JP2003086383A - 発光装置 - Google Patents

発光装置

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JP2003086383A
JP2003086383A JP2001273881A JP2001273881A JP2003086383A JP 2003086383 A JP2003086383 A JP 2003086383A JP 2001273881 A JP2001273881 A JP 2001273881A JP 2001273881 A JP2001273881 A JP 2001273881A JP 2003086383 A JP2003086383 A JP 2003086383A
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light
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anode
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JP2001273881A
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Tomoko Koyama
Hiroshi Miyazawa
弘 宮澤
智子 小山
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Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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    • H01L33/40Materials therefor

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光効率のさらなる向上が達成可能な発光装
置を提供する。 【解決手段】 発光装置100は、基板10と、基板1
0上に形成された発光素子部110とを含む。発光素子
部110は、ELによって発光可能な発光層40と、発
光層40に電界を印加するための陽極30および陰極5
0とを含む。陽極30および陰極50は、強磁性体から
なる層を含み、かつ、磁化されている。

Description

【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は、EL(エレクトロ
ルミネッセンス)を用いた発光装置に関する。 【0002】 【背景技術および発明が解決しようとする課題】EL
(エレクトロルミネッセンス)を用いたEL発光素子
は、例えば、高輝度かつ大容量のディスプレイへの応用
が期待されている。このEL発光素子においては、発光
効率のさらなる向上が求められている。 【0003】また、通信分野の変調装置として、簡便に
作成できるEL発光素子の利用が望まれているが、現時
点では、通信分野の変調装置に適用できる程度にEL発
光素子の発光効率が高くないため、EL発光素子の通信
分野の変調装置への適用は困難である。 【0004】本発明の目的は、発光効率のさらなる向上
が達成可能な発光装置を提供することにある。 【0005】 【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、基
板と、前記基板上に形成された発光素子部とを含み、前
記発光素子部は、エレクトロルミネッセンスによって発
光可能な発光層と、前記発光層に電界を印加するための
陰極および陽極と、を含み、前記陰極および陽極は、強
磁性体からなる層を含み、かつ、磁化されている。 【0006】ここで、強磁性体とは、強磁性を示す物質
をいう。強磁性とは、磁性原子または金属の自由原子が
正の交換相互作用によって磁気モーメントを平行に整列
させて自発磁化を形成する性質をいう。 【0007】なお、「前記陰極および陽極は、強磁性体
からなる層を含む」とは、前記陰極または陽極の全体が
強磁性体からなる層で形成されている場合のほか、前記
陰極または陽極の一部が強磁性体で形成されている場合
をもいうものとする。 【0008】一部が強磁性体で形成されている電極とし
ては、例えば、常磁性体からなる層の前記発光層側の表
面に、強磁性体からなる薄膜が形成されて多層膜を構成
する電極が例示できる。 【0009】また、「磁化されている」とは、前記陽極
および前記陰極を構成する前記強磁性体に磁場を作用さ
せて、前記強磁性体を構成する原子の磁気モーメントの
方向が所定の方向に揃った状態にあることをいう。 【0010】本発明の発光装置によれば、前記陽極およ
び前記陰極が強磁性体からなる層を含み、かつ、磁化さ
れていることにより、前記陰極から注入される電子のス
ピンの向き、ならびに前記陽極から注入される正孔のス
ピンの向きを揃えることができるため、生成する励起子
全体において一重項の励起子が生成する確率を高めるこ
とができる。これにより、蛍光の発光効率の向上を図る
ことができる。詳しくは、本実施の形態の欄で詳述す
る。 【0011】本発明の発光装置は、以下の(1)〜(1
0)の態様をとることができる。 【0012】(1)前記強磁性体がハーフメタルである
ことができる。ここで、ハーフメタルとは、前記強磁性
