JP3276745B2 - 可変波長発光素子とその制御方法 - Google Patents

可変波長発光素子とその制御方法

Info

Publication number
JP3276745B2
JP3276745B2 JP28475893A JP28475893A JP3276745B2 JP 3276745 B2 JP3276745 B2 JP 3276745B2 JP 28475893 A JP28475893 A JP 28475893A JP 28475893 A JP28475893 A JP 28475893A JP 3276745 B2 JP3276745 B2 JP 3276745B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
emitting device
layer
wavelength light
variable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP28475893A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH07142171A (ja
Inventor
隆博 中山
角田  敦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP28475893A priority Critical patent/JP3276745B2/ja
Priority to US08/338,151 priority patent/US5559400A/en
Priority to DE69419387T priority patent/DE69419387T2/de
Priority to EP94308404A priority patent/EP0653902B1/en
Publication of JPH07142171A publication Critical patent/JPH07142171A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3276745B2 publication Critical patent/JP3276745B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/18Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the nature or concentration of the activator
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は発光デバイスにかかわ
り、とくに情報通信分野用の光論理デバイス、表示素
子、通信用発光デバイス、情報ファイルの読み/書き用
ヘッド、印刷装置、センサなどに好適な可変波長化した
エレクトロルミネッセンス(以下ELと略称する)素子
に関する。
【0002】
【従来の技術】ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジクス誌、vol.27,NO.2(19
88)pp.L269−L271には、有機蛍光体薄膜
の各蛍光体の分子式に応じた発光スペクトルが得られる
ことが開示されている。図2は上記有機蛍光体薄膜を用
いた一般的な有機発光素子の断面図である。硝子基板1
01上に透明導電膜103、ジアミン誘導体(TAD)
のホール注入層104、発光層105、金属電極106
を順次形成する。
【0003】透明導電膜103と金属電極106を互い
に直交するマトリクス状に形成し、透明導電膜103b
をプラス、金属電極106をマイナスとして5〜20V
の直流電圧を印加すると、両者の交差部分が発光し、光
が硝子基板101側から出射するようにっている。この
発光部部分を画素と呼ぶ。この発光スペクトルは発光物
質の種類により決定される。発光物質をアルミキレート
(ALQ)とした場合、図3に示したようなブロードな
発光スペクトルが得られるが、この発光スペクトルはほ
ぼ一義的に定まっていた。また、発光スペクトルを変更
する場合にはカラーフィルタを付加することが行われて
いたが、一度作成した素子の発光スペクトルを自在に変
更することはできなかった。
【0004】また、Appl.Phys.Lett.誌、Vol.63
(5),No2,1993年8月には図8に示すよう
に、図2の金属電極106を有機薄膜のミラ−電極と
し、硝子基板101上にTi2膜とSi2膜の多層膜の
よりなる半透明反射膜(ハ−フミラ−)102を形成
し、その上に透明導電膜103、ジアミン誘導体(TA
D)のホール注入層104、アルミキレート(ALQ)
の発光層105、金属電極106を順次形成して、金属
電極106と半透明反射膜102間の光に対するキャビ
ティ効果を利用して有機薄膜の発光強度を高め、同時に
その発光スペクトラムを狭くすることが開示されてい
る。
【0005】即ち、金属電極106と半透明反射膜10
2間の間隔を発光層105の発光スペクトル範囲(45
0nm〜700nm)の中の特定の波長に合わせて設定
することにより、図9に示すように上記特定波長の光を
共振させてその強度を強めることが報告されている。
【0006】また、米国特許usp5,003,221
号公報には、透明基板11とその上に構成したストライ
プ電極13、誘電体層14、EL層15、誘電体層1
6、ストライプ電極17等よりなる液晶素子間に薄膜層
12を設け、透明基板11と液晶素子間の回折係数差が
最小とするように薄膜層12の回折係数を設定して、該
液晶装置の外来光反射を低減することが開示されてい
る。
【0007】上記従来技術では成した発光素子の発光ス
ペクトル波長をかえることは不可能であった。一方、特
開平3−197923号公報には、検光子と偏光子の間
に電圧により複屈折率の変化する少なくとも2層の液晶
層を設け、液晶電極間電圧により上記複屈折量を制御し
て該多層液晶層を可変色フィルタとして利用することが
開示されているが、光源をこの液晶素子の外部に設ける
必要上、上記薄膜EL素子に比べて装置が大型であっ
た。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術において
は、発光素子の発光色が発光材料や素子構造等により一
義的に決定されるので、発光色を制御できないという問
題があった。すなわち、上記Appl.Phys.Lett.誌に開示
の方法では、発光スペクトラムを外部信号により制御で
きないという問題があった。また、上記特開平3−19
7923号公報に開示の方法では、該多層の液晶層を可
