JPS63224190A - Ｅｌ素子 - Google Patents
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- JPS63224190A JPS63224190A JP62057274A JP5727487A JPS63224190A JP S63224190 A JPS63224190 A JP S63224190A JP 62057274 A JP62057274 A JP 62057274A JP 5727487 A JP5727487 A JP 5727487A JP S63224190 A JPS63224190 A JP S63224190A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
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- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
- H05B33/145—Arrangements of the electroluminescent material
-
- A—HUMAN NECESSITIES
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- A24D—CIGARS; CIGARETTES; TOBACCO SMOKE FILTERS; MOUTHPIECES FOR CIGARS OR CIGARETTES; MANUFACTURE OF TOBACCO SMOKE FILTERS OR MOUTHPIECES
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-
- G—PHYSICS
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、交流電界の印加に依ってＥＬ （Ｅｌｅｃｔ
ｒ。
ｒ。
ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）発光を、呈するＥＬ素子に
係り、特に赤、緑、青色の三色の光をとり出すことがで
きるマルチカラーＥＬ素子に関する。又１本発明はかか
るＥＬ素子による発光方法に関する。
係り、特に赤、緑、青色の三色の光をとり出すことがで
きるマルチカラーＥＬ素子に関する。又１本発明はかか
るＥＬ素子による発光方法に関する。
特開昭５７−２５６９２号には、比較的広い発光スペク
トル幅を有する発光層の発光面と平行方向に特定波長域
のみの光を遮断又は透過させるフィルターを内設し、複
数の発光色を生起させるようにした薄膜ＥＬ素子が記載
されている。具体的には、発光層としてＺｎＳに活性物
質としてＰｒＦａを添加しｆものを用い、フィルターを
使って赤色と青緑色と白色をとり出すことが記載されて
いる。
トル幅を有する発光層の発光面と平行方向に特定波長域
のみの光を遮断又は透過させるフィルターを内設し、複
数の発光色を生起させるようにした薄膜ＥＬ素子が記載
されている。具体的には、発光層としてＺｎＳに活性物
質としてＰｒＦａを添加しｆものを用い、フィルターを
使って赤色と青緑色と白色をとり出すことが記載されて
いる。
上記従来技術のように一層の発光層を用いるものは、赤
、青、緑の三原色を十分な輝度でとり出すことがきわめ
て円建である。
、青、緑の三原色を十分な輝度でとり出すことがきわめ
て円建である。
本発明の目的は、赤、青、緑の三原色をいずれも十分な
輝度で得ることができるＥＬ素子を提供することにある
。
輝度で得ることができるＥＬ素子を提供することにある
。
本発明の他の目的は、上記ＥＬ素子による発光方法を提
供することにある。
供することにある。
本発明のＥＬ素子は、赤色発光色を呈する赤色発光層と
青緑色発光色を呈する青緑色発光層を具備し、且つ青緑
色発光層からの光を青色フィルター及び緑色フィルター
を通して青色及び緑色の光としてとり出すようにしたこ
とにある。
青緑色発光色を呈する青緑色発光層を具備し、且つ青緑
色発光層からの光を青色フィルター及び緑色フィルター
を通して青色及び緑色の光としてとり出すようにしたこ
とにある。
赤色発光層としては、ＣａＳ：Ｅｕ、ＳｒＳ：’Ｆ、ｕ
、ＺｎＳ ： Ｓｍなどが好適であり、青緑色発光層と
してはＳｒＳ：Ｃｅが好適である。
、ＺｎＳ ： Ｓｍなどが好適であり、青緑色発光層と
してはＳｒＳ：Ｃｅが好適である。
本発明においては、赤色発光層（ＣａＳ：Ｅｕ）と青緑
色発光層（ＳｒＳ：Ｃｅ）とから成る二重絶縁膜構造の
ＥＬ素子を分離したことで、赤色発光層にカラーフィル
ターを使用する必要がなくなり、その分の輝度が上る。
色発光層（ＳｒＳ：Ｃｅ）とから成る二重絶縁膜構造の
ＥＬ素子を分離したことで、赤色発光層にカラーフィル
ターを使用する必要がなくなり、その分の輝度が上る。
青色に関しては、輝度の高い青緑色（ＳｒＳ：Ｃｅ）か
らカラーフィルターで引出すことで高輝度で色調の良い
青色発光を得ることができる。
らカラーフィルターで引出すことで高輝度で色調の良い
青色発光を得ることができる。
更に本発明では、輝度の低い赤色発光にかかる電極の線
幅を青緑色のそれよりも大きくすることで、発光画素面