体のうち、フェルミ準位において完全にスピン偏極して
いる材料をいう。 【0013】ここで、フェルミ準位においてスピン偏極
しているとは、フェルミ準位において、上向きのスピン
状態にある電子数と、下向きのスピン状態にある電子数
とが異なる状態をいい、フェルミ準位において完全にス
ピン偏極しているとは、上向きのスピン状態にある電子
数と下向きのスピン状態にある電子数のいずれかが0で
ある状態をいう。 【0014】(2)前記陽極を構成する前記強磁性体に
おいて、フェルミ準位のスピンの偏極の向きと、前記陰
極を構成する前記強磁性体において、フェルミ準位のス
ピンの偏極の向きとが平行であることが望ましい。ここ
で、フェルミ準位のスピン偏極の向きとは、スピン偏極
している状態において、フェルミ準位にある電子のう
ち、より多くの電子が有するスピンの向きをいうことと
する。 【0015】(3)前記陰極および前記陽極を、同じ方
向に磁化することができる。ここで、電極(前記陰極ま
たは前記陽極)の磁化の方向とは、前記電極を構成する
膜全体が磁化された方向をいい、フェルミ準位よりも低
い状態密度にある電子の中で最も多くの電子がとるスピ
ンの向きをいう。 【0016】あるいは、前記陰極および前記陽極を、逆
向きに磁化することができる。 【0017】(4)前記発光層、前記陰極および前記陽
極を、前記基板上に積層させることができる。 【0018】(5)前記発光層、前記陰極および前記陽
極を、前記基板の面方向と垂直に配置させることができ
る。ここで、前記基板の面方向とは、前記基板が前記発
光素子部と接する面と平行な方向をいう。 【0019】(6)前記陰極を構成する材料の仕事関数
を、前記陽極を構成する材料の仕事関数よりも小さくな
るような材料で前記陰極および前記陽極を形成すること
ができる。ここで、仕事関数とは、フェルミ準位にある
電子を無限遠に移動させるのに必要なエネルギーをい
う。上記構成によれば、発光装置の駆動電圧を小さくす
ることができるため、省電力化を図ることができる。 【0020】(7)前記陰極と前記陽極との間に、非磁
性体材料からなる層が形成させることができる。この構
成によれば、電子のスピンの向きが保持された状態で絶
縁体内を電子が輸送することができる。これにより、発
光効率を維持することができる。 【0021】この場合、前記非磁性体材料からなる層
は、少なくとも前記発光層を含むことができる。また、
前記非磁性体材料からなる層は、前記発光層のほかに、
電子輸送/注入層や正孔輸送/注入層を含むことができ
る。 【0022】(8)前記発光層は、エレクトロルミネッ
センスによって発光する有機発光材料を含むことができ
る。 【0023】(9)前記発光層は、ホスト材料およびゲ
スト材料を含み、前記ホスト材料は、励起子を生じ、前
記ゲスト材料は、前記励起子からのエネルギー移動によ
り励起され発光することができる。 【0024】(10)さらに、ホール輸送/注入層およ
び電子輸送/注入層の少なくとも一方を有することがで
きる。 【0025】また、上記の発光装置は、例えばディスプ
レイ等の表示装置に適用することができる。また、この
表示装置を電子機器に適用することができる。あるい
は、上記の発光装置を、例えば、後述する電子機器に適
用することができる。 【0026】次に、本発明にかかる発光装置の各部分に
用いることができる材料の一部を例示する。これらの材
料は、公知の材料の一部を示したにすぎず、例示したも
の以外の材料を選択できることはもちろんである。 【0027】(発光層)発光層の材料は、所定の波長の
光を得るために公知の化合物から選択される。発光層の
材料としては、種類の豊富さや成膜性の点から有機発光
材料を用いるのが望ましい。 【0028】このような有機発光材料としては、例え
ば、特開平10−153967号公報に開示された、ア
ロマティックジアミン誘導体(TPD)、オキシジアゾ
ール誘導体(PBD)、オキシジアゾールダイマー(O
XD−8)、ジスチルアリーレン誘導体(DSA)、ベ
リリウム−ベンゾキノリノール錯体(Bebq)、トリ
フェニルアミン誘導体(MTDATA)、ルブレン、キ
ナクリドン、トリアゾール誘導体、ポリフェニレン、ポ
リアルキルフルオレン、ポリアルキルチオフェン、アゾ
メチン亜鉛錯体、ポリフィリン亜鉛錯体、ベンゾオキサ
ゾール亜鉛錯体、フェナントロリンユウロピウム錯体な
どが使用できる。 【0029】また、発光層の材料としては、特開昭63
−70257号公報、同63−175860号公報、特
開平2−135361号公報、同2−135359号公
報、同3−152184号公報、さらに、同8−248
276号公報および同10−153967号公報に記載
されているものなど、公知のものが使用できる。これら
の化合物は単独で用いてもよく、2種類以上を混合して
用いてもよい。 【0030】(ホール輸送/注入層)発光素子部におい
て有機化合物からなる発光層を用いる場合、必要に応じ
て陽極と発光層との間にホール輸送/注入層を設けるこ
とができる。ホール輸送/注入層の材料としては、公知
の光伝導材料のホール注入材料として用いられているも
の、あるいは有機発光装置のホール注入層に使用されて
いる公知のものの中から選択して用いることができる。
ホール輸送/注入層の材料は、ホールの注入あるいは電
子の障壁性のいずれかの機能を有するものであり、有機
