FI61983C - Tunnfilm-elektroluminensstruktur - Google Patents

Description

61983

Ohutkalvo-elektroluminenssirakenne Tämän keksinnön kohteena on patenttivaatimuksen 1 johdannon mukainen ohutkalvo-elektroluminenssirakenne.

Elektroluminenssi on ilmiönä ollut tunnettu 1930— 5 luvulta asti. Syy siihen, että sille ei ole saatu syn tymään käytännön sovellutuksia, on pääasiallisesti ollut se, että elektroluminens sirakenteiden kestävyys ja luotettavuus on ollut vaikea saada käytännön vaatimustasoa vastaavaksi. Ohutkaivoelektroluminens sikomponentteja 10 on voimallisemmin tutkittu 60-luvun alkupuolelta lähtien.

Pääasiallinen luminens siraateriaali on ollut sinkkisulfidi (ZnS), joka tyypillisesti on valmistettu ohutkalvo-muotoon tyhjöhöyrystystekniikkaa hyväksi käyttäen.

Materiaalina sinkkisulfidi on suuren kielletyn vyön 15 omaava puolijohde (n. h eV), jonka itseisjohtavuus on

Q

verrattain alhainen ( 5¾ 10 Acm).

Elektroluminenssin aikaansaaminen edellyttää, että sinkkisulfidimateriaalissa on sopivat aktivaattorit ja että siinä saadaan kulkemaan määrätyn suuruinen virta.

20 Seostamattomassa sinkkisulfidissa edellyttää riittävän virtatiheyden aikaansaaminen erittäin suurta sähkökenttää (luokkaa 10^ v/cm). Ohutkalvon yli vaikuttaessaan tällaisen sähkökentän käyttö edellyttää sinkkisulfidimater iaalilta erittäin suurta sähköistä ja rakenteen is-25 ta homogeenisuutta. Kun toisaalta sinkkisulfidin johtavuus kasvaa lämpötilan kasvaessa, on sinkkisulfi-diohutkalvo kyseisissä suurkenttäolosuhteissa erittäin herkkä ns. termiselle ryöstäytymiselle. Terminen ryöstäytyminen syntyy, kun virran voimakkuus materiaalin 30 jossakin kohdassa kasvaa aiheuttaen ylimääräistä lämmitystä. Kasvanut lämpötila lisää tällöin kyseisen kohdan johtavuutta, mikä puolestaan lisää virtaa positiivisena takaisinkytkentänä.

Pelkkään seostamattomaan sinkkisulfidiohutkalvoon 35 perustuva ohutkalvorakenne ei olekaan osoittautunut käyt- 2 61 983 tökelpoiseksi, ja oleellisena parannuksena esitettiin rakenne (ks. W. J. Harper, J. Electrochem. Soc. , 109 , 103 ( 1962) ) , jossa terminen ryöstäytyminen estettiin sinkkisulfidikalvon läpi kulkevaa virtaa 5 rajoittavalla sarjaimpedans si1la. Kyn kyseinen sarjaimpedanssi on kapasitiivinen, puhutaan yleisesti AC-luminen s sirakenteesta. Jos kyseinen sarjaimpedans si on resistiivinen, mahdollistuu myös tasavirran kulku rakenteessa, jolloin voidaan puhua DC-luminens siraken-10 teestä.

Käytännössä AC-rakenteella on ohutkalvomuo-dossa saatu DC-rakenteita parempia tuloksia sekä optisen suorituskyvyn että kestävyyden suhteen. Ennestään tunnetun tekniikan puitteissa voidaan parhaana suori-15 tuksena pitää Sharp Corporationin (T. Inoguchi yra.,

Journal of Electronic Engineering, kk, Oct. 7*0 julkaisemaa AC-rakennetta, joka on toteutettu ns. kaksoiseris-terakenteena (M.J. Russ, D.I. Kennedy: J. Electrochem.

Soc. 11U, 1066 (1967)), jossa dielektrinen kerros on 20 sinkkisulfidikerroksen kummallakin puolella. Haittana kaksoiseristerakenteessa on se, että kummankin eristeen ylitse jäävä jännite nostaa kokonaisrakenteen käyttöjännitettä. Korkea käyttöjännite on haittatekijä erikoisesti elektroluminenssikomponenttia ohjaavan ohjaus-25 elektroniikan kannalta.