変色フィルタとして用いるので光の透過損失が大きいう
え、光源が外部に設けられので装置が大型化するという
問題があった。本発明の目的は、上記色フィルタのよう
な光の透過損失を原理的に発生することのない可変波長
発光素子を提供することにある。
【0009】
【課題を解決する手段】上記課題を解決するために、発
光層の上面側と下面側に設けた二つの光反射層間の発光
層の光学的距離を外部信号により制御して、出力光の発
光スペクトルを上記外部信号により制御するようにす
る。このため、透明基板上に少なくとも上記反射層の一
方である透明反射膜と、第1の透明導電膜、光学距離可
変層、第2の透明導電膜、有機薄膜発光層、上記反射層
の他方である金属電極を順次積層し、上記第1と第2の
透明導電膜間に上記外部信号を印加するようにする。
【0010】また、上記光学距離可変層を電圧により屈
折率または厚みが変化する物質、例えばポリマー分散型
液晶材により構成する。また、上記光学距離可変層を
熱、圧力、音波、磁場、電場、重力、電磁波等の外部信
号に応じて膜厚変化を生じる物質により構成する。この
ため、上記透明基板および/または金属電極面上にフレ
キシブルな保護層を設け、上記透明基板および/または
金属電極面上に印加される機械的外力に応じて上記光学
距離可変層の膜厚変化が生じるようにする。
【0011】また、上記透明基板および/または金属電
極面上に設けたフレキシブルな保護層の少なくとも一方
に帯磁した磁性層を設け、外部磁場の印加により上記光
学距離可変層の膜厚変化を生じるようにする。また、上
記光学距離可変層を光照射により膜厚変化を生じる物質
により構成する。また、上記有機薄膜発光層を青色波長
(400〜480nm)に発光ピークを有する発光材料
にアルミキレートを1〜20%添加した発光材により構
成する。
【0012】また、第1、および第2の透明導電膜、お
よび金属電極のそれぞれを相互に交差するストライプ形
状とし、これらのストライプ形状の交差部を画素とす
る。また、、第1と第2の透明導電膜を相互に平行する
ストライプ形状とし、さらに、金属電極を上記第1、第
2の透明導電膜に対して交差するストライプ形状にす
る。また、第1の透明導電膜のストライプ幅を第2の透
明導電膜のストライプ幅内に2本以上納まるように狭く
する。
【0013】また、第1と第2の透明導電膜間に赤、
緑、青の発光成分を通過させる電圧を切替て印加する。
また、第1と第2の透明導電膜間に赤、緑、青の発光成
分を通過させる電圧を順次印加する。また、第1と第2
の透明導電膜を画面内で2分し、その一方には可視波長
領域の上半分または下半分を通過させる電圧を印加し、
他方には可視波長領域の下半分または上半分を通過させ
る電圧を印加する。
【0014】
【作用】発光層の両面に設けた二つの光反射層は発光層
の光を共振し、外部信号はこの共振の光学的距離を制御
して、出力発光スペクトルを制御する。上記透明反射膜
と金属電極は上記二つの光反射層に該当し、上記第1と
第2の透明導電膜間に印加した外部信号は上記共振の光
学的距離を制御する。
【0015】また、例えばポリマ−分散型液晶材により
構成した上記光学距離可変層は電圧により屈折率または
厚みを変化して上記共振の光学的距離を変化させる。ま
た、熱、圧力、音波、磁場、電場、重力、電磁波等によ
り膜厚変化を生じる物質はこれらの外部信号により上記
光学距離を変化させる。また、上記フレキシブルな保護
層は発光素子を保護して機械的外力を光学距離可変層に
伝える。
【0016】また、上記帯磁した磁性層は外部磁場力を
光学距離可変層に伝える。また、上記光照射により膜厚
変化を生じる物質は外部光照射により上記光学距離可変
層を変化させる。また、上記青色領域(400〜480
nm)に発光ピークを有する発光材料にアルミキレート
を1〜20%添加した発光材は可視光範囲全域を制御で
きる有機薄膜発光層を提供する。
【0017】また、それぞれ相互に交差するストライプ
形状の第1、および第2の透明導電膜、および金属電極
は、ストライプ形状の交差部を画素として選択する。ま
た、第1と第2の透明導電膜を相互に平行するストライ
プ形状とする場合は、金属電極と第1、第2の透明導電
膜のストライプ形状の交叉部を画素とする。また、第1
の透明導電膜のストライプ幅を第2の透明導電膜のスト
ライプ幅内に2本以上納まるようした場合は、第1の透
明導電膜のストライプ幅内に二つ以上の画素をつくる。
【0018】また、第1と第2の透明導電膜間に赤、
緑、青の発光成分を通過させる電圧を切替て印加する場
合は、を切替て出射できる。また、第1と第2の透明導
電膜間に赤、緑、青の発光成分を通過させる電圧を順次
印加する場合には、赤、緑、青の各画素の位置が固定さ
れる。また、第1と第2の透明導電膜を2分して、その
一方には可視波長領域の上半分または下半分を通過させ
る電圧を印加し、他方には可視波長領域の下半分または
上半分を通過させる電圧を印加する場合には、2個の画
素が組になって可視波長領域を受け持つが、有機薄膜発
光層の光学距離制御範囲が半減される。
【0019】
【実施例】
〔実施例 1〕図1は本発明による可変波長発光素子実
施例の断面図である。硝子基板101上に、TiO2
とSiO2膜を積層した半透明反射膜102を形成し、
その上に透明導電膜(ITO)103a、光学距離可変
層(ポリマー分散型液晶)201、透明導電膜(IT
O)103b,ジアミン誘導体(TAD)のホール注入
層104、アルミキレート(ALQ)の発光層105、
Ag:Mgの金属電極106を順次形成する。
【0020】また、図4に示すように、透明導電膜10
3bと金属電極106を互いに直交するマトリクス状に
形成し、5〜20Vの直流電圧を透明導電膜103bに
プラス、金属電極106にマイナスで印加して量電極の
交差部を画素として発光させる。また、透明導電膜10
3aと103bも互いに直交するマトリクス状に構成す
ると、透明導電膜103aと103b間にかける電圧に
より上記各画素の出射光のスペクトルを画素毎に制御す
ることができる。
【0021】また、図5に示すように、透明導電膜10
3aと103bを互いに平行するストライプ状に構成す
ると、透明導電膜103aと103b間にかける電圧に
より画素列毎の出射光スペクトルをまとめて制御するこ
とができる。
【0022】また、図6、7に示すように、図4または
図5における透明導電膜103aの幅を同103bの幅
の2分の1以下にすると、金属電極106と透明導電膜
103bが作る1画素毎に複数の発光色を組合わせて出
射することができる。また、透明導電膜103a,10
3b,ホール注入層104、発光層105、および光学
距離可変層201の各膜厚と屈折率の積から得られる光