積を大とした効果により赤色の輝度（明るさ）を上げる
作用が働く。
幅を青緑色のそれよりも大きくすることで、発光画素面
積を大とした効果により赤色の輝度（明るさ）を上げる
作用が働く。
本発明のマルチカラーＥＬ素子では、赤色発光層と青緑
色発光層とを分離して駆動するために駆動電圧が非常に
低くなるという利点がある。
色発光層とを分離して駆動するために駆動電圧が非常に
低くなるという利点がある。
以下、本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に本実施例で作製したマルチカラーＥＬ素子の断
面構造模式図を示す。第１図の素子の作製プロセスを説
明する。ガラス基板１はいずれもコーニング７０５９
（Ｃｏｒｎｎｉｎｇ ７０５９ ）を用いた。
面構造模式図を示す。第１図の素子の作製プロセスを説
明する。ガラス基板１はいずれもコーニング７０５９
（Ｃｏｒｎｎｉｎｇ ７０５９ ）を用いた。
ガラス基板１上の第１電極２ａは、高周波スパッタリン
グ法（以下、ＲＦスパッタリング法と云う）によって透
明電極ＩＴＯ（インジウムと錫の酸化物でありＩｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅの略。Ｉｎ２Ｏ３に５ｎｏ２
を数％添加したもの）薄膜を約０．２μｍの厚さに形成
し、フォトエツチングによって、幅２．２５ｍｍ、間隔
０．２５ ｍｍのストライプ状に配設した。ガラス基
板上の第１電極２ｂは、電子ビ−ム蒸着法によって金属
アルミニウム（Ａｆｉ）薄膜を約０．２ μｍの厚さに
、金属マスクを使用しテ幅１ ｒｒｖａ、間隔０．２５
ｍのストライプ状に配設した。第１電極２ａ及び２ｂ
上の第１絶縁層３は、５ｉＯｚとＴａｘ○６との積層膜
をそれぞれ０．１μｍと０．４ μｍの厚さに、同一
バッチ内でＲＦスパッタリング法によって形成した。こ
の上に発光層を形成した。赤色発光層４１は、母体材料
のＣａＳに付活剤Ｅｕが０．３ｍｏＱ％含まれる粉末焼
結体を原料に用いて電子ビーム蒸着法によって膜厚的１
μｍの厚さに形成した。青緑色発光層４２は、母体材料
のＳｒＳに付活剤Ｃｅが０．１ｍｏＱ％含まれる粉末焼
結体を原料として用い、電子ビーム蒸着法によって膜厚
的１μｍの厚さに形成した。なお、Ｃａｂ：Ｅｕ及びＳ
ｒＳ：Ｃｅの発光層の電子ビーム蒸着においては、硫黄
（Ｓ）の欠乏を防ぐために、上記原料を蒸着すると同時
に同一真空槽内にセットした硫黄（Ｓ）を抵抗加熱方式
によって蒸着した。
グ法（以下、ＲＦスパッタリング法と云う）によって透
明電極ＩＴＯ（インジウムと錫の酸化物でありＩｎｄｉ
ｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅの略。Ｉｎ２Ｏ３に５ｎｏ２
を数％添加したもの）薄膜を約０．２μｍの厚さに形成
し、フォトエツチングによって、幅２．２５ｍｍ、間隔
０．２５ ｍｍのストライプ状に配設した。ガラス基
板上の第１電極２ｂは、電子ビ−ム蒸着法によって金属
アルミニウム（Ａｆｉ）薄膜を約０．２ μｍの厚さに
、金属マスクを使用しテ幅１ ｒｒｖａ、間隔０．２５
ｍのストライプ状に配設した。第１電極２ａ及び２ｂ
上の第１絶縁層３は、５ｉＯｚとＴａｘ○６との積層膜
をそれぞれ０．１μｍと０．４ μｍの厚さに、同一
バッチ内でＲＦスパッタリング法によって形成した。こ
の上に発光層を形成した。赤色発光層４１は、母体材料
のＣａＳに付活剤Ｅｕが０．３ｍｏＱ％含まれる粉末焼
結体を原料に用いて電子ビーム蒸着法によって膜厚的１
μｍの厚さに形成した。青緑色発光層４２は、母体材料
のＳｒＳに付活剤Ｃｅが０．１ｍｏＱ％含まれる粉末焼
結体を原料として用い、電子ビーム蒸着法によって膜厚
的１μｍの厚さに形成した。なお、Ｃａｂ：Ｅｕ及びＳ
ｒＳ：Ｃｅの発光層の電子ビーム蒸着においては、硫黄
（Ｓ）の欠乏を防ぐために、上記原料を蒸着すると同時
に同一真空槽内にセットした硫黄（Ｓ）を抵抗加熱方式
によって蒸着した。
ＣａＳ：Ｅｕよりなる赤色発光層４１及びＳｒＳ：Ｃｅ
よりなる青緑色発光層４２上の第２絶縁層５は、第１絶
縁層、３と同様の方法によって形成した。第２絶縁層上
の第２電極（透明電極）６ａ及び６ｂは同一真空槽内で
、ＲＦスパッタリング法により膜厚的０．２ μｍの
厚さに形成した。この後にドライエツチングによってパ
ターニングを行った。このパターニングにおいては、第
２電極６ａの方は幅２．２５ｍ、間隔０．２５ ｍとし
、第２電極６ｂの方は幅１ｍ、間隔０．２５ｍｍとした
。
よりなる青緑色発光層４２上の第２絶縁層５は、第１絶
縁層、３と同様の方法によって形成した。第２絶縁層上
の第２電極（透明電極）６ａ及び６ｂは同一真空槽内で
、ＲＦスパッタリング法により膜厚的０．２ μｍの
厚さに形成した。この後にドライエツチングによってパ
ターニングを行った。このパターニングにおいては、第
２電極６ａの方は幅２．２５ｍ、間隔０．２５ ｍとし
、第２電極６ｂの方は幅１ｍ、間隔０．２５ｍｍとした
。
第２電極６ｂの上には、緑色フィルター７ （５００ｎ
ｍ以上の発光波長のみを透過する緑色フィルター）と青
色フィルター７２（５００ｎｍ以下の範囲の発光波長の
みを透過する青色フィルター）とを平面に並べてエポキ
シ樹脂系接着剤で固定した。
