| US7068696B2 (en) | 2002-11-26 | 2006-06-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical-cavity surface emitting laser diode and its manufacturing method |
| US7244629B2 (en) | 2003-11-06 | 2007-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vertical cavity surface emitting laser diode and method for manufacturing the same |
| JP2010021418A (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-28 | Ricoh Co Ltd | 面発光レーザの製造方法および面発光レーザと面発光レーザアレイならびに光走査装置と画像形成装置 |
-
1996
- 1996-03-28 JP JP7392396A patent/JP2891164B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN1323473C (zh) * | 2002-11-26 | 2007-06-27 | 株式会社东芝 | 表面发光型半导体激光器及其制造方法 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2891164B2 (ja) | 1999-05-17 |
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