学的距離の和dを、半透明反射膜102がない時の図3
に示したALQの発光スペクトルの範囲(450〜70
0nm)間の値とする。
【0021】本発明では透明導電膜103aと103b
間に印加する電圧により光学距離可変層201の屈折率
を1.5〜1.8の範囲に変えて光学的距離の和dの値
を共振器の長さにし往復で200nm変化させるように
する。このため、光学距離可変層201の膜厚を340
nmに設定する。すなわち、発光スペクトルを透明導電
膜103aと103b間の印加電圧に応じて金属電極1
06と半透明反射膜102間の距離を制御し、この距離
に応じた波長の光を共振させてその発光強度を損失少な
く高め、同時にその発光スペクトラムを狭くするように
する。この結果、図10に示すように上記発光層105
の発光スペクトル範囲(450nm〜700nm)内の特
定波長の発光成分を任意に抜き出してその強度を強める
ことができる。
【0022】〔実施例 2〕図11は図1に示した本発
明による発光素子を三原色対応のカラ−ディスプレイ用
素子として用いた場合の断面図である。均一に作成した
各画素の透明電極103a〜103b間に赤(R)、緑
(G)、青(B)の三原色に対応する電圧を順次印加し
て3画素により3原色を発光できるようにし、透明導電
膜103bと金属電極106間に加える電圧により各画
素の発光強度を制御するようにする。この結果、R,
G,Bの色成分それぞれの発光強度を独立に制御できる
ので、3原色対応のカラー発光ディスプレイを実現する
ことができる。
【0023】〔実施例 3〕図12は透明電極103a
〜103b間に所要の色相に応じた電圧を連続的に印加
して各画素がそれぞれ独立に上記450〜700nm内
の中間色も発光できるようにした場合である。なお、各
画素の発光強度は図11の場合と同様に透明導電膜10
3bと金属電極106間に加える電圧により制御する。
図1では3画素毎が一つのフルカラ−画素として機能し
ていたが、本実施例では各画素がそれぞれフルカラ−画
素として働くため表示密度や有効発光面積を略3倍化す
ることができ、計算機端末用の表示装置などに用いるこ
とができる。
【0024】〔実施例 4〕図13はフルカラ−用の全
発光範囲を分割し、この分割した各発光範囲を分割した
画素グル−プに割り当てるようにした場合である。この
結果、各画素グル−プの波長制御範囲を狭くできるの
で、対応する光学距離可変層201の膜厚も狭くでき、
表示素子の膜厚設計余裕を大きくとることができる。ま
た、光学距離可変層201の膜厚が厚い場合には主発光
ピーク以外の不要発光ピークが発生し易いく、このため
色純度が低下するという問題があったが、この問題を改
善することができる。
【0025】図13では、フルカラ−の発光波長範囲を
上下に2分し、この2分した波長範囲に対応する電圧を
一画素毎に交互に印加するようにしている。各画素の発
光波長範囲が1/2化されるので、それぞれ最適化する
ことができる。
【0026】〔実施例 5〕図14は本発明の可変波長
発光素子を光スイッチとして用いる実施例の断面図であ
る。図1に示した本発明の可変波長発光素子は、透明電
極103a、103b間の印加電圧により発光波長が変
化するので、出射部にレンズ110、プリズム112等
を設けて発光波長に応じて出射光路を偏向させ、光ディ
テクタ113により所定の偏向角の出射光を検出するよ
うにする。この場合、光学距離可変層201による光学
距離dの変化範囲を上記カラ−ディスプレイほど大きく
する必要がないので、光学距離可変層201にはニオブ
酸リチウムのような応答速度の早い非線型光学材料を用
いることができる。
【0027】この結果、透明電極103aと103b間
の印加電圧により出射光がスイッチングされる光スイッ
チ素子を得ることができる。また、例えば、発光層10
5に印加する電圧と光学距離可変層201に印加する電
圧とをそれぞれ論理入力とすれば、AND,OR等の論
理演算を光学的に行わせることができ、、また、金属電
極106や透明電極103aと103b等の構成を変え
ることによりさらに複雑な光論理回路を構成することが
できる。
【0028】〔実施例 6〕図15は、光学距離可変層
201に非固体状の光学距離可変物質を用いた場合の実
施例断面図である。硝子基板101a上に半透明反射膜
102、透明導電膜103aを形成し、その上の透明導
電膜103b間に例えばポリマー分散型液晶材等の光学
距離可変物質201を封入する。次いで、透明基板10
1b上にホール注入層104、発光層105、金属電極
106を順次形成し、封止部材114によりこの光学距
離可変素子の全体を固定して光学距離可変物質201の
厚みが所定の値となるように2枚の基板101aと同1
01bで封止する。
【0029】〔実施例 7〕上記本発明の各実施例にお
いては発光層105に高輝度が安定に得られるALQ材
を用いたが、発光波長の下限が450nmであるため用
途によっては青色成分が十分する場合が発生する。この
問題はALQにアゾメチン亜鉛錯体等の発光ピークを4
00〜480nmの青色領域に有する物質を添加するこ
とにより改善することができる。図16はその一例であ
り、ALQの発光領域1に上記青色領域2を加えると、
3に示すような略400〜700nmにわたる広い発光
領域を得ることができる。
【0030】図17は上記ALQの添加率とALQピ−
クに対する青ピ−ク強度比の関係図である。ディスプレ
イ用としては青色の発光強度が緑色の発光強度の1/1
0程度であれば十分であるから、青色発光強度の10倍
がALQ発光強度の5分の1ないし5倍の範囲内にある
ようにし、このためALQの添加量を1〜20%に設定
する。
【0031】〔実施例 8〕図18、図19は、外部光
の反射を低減するために、出射部にブラックマスク11
5を設け、さらに各画素光の出射部分にそれぞれの発光
領域のみを透過するカラーフィルター116を設けた場
合の断面図である。図18は各画素の出射光をカラーフ
ィルタ116の透過範囲内で制御する場合であり、図1
9では透明導電膜103aを省略して出射光のスペクト
ルをカラーフィルタ116により一義的に規制するよう
にした場合である。なお、ブラックマスク115とカラ
ーフィルター116は硝子基板101の外側につけるこ
とも出来る。
【0032】光学距離可変層201は微小光共振器構造
を有する発光素子全てに適用可能であり、光学距離可変
材には有機、無機等の各種の材料を用いることができる
が、有機発光材を用いると光学距離可変層201の膜厚
を発光波長オーダーに設定しやすいため、設計、製造が
比較的容易になり、また、良好な長時間安定性を得るこ
とができる。
【0033】しかし、光学距離可変層201には上記電