物あるいは無機物のいずれでもよい。その具体例として
は、例えば、特開平8−248276号公報に開示され
ているものを例示することができる。 【0031】(電子輸送/注入層)発光素子部において
有機化合物からなる発光層を用いる場合、必要に応じて
陰極と発光層との間に電子輸送/注入層を設けることが
できる。電子輸送/注入層の材料としては、陰極より注
入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよ
く、その材料は公知の物質から選択することができる。
その具体例としては、例えば、特開平8−248276
号公報に開示されたものを例示することができる。 【0032】また、発光装置の各層は、公知の方法で形
成することができる。たとえば、発光装置の各層は、そ
の材質によって好適な成膜方法が選択され、具体的に
は、蒸着法、スピンコート法、LB法、インクジェット
法などを例示できる。 【0033】 【発明の実施の形態】(デバイスの構造)図1は、本発
明の一実施の形態にかかる発光装置100を模式的に示
す断面図である。この発光装置100は例えばディスプ
レイに用いられる。 【0034】発光装置100は、基板10と、基板10
上に形成された発光素子部110とを含む。発光素子部
110は、陽極30、発光層40、および陰極50を含
む。発光層40は、EL(エレクトロルミネッセンス)
によって発光可能な材料から形成される。陽極30およ
び陰極50は、発光層40に電界を印加するために設け
られる。 【0035】陽極30は、基板10上に形成される。ま
た、陽極30と陰極50との間には、発光層40が形成
される。陽極30および陰極50はいずれも、強磁性体
から形成され、かつ、磁化されている。陽極30または
陰極50に用いる強磁性体としては、例えばCo、N
i、Feあるいはこれらの合金が例示できる。 【0036】ここで、図1において、陽極30および陰
極50を、陽極30および陰極50上に示された細い矢
印の方向(X方向)に磁化した場合、フェルミ準位の電
子が下向きにスピン偏極し、−X方向に磁化した場合、
フェルミ準位の電子が上向きにスピン偏極するものとす
る。 【0037】陽極30および陰極50を磁化する方法と
しては、発光装置100を構成する層(陽極30、発光
層40、および陰極50)を成膜後、例えば磁気ヘッド
を接近させる方法が挙げられる。 【0038】発光層40は非磁性体材料からなる。 【0039】(デバイスの動作)次に、この発光装置1
00の動作および作用について説明する。 【0040】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子が、陽極30から
ホールが、それぞれ発光層40内に注入される。発光層
40内では、この電子とホールとが再結合されることに
より励起子が生成され、この励起子が失活する際に蛍光
や燐光などの光が発生する。発光層40において発生し
た光は、矢印で示される方向、すなわち基板10の面方
向と垂直な方向で、かつ発光層40から陰極50への方
向に出射する。 【0041】(作用効果)次に、本実施の形態の発光装
置100の作用効果について説明する。 【0042】まず、典型的な発光装置について説明す
る。 【0043】典型的な発光装置において、有機発光材料
を用いて形成された発光層を用いる場合、電子とホール
とが再結合すると、中性の安定な励起子(エキシトン)
が生成し、発光はこの励起子を経由して起こる。この励
起子には、一重項の励起子と三重項の励起子が存在する
が、ELによる発光装置をディスプレイ等に適用する場
合には、通常、一重光の励起子から生じる蛍光のみが利
用される。 【0044】また、典型的な発光装置では、陰極は、例
えば特開平8−248276号公報に開示された材料を
用いて形成され、陽極は、CuI,ITO,SnO2
ZnOなどの導電性透明材料や金などの金属を用いて形
成される。これらの金属等を陰極または陽極に用いた場
合、陰極および陽極は強磁性体ではなく、かつ磁化もさ
れていないため、陰極から注入される電子ならびに陽極
から注入される正孔はスピンの向きが揃っていない。こ
のため、一重項の励起子が生成する割合、すなわち内部
量子効率は励起子全体の25%を超えることはない。 【0045】これに対して、本実施の形態の発光装置1
00においては、陽極30および陰極50がいずれも強
磁性体で構成され、かつ磁化されているため、発光効率
を高めることができる。その理由について、以下説明す
る。 【0046】陽極30および陰極50がX方向に磁化さ
れることにより、フェルミ準位の電子が下向きにスピン
偏極し、下向きの電子あるいは上向きのホールをより多
く注入することができる。また、陽極30および陰極5
0を−X方向に磁化することによって、フェルミ準位の
電子が上向きにスピン偏極し、上向きの電子あるいは下
向きのホールをより多く注入することができる。発光層
40は非磁性体材料からなるため、電子のスピンの向き
が保持された状態で絶縁体内を電子が輸送することがで
きる。これにより、発光効率を維持することができる。
このように、上向きあるいは下向きの電子またはホール
をより多く選択的に注入することによって、一重項の励
起子の生成確率を25%よりも大きくすることができ
る。 【0047】以上に説明したように、本実施の形態の発