Tämän keksinnön perustana on havainto siitä, että elektroluminenssin elinikään vaikuttavat merkittävästi kemialliset vuorovaikutukset sinkkisulfidin ja elektrodien tai elektrödien ulkopuolella olevien 30 materiaalien välillä. Eristeen merkitys elektrolumi- nenssirakenteessa ei olekaan pelkästään sähköisen läpilyönnin estäminen, vaan myös kemiallisen vuorovaikutuksen estäminen sinkkisulfidin ja ympäristön välillä, mikä toteutuu useimmilla dielektrisillä materiaaleilla 35 pienen ioniliikkuvuuden seurauksena. Verrattin hyvät tulokset kaksoiseristerakenteilla selittyvätkin elinikä-ominaisuuksien osalta lähinnä sillä, että virranrajoitti- 3 61 983 miksi tehdyt dielektriset kerrokset toimivat myös kemiallisina valleina sinkkisulfidin ja ympäristön vä.lil-1 ä.

Tämän keksinnön mukainen rakenne perustuu siihen 5 ajatukseen, että kemiallisen vallin ja virranrajoituksen funktiot on voitu erottaa toisistaan, jolloin kemiallisen suojauksen aikaansaaminen sinänsä tapahtuu ilman jännitehäviötä, toisin sanoen materiaalilla, jonka sähkönjohtavuus on virranrajoittimen sähkönjohtavuutta oleelli-10 sesti suurempi.

Täsmällisemmin sanottuna keksinnön mukaiselle rakenteelle on pääasiallisesti tunnusomaista se, mikä on esitetty patenttivaatimuksen 1 tunnusmerkkiosassa.

Perusratkaisuna keksinnön mukaiselle elektrolumi-15 nenssirakenteelle on tunnusomaista se, että sinkkisulfi- dikalvon kummallakin puolella on kemiallisena vallina toimiva kerros ja vain toisella puolella on virranrajoi-tusfunktio, joko erillisenä resistiivisenä tai dielektrisenä kerroksena taikka integroituna kemialli-20 sen vallin muodostavaan materiaalikerrokseen.

Keksinnön yhdelle tärkeälle suoritusmuodolle on tunnusomaista, että luminen s sikerroksen aikankin toiselle puolelle on sovitettu siirtymäkerroksena toimiva ohuehko lisÄeristekerros.

25 Keksinnön toiselle tärkeälle suoritusmuodolle on puolestaan tunnusomaista, että luminenssikerros rajoittuu toiselta puoleltaan sähköisesti eristävään kemialliseen suojakerrokseen ja toiselta puoleltaan kerros-yhdistelmään, joka koostuu ohuehkosta, siirtymäkerroksena 30 toimivasta Hsäeristekerroksesta sekä sähköisesti johtavasta kemiallisesta suojakerroksesta.

Keksinnön avulla saavutetaan huomattavia etuja.

Niinpä elektroluminenssirakenne on saatu johtavan suoja-kerroksen ja virranrajoituskerroksen erottamisella 35 entistä yksinkertaisemmaksi. Lisäksi on sovittamalla hyvin ohut Al^O^-kerros luminenssikerroksen toiseen 61983 t.

rajapintaan saatu aikaan hyvä valoemissio virran hetkellisestä suunnasta riippumatta. Toisin sanoen on t&oän lisäkerroksen ansiosta saatu aikaan luminenss.i-rakenteessa valoemissiosymraetrisyys. Keksinnön mukainen rakenne on edelleen sovellettavissa sekä vaihto-5 virta- että tasavirtakäyttöön.

Keksintöä ryhdytään seuraavassa lähemmin tarkastelemaan liitteinä olevien piirustusten mukaisten suori-tusesimerkkien avulla.

Kuviot 1 - 5 esittävät osittain kaaviollisina 10 leikkauskuvantoina keksinnön mukaisen elektroluminenssi- rakenteen erilaisia suoritusmuotoja.

Kuvio 6 esittää kuvion ^ mukaisen rakenteen vaihtojännite-kirkkaus-käyrää.

Kuvio 7 esittää kuvion k mukaisen rakenteen sytty-15 mis- ja tuhoutumisjännitteitä suojakerrospaksuuden funktioina.

Kuvio 8 esittää yhden keksinnön mukaisen rakenteen tasajännite-kirkkaus-käyrää.