圧に応じて屈折率が変化する物質の他に、熱、圧力、音
波、光、磁場、電場、重力、電磁波等の外部信号に応じ
て膜厚変化を生じる物質を用いても同等の作用、効果を
得ることができる。また、これら物質の組み合わせて用
いることもできる。なお、これらの場合、透明導電膜
(ITO)103aは適宜省略してもよい。また、これ
らの発光素子のスペクトラムは熱、圧力、音波、磁場、
電場、重力、電磁波等の外部信号に応じて変化するの
で、上記、熱、圧力、音波、磁場、電場、重力、電磁波
等の検出装置として利用することもできる。
【0034】〔実施例 9〕図20は光の照射によって
出射光の波長とその強度を制御する場合である。光学距
離可変層201に光の照射により光学距離が変わる非線
系光学材料を用いる。上記光(信号光)は、同図(a)
に示すように硝子基板101側から照射したり、また、
同図(b)のように光学距離可変層201の側面側から
照射する。
【0035】図21は上記信号光に対する出射光変化の
一例を示すスペクトル図である。信号光が無い時には波
長Aの位置にあった出射光が、信号光の照射により波長
Bの位置に移動することを示している。したがって、図
22に示すように、信号光の照射により波長Aの出射光
強度が低下し、波長Bの出射光強度が増大するので、図
20の素子は光−光変換素子として利用することができ
る。
【0036】〔実施例 10〕図23は光学距離可変層
201に圧力、引力等の機械的な力を加えて光学距離が
変化させるようにした場合である。この場合、金属電極
面にフレキシブル保護層を設けて電極を保護すると同時
に、画素周辺部に外部の力が波及しないようにする。
【0037】図24は図23の具体的一例である。上記
フレキシブル保護層上に、微細な垂直磁化膜、あるいは
鉄、コバルトのような単純な磁性物質を含む磁性層を設
け、上面側、あるいは下面側、あるいは上下両面側から
外部磁界を作用させると、磁界による圧力、引力等が光
学距離可変層201に作用して光学距離が変化する。な
お、硝子基板101側から外部磁界を作用させる場合に
は、硝子基板101に薄いフレキシブルな材料を用い、
金属電極側に保持板を設けるようにする。本発明の共振
器素子には、様々な電極材料、発光層材料、導電性材料
を用いることができる。その場合の「共振器の長さ」の
一般的な定義には高度な概念が必要になる。用いられる
電極材料や発光層材料によっては、導電性材料界面の電
荷蓄積による位相シフト、積層膜など反射体の反射特性
に依存したシフト、また、素子の動作温度による光路変
化等、素子内で生じる現象が共振器の光学的距離に寄与
する場合がある。その場合は、共振の光学的距離として
膜厚×屈折率から得られる幾何的な光学的距離に、これ
らの全ての現象を考慮して加えることで、発光波長の整
数倍(あるいは半整数倍)の共振器であることを示すこ
とができる。仮に、全ての現象が自明でないか、また
は、解析的でない場合でも、ミラー間の膜厚を様々に変
化させた素子を作製し、共振ピークが幾何的な光学的距
離の変化に対してどう変化するかを解析すれば、その勾
配から、発光波長の整数倍(あるいは半整数倍)の共振
器からもたらされた発光であることが分かる。
【0038】
【発明の効果】本発明により、電圧、及び、熱、圧力、
音波、磁場、電場、重力、電磁波等の外部信号により共
振型発光素子の出力光スペクトルを制御することのでき
る可変波長発光素子を提供することができる。 また、上
記電圧信号によりマトリックス状に配列した各画素の発
光色や強度を制御できるので、平面状のカラ−ディスプ
レイ用発光素子を提供することができる
【0039】さらに、上記マトリックス状の電極間に印
化する電圧の組み合わせを入力とし、出射光のスペクト
ル変化を出力とすることにより、光出力のディジタル論
理素子を構成することができる。さらに、外部の光信号
により共振型発光素子の出力光スペクトルを制御するこ
とにより、光−光変換素子を提供することができる。さ
らに、磁気力等の機械的力信号により共振型発光素子の
出力光スペクトルを制御することにより、力−光変換素
子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による可変波長発光素子実施例の断面図
である。
【図2】従来の発光素子の断面図である。
【図3】図2の素子の発光スペクトラム例である。
【図4】図1におけるマトリックス電極の配置例を示す
斜視図である。
【図5】図1における他のマトリックス電極の配置例を
示す斜視図である。
【図6】図1における他のマトリックス電極の配置例を
示す斜視図である。
【図7】図1における他のマトリックス電極の配置例を
示す斜視図である。
【図8】従来の共振形発光素子の断面図である。
【図9】図8の素子の発光スペクトラム例である。
【図10】図1の素子の発光スペクトラム例である。
【図11】本発明による可変波長発光素子を3原色対応
のカラ−ディスプレイとして用いた場合の断面図であ
る。
【図12】本発明による可変波長発光素子の各画素をそ
れぞれフルカラ−発色化した場合の断面図である。
【図13】本発明による可変波長発光素子の各画素に2
分したフルカラ−波長範囲を割り当てた場合の断面図で
ある。
【図14】本発明による可変波長発光素子を光スイッチ
をして用いた場合の断面図である。
【図15】本発明による可変波長発光素子の光学距離可
変層に非固体材を用いた断面図である。
【図16】図1の光学距離可変層材に青色発光材を加え
て全可視域発光化した場合の発光スペクトラム例であ
る。
【図17】図16におけるALQ添加量対青発光ピーク
相対強度比特性図である。
【図18】図1の素子にブラックマスクとカラ−フィル
タよりなる視認性向上用フィルターを付けた場合の断面
図である。
【図19】図1の素子にブラックマスクとカラ−フィル
タよりなる視認性向上用フィルターを付けた場合の断面
図である。
【図20】本発明による外部からの信号光により出力光
を制御する可変波長発光素子実施例の断面図である。
【図21】図20における出力光スペクトル制御特性図
である。
【図22】図20における出力光強度制御特性図であ
る。
【図23】本発明による外部からの力信号により出力光
を制御する可変波長発光素子実施例の断面図である。
【図24】図23における外部からの力信号に磁気力を
用いた可変波長発光素子実施例の断面図である。
【符号の説明】
101…硝子基板、102…半透明反射膜、103…透
明導電膜、104…ホール注入層,105…発光層,1
06…金属電極、110…レンズ、112…プリズム、
113…光ディテクタ、115…ブラックマスク、11
6…カラ−フィルタ、201…光学距離可変層、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05B 33/00 - 33/28 H01L 33/00