ｍ以上の発光波長のみを透過する緑色フィルター）と青
色フィルター７２（５００ｎｍ以下の範囲の発光波長の
みを透過する青色フィルター）とを平面に並べてエポキ
シ樹脂系接着剤で固定した。
ここでそれぞれのカラーフィルターは、第２！極６ｂよ
りやや大きめの大きさのものを使用した。
りやや大きめの大きさのものを使用した。
なおこのカラーフィルターの固定は、非常に薄いガラス
板等で固定しても良い。
板等で固定しても良い。
以上の各種プロセスによって得られた２つの二重絶縁膜
構造のＥＬ素子を、それぞれのガラス基板が背に位置す
るように合わせ、窒素雰囲気中でエポキシ樹脂系接着剤
でシールした。
構造のＥＬ素子を、それぞれのガラス基板が背に位置す
るように合わせ、窒素雰囲気中でエポキシ樹脂系接着剤
でシールした。
以上のようにして作製した第１図に示す構造のＥＬ素子
の第１電極２ａと第２電極６ａ間、第１電極２ｂと第２
電極６ｂ間に同レベルの交流電圧を印加しＥＬ発光を起
こさせた。この場合の発光スペクトルを第２図に示す。
の第１電極２ａと第２電極６ａ間、第１電極２ｂと第２
電極６ｂ間に同レベルの交流電圧を印加しＥＬ発光を起
こさせた。この場合の発光スペクトルを第２図に示す。
発光波長が約４５０ｎｍから約７００ｎｍまでの広い範
囲にわたるスペクトルを示し、素子全体として白色発光
を示す。
囲にわたるスペクトルを示し、素子全体として白色発光
を示す。
５５０ｎｍ付近のスペクトルピークか弱いのは視感度に
依存しているためである。本実施例から明らかなように
、単色で輝度の低い赤色（Ｃａｂ：Ｅｕ）発光が劣らず
、はぼ同程度の強さを出している。これは、赤色発光層
の発光画素面積が青。
依存しているためである。本実施例から明らかなように
、単色で輝度の低い赤色（Ｃａｂ：Ｅｕ）発光が劣らず
、はぼ同程度の強さを出している。これは、赤色発光層
の発光画素面積が青。
緑に比較して大きくなっているためで、ここに本発明の
一つの効果が現われている。
一つの効果が現われている。
第３図にＣＩＥ色度図（国際標準色度図）を示す。この
図は、ｘｙ座標ですべての色調を表現するもので、左下
が青、左上が緑、右端が赤色に相当する。中央に破線で
示した領域が白色領域である。中央の点は、第２図でＥ
Ｌ発光させた場合の本発明マルチカラーＥＬ素子の色度
（ｘ−０，３７゜ｙ＝０．３８ ）で、非常に色調の良
い白色を示していることがわかる。
図は、ｘｙ座標ですべての色調を表現するもので、左下
が青、左上が緑、右端が赤色に相当する。中央に破線で
示した領域が白色領域である。中央の点は、第２図でＥ
Ｌ発光させた場合の本発明マルチカラーＥＬ素子の色度
（ｘ−０，３７゜ｙ＝０．３８ ）で、非常に色調の良
い白色を示していることがわかる。
上記実施例１で作製したＥＬ素子の第１電極２ａと第２
電極６ａ間、第１電極２ｂと第２電極６ｂ間にそれぞれ
輝度が同一レベルになるように交流電圧を印加して白色
ＥＬ発光を起こし、輝度計（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅ５ｅａｒ
ｃｈ社製分光放射測定装置）を用いて輝度を測定した。
電極６ａ間、第１電極２ｂと第２電極６ｂ間にそれぞれ
輝度が同一レベルになるように交流電圧を印加して白色
ＥＬ発光を起こし、輝度計（Ｐｈｏｔｏ Ｒｅ５ｅａｒ
ｃｈ社製分光放射測定装置）を用いて輝度を測定した。
この結果から輝度と印加電圧との関係をプロットしたの
が第４図である。
が第４図である。
比較例はＣａＳ：ＥｕとＳ ｒｓ ： Ｃａの２つの発
光層を積層したものである。積層型ＥＬ素子に比較して
本発明のマルチカラーＥＬ素子は輝度が高く、また、非
常に低電圧の印加によって発光することがわかる。輝度
が高いのは、本発明のＥＬ素子は、輝度の低い赤色発光
層にカラーフィルターを使用していないこと、発光画素
面積が大きいことのためである。
光層を積層したものである。積層型ＥＬ素子に比較して
本発明のマルチカラーＥＬ素子は輝度が高く、また、非
常に低電圧の印加によって発光することがわかる。輝度
が高いのは、本発明のＥＬ素子は、輝度の低い赤色発光
層にカラーフィルターを使用していないこと、発光画素
面積が大きいことのためである。
また、低い印加電圧で発光するのは、ＣａＳ：Ｅｕから
成る赤色発光層とＳ ｒＳ ： Ｃｅから成る青緑色発
光層とを有する素子を分離駆動しているためで、−素子
における電極間の膜厚が薄いためである。比較例では二
層を積層するために約２倍の膜厚になる。この場合は、
膜厚を薄くすると輝度が出ない。以上のように本発明の
ＥＬ素子の如き構造にすることで印加電圧、輝度におい
て、ともにすぐれた特性を発揮することがわかる。
成る赤色発光層とＳ ｒＳ ： Ｃｅから成る青緑色発
光層とを有する素子を分離駆動しているためで、−素子
における電極間の膜厚が薄いためである。比較例では二
層を積層するために約２倍の膜厚になる。この場合は、
膜厚を薄くすると輝度が出ない。以上のように本発明の
ＥＬ素子の如き構造にすることで印加電圧、輝度におい
て、ともにすぐれた特性を発揮することがわかる。
実施例２
第５図に本実施例で作製したマルチカラーＥＬ素子の断
面構造模式図示す。以下１本ＥＬ素子のａ造プロセスを
示す。実施例１に使用したものと同様のガラス基板１上