光装置100によれば、陽極30および陰極50が強磁
性体からなる層を含み、かつ、磁化されていることによ
り、陰極50から注入される電子のスピンの向き、なら
びに陽極30から注入される正孔のスピンの向きを揃え
ることができるため、生成する励起子全体において一重
項の励起子が生成する確率を高めることができ、これに
より、発光効率の向上を図ることができる。 【0048】また、前述したように、本実施の形態の発
光装置100においては、陽極30と陰極50との間に
は、発光層40が形成されている。この発光層40は、
有機発光材料を含む絶縁体からなり、この絶縁体は非磁
性体材料から形成されている。したがって、電極から注
入された電子またはホールは、エキシトンが生成される
まで、スピンの向きが保持された状態を保つため、本発
明の効果が得られる。 【0049】なお、上述の説明では、陽極30または陰
極50が強磁性体から構成されている場合について述べ
たが、これらの電極の一部を強磁性体で形成することも
できる。この場合、例えば、常磁性体からなる層の表面
のうち、少なくとも発光層側の表面に、強磁性体からな
る薄膜が形成されて多層膜を構成する電極を用いてもよ
い。 【0050】このように、多層膜を構成する電極では、
一般的に有機EL装置の電極形成材料として用いられて
いる材料をそのまま利用することができる。また、本実
施の形態の発光装置100において、強磁性体からなる
薄膜が、透明電極であるITOの表面に形成された電極
を陽極30に用い、かつ、光を反射する材料で陰極50
を構成することにより、図1において−Y方向に光を出
射させることができる。この場合、発光効率および外部
取り出し効率がより優れた装置を得ることができる。 【0051】さらに、本実施の形態の発光装置100に
おいて、電極(陽極30および陰極50)を構成する強
磁性体として、ハーフメタルを用いることができる。陽
極30および陰極50のいずれか一方または両方を、ハ
ーフメタルを用いて形成してもよい。この構成により、
発光層40に上向きまたは下向きのいずれか一方の電子
またはホールのみを注入することができる。これによ
り、生成する励起子全体に対する一重項励起子の生成確
率を50%以上とすることができる。 【0052】ハーフメタルとしては、例えばCdTe、
Cd1-xMnxTe(0≦x≦1)等のホイスラー合金、
または応用物理第70巻第3号275−278頁(20
01)に開示されているIII−V属希薄磁性半導体が例
示できる。 【0053】本実施の形態の発光装置100において
は、陽極30および陰極50を構成する強誘電体におい
て、フェルミ準位におけるスピン偏極の向きと磁化の向
きとが同じ場合について説明したが、陽極30および陰
極50のいずれか一方において、強誘電体のフェルミ準
位におけるスピン偏極の向きと磁化の向きとが反対の場
合には、陽極30と陰極50の磁化の向きを逆にする必
要がある。 【0054】また、図1に示すように、本実施の形態の
発光装置100においては、陽極30および陰極50の
膜厚が適当に設定され、発光層40で生じた光をY方向
へのみ出射させることができる。さらに、陽極30と基
板10との間に、光を反射する部材を設けることによっ
て、Y方向への光の取り出し効率を高めることができ
る。なお、膜厚等の設定によっては、−Y方向へ出射さ
せることもできる。 【0055】さらに、陽極30および陰極50の膜厚を
十分厚くするか、光を反射する材料で陽極30および陰
極50を構成するか、あるいは光を反射させるための部
材を陽極30および陰極50の両方に設けることによ
り、発光層40で生じた光を基板10の面方向に出射さ
せることもできる。ここで、基板10の面方向とは、基
板10が発光素子部110と接する面と平行な方向をい
う。 【0056】なお、本実施の形態においては、発光層4
0で生成した一重項の励起子による発光をそのまま利用
する例にについて説明するが、発光層40で生成した一
重項の励起子のエネルギーを他の材料に移動して発光さ
せることもできる。この場合、最初に一重項の励起子と
なる材料をホスト材料、一重項の励起子からのエネルギ
ー移動により励起され発光する材料をゲスト材料とい
う。すなわち、この場合、発光層40には、ホスト材料
およびゲスト材料が含まれる。ホスト材料およびゲスト
材料の組み合わせとしては、例えば、DCM2をドープ
したAlqから発光層40を形成することができる。こ
の場合、Alqはホスト材料としての機能を有し、DC
M2はゲスト材料としての機能を有する。あるいは、ペ
ンタセンをドープしたPTCDA(ペリレンテトラカル
ボン酸二無水物)から発光層40を形成することができ
る。この場合、PTCDAはホスト材料としての機能を
有し、ペンタセンはゲスト材料としての機能を有する。 【0057】(表示装置および電子機器)本実施の形態
の発光装置100を、表示装置500に適用することが
できる。また、発光装置100を含む表示装置500
を、電子機器に適用することができる。図5〜図10は
それぞれ、発光装置100を含む表示部500が適用さ
れた電子機器の一例を示す斜視図である。なお、表示装
置500としては、本実施形態の発光装置100に限ら
ず、変形例として示す発光装置200〜400(後述す
る)を適用することができる。 【0058】図5は、本実施の形態の電子機器の一例た