Claims (18)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光層の上面側と下面側に光反射層を設
    けてこの二つの反射層により発光層の光を共振せしめる
    ようにした発光素子において、上記下の二つの反射層間
    の光学的距離を外部信号により制御する手段を設けて、
    出力光の発光スペクトルを上記外部信号により制御する
    可変波長発光素子であって、 明基板上に前記反射層の一方である透明反射膜と、第
    1の透明導電膜、光学距離可変層、第2の透明導電膜、
    有機薄膜発光層、前記反射層の他方である金属電極を順
    次積層し、前記第1と第2の透明導電膜間に記外部信
    号を印加して光学距離可変層の光学的距離を制御するよ
    うにしたことを特徴とする可変波長発光素子。
  2. 【請求項2】記光学距離可変層を電圧により屈折率
    または厚みが変化する物質により構成した請求項1に記
    載の可変波長発光素子。
  3. 【請求項3】記光学距離可変層をポリマー分散型液
    晶により構成した請求項2に記載の可変波長発光素子。
  4. 【請求項4】 前記光学距離可変層を熱、圧力、音波、
    磁場、電場、重力、電磁波等の外部信号に応じて膜厚変
    化を生じる物質により構成した請求項1に記載の可変波
    長発光素子。
  5. 【請求項5】記透明基板および/または金属電極面
    上にフレキシブルな保護層を設け、記透明基板および
    /または金属電極面上に印加される機械的外力に応じて
    記光学距離可変層の膜厚変化するよう構成した請求
    項4に記載の可変波長発光素子。
  6. 【請求項6】記透明基板および/または金属電極面
    上に設けたフレキシブルな保護層の少なくとも一方に帯
    磁した磁性層を設け、外部磁場の印加により記光学距
    離可変層の膜厚変化するよう構成した請求項5に記載
    可変波長発光素子。
  7. 【請求項7】記光学距離可変層を光照射により膜厚
    変化を生じる物質により構成した請求項1に記載の可変
    波長発光素子。
  8. 【請求項8】 前記第1の透明導電膜を省略した請求項
    4〜7のいずれかに記載の可変波長発光素子。
  9. 【請求項9】 前記有機薄膜発光層を青色領域に発光ピ
    ークを有する発光材料にアルミキレートを添加した発光
    材により構成した請求項1,2または3に記載の可変波
    長発光素子。
  10. 【請求項10】 前記有機薄膜発光層を400〜480
    nmに発光ピークを有する発光材料にアルミキレートを
    添加した発光材により構成した請求項1,2または3に
    記載の可変波長発光素子。
  11. 【請求項11】 前記アルミキレートの添加量を1〜2
    0%とした請求項9または10に記載の可変波長発光素
    子。
  12. 【請求項12】 前記第1第2の透明導電膜、およ
    金属電極のそれぞれ相互に交差するストライプ形
    状とし、ストライプ形状の交差部を画素とした請求項
    1〜11のいずれかに記載の可変波長発光素子。
  13. 【請求項13】 前記第1と第2の透明導電膜を相互に
    平行するストライプ形状とし、さらに、金属電極を前記
    第1、第2の透明導電膜に対して交差するストライプ形
    状とした請求項1〜11のいずれかに記載の可変波長発
    光素子。
  14. 【請求項14】 前記第1の透明導電膜のストライプ幅
    を第2の透明導電膜のストライプ幅内に2本以上納まる
    ように狭くした請求項12または13に記載の可変波長
    発光素子。
  15. 【請求項15】 請求項1〜14のいずれかに記載の可
    変波長発光素子の光出射面側に、カラーフィルター、お
    よび/または、ブラックマスクを設け、外部光の表面反
    射を低減するようにしたことを特徴とする可変波長発光
    素子。
  16. 【請求項16】 請求項1〜14のいずれかに記載の可
    変波長発光素子の制御方法において、第1と第2の透明
    導電膜間に赤、緑、青の発光成分を通過させる電圧を
    り替えて印加するようにしたことを特徴とする可変波長
    発光素子の制御方法。
  17. 【請求項17】 請求項1〜14のいずれかに記載の可
    変波長発光素子の制御方法において、第1と第2の透明
    導電膜間に赤、緑、青の発光成分を通過させる電圧を順
    次印加するようにしたことを特徴とする可変波長発光素
    子の制御方法。
  18. 【請求項18】 請求項1〜14のいずれかに記載の可
    変波長発光素子の制御方法において、第1と第2の透明
    導電膜を画面内で2分し、その一方には記載の可変波長
    発光素子の可視波長領域の上半分または下半分を通過さ
    せる電圧を印加し、他方には可視波長領域の下半分また
    は上半分を通過させる電圧を印加するようにしたことを
    特徴とする可変波長発光素子の制御方法。
JP28475893A 1993-11-15 1993-11-15 可変波長発光素子とその制御方法 Expired - Lifetime JP3276745B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28475893A JP3276745B2 (ja) 1993-11-15 1993-11-15 可変波長発光素子とその制御方法
US08/338,151 US5559400A (en) 1993-11-15 1994-11-09 Variable wavelength luminescent device and control method therefor
DE69419387T DE69419387T2 (de) 1993-11-15 1994-11-14 Lumineszente Vorrichtung mit verstellbarer Wellenlänge und Kontrolmethode dafür
EP94308404A EP0653902B1 (en) 1993-11-15 1994-11-14 Variable wavelength luminescent device and control method therefor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28475893A JP3276745B2 (ja) 1993-11-15 1993-11-15 可変波長発光素子とその制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH07142171A JPH07142171A (ja) 1995-06-02