に、透明電極２．絶縁層３及び５９発光層４．ＡＱ電極
６を形成したが、これらの形成方法は、発光層４を除い
て実施例１で記載した方法と同じである。発光層４の形
成は、電子ビーム蒸着法で幅が２．５ｍ、間隔２．５
ｍの金属マスクを使用して、最初にＣａＳ：Ｅｕの赤色
発光層４１を形成し、次いで金属マスクを２．５ａｍ横
に移動して赤色発光層が形成されていない部分にＳｒＳ
：Ｃｅの青緑色発光層４２を形成した。
面構造模式図示す。以下１本ＥＬ素子のａ造プロセスを
示す。実施例１に使用したものと同様のガラス基板１上
に、透明電極２．絶縁層３及び５９発光層４．ＡＱ電極
６を形成したが、これらの形成方法は、発光層４を除い
て実施例１で記載した方法と同じである。発光層４の形
成は、電子ビーム蒸着法で幅が２．５ｍ、間隔２．５
ｍの金属マスクを使用して、最初にＣａＳ：Ｅｕの赤色
発光層４１を形成し、次いで金属マスクを２．５ａｍ横
に移動して赤色発光層が形成されていない部分にＳｒＳ
：Ｃｅの青緑色発光層４２を形成した。
上記の方法で発光層を形成するとＣａＳ：Ｅｕの赤色発
光層４１とＳ ｒ Ｓ ： Ｃｅの青緑色発光層４２と
が第１絶縁層３上に交互に平面配置される。
光層４１とＳ ｒ Ｓ ： Ｃｅの青緑色発光層４２と
が第１絶縁層３上に交互に平面配置される。
ここで、ＣａＳ：Ｅｕ及びＳ ｒ Ｓ ： Ｃｅの電子
ビーム蒸着においては、実施例１と同様に上記原料を蒸
着すると同時に抵抗加熱方式によって硫黄（Ｓ）の共蒸
着を行った。なお第２電極６の形成は、ＳｒＳ：Ｃｅ発
光層４２上には線幅１ｍ＋＋のちのが間隔０．２５ ｍ
で２本、ＣａＳ：Ｅｕ発光層４２上には線幅２．５ 閣
のものが１本となるように形成した。最終プロセスとし
てガラス基板１の裏面に発光波長５００ｎｍ以下の範囲
の光を透過する青色フィルター７２と発光波長５００ｎ
ｍ以上の範囲の光を透過する緑色フィルター７１を取付
けた。このカラーフィルターはＳ ｒＳ ： Ｃｅの青
緑色発光層にかかる第２ｆ１！極（ＡＱ）に合わせた位
置に取付けた。
ビーム蒸着においては、実施例１と同様に上記原料を蒸
着すると同時に抵抗加熱方式によって硫黄（Ｓ）の共蒸
着を行った。なお第２電極６の形成は、ＳｒＳ：Ｃｅ発
光層４２上には線幅１ｍ＋＋のちのが間隔０．２５ ｍ
で２本、ＣａＳ：Ｅｕ発光層４２上には線幅２．５ 閣
のものが１本となるように形成した。最終プロセスとし
てガラス基板１の裏面に発光波長５００ｎｍ以下の範囲
の光を透過する青色フィルター７２と発光波長５００ｎ
ｍ以上の範囲の光を透過する緑色フィルター７１を取付
けた。このカラーフィルターはＳ ｒＳ ： Ｃｅの青
緑色発光層にかかる第２ｆ１！極（ＡＱ）に合わせた位
置に取付けた。
上記実施例２のマルチカラーＥＬ素子の場合にも、実施
例１と同様、駆動電圧を低く、また輝度を高くすること
ができる。この素子の全画素を発光させて輝度と印加電
圧（駆動電圧）との関係を測定したが第４図に示す実施
例１の場合とほぼ同じ結果が得られた。
例１と同様、駆動電圧を低く、また輝度を高くすること
ができる。この素子の全画素を発光させて輝度と印加電
圧（駆動電圧）との関係を測定したが第４図に示す実施
例１の場合とほぼ同じ結果が得られた。
本発明によるマルチカラーＥＬ素子によれば、輝度の低
い赤色発光層の輝度救済が可能となるのでマルチカラー
ＥＬディスプレイの高輝度化に効果がある。またマルチ
カラー化するための発光層積層数が少なくてすむために
低い電圧で駆動しても高輝度マルチカラー化ができる効
果がある。
い赤色発光層の輝度救済が可能となるのでマルチカラー
ＥＬディスプレイの高輝度化に効果がある。またマルチ
カラー化するための発光層積層数が少なくてすむために
低い電圧で駆動しても高輝度マルチカラー化ができる効
果がある。
本発明は、赤色と青色と緑色の光をほぼ同じ輝度レベル
でとり出すことができるので、これらの色を任意に組み
合せることによってフルカラー化を図ることがきわめて
容易となる効果がある。
でとり出すことができるので、これらの色を任意に組み
合せることによってフルカラー化を図ることがきわめて
容易となる効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面模式図。
第２図は本発明の一実施例によるＥＬ素子の白色発光ス
ペクトル図、第３図はＣＩＥ色度図、第４図は輝度と印
加電圧との関係を示す特性図、第５図は本発明の他の実
施例を示す断面模式図である。 １・・・ガラス基板、２，２ａ、２ｂ・・・第１電極、
３・・・第１１！気絶縁層、５・・・第２電気絶縁層、
６゜６ａ、６ｂ・・・第２電極、４１・・・赤色発光層
、４２・・・青緑色発光層、７１・・・緑色フィルター
、７２・・・青色フィルター。
ペクトル図、第３図はＣＩＥ色度図、第４図は輝度と印
加電圧との関係を示す特性図、第５図は本発明の他の実
施例を示す断面模式図である。 １・・・ガラス基板、２，２ａ、２ｂ・・・第１電極、
３・・・第１１！気絶縁層、５・・・第２電気絶縁層、
６゜６ａ、６ｂ・・・第２電極、４１・・・赤色発光層
、４２・・・青緑色発光層、７１・・・緑色フィルター
、７２・・・青色フィルター。
Claims (6)
- １． 交流電界を印加することにより発光する発光層を
有するＥＬ素子において、前記発光層として赤色発光色