る電子ブック1000の構成を示す斜視図である。電子
ブック1000は、ブック形状のフレーム32と、この
フレーム32に開閉可能なカバー33とを有する。フレ
ーム32には、その表面に表示面を露出された状態で表
示装置500が設けられ、さらに,操作部35が設けら
れている。フレーム32の内部には、コントローラ、カ
ウンタ、およびメモリ(図示せず)が内蔵されている。
本実施の形態では、表示装置500は、電子インクを薄
膜素子に充填して形成した画素部と、この画素部と一体
に備えられかつ集積化された周辺回路(図示せず)とを
備える。この周辺回路は、デコーダ式のスキャンドライ
バおよびデータドライバを備える。 【0059】図6は、本実施の形態の電子機器の一例た
るパーソナルコンピュータ1100の構成を示す斜視図
である。このパーソナルコンピュータ1100は、キー
ボード1102を備えた本体部1104と、上述した表
示装置500を備えた表示ユニットから構成される。 【0060】図7は、本実施の形態の電子機器の一例た
る携帯電話1200の構成を示す斜視図である。図7に
おいて、携帯電話1200は、複数の操作ボタン120
2のほか、受話口1204、送話口1206とともに、
上述した表示装置500を備える。 【0061】図8は、本実施の形態の電子機器の一例た
るディジタルスチルカメラ1300の構成を示す斜視図
である。図8においては、ディジタルスチルカメラ13
00の構成とともに、ディジタルスチルカメラ1300
と外部機器との接続についても簡易的に示す。 【0062】通常のカメラは、被写体の光像によってフ
ィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ1
300は、被写体の光像をCCDによる撮像素子により
光電変換して撮像信号を生成する。ここで、ディジタル
スチルカメラ1300の背面には、上述した表示装置5
00が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示
を行なう構成を有する。すなわち、表示装置500は、
被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケ
ース1302の観察側(図8においては裏面側)には、
光学レンズやCCD等を含んだ受光ユニット1304が
設けられている。ここで、撮影者が表示装置500に表
示された被写体像を確認して、シャッタボタン1306
を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が回
路基板1308のメモリに転送され格納される。また、
このディジタルスチルカメラ1300においては、ケー
ス1302の側面にビデオ信号出力端子1312と、デ
ータ通信用の入出力素子1314とが設けられている。
そして、図8に示すように、ビデオ信号出力素子131
2にはテレビモニタ1430が、データ通信用の入出力
素子1314にはパーソナルコンピュータ1440が、
それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作
によって、回路基板1308のメモリに格納された撮像
信号が、テレビモニタ1430やパーソナルコンピュー
タ1440に出力される構成となっている。 【0063】図9は、本実施の形態の電子機器の一例た
る電子ペーパー1400の構成を示す斜視図である。図
9において、電子ペーパー1400は、紙と同様の質感
および柔軟性を有するリライタブルシートからなる本体
1401と、上述した表示装置500とを備えた表示ユ
ニットから構成される。 【0064】図10は、本実施の形態の電子機器の一例
たる電子ノート1402の構成を示す斜視図である。図
10において、電子ノート1402は、図9に示す電子
ペーパー1400が複数枚束ねられ、カバー1403に
挟まれて構成されている。また、電子ノート1402
は、カバー1403に表示データ入力手段を設けること
により、束ねられた状態で電子ペーパー1400の表示
内容を変更することができる。 【0065】なお、電子機器としては、図5に示す電子
ブック1000、図6に示すパーソナルコンピュータ1
100、図7に示す携帯電話1200、図8に示すディ
ジタルスチルカメラ1300、図9に示す電子ペーパー
1400、および図10に示す電子ノート1402のほ
か、液晶テレビや、ビューファインダ型またはモニタ直
視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装
置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワ
ークステーション、テレビ電話、POS端末、ICカー
ド、ミニディスクプレーヤ、タッチパネルを備えた機器
等が例示できる。そして、これらの各種電子機器の表示
部として、上述した表示装置500が適用可能であるの
は言うまでもない。 【0066】(変形例)図1に示す発光装置100にお
いて、他の層を設けたり、発光層や電極の配置を変えた
りすることにより、図2〜図4に例示する構造を含む発
光装置を採用することもできる。これらの図において、
発光装置100の構成要素と同様な部材には同一符号を
付し、詳細な説明は省略する。 【0067】図2〜図4はそれぞれ、本実施の形態にか