JP3276745B2 true JP3276745B2 (ja) 2002-04-22

Family

ID=17682631

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28475893A Expired - Lifetime JP3276745B2 (ja) 1993-11-15 1993-11-15 可変波長発光素子とその制御方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5559400A (ja)
EP (1) EP0653902B1 (ja)
JP (1) JP3276745B2 (ja)
DE (1) DE69419387T2 (ja)

Families Citing this family (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
JP3420399B2 (ja) * 1995-07-28 2003-06-23 キヤノン株式会社 発光素子
JP3528470B2 (ja) * 1995-10-27 2004-05-17 株式会社豊田中央研究所 微小光共振器型有機電界発光素子
KR100332186B1 (ko) * 1995-11-28 2002-05-09 포만 제프리 엘 유기전자발광소자를향상시키기위하여사용된유기/무기합금
TW359765B (en) * 1996-05-10 1999-06-01 Seiko Epson Corp Projection type liquid crystal display apparatus
JP3452343B2 (ja) * 1996-06-26 2003-09-29 出光興産株式会社 多色発光装置およびその製造方法
JP3671530B2 (ja) * 1996-07-11 2005-07-13 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
GB2320105B (en) * 1996-12-04 2000-07-26 Cambridge Display Tech Ltd Tuneable microcavities
KR19980046586A (ko) * 1996-12-12 1998-09-15 양승택 공진파장 제어 기능을 구비한 고분자 광검출기
US6091383A (en) * 1997-04-12 2000-07-18 Lear Automotive Dearborn, Inc. Dimmable ELD with mirror surface
US6160828A (en) * 1997-07-18 2000-12-12 The Trustees Of Princeton University Organic vertical-cavity surface-emitting laser
GB2325056A (en) * 1997-05-09 1998-11-11 Sharp Kk Polarisation independent optical phase modulator
US5932895A (en) * 1997-05-20 1999-08-03 The Trustees Of Princeton University Saturated full color stacked organic light emitting devices
WO2000017911A1 (en) * 1998-09-24 2000-03-30 Fed Corporation Active matrix organic light emitting diode with doped organic layer having increased thickness
TW463528B (en) 1999-04-05 2001-11-11 Idemitsu Kosan Co Organic electroluminescence element and their preparation
GB2350926A (en) * 1999-05-27 2000-12-13 Seiko Epson Corp Monolithic,semiconductor light emitting and receiving device
GB2351840A (en) 1999-06-02 2001-01-10 Seiko Epson Corp Multicolour light emitting devices.
JP2000066205A (ja) * 1999-09-01 2000-03-03 Seiko Epson Corp 投写型液晶表示装置
KR100740793B1 (ko) * 1999-11-22 2007-07-20 소니 가부시끼 가이샤 표시 소자
JP4548404B2 (ja) * 1999-11-22 2010-09-22 ソニー株式会社 表示装置
JP4655959B2 (ja) * 1999-11-22 2011-03-23 ソニー株式会社 表示素子
US6554007B2 (en) * 1999-11-24 2003-04-29 William S. Wise Composition and method for cleaning and disinfecting a garbage disposal
JP2001223086A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Fuji Photo Film Co Ltd 有機発光素子及びそれを用いる画像形成方法
JP3508741B2 (ja) * 2001-06-05 2004-03-22 ソニー株式会社 表示素子
US6580090B2 (en) * 2001-06-22 2003-06-17 International Business Machines Corporation Organic light-emitting devices
KR100809931B1 (ko) * 2001-06-30 2008-03-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
JP2003086383A (ja) * 2001-09-10 2003-03-20 Seiko Epson Corp 発光装置