を呈する赤色発光層と青緑色発光色を呈する青緑色発光
層を具備し、且つ前記青緑色発光層からの光を通す青色
フイルターと緑色フイルターを具備したことを特徴とす
るＥＬ素子。 - ２． 交流電界を印加することにより発光する発光層を
有するＥＬ素子において、前記発光層として赤色発光色
を呈する赤色発光層と青緑色発光色を呈する青緑色発光
層を具備し、前記青緑色発光層からの光を通す青色フイ
ルターと緑色フイルターを具備し、且つ前記赤色と前記
青色と前記緑色の発光輝度レベルが合うように発光画素
面積が変えてあることを特徴とするＥＬ素子。 - ３． 交流電界を印加することにより発光する発光層を
有するＥＬ素子において、前記発光層としてユーロピウ
ムを含む硫化カルシウムからなる赤色発光層とセリウム
を含む硫化ストロンチウムからなる青緑色発光層を具備
し、前記青緑色発光層からの光を通す青色フイルターと
緑色フイルターを具備し、且つ前記赤色と前記青色と前
記緑色の発光輝度レベルが合うように前記赤色発光層の
発光画素面積を前記青緑色発光層の青色画素面積及び緑
色発光画素面積よりも大きくしたことを特徴とするＥＬ
素子。 - ４． 基板上に第一電極、第一電気絶縁層、発光層、第
二電気絶縁層、第二電極を順次に積層した構造を有する
ＥＬ素子において、前記発光層として赤色発光色を呈す
る赤色発光層を具備するＥＬ素子と、前記発光層として
青緑色発光色を呈する青緑色発光層を具備するＥＬ素子
とを積み重ねた二重構造を有し、且つ前記青緑色発光層
を具備する前記ＥＬ素子に青色フイルターと緑色フイル
ターを設けたことを特徴とする二重構造ＥＬ素子。 - ５． 基板上に第一電極、第一電気絶縁層、発光層、第
二電気絶縁層、第二電極を順次に積層した構造を有する
ＥＬ素子において、前記発光層として赤色発光色を呈す
る赤色発光層と青緑色発光色を呈する青緑色発光層を同
一平面上に交互に有し、且つ前記青緑色発光層からの光
を通す青色フイルターと緑色フイルターを具備したこと
を特徴とするＥＬ素子。 - ６． ＥＬ発光する発光層に交流電界を印加して発光さ
せる方法において、前記発光層として赤色発光する発光
層と青緑色発光する発光層とを具備し、前記青緑色発光
層から青色フイルターと緑色フイルターを使つて青色と
緑色の光をとり出し、前記赤色発光層から赤色の光をと
り出すことを特徴とするＥＬ発光方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057274A JPS63224190A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Ｅｌ素子 |
| US07/166,986 US4945009A (en) | 1987-03-12 | 1988-03-11 | Electroluminescence device |
| KR1019880002608A KR880012121A (ko) | 1987-03-12 | 1988-03-12 | El소자 및 발광방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62057274A JPS63224190A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63224190A true JPS63224190A (ja) | 1988-09-19 |
| JPH0511399B2 JPH0511399B2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=13050952
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62057274A Granted JPS63224190A (ja) | 1987-03-12 | 1987-03-12 | Ｅｌ素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4945009A (ja) |
| JP (1) | JPS63224190A (ja) |
| KR (1) | KR880012121A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239228A (en) * | 1990-07-02 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film electroluminescence device for displaying multiple colors with groove for capturing adhesive |
| JP2005302693A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電界発光装置 |