Kuvio 1 esittää keksinnön mukaista, vaihtovirta-20 käyttöön tarkoitettua elektroluminenssirakennetta kaikkein yleisimmässä muodossaan. Siinä esim. lasia olevan alusta- eli substraattikerroksen 1 päälle on perät-täisesti kerrostettu ensimmäinen elektrodikerros 2, ensimmäinen sähköisesti johtava kemiallinen suojakerros 25 3, ensimmäinen dielektristä ainetta oleva kemiallinen suojakerros ä, ensimmäinen ohuehko siirtymäkerroksena toimiva lisäeristekerros 5, varsinainen luminenssikerros 6, toinen lisäeristekerros 7, toinen dielektrinen suoja-kerros 8, toinen johtava suojakerros 9 ja toinen 30 elektrodikerros 10. Katkoviivoilla on esitetty alusta- kerros 1 vaihtoehtoisesti rakenteen toiselle puolelle sijoitettuna.

5 ' 61983

Kerroksista 3 ja It koostuvalla ensimmäisellä 1 isäkerrosrakenteella 3, }-t ja vastaavasti kerroksista 8 ja 9 koostuvalla toisella 1isäkerrosrakenteella 8, 9 on kemiallisen suojan funktio. Kerroksilla U ja 5 8, jotka nudostavat sisemmän osan ensimmäisestä ja toisesta lisäkerrosrakenteesta 3, ^ ja vastaavasti 8, 9, on virranrajoitusfunktio.

Kuviossa 2 esitetty rakenne on kuvion 1 mukainen, paitsi että siitä puuttuu ensimmäinen dielektrinen 10 suojakerros U.

Kuviossa 3 esitetty rakenne on kuvion 2 mukainen, paitsi että siitä puuttuu toinen johtava suoja-kerros 9.

Kuviossa U esitetty rakenne, on kuvion 3 mukai-15 nen, paitsi että siitä puuttuu toinen lisäeristeker-ros 7·

Kuviossa 5 esitetty rakenne on kuvion h mukainen, paitsi että siitä puuttuu myös ensimmäinen lisä- eristekerros 5· 20 Seuraavassa tarkastellaan yksityiskohtaisemmin kuvion k mukaista rakennetta, joka kuvaa jonkinlaista optimiratkaisua. Tässä rakenteessa käytetyt aine- ja mitoitusvalinnat ovat kuitenkin sovellettavissa myös kuvioiden 1 - 3 ja 5 mukaisiin rakenteisiin.

25 Kuvion k mukaisessa rakenteessa on siis yksi dielektristä ainetta oleva suojakerros (U, kuvio 1) korvattu sähköisesti johtavalla kemiallisella suoja-kerroksella 3.

Kerroksessa 8 käytetty sekaeriste, tantali-30 titaani-oksidi (TTO) toimii puolestaan sekä sähköisenä eristeenä, ns. virranrajoituskerroksena, että yläpuolisena kemiallisena suojana.

6 61 983

Kerroksessa 3 käytetty titaanioksidi (TiO^)» jolla on sopiva sähkönjohtavuus,toimii alaelektrodin 2 ja lumi-nenssikerroksen 6 sinkkisulfidin kemiallisena erottajana. Titaanioksidin ja sinkkisulfidin välissä on hyvin ohut 5 alumiinioksidikerros 5, jolla on tiettyjä luminenssia parantavia ominaisuuksia mutta joka ei sanottavasti toimi sähköisenä suojana.

Kun virranrajoituskerros ja johtava kemiallinen suojakerros näin on erotettu toisistaan, voidaan eri 10 kerrospaksuudet optimoida kunkin ominaisuuden kohdalta erikseen.

Kuviossa 6 on esitetty tyypillinen jännite-kirkkaus-käyrä. Siitä havaitaan, että käyttöjännite on saatu alle 100 Vp:n. Hyvän virranrajoituksen johdosta jannitemargi-15 naali on erittäin suuri. Kemiallinen stabiilisuus on kiihdytettyjen el inikätestien perusteella hyvä.

Kerrokset 3, 5, 6 ja 8 on kasvatettu ns. ALE-menetelmällä (Atomic Layer Epitaxy). ITO-kalvot 2 ja 10 (indiumtinaoksidi) on kasvatettu reaktiivisella sputrauk-20 sella.

Substraattina 1 voi olla joko tavallinen sodalime-lasi tai natriumvapaa lasi, esim. Corning 7059.

Substraattia vasten on läpinäkyvä johde, esimerkiksi indiumtinaoksidi (ITO), kerros 2.