CN1666579A (zh) * 2002-05-08 2005-09-07 泽奥勒克斯公司 使用反馈增强型发光二极管的照明器件
US6911772B2 (en) * 2002-06-12 2005-06-28 Eastman Kodak Company Oled display having color filters for improving contrast
US20040004433A1 (en) * 2002-06-26 2004-01-08 3M Innovative Properties Company Buffer layers for organic electroluminescent devices and methods of manufacture and use
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
JP3703028B2 (ja) 2002-10-04 2005-10-05 ソニー株式会社 表示素子およびこれを用いた表示装置
JP3944906B2 (ja) * 2002-11-11 2007-07-18 ソニー株式会社 発光素子およびこれを用いた表示装置
DE10301029B4 (de) * 2003-01-13 2005-03-17 Ritter Gmbh Kartuschenverschluß mit Öffnungs-/Schließ-Funktion
US6861800B2 (en) * 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
KR101079820B1 (ko) * 2003-09-19 2011-11-04 소니 가부시키가이샤 유기 발광 장치 및 그 제조 방법과 표시 장치
JP4316974B2 (ja) * 2003-09-30 2009-08-19 独立行政法人産業技術総合研究所 発光強度が磁場に依存する発光素子を用いた磁場センサー
US20050156512A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-21 Vadim Savvateev Electroluminescent devices with at least one electrode having apertures and methods of using such devices
CN1954645A (zh) * 2004-05-18 2007-04-25 出光兴产株式会社 蓝色系有机电致发光元件和显示装置
EP1601030B1 (en) * 2004-05-24 2019-04-03 OSRAM OLED GmbH Light-emitting electronic component
CN101040397B (zh) * 2004-10-12 2010-12-08 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光光源
JP4462155B2 (ja) * 2005-09-27 2010-05-12 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器
KR100862505B1 (ko) * 2006-02-01 2008-10-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
JP5357381B2 (ja) * 2006-05-24 2013-12-04 パナソニック株式会社 有機el素子
JP2008047340A (ja) * 2006-08-11 2008-02-28 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR101469031B1 (ko) * 2008-04-16 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2014069256A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP6082251B2 (ja) * 2013-01-09 2017-02-15 株式会社ジャパンディスプレイ El表示装置
KR102084718B1 (ko) * 2013-08-19 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
CN105633293A (zh) * 2016-03-25 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled器件及显示装置
KR102300621B1 (ko) * 2016-04-07 2021-09-13 한국전자통신연구원 이중모드 디스플레이
CN106299145A (zh) * 2016-10-17 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制作方法和显示面板
JP6802859B2 (ja) * 2017-01-18 2020-12-23 パイオニア株式会社 光装置
CN107331367B (zh) * 2017-08-31 2019-12-20 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法和转换显示装置色域标准的方法
CN107818756B (zh) * 2017-10-31 2022-12-06 合肥鑫晟光电科技有限公司 传感器及其驱动方法、oled器件及显示装置
CN108666443B (zh) * 2018-05-16 2020-02-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其使用方法、显示设备及其使用方法
CN110416734A (zh) * 2019-07-03 2019-11-05 东南大学 声电共用型编码超材料及其在隐身装置的应用
CN113972335A (zh) * 2020-07-23 2022-01-25 Tcl科技集团股份有限公司 发光器件以及调制发光器件发射峰的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4394069A (en) * 1979-06-05 1983-07-19 Beckman Instruments, Inc. Liquid crystal tuned birefringent filter
US4435047A (en) * 1981-09-16 1984-03-06 Manchester R & D Partnership Encapsulated liquid crystal and method