| JP2011023359A (ja) * | 2010-09-07 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2011091418A (ja) * | 2000-06-05 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US8368298B2 (en) | 2005-04-19 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with multiple OLEDS |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156924A (en) * | 1988-12-29 | 1992-10-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Multi-color electroluminescent panel |
| FR2644920B1 (fr) * | 1989-03-21 | 1993-09-24 | France Etat | Dispositif d'affichage polychrome a memoire du type photoconducteur-electroluminescent |
| JP2823725B2 (ja) * | 1992-01-18 | 1998-11-11 | シャープ株式会社 | カラー薄膜ｅｌパネル |
| JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
| JP3276745B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2002-04-22 | 株式会社日立製作所 | 可変波長発光素子とその制御方法 |
| KR950021817A (ko) * | 1993-12-15 | 1995-07-26 | 이헌조 | 다층 전계발광소자 |
| JPH07272849A (ja) * | 1994-03-31 | 1995-10-20 | Nippondenso Co Ltd | 薄膜ｅｌ表示器とその製造方法 |
| US5757127A (en) * | 1994-06-10 | 1998-05-26 | Nippondenso Co., Ltd. | Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means |
| WO1996033483A1 (en) * | 1995-04-18 | 1996-10-24 | Cambridge Display Technology Limited | A display |
| GB9507862D0 (en) * | 1995-04-18 | 1995-05-31 | Cambridge Display Tech Ltd | Fabrication of organic light-emitting devices |
| US5773130A (en) * | 1996-06-06 | 1998-06-30 | Motorola, Inc. | Multi-color organic electroluminescent device |
| EP0853302A1 (de) * | 1996-11-18 | 1998-07-15 | Garufo GmbH | Mit Leuchtdioden bestückte Leuchtsignalvorrichtungen |
| US6879110B2 (en) * | 2000-07-27 | 2005-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving display device |
| JP3704068B2 (ja) * | 2001-07-27 | 2005-10-05 | ザ ウエステイム コーポレイション | Ｅｌパネル |
| JP2003055651A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-26 | Tdk Corp | 蛍光体薄膜およびｅｌパネル |
| KR100422233B1 (ko) * | 2001-09-13 | 2004-03-11 | 이엘코리아 주식회사 | 교류용 분말 멀티칼라 ｅｌ 소자 |
| JP2004229062A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Pioneer Electronic Corp | 立体映像表示装置及びその製造方法 |
| KR101121997B1 (ko) * | 2004-12-31 | 2012-02-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치용 컬러 필터 기판 및 그의 제조 방법 |
| WO2007098451A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Solexant Corporation | Nanostructured electroluminescent device and display |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725692A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-10 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| JPS59133584A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | 伊勢電子工業株式会社 | 多色ｅｌ表示装置 |