25 Kerros 3 on titaanioksidia (Ti0p). Kalvon ominais- o C ^ vastus on 10-10 cm. Se rajoittaa titaanioksidikalvon paksuuden alle arvon 100 nm rakenteissa, joissa pohja-rakenne-ITO 2 on kuvioitu. Näin on,koska sivusuuntainen johtavuus halutaan pitää pienenä, jotta pohjakuvion 30 reuna pysyisi terävänä. Kun on yhtenäinen pohjajohde 2, ei tätä vaatimusta ole, koska kuvion tarkkuuden määrää pintajohde 10.

619 8 3 Ί

Titaanioksidin melko hyvästä johtavuudesta seuraa, ettei kalvon yli jää jännitettä, mistä on tiettyä etua. Substraattilasista 1 diffunhoituvat epäpuhtaudet eivät vaikuta titaanioksidin sähköisiin ominaisuuksiin, kuten eristä-5 vissä kerroksissa. Titaanioksidissa ei myöskään ole dif fuusiota auttavaa sähkökenttää.

Titaanioksidi on kemiallisesti hyvin stabiili, esim. sen etsaaminen on hyvin vaikeaa.

Sinkkisulfidi- ja titaanioksidikerrosten 6 ja 10 vastaavasti 3 välissä on "hyvin ohut kerros 5 alumiini- oksidia. Sillä on kolme tehtävää: Se muodostaa stabiilin kasvualustan sinkkisulfidille, ja samalla saadaan hyvä injektiorajapinta sinkkisulfidiin. Lisäksi se saattaa estää pienenergisten elektronien kulun rakenteen läpi.

15 Toisaalta alumiinioksidi eristemateriaalina nostaa rakenteen käyttöjännitettä. Tämän johdosta AlgO^kerros 5 pyritään tekemään niin ohueksi kuin mahdollista, kuitenkin siten, että halutut hyvät ominaisuudet tulevat näkymään.

20 Aktiivisena luminenssikerroksena 6 on sinkkisulfidi, joka on seostettu mangaanilla. Sinkkisulfidikerroksen paksuus määrää syttymisjännitteen ja AC-käytössä myös maksi-mikirkkauden. Molemmat nousevat sinkkisulfidikerroksen paksuuden kasvaessa.

25 Näiden toisilleen vastakkaisten puolien sovittami sessa täytyy tehdä kompromissi sinkkisulfidikerroksen 6 paksuutta määrättäessä. Nyt on päädytty n. 300 nm olevaan sinkkisulfidin kerrospaksuuteen.

Heti sinkkisulfidikerroksen 6 päällä on tantali-30 titaanioksidikerros 8. Tästä käytetään lyhennettä ΤΤ0.

ΤΤ0 on kasvatettu käyttäen pul s sisuhdetta Ta:Ti = 2:1. Myös muita pulssisuhteita on kokeiltu. Raja, jossa TTO muuttuu Ta20^:n kaltaisesta eristeestä TiOgin kaltaiseksi ei-eristeeksi,on hyviä jyrkkä. Kun pysytään rajan 35 jommallakummalla puolella, ei valmistuksen pui s sisuhteella 61983 8 näytä olevan asteittaista vaikutusta kalvon ominaisuuksiin.

TTO on hyvin samanlaista kuin Ta^O^. TTO:n dielektrisyyskertoirneksi on mitattu 20 mittaustaa- 5 juuden ollessa 1 kHz. TTO:n läpilyöntikentän arvoksi -1 .. ..

on mitattu 7 MV cm . Taina arvo on sama kuin parhailla Ta^O ^.-kalvoilla. Kuitenkin kun on kysymys ohut-kalvorakenteista, myös muut seikat vaikuttavat läpilyönt itaajuuteen kuin materiaalin bulk-ominaisuudet.

10 Ohuet kohdat tai kalvon kiteytymisominaisuudet ovat useimmin vastuussa kalvon tuhoutumisesta ennen totaalista bulk-läpilyöntiä. Tässä suhteessa TTO-ohutkalvo poikkeaa TagO^-ohutkalvosta.

Kun käytetään TTO-kerrosta virranrajoittimena l H luminenssirakenteessa, saadaan merkittävä käyttöjännite- marginaali. Kuviossa 9 on esitetty kuvion h mukaisen luminens s irakent een syttymi s j ännit e j a -tuhoutumi s j annit e TT0:n kerrospaksuuden funktiona. Suuri ylijänniteen kesto kertoo rakenteen sähköisestä luotettavuudesta.