かる発光装置の一変形例(発光装置200、300、4
00)を模式的に示す断面図である。 【0068】(a)図2に示す発光装置200は、発光
素子部210にホール輸送/注入層70を含む点で、そ
のようなホール輸送/注入層が設けられていない発光装
置100と異なる。 【0069】具体的には、発光装置200は、基板10
と、基板10上に形成された発光素子部210とを含
む。発光素子部210は、陽極30、ホール輸送/注入
層70、発光層40、および陰極50がこの順序で基板
10上に積層されることにより形成される。 【0070】次に、この発光装置200の動作について
説明する。 【0071】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から発光層40内に電子が
注入され、さらに、陽極30からホール輸送/注入層7
0を介して発光層40内にホールが注入される。発光層
40内では、この電子とホールとが再結合されることに
より励起子が生成され、この励起子が失活する際に蛍光
や燐光などの光が発生する。これ以降の動作は、第1の
実施の形態にかかる発光装置100とほぼ同様であるた
め、説明は省略する。 【0072】発光装置200は、図1に示す発光装置1
00と同様の作用および効果を有するのに加えて、ホー
ル輸送/注入層70が設けられているため、ホールの輸
送能の向上を図ることができる。 【0073】(b)図3に示す発光装置300は、ホー
ル輸送/注入層70および電子輸送/注入層80を発光
素子部310に含む点で、図1に示す発光装置100と
異なる。 【0074】具体的には、発光装置300は、基板10
と、基板10上に形成された発光素子部310とを含
む。発光素子部310は、陽極30、ホール輸送/注入
層70、発光層40、電子輸送/注入層80、および陰
極50がこの順序で積層されることにより形成されてい
る。 【0075】次に、この発光装置300の動作について
説明する。 【0076】陽極30と陰極50とに所定の電圧が印加
されることにより、陰極50から電子輸送/注入層80
を介して発光層40内に電子が注入され、さらに、陽極
30からホール輸送/注入層70を介して発光層40内
にホールが注入される。発光層40内では、この電子と
ホールとが再結合されることにより励起子が生成され、
この励起子が失活する際に蛍光や燐光などの光が発生す
る。これ以降の動作は、第1の実施の形態にかかる発光
装置100とほぼ同様である。 【0077】発光装置300は、図1に示す発光装置1
00と同様の作用および効果を有するうえに、ホール輸
送/注入層70および電子輸送/注入層80が設けられ
ているため、ホールおよび電子の輸送能の向上を図るこ
とができる。 【0078】(c)発光装置400は、基板10と、基
板10上に形成された発光素子部410とを含む。発光
素子部410は、陽極30、発光層40、および陰極5
0を含む。 【0079】図4に示す発光装置400は、発光層40
および一対の電極層(陽極30および陰極50)がいず
れも基板10の面方向と垂直に配置されている点で、図
1に示す発光装置100と異なる。すなわち、図1に示
す発光装置100においては、発光層40および一対の
電極層(陽極30および陰極50)が、基板10上に積
層されているのに対し、図4に示す発光装置400にお
いては、発光層40、陽極30および陰極50がいずれ
も基板10の面方向と垂直方向に延びている。 【0080】この発光装置400の動作は、図1に示す
発光装置100と同様である。 【0081】また、図4に示すように、本実施の形態の
発光装置400においては、陽極30および陰極50の
膜厚が適当に設定され、発光層40で生じた光をX方向
へのみ出射させることができる。光を反射する材料で陰
極50を構成することにより、X方向への光の取り出し
効率を高めることができる。なお、膜厚等の設定によっ
ては、−X方向へ出射させることもできる。 【0082】また、発光装置400においては、陽極3
0および陰極50がいずれも、電極全体が強磁性体を含
む材料から形成されている場合について説明したが、前
述した発光装置100の場合と同様に、一部が強磁性体
で形成されている電極を陽極30または陰極50として
用いることもできる。

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の一実施の形態にかかる発光装置を模式
的に示す断面図である。 【図2】本発明の一実施の形態にかかる発光装置の一変
形例を模式的に示す断面図である。 【図3】本発明の一実施の形態にかかる発光装置の一変
形例を模式的に示す断面図である。 【図4】本発明の一実施の形態にかかる発光装置の一変
形例を模式的に示す断面図である。 【図5】本発明の電子機器の一例たる電子ブックの構成
を示す斜視図である。 【図6】本発明の電子機器の一例たるパーソナルコンピ
ュータの構成を示す斜視図である。 【図7】本発明の電子機器の一例たる携帯電話の構成を
示す斜視図である。 【図8】本発明の電子機器の一例たるディジタルスチル
カメラの背面側の構成を示す斜視図である。 【図9】本発明の電子機器の一例たる電子ペーパーの構
成を示す斜視図である。 【図10】本発明の電子機器の一例たる電子ノートの構