| JPS60263982A (ja) * | 1984-06-13 | 1985-12-27 | 日本電気株式会社 | 多色ｅｌ表示パネル |
| JPS6113597A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2925532A (en) * | 1955-12-01 | 1960-02-16 | Rca Corp | Polychromatic electroluminescent means |
| US3531585A (en) * | 1967-03-15 | 1970-09-29 | Bell Telephone Labor Inc | Solid-state display device employing continuous phosphor layers |
| FI60333C (fi) * | 1980-04-24 | 1981-12-10 | Lohja Ab Oy | Elektroluminens-aotergivningskomponent |
| FI61983C (fi) * | 1981-02-23 | 1982-10-11 | Lohja Ab Oy | Tunnfilm-elektroluminensstruktur |
| JPS60216496A (ja) * | 1984-04-10 | 1985-10-29 | 平手 孝士 | 発光色可変形薄膜電界発光素子 |
| US4720436A (en) * | 1985-09-11 | 1988-01-19 | Ricoh Company, Ltd. | Electroluminescence devices and method of fabricating the same |
| JPH086086B2 (ja) * | 1985-09-30 | 1996-01-24 | 株式会社リコー | 白色エレクトロルミネツセンス素子 |
| US4727004A (en) * | 1985-11-21 | 1988-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent device |
| US4689522A (en) * | 1985-12-03 | 1987-08-25 | The United States Of America As Represented By The Administator Of The National Aeronautics And Space Administration | Flat-panel, full-color, electroluminescent display |
| US4717606A (en) * | 1986-05-21 | 1988-01-05 | Rockwell International Corporation | Method of fabricating a thin film electroluminescent display panel |
-
1987
- 1987-03-12 JP JP62057274A patent/JPS63224190A/ja active Granted
-
1988
- 1988-03-11 US US07/166,986 patent/US4945009A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-12 KR KR1019880002608A patent/KR880012121A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5725692A (en) * | 1980-07-23 | 1982-02-10 | Sharp Kk | Thin film light emitting element |
| JPS59133584A (ja) * | 1983-01-20 | 1984-07-31 | 伊勢電子工業株式会社 | 多色ｅｌ表示装置 |
| JPS60263982A (ja) * | 1984-06-13 | 1985-12-27 | 日本電気株式会社 | 多色ｅｌ表示パネル |
| JPS6113597A (ja) * | 1984-06-28 | 1986-01-21 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子 |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5239228A (en) * | 1990-07-02 | 1993-08-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film electroluminescence device for displaying multiple colors with groove for capturing adhesive |