20 Keksinnön puitteissa voidaan ajatella edellä kuvatusta suoritusesimerkistä poikkeaviakin ratkaisuja.

Niinpä TTO voidaan sijoittaa myös sinkkisulfidikerroksen 6 alapuolelle*tai se voidaan jakaa tämän molemmille puolille. Jälkimmäisessä tapauksessa yhden eristekerroksen 25 paksuus ei kuitenkaan yoi olla puolet yksipuolisen eristeen paksuudesta, koska eristeen reikätiheys on voimakkaasti riippuvainen kalvon paksuudesta. Kalvon ohentaminen suurentaa reikätiheyttä. Jos halutaan säilyttää sähköinen marginaali, on kaksipuolisten eristeiden yhteen-30 laskettu paksuus kaksinkertainen yksipuoliseen eristepak- suuteen verrattuna. Tämä taas aiheuttaa käyttöjännitteen nousua.

Titaanioksidikerros voidaan asettaa myös TT0-kerroksen päälle, jos halutaan parantaa kemiallista kestä-3C> vyyttä.

9 61 983

Al^O^-kerros 5 voidaan asettaa myös sinkki-sulfidi- ja TTO-kerrosten väliin. Tietyissä tapauksissa kerros 5 voidaan myös jättää kokonaan pois (kuviot 5 ja 6).

5 Muista vaihtoehdoista mainittakoon, että eris tävä suojakerros 8 voi olla valmistettu myös bariumtitaa- nioksidista (Ba Ti 0 ) tai lyijytitaanioksidista(PbTiO-) .

x y z 0

Dielektrisen suojakerroksen paksuus voi olla esim. 100...300 nm, sopivimmin n. 50 nm.

10 Johtava suojakerros 3 voidaan valmistaa myös tina- oksidista (Sn02).

Johtavan suojakerroksen 3 paksuus voi olla 50...100 nm, sopivimmin n. 70 nm.

Siirtymäkerroksena toimiva lisäeristekerros 5 15 (tai 7)voi olla valmistettu myös tantalititaanioksidista, ja sen paksuus voi olla esim. 5-..100 nm, sopivimmin n. 20 nm.

Tähän asti on keksinnön mukaista rakennetta tarkasteltu lähinnä vaihtovirtasovelluksena. On kuitenkin 20 huomattava, että keksinnön mukainen rakenne toimii myös tasavirralla. Tämä edellyttää, että virranrajoitus-funktion omaavalla yhdellä tai useammalla kerroksella on resistiivinen luonne.

Seuraavassa tarkasteltakoon kuvion k mukaista 25 rakennetta tasavirtatapauksessa. Tällöin kerrokset 1 , 2, 3, 5 ja 6 voivat olla jo esitetyn mukaiset.

Resistiivistä ainetta oleva suojakerros 8 voi samoin jo esitetyn mukaisesti olla tantalititaanioksidista (ΤΤ0) valmistettu ja sen paksuus esim. 200...300 nm, sopi-30 vimmin n. 250 nm.

Toisena vaihtoehtona mainittakoon, että resistii-vistä ainetta oleva kemiallinen suojakerros on valmistettu Ta20^:sta ja sen paksuus on 50...1000 nm, sopivimmin n. 100 nm.

35 Toinen elektrodikerros 10 voi olla valmistettu alumi i n i sta.

Kuviossa 8 on esitetty yhden edellä kuvatun rakenteen jännite-kirkkaus-käyrät 1 kHz:n taajuisilla 10 %:n DC-pulsseilla mitattuina.

Claims (16)