成を示す斜視図である。 【符号の説明】 10 基板 30 陽極 32 フレーム 33 カバー 35 操作部 40 発光層 50 陰極 110,210,310,410 発光素子部 100,200,300,400 発光装置 500 表示装置 1000 電子ブック 1100 パーソナルコンピュータ 1102 キーボード 1104 本体部 1200 携帯電話 1202 操作ボタン 1204 受話口 1206 送話口 1300 ディジタルスチルカメラ 1302 ケース 1304 受光ユニット 1306 シャッタボタン 1308 回路基板 1312 ビデオ信号出力端子 1314 データ通信用の入出力素子 1400 電子ペーパー 1401 本体 1402 電子ノート 1403 カバー 1430 テレビモニタ 1440 パーソナルコンピュータ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05B 33/22 H05B 33/22 C Fターム(参考) 3K007 AB03 CB03 CB04 CC00 DA01 DB03 EB00 5C094 AA10 BA27 DA13 FB12 HA08 HA10

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板と、前記基板上に形成された発光素
    子部とを含み、 前記発光素子部は、 エレクトロルミネッセンスによって発光可能な発光層
    と、 前記発光層に電界を印加するための陰極および陽極と、
    を含み、 前記陰極および陽極は、強磁性体からなる層を含み、か
    つ、磁化されている、発光装置。 【請求項2】 請求項1において、 前記強磁性体がハーフメタルである、発光装置。 【請求項3】 請求項1または2において、 前記陽極を構成する前記強磁性体において、フェルミ準
    位のスピンの偏極の向きと、前記陰極を構成する前記強
    磁性体において、フェルミ準位のスピンの偏極の向きと
    が平行である、発光装置。 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、 前記陰極および前記陽極が、同じ方向に磁化されてい
    る、発光装置。 【請求項5】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、 前記陰極および前記陽極が、逆向きに磁化されている、
    発光装置。 【請求項6】 請求項1ないし5のいずれかにおいて、 前記発光層、前記陰極および前記陽極が、前記基板上に
    積層されている、発光装置。 【請求項7】 請求項1ないし5のいずれかにおいて、 前記発光層、前記陰極および前記陽極が、前記基板の面
    方向と垂直に配置されている、発光装置。 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれかにおいて、 前記陰極を構成する材料の仕事関数が、前記陽極を構成
    する材料の仕事関数よりも小さい、発光装置。 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかにおいて、 前記陰極と前記陽極との間には、非磁性体材料からなる
    層が形成されている、発光装置。 【請求項10】 請求項9において、 前記非磁性体材料からなる層は、少なくとも前記発光層
    を含む、発光装置。 【請求項11】 請求項1ないし10のいずれかにおい
    て、 前記発光層は、エレクトロルミネッセンスによって発光
    する有機発光材料を含む、発光装置。 【請求項12】 請求項1ないし11のいずれかにおい
    て、 前記発光層は、ホスト材料およびゲスト材料を含み、 前記ホスト材料は、励起子を生じ、 前記ゲスト材料は、前記励起子からのエネルギー移動に
    より励起され発光する、発光装置。 【請求項13】 請求項1ないし12のいずれかにおい
    て、 さらに、ホール輸送/注入層および電子輸送/注入層の
    少なくとも一方を有する、発光装置。 【請求項14】 請求項1ないし13のいずれかにおい
    て、 前記陰極または前記陽極はさらに、常磁性体からなる層
    を含み、 前記強磁性体からなる層は、前記常磁性体からなる層の
    前記発光層側の表面に形成されている、発光装置。 【請求項15】 請求項1ないし14のいずれかに記載
    の発光装置を用いた、表示装置。 【請求項16】 請求項15に記載の表示装置を用い
    た、電子機器。 【請求項17】 請求項1ないし14のいずれかに記載
    の発光装置を用いた、電子機器。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166034A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 発光素子及び表示装置
WO2014008429A2 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 The University Of Utah Research Foundation Spin-polarized light-emitting diodes based on organic bipolar spin valves