JPS63224190A (ja) * 1987-03-12 1988-09-19 株式会社日立製作所 El素子
US5003221A (en) * 1987-08-29 1991-03-26 Hoya Corporation Electroluminescence element
US5043715A (en) * 1988-12-07 1991-08-27 Westinghouse Electric Corp. Thin film electroluminescent edge emitter structure with optical lens and multi-color light emission systems
JPH03197923A (ja) * 1989-12-27 1991-08-29 Fujitsu Ltd カラー液晶表示装置
US5331182A (en) * 1990-08-08 1994-07-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic light emitting device and preparation and use thereof
JP2797883B2 (ja) * 1993-03-18 1998-09-17 株式会社日立製作所 多色発光素子とその基板
DE4310082A1 (de) * 1993-03-27 1994-09-29 Hoechst Ag Elektrolumineszenzfolie, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
US5384469A (en) * 1993-07-21 1995-01-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Voltage-tunable, multicolor infrared detectors
US5405709A (en) * 1993-09-13 1995-04-11 Eastman Kodak Company White light emitting internal junction organic electroluminescent device
US5405710A (en) * 1993-11-22 1995-04-11 At&T Corp. Article comprising microcavity light sources
US5444270A (en) * 1994-11-04 1995-08-22 At&T Corp. Surface-normal semiconductor optical cavity devices with antireflective layers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0653902A1 (en) 1995-05-17
US5559400A (en) 1996-09-24
DE69419387D1 (de) 1999-08-12
JPH07142171A (ja) 1995-06-02
DE69419387T2 (de) 2000-03-23
EP0653902B1 (en) 1999-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3276745B2 (ja) 可変波長発光素子とその制御方法
JP2553696B2 (ja) 多色発光薄膜エレクトロルミネセンス装置
JP2797883B2 (ja) 多色発光素子とその基板
US6181062B1 (en) Multiple layered organic electroluminescent device structure with plural transparent electrode, color filters and organic/inorganic transparent coating to enhance light diffusion effects
US5932895A (en) Saturated full color stacked organic light emitting devices
US7176991B2 (en) Display
KR100518204B1 (ko) 컬러 필터 기판, 그 제조 방법, 액정 표시 패널 및 전자기기
JP2004205973A (ja) 平面表示素子及びその駆動方法
JP2000267091A (ja) 液晶表示装置
CN109765717B (zh) 像素结构及其驱动方法、阵列基板和显示装置
US5682402A (en) Organic luminescent devices with a multiplex structure
US5346776A (en) Electroluminescent panel
WO2005071770A2 (en) Green light-emitting microcavity oled
JP4899418B2 (ja) 発光装置および電子機器
JP2008537789A (ja) 電気光学アドレス指定構造を備えた発光源
JPH02280187A (ja) 多色表示装置
US6438298B1 (en) Optical device using photonics
US7615920B2 (en) Light emitting device and display apparatus using the same
JP2004205974A (ja) 2次元マトリクス素子、2次元マトリクス平面表示素子及びその駆動方法
KR100848844B1 (ko) 유기 el 패널
JP2766096B2 (ja) 薄膜elパネル
JPS63148597A (ja) 薄膜el素子
JP2689661B2 (ja) 光干渉フィルタを含む薄膜エレクトロルミネセンス装置
JP2002365662A (ja) 表示媒体、表示素子、および表示装置
JP2004212674A (ja) 2次元マトリクス平面表示素子及びその駆動方法

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080208

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090208

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100208

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term