KR950012921A - 레이저 다이오드와 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레이저 다이오드와 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명 레이저 다이오드와 그 제조방법은 활성층을 횡 방향으로 단차를 주어 발광부위가 경사면에 의해 제한되도록 하여 제한효과를 증대시켜 임계전류의 저감화 및 레이저빔 특성등을 향상시키며, 제1크래드층이 공기중에 노출되어 특성이 나빠지는 것을 방지하기 위해 산화방지막버퍼층으로 덮은 다음 열세척 및 재성장을 행하는 방식으로 매우 깨끗한 표면위에 재성장을 행하여 계면특성을 향상시키는 이점등을 제공한다.

Description

[발명의 명칭
레이저 다이오드와 그 제조방법
[도면의 간단한 설명]
제2도 내지 제3도는 본 발명 제조방법의 공정을 개략적으로 도시하는 공정 단면도이며, 그리고
제4도는 본 발명에 따른 레이저 다이오드의 개략적인 단면도이다.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (4)

  1. 그 저면에 전극이 형성되는 기판과, 상기 기판의 상부에 제1크래드층과 활성층 및 제2크래드층이 순차적으로 형성되어 레이저빔을 발진시키는 레이저 발진층 및 상기 레이저 발진층의 상부에 순차적으로 형성되는 콘택트층과 전극을 구비한 레이저 다이오드에 있어서,
    상기 기판과 제1크래드층사이에는 평탄한 저면을 갖는 전류주입 채널이 그 가운에 부분에 형성되어 있는 전류제한층이 개재되고,
    상기 전류주입 채널 평탄저면상에 버퍼층이 형성되며,
    상기 제1크래드층은 그 가운데 부분이 리지를 형성하고,
    상기 활성층은 상기 제1크래드층의 리지에 대응하여 형성되어 평탄부와 경사부를 갖으며,
    상기 제2크래드층과 콘택트층사이에 밴드갭감소층이 개재되어 형성된 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드.
  2. (1) 기판상에 버퍼층, 제1크래드층 및 산화방지버퍼층을 성장하는 제1성장단계,
    (2) 상기 산화방지버퍼층의 가운데 부분의 일부영역에 마스크층을 형성하는 마스크형성단계,
    (3) 상기 마스크를 이용한 식각공정으로 상기 버퍼층, 제1크래드층 및 산화방지버퍼층의 소정부분을 식각하여 역 메사형의 구조를 형성하는 역메사 형성단계,
    (4) 상기 역메사 형성단계에서 식각제거된 부분에 전류제한층을 소정 높이까지 성장하는 전류제한층성장단계,
    (5) 상기 마스크를 제거하고, 열세척에 의해 상기 산화방지버퍼층만을 선택적으로 제거하는 제거단계,
    (6)상기 메사구조에 대응하여 전류제한층을 포함하는 제1크래드층, 경사면을 갖는 활성층, 제2크래드층, 밴드갭감소층 및 콘택트층을 성장하는 다층성장단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기의 성장공정이 분자선성장법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제거단계의 열세척이 분자선성장법의 As4플럭스를 이용하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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