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7645525B2 (en) * 2005-12-27 2010-01-12 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
US20090179552A1 (en) 2007-11-15 2009-07-16 Jesse Froehlich Light emitting devices and compositions

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6372665A (en) 1986-09-12 1988-04-02 Fuji Xerox Co Ltd Production of electric charge transporting material for electrophotography
JPS63175860A (en) 1987-01-16 1988-07-20 Fuji Xerox Co Ltd Electrophotographic sensitive body
JPH02135361A (en) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd Electrophotographic sensitive body
JPH02135359A (en) 1988-11-16 1990-05-24 Fuji Xerox Co Ltd Electrophotographic sensitive body
JPH03152184A (en) 1989-11-08 1991-06-28 Nec Corp El element of organic thin film
JP3276745B2 (ja) * 1993-11-15 2002-04-22 株式会社日立製作所 可変波長発光素子とその制御方法
JPH08248276A (ja) 1995-03-07 1996-09-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 光ファイバーと有機el素子との結合構造
US5968675A (en) * 1995-12-11 1999-10-19 Toyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Hole-transporting material and use thereof
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
US5965281A (en) * 1997-02-04 1999-10-12 Uniax Corporation Electrically active polymer compositions and their use in efficient, low operating voltage, polymer light-emitting diodes with air-stable cathodes
US6395409B2 (en) * 1997-09-29 2002-05-28 Minolta Co., Ltd. Organic electroluminescent element
US6517958B1 (en) * 2000-07-14 2003-02-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic-inorganic hybrid light emitting devices (HLED)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008166034A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 発光素子及び表示装置
WO2014008429A2 (en) * 2012-07-05 2014-01-09 The University Of Utah Research Foundation Spin-polarized light-emitting diodes based on organic bipolar spin valves
WO2014008429A3 (en) * 2012-07-05 2014-02-27 The University Of Utah Research Foundation Spin-polarized light-emitting diodes based on organic bipolar spin valves
JP2015525972A (ja) * 2012-07-05 2015-09-07 ザ ユニバーシティー オブ ユタ リサーチ ファンデーション 有機バイポーラスピンバルブに基づくスピン偏極発光ダイオード
US9799842B2 (en) 2012-07-05 2017-10-24 University Of Utah Research Foundation Spin-polarized light-emitting diodes based on organic bipolar spin valves

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