| US8674599B2 (en) | 2000-06-05 | 2014-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having fluorescence and phosphoresence compound |
| JP2011091418A (ja) * | 2000-06-05 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2015109473A (ja) * | 2000-06-05 | 2015-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9362343B2 (en) | 2000-06-05 | 2016-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Iridium-containing active-matrix EL display module |
| US8304985B2 (en) | 2000-06-05 | 2012-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having singlet and triplet compounds with different emission colors |
| US10192934B2 (en) | 2000-06-05 | 2019-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having light emission by a singlet exciton and a triplet exciton |
| JP2013225519A (ja) * | 2000-06-05 | 2013-10-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2018110243A (ja) * | 2000-06-05 | 2018-07-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型発光装置 |
| US10777615B2 (en) | 2000-06-05 | 2020-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US8907559B2 (en) | 2000-06-05 | 2014-12-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having display portion with plural pixels |
| US10446615B2 (en) | 2000-06-05 | 2019-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| US9564472B2 (en) | 2000-06-05 | 2017-02-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2017063216A (ja) * | 2000-06-05 | 2017-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9917141B2 (en) | 2000-06-05 | 2018-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having singlet and triplet compounds |
| JP2005302693A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-10-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電界発光装置 |
| US7816862B2 (en) | 2004-03-19 | 2010-10-19 | Fujifilm Corporation | Electroluminescent device with enhanced color rendition |
| US8368298B2 (en) | 2005-04-19 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with multiple OLEDS |
| JP2011023359A (ja) * | 2010-09-07 | 2011-02-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0511399B2 (ja) | 1993-02-15 |
| KR880012121A (ko) | 1988-11-03 |
| US4945009A (en) | 1990-07-31 |
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|---|---|---|---|
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