1. 61 983
2. 1 O
3. 1. Ohutkalvo-elektroluminenssirakenne, joka käsittää ainakin yhden» esim. lasia oleva* 5 alustakerroksen (1), ainakin yhden ensimmäisen elektrodikerroksen (2), ainakin yhden toisen elektrodikerroksen (10), joka on sovitettu välimatkan päähän ensimmäisestä elektrodikerroksesta (2), 10. luminenssikerroksen (6), joka on sovitettu ensimmäisen (2) ja toisen elektrodikerroksen (10) väli in j a elektrodikerrosten (2 ja 10) ja luminenssi-kerroksen (6) väliin sovitetut lisäkerrosraken-15 teet (3 - 5, T - 9), joilla on virranrajoitus- ja kemiallisen suojan funktiot, tunnettu siitä, että kummankin elektrodikerroksen (2 ja 10) ja luminenssikerroksen (6) väliin on sovitettu 20 kemiallisen suojan funktion omaavat ensimmäinen (3, it) ja vastaavasti toinen lisäkerrosrakenne (8 , 9) ja olennaisesti vain toisen elektrodikerroksen (10) ja luminenssikerroksen (6) väliin on sovitettu 25 virranrajoitusfunktion omaava kolmas lisäkerros rakenne (4 , 8 ).
4. 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen elektroluminenssi-rakenne, tunnettu siitä, että kolmas lisäkerrosrakenne (it, 8) muodostaa osan ensimmäisestä (3» M ja/tai 30 toisesta lisäkerros rakenteesta (8, 9) (kuviot 1 ja 2).
5. 3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen elektroluminenssi-rakenne, tunnettu siitä, että kolmas lisäkerrosrakenne (8) on erillinen, dielektristä ainetta oleva kemiallinen suojakerros (kuviot 3-5). 35 it. Patenttivaatimuksen 1 mukainen elektroluminenssi- 61983 1 1 rakenne, tunnettu siitä, että ensimmäinen 1isäkerrosrakenne (3) on erillinen, sähköisesti johtavaa ainetta oleva kemiallinen suojakerros (kuviot 2 - 5). 5 5· Patenttivaatimuksen 1 mukainen elektrolumi- nenssirakenne, tunnettu siitä, että luminens-sikerroksen (6) ainakin toiselle puolelle on sovitettu siirtymäkerroksena toimiva ohuehko lisäeristekerros (5, 7) (kuviot 1 - h).
6. 6. Patenttivaatimuksen 3 mukainen elektrolumi- nenssirakenne, tunnettu siitä, että dielektri-nen suojakerros (8) on valmistettu tantalititaanioksidis-ta (TTO), bariumtitaaniokdidista (Ba„ TI 0 ) tai lyijytitaanioksidista (Pb Ti 0^).
7. 7. Patenttivaatimuksen 3 tai 6 mukainen elektro- luminenssirakenne, tunnettu siitä,että dielektrisen suojakerroksen (8) paksuus on 100...1000 nm, sopivimmin n. 200 nm.
8. 8. Patenttivaatimuksen U mukainen elektrolumi- 20 nenssirakenne, tunnettu siitä, että johtava suojakerros (3) on valmistettu Ti02:sta tai Sn02:sta.
9. 9. Patenttivaatimuksen U tai 8 mukainen elektroluminenssirakenne, tunnettu siitä, että johtavan suojakerroksen (3) paksuus on 50...1000 25 nm.
10. 10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen elektroluminenssirakenne, jolloin johtava suojakerros (3) on valmistettu Ti02:sta, tunnettu siitä, että tämän kerroksen (3) paksuus on 50...100 nm, sopi- 30 vimmin n. 70 nm.
11. 11. Patenttivaatimuksen 5 mukainen elektroluminenssirakenne, tunnettu siitä, että lisäeristekerros (5, 7) on valmistettu AlgO^sta tai tantalititaa-nioksidista (TTO).
12. 12. Patenttivaatimuksen 5 tai 11 mukainen elektroluminenssirakenne, tunnettu siitä, että 1 2 61983 lisäeristekerroksen (5, 7) paksuus on 5...100 nm, sopivimmin n. 20 nm.
13. 13. Jonkin edellisen patenttivaatimuksen 5-12 mukainen elektroluminenssirakenne, jossa dielektrinen 5 suojakerros (8) on valmistettu tantalititaanioksidista (TTO), tunnettu siitä, että dielektrisen suojakerroksen (8) ja luminenssikerroksen (6) väliin on si/irtymäkerrok sena toimivana lisäeristekerroksena sovitettu ohuehko Al^O^-kerros (5) (kuviot 1 - 3). 10. h. Jonkin patenttivaatimuksen 3 - 5 ja 6 - 12 mukainen elektroluminenssirakenne, tunnettu siitä, että vain johtavan suojakerroksen (3) ja luminenssikerroksen (6) välissä on siirtymäkerroksena toimiva 1isäeristekerros (5) (kuvio k).
14. 15. Patenttivaatimuksen 1 mukainen elektro luminenssirakenne, tunnettu siitä, että kolmas lisäkerrosrakenne (8) on erillinen, resistiivis-tä ainetta oleva kemiallinen suojakerros.
15. 16. Patenttivaatimuksen 15 mukainen elektro-20 luminenssirakenne, tunnettu siitä, että resistiivistä ainetta oleva suojakerros (8) on valmistettu Ta^O^rsta tai tantalititaanioksidista (TTO).
16. 17· Patenttivaatimuksen 15 tai 16 mukainen 25 elektroluminenssirakenne, tunnettu siitä, että resistiivistä ainetta olevan suojakerroksen (8) paksuus on 50...1000 nm, sopivimmin 100...300 nm. 